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      基于GaAs的頻率可重構(gòu)套筒偶極子天線的制備方法與流程

      文檔序號(hào):12680037閱讀:267來(lái)源:國(guó)知局
      基于GaAs的頻率可重構(gòu)套筒偶極子天線的制備方法與流程

      本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于GaAs的頻率可重構(gòu)套筒偶極子天線的制備方法。



      背景技術(shù):

      在天線技術(shù)發(fā)展迅猛的今天,傳統(tǒng)的套筒單極子天線以其寬頻帶、高增益、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、饋電容易且縱向尺寸、方位面全向等諸多優(yōu)點(diǎn)廣泛應(yīng)用于車載、艦載和遙感等通信系統(tǒng)中。但是普遍使用的套筒單極子天線的電特征不僅依賴于套筒結(jié)構(gòu),且與地面有很大的關(guān)系,這就很難滿足艦載通信工程中架高天線對(duì)寬頻帶和小型化的需求。

      套筒偶極子天線是天線輻射體外加上了一個(gè)與之同軸的金屬套筒而形成的振子天線。套筒天線在加粗振子的同時(shí),引入不對(duì)稱饋電,起到了類似電路中參差調(diào)諧的作用,進(jìn)而更有效地展寬了阻抗帶寬。同時(shí),為突破傳統(tǒng)天線固定不變的工作性能難以滿足多樣的系統(tǒng)需求和復(fù)雜多變的應(yīng)用環(huán)境,可重構(gòu)天線的概念得到重視并獲得發(fā)展??芍貥?gòu)微帶天線因其體積小,剖面低等優(yōu)點(diǎn)成為可重構(gòu)天線研究的熱點(diǎn)。基于此,可重構(gòu)的套筒偶極子天線成為當(dāng)前市場(chǎng)前景較好的產(chǎn)品之一。

      隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,采用半導(dǎo)體材料制作可重構(gòu)天線已經(jīng)成為當(dāng)前技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)。因此,如何采用半導(dǎo)體工藝技術(shù)設(shè)計(jì)出結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于實(shí)現(xiàn)的頻率可重構(gòu)的套筒偶極子天線,是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的問(wèn)題。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種SPiN二極管可重構(gòu)等離子套筒偶極子天線。本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):

      本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種基于GaAs的頻率可重構(gòu)套筒偶極子天線的制備方法,其中,所述套筒偶極子天線包括GaAs襯底材料、天線臂、套筒、同軸饋線、直流偏置線;其中,所述制備方法包括:

      選取GeOI襯底;

      在所述GeOI襯底表面生長(zhǎng)GaAs材料;

      在所述GaAs材料上按照所述套筒偶極子天線的結(jié)構(gòu)制作多個(gè)SPiN二極管串;

      制作直流偏置線以連接所述SPiN二極管串與直流偏置電源;

      利用多個(gè)所述SPiN二極管串制作所述天線臂和所述套筒;

      制作所述同軸饋線以連接所述天線臂及所述套筒,最終形成所述套筒偶極子天線。

      在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,在所述GaAs材料上按照所述套筒偶極子天線的結(jié)構(gòu)制作多個(gè)SPiN二極管串,包括:

      (a)在所述GaAs材料及所述GeOI襯底上按照所述套筒偶極子天線的結(jié)構(gòu)設(shè)置隔離區(qū);

      (b)刻蝕所述GaAs材料形成P型溝槽和N型溝槽;

      (c)在所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)采用離子注入形成第一P型有源區(qū)和第一N型有源區(qū);

      (d)填充所述P型溝槽和所述N型溝槽,并采用離子注入工藝在所述GaAs材料內(nèi)形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū);

      (e)在所述GaAs材料表面形成引線以形成橫向SPiN二極管;

      (f)光刻PAD以實(shí)現(xiàn)多個(gè)所述橫向SPiN二極管的串行連接從而形成多個(gè)所述SPiN二極管串。

      在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,步驟(a)包括:

      (a1)在所述GaAs材料表面形成第一保護(hù)層;

      (a2)利用光刻工藝在所述第一保護(hù)層上形成第一隔離區(qū)圖形;

      (a3)利用干法刻蝕工藝在所述第一隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護(hù)層、所述GaAs材料及所述GeOI襯底以形成隔離槽,且所述隔離槽的深度大于等于所述GaAs材料的厚度;

      (a4)填充所述隔離槽以形成所述隔離區(qū)。

      在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,步驟(c)包括:

      (c1)氧化所述P型溝槽和所述N型溝槽以使所述P型溝槽和所述N型溝槽的內(nèi)壁形成氧化層;

      (c2)利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)壁的氧化層以完成所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)壁的平整化;

      (c3)對(duì)所述P型溝槽和所述N型溝槽進(jìn)行離子注入以形成所述第一P型有源區(qū)和所述第一N型有源區(qū)。

      在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述第一N型有源區(qū)為沿離子擴(kuò)散方向距所述N型溝槽側(cè)壁和底部深度小于1微米的區(qū)域,所述第一P型有源區(qū)為沿離子擴(kuò)散方向距所述P型溝槽側(cè)壁和底部深度小于1微米的區(qū)域。

      在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,步驟(d),包括:

      (d1)利用多晶硅填充所述P型溝槽和N型溝槽以形成P+區(qū)(27)和N+區(qū)(26);

      (d2)平整化處理所述GaAs材料后,在所述GaAs材料上形成多晶硅層;

      (d3)光刻所述多晶硅層,并采用帶膠離子注入的方法對(duì)所述P+區(qū)(27)和所述N+區(qū)(26)注入P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)以形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū)且同時(shí)形成P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū);

      (d4))去除光刻膠;

      (d5)利用濕法刻蝕去除P型電極和N型電極以外的所述多晶硅。

      在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,步驟(e)包括:

      在所述AsGa材料上生成二氧化硅;

      利用退火工藝激活所述P型有源區(qū)和N型有源區(qū)中的雜質(zhì);

      在所述P+區(qū)(27)和所述N+區(qū)(26)光刻引線孔以形成引線。

      在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,制備直流偏置線,包括:

      利用CVD工藝采用銅、鋁或者高摻雜的多晶硅制備形成所述直流偏置線。

      在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,利用多個(gè)所述SPiN二極管串制作所述天線臂和所述套筒,包括:

      劃分多個(gè)所述SPiN二極管串形成SPiN二極管天線臂、第一SPiN二極管套筒及第二SPiN二極管套筒,其中所述SPiN二極管天線臂、所述第一SPiN二極管套筒及所述第二SPiN二極管套筒均包括串行連接的相同個(gè)數(shù)的所述SPiN二極管串,且對(duì)應(yīng)位置的所述SPiN二極管串包括相同個(gè)數(shù)的橫向SPiN二極管。

      在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,制作所述同軸饋線,包括:

      將所述同軸饋線的內(nèi)芯線連接至所述SPiN二極管天線臂且將所述同軸饋線的外導(dǎo)體連接至所述第一SPiN二極管套筒與所述第二SPiN二極管套筒。

      與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果:

      本發(fā)明制備的基于GaAs的頻率可重構(gòu)套筒偶極子天線,體積小、剖面低,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于加工、無(wú)復(fù)雜饋源結(jié)構(gòu)、頻率可快速跳變,且天線關(guān)閉時(shí)將處于電磁波隱身狀態(tài),可用于各種跳頻電臺(tái)或設(shè)備;由于其所有組成部分均在半導(dǎo)體基片一側(cè),為平面結(jié)構(gòu),易于組陣,可用作相控陣天線的基本組成單元。

      附圖說(shuō)明

      圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基于GaAs的頻率可重構(gòu)套筒偶極子天線的結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基于GaAs的頻率可重構(gòu)套筒偶極子天線的制備方法示意圖;

      圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種SPiN二極管串的制備方法示意圖;

      圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種橫向SPiN二極管的結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種SPiN二極管串的結(jié)構(gòu)示意圖;以及

      圖6a-圖6s為本發(fā)明實(shí)施例的一種橫向SPiN二極管的制備方法示意圖。

      具體實(shí)施方式

      下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)的描述,但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。

      實(shí)施例一

      請(qǐng)參見(jiàn)圖1,圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基于GaAs的頻率可重構(gòu)套筒偶極子天線的結(jié)構(gòu)示意圖。該天線包括GaAs襯底材料1、SPiN二極管天線臂2、第一SPiN二極管套筒3、第二SPiN二極管套筒4、同軸饋線5、直流偏置線9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19;其中,

      所述SPiN二極管天線臂2、所述第一SPiN二極管套筒3、所述第二SPiN二極管套筒4及所述直流偏置線9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19均制作于所述GaAs襯底材料1上;所述SPiN二極管天線臂2與所述第一SPiN二極管套筒3及所述第二SPiN二極管套筒4通過(guò)所述同軸饋線5連接,所述同軸饋線5的內(nèi)芯線7連接所述SPiN二極管天線臂2且所述同軸饋線5的外導(dǎo)體8連接所述第一SPiN二極管套筒3及所述第二SPiN二極管套筒4;

      其中,所述SPiN二極管天線臂2包括串行連接的SPiN二極管w1、w2、w3,所述第一SPiN二極管套筒3包括串行連接的SPiN二極管w4、w5、w6,所述第二SPiN二極管套筒4包括串行連接的SPiN二極管w7、w8、w9,每個(gè)所述SPiN二極管串w1、w2、w3、w4、w5、w6、w7、w8、w9通過(guò)對(duì)應(yīng)的所述直流偏置線9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19連接至直流偏置電源。

      該天線是通過(guò)金屬直流偏置線控制SPiN二極管導(dǎo)通時(shí)形成的等離子天線臂及套筒長(zhǎng)度實(shí)現(xiàn)天線工作頻率的可重構(gòu),本發(fā)明的天線具有易集成、可隱身、頻率可快速跳變的特點(diǎn)。

      請(qǐng)參見(jiàn)圖2,圖2本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基于GaAs的頻率可重構(gòu)套筒偶極子天線的制備方法示意圖。該天線的制備方法可以包括:

      選取GeOI襯底;

      在所述GeOI襯底表面生長(zhǎng)GaAs材料;

      在所述GaAs材料上按照所述套筒偶極子天線的結(jié)構(gòu)制作多個(gè)SPiN二極管串;

      制作直流偏置線以連接所述SPiN二極管串與直流偏置電源;

      利用多個(gè)所述SPiN二極管串制作所述天線臂和所述套筒;

      制作所述同軸饋線以連接所述天線臂及所述套筒,最終形成所述套筒偶極子天線。

      其中,采用GeOI襯底并在GeOI襯底上淀積GaAs層的原因在于,GaAs材料與Ge的晶格失配特別小,所以在GeOI襯底上上生長(zhǎng)GaAs并以此來(lái)制備固態(tài)等離子pin二極管會(huì)得到性能比較好的器件;且GaAs材料的載流子遷移率比較大,故可提高器件性能。

      其中,制備直流偏置線,可以包括:

      利用CVD工藝采用銅、鋁或者高摻雜的多晶硅制備形成所述直流偏置線。

      可選地,利用多個(gè)所述SPiN二極管串制作所述天線臂和所述套筒,包括:

      劃分多個(gè)所述SPiN二極管串形成SPiN二極管天線臂、第一SPiN二極管套筒及第二SPiN二極管套筒,其中所述SPiN二極管天線臂、所述第一SPiN二極管套筒及所述第二SPiN二極管套筒均包括串行連接的相同個(gè)數(shù)的所述SPiN二極管串,且對(duì)應(yīng)位置的所述SPiN二極管串包括相同個(gè)數(shù)的橫向SPiN二極管。

      優(yōu)選地,制作所述同軸饋線,可以包括:

      將所述同軸饋線的內(nèi)芯線連接至所述SPiN二極管天線臂且將所述同軸饋線的外導(dǎo)體連接至所述第一SPiN二極管套筒與所述第二SPiN二極管套筒。

      需要說(shuō)明的是,上述步驟并非具有特定的制作順序,在實(shí)際制備中可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整,此處不做限制。

      本實(shí)施例中,SPiN二極管天線臂和SPiN二極管套筒均包括N段SPiN二極管串,N的取值范圍為N≥2。且每段SPiN二極管串中的SPiN二極管的個(gè)數(shù)可根據(jù)實(shí)際需要選取,此處不做任何限制。

      優(yōu)選地,N=3。即所述SPiN二極管天線臂2包括三段SPiN二極管串w1、w2、w3。所述第一SPiN二極管套筒3和所述第二SPiN二極管套筒4分別包括三段SPiN二極管串,其中,所述第一SPiN二極管套筒3包括三段SPiN二極管串w4、w5、w6,所述第二SPiN二極管套筒4包括三段SPiN二極管串w7、w8、w9。且所述SPiN二極管串w1和所述SPiN二極管串w6、所述SPiN二極管串w9的長(zhǎng)度相等,所述SPiN二極管串w2和所述SPiN二極管串w5、所述SPiN二極管串w8的長(zhǎng)度相等,所述SPiN二極管串w3和所述SPiN二極管串w4、所述SPiN二極管串w7的長(zhǎng)度相等。每一個(gè)SPiN二極管串亦有直流偏置線外接電壓正極。

      本實(shí)施例制備的天線,其頻率可重構(gòu)偶極子天線體積小、剖面低,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于加工、無(wú)復(fù)雜饋源結(jié)構(gòu)、頻率可快速跳變,且天線關(guān)閉時(shí)將處于電磁波隱身狀態(tài),可用于各種跳頻電臺(tái)或設(shè)備;由于其所有組成部分均在半導(dǎo)體基片一側(cè),為平面結(jié)構(gòu),易于組陣,可用作相控陣天線的基本組成單元。

      實(shí)施例二

      請(qǐng)參見(jiàn)圖3,圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種SPiN二極管串的制備方法示意圖。該制備方法可以包括如下步驟:

      (a)在所述GaAs材料及所述GeOI襯底上按照所述套筒偶極子天線的結(jié)構(gòu)設(shè)置隔離區(qū);

      (b)刻蝕所述GaAs材料形成P型溝槽和N型溝槽;

      (c)在所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)采用離子注入形成第一P型有源區(qū)和第一N型有源區(qū);

      (d)填充所述P型溝槽和所述N型溝槽,并采用離子注入工藝在所述GaAs材料內(nèi)形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū);

      (e)在所述GaAs材料表面形成引線以形成橫向SPiN二極管;

      (f)光刻PAD以實(shí)現(xiàn)多個(gè)所述橫向SPiN二極管的串行連接從而形成多個(gè)所述SPiN二極管串。

      其中,步驟(a)可以包括:

      (a1)在所述GaAs材料表面形成第一保護(hù)層;

      (a2)利用光刻工藝在所述第一保護(hù)層上形成第一隔離區(qū)圖形;

      (a3)利用干法刻蝕工藝在所述第一隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護(hù)層、所述GaAs材料及所述GeOI襯底以形成隔離槽,且所述隔離槽的深度大于等于所述GaAs材料的厚度;

      (a4)填充所述隔離槽以形成所述隔離區(qū)。

      其中,步驟(c)可以包括:

      (c1)氧化所述P型溝槽和所述N型溝槽以使所述P型溝槽和所述N型溝槽的內(nèi)壁形成氧化層;

      (c2)利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)壁的氧化層以完成所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)壁的平整化;具體地,平整化處理可以采用如下步驟:氧化P型溝槽和N型溝槽以使P型溝槽和N型溝槽的內(nèi)壁形成氧化層;利用濕法刻蝕工藝刻蝕P型溝槽和N型溝槽內(nèi)壁的氧化層以完成P型溝槽和N型溝槽內(nèi)壁的平整化。這樣做的好處在于:可以防止溝槽側(cè)壁的突起形成電場(chǎng)集中區(qū)域,造成Pi和Ni結(jié)擊穿。

      (c3)對(duì)所述P型溝槽和所述N型溝槽進(jìn)行離子注入以形成所述第一P型有源區(qū)和所述第一N型有源區(qū)。所述第一N型有源區(qū)為沿離子擴(kuò)散方向距所述N型溝槽側(cè)壁和底部深度小于1微米的區(qū)域,所述第一P型有源區(qū)為沿離子擴(kuò)散方向距所述P型溝槽側(cè)壁和底部深度小于1微米的區(qū)域。

      形成第一有源區(qū)的目的在于:在溝槽的側(cè)壁形成一層均勻的重?fù)诫s區(qū)域,該區(qū)域即為Pi和Ni結(jié)中的重?fù)诫s區(qū),而第一有源區(qū)的形成具有如下幾個(gè)好處,以槽中填入多晶硅作為電極為例說(shuō)明,第一、避免了多晶硅與Si之間的異質(zhì)結(jié)與Pi和Ni結(jié)重合,導(dǎo)致的性能的不確定性;第二、可以利用多晶硅中雜質(zhì)的擴(kuò)散速度比Si中快的特性,進(jìn)一步向P和N區(qū)擴(kuò)散,進(jìn)一步提高P和N區(qū)的摻雜濃度;第三、這樣做防止了在多晶硅工藝過(guò)程中,多晶硅生長(zhǎng)的不均性造成的多晶硅與槽壁之間形成空洞,該空洞會(huì)造成多晶硅與側(cè)壁的接觸不好,影響器件性能。

      其中,步驟(d)可以包括:

      (d1)利用多晶硅填充所述P型溝槽和N型溝槽以形成P+區(qū)(27)和N+區(qū)(26);

      (d2)平整化處理所述GaAs材料后,在所述GaAs材料上形成多晶硅層;

      (d3)光刻所述多晶硅層,并采用帶膠離子注入的方法對(duì)所述P+區(qū)(27)和所述N+區(qū)(26)注入P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)以形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū)且同時(shí)形成P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū);

      (d4))去除光刻膠;

      (d5)利用濕法刻蝕去除P型電極和N型電極以外的所述多晶硅。

      其中,步驟(e)可以包括:

      (e1)在所述AsGa材料上生成二氧化硅;

      (e2)利用退火工藝激活所述P型有源區(qū)和N型有源區(qū)中的雜質(zhì);

      (e3)在所述P+區(qū)(27)和所述N+區(qū)(26)光刻引線孔以形成引線。

      請(qǐng)一并參見(jiàn)圖4及圖5,圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種橫向SPiN二極管的結(jié)構(gòu)示意圖;圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種SPiN二極管串的結(jié)構(gòu)示意圖。每個(gè)SPiN二極管串中包括多個(gè)橫向SPiN二極管,且這些SPiN二極管串行連接。所述SPiN二極管串中的橫向SPiN二極管由P+區(qū)27、N+區(qū)26和本征區(qū)22組成,金屬接觸區(qū)23位于P+區(qū)27處,金屬接觸區(qū)24位于N+區(qū)26處,處于SPiN二極管串的一端的橫向SPiN二極管的金屬接觸區(qū)23連接至直流偏置的正極,處于SPiN二極管串的另一端的橫向SPiN二極管的金屬接觸區(qū)24連接至直流偏置的負(fù)極,通過(guò)施加直流電壓可使整個(gè)SPiN二極管串中所有橫向SPiN二極管處于正向?qū)顟B(tài)。

      實(shí)施例三

      請(qǐng)參見(jiàn)圖6a-圖6s,圖6a-圖6s為本發(fā)明實(shí)施例的一種橫向SPiN二極管的制備方法示意圖。本實(shí)施例在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上,以制備等離子區(qū)域長(zhǎng)度為100μm的基于GaAs的SPiN二極管(固態(tài)等離子PiN二極管)為例對(duì)SPiN二極管的制備進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明,具體步驟如下:

      步驟1,襯底材料制備步驟:

      (1a)如圖6a所示,選取(100)晶向的GeOI襯底片101,并利用MOCVD方法在頂層Ge上淀積GaAs層102,摻雜類型為p型,摻雜濃度為1014cm-3,頂層GaAs的厚度為50μm;

      (1b)如圖6b所示,采用化學(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposition,簡(jiǎn)稱CVD)的方法,在GaAs上淀積一層40nm厚度的第一SiO2層201;

      (1c)采用化學(xué)氣相淀積的方法,在襯底上淀積一層2μm厚度的第一Si3N4/SiN層202;

      步驟2,隔離制備步驟:

      (2a)如圖6c所示,通過(guò)光刻工藝在上述保護(hù)層上形成隔離區(qū),濕法刻蝕隔離區(qū)第一Si3N4/SiN層202,形成隔離區(qū)圖形;采用干法刻蝕,在隔離區(qū)形成寬5μm,深為50μm的深隔離槽301;

      (2b)如圖6d所示,光刻隔離區(qū)之后,采用CVD的方法,淀積SiO2 401將該深隔離槽填滿;

      (2c)如圖6e所示,采用化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing,簡(jiǎn)稱CMP)方法,去除表面第一Si3N4/SiN層202和第一SiO2層201,使襯底表面平整;

      步驟3,P、N區(qū)深槽制備步驟:

      (3a)如圖6f所示,采用CVD方法,在襯底上連續(xù)淀積延二層材料,第一層為300nm厚度的第二SiO2層601,第二層為500nm厚度的第二Si3N4/SiN層602;

      (3b)如圖6g所示,光刻P、N區(qū)深槽,濕法刻蝕P、N區(qū)第二Si3N4/SiN層602和第二SiO2層601,形成P、N區(qū)圖形;采用干法刻蝕,在P、N區(qū)形成寬4μm,深5μm的深槽701,P、N區(qū)槽的長(zhǎng)度根據(jù)在所制備的天線中的應(yīng)用情況而確定;

      (3c)如圖6h所示,在850℃下,高溫處理10分鐘,氧化槽內(nèi)壁形成氧化層801,以使P、N區(qū)槽內(nèi)壁平整;

      (3d)如圖6i所示,利用濕法刻蝕工藝去除P、N區(qū)槽內(nèi)壁的氧化層801。

      步驟4,P、N接觸區(qū)制備步驟:

      (4a)如圖6j所示,光刻P區(qū)深槽,采用帶膠離子注入的方法對(duì)P區(qū)槽側(cè)壁進(jìn)行p+注入,使側(cè)壁上形成薄的p+有源區(qū)1001,濃度達(dá)到0.5×1020cm-3,除掉光刻膠;

      (4b)光刻N(yùn)區(qū)深槽,采用帶膠離子注入的方法對(duì)N區(qū)槽側(cè)壁進(jìn)行n+注入,使側(cè)壁上形成薄的n+有源區(qū)1002,濃度達(dá)到0.5×1020cm-3,除掉光刻膠;

      (4c)如圖6k所示,采用CVD的方法,在P、N區(qū)槽中淀積多晶硅1101,并將溝槽填滿;

      (4d)如圖6l所示,采用CMP,去除表面多晶硅1101與第二Si3N4/SiN層602,使表面平整;

      (4e)如圖6m所示,采用CVD的方法,在表面淀積一層多晶硅1301,厚度為200~500nm;

      (4f)如圖6n所示,光刻P區(qū)有源區(qū),采用帶膠離子注入方法進(jìn)行p+注入,使P區(qū)有源區(qū)摻雜濃度達(dá)到0.5×1020cm-3,去除光刻膠,形成P接觸1401;

      (4g)光刻N(yùn)區(qū)有源區(qū),采用帶膠離子注入方法進(jìn)行n+注入,使N區(qū)有源區(qū)摻雜濃度為0.5×1020cm-3,去除光刻膠,形成N接觸1402;

      (4h)如圖6o所示,采用濕法刻蝕,刻蝕掉P、N接觸區(qū)以外的多晶硅1301,形成P、N接觸區(qū);

      (4i)如圖6p所示,采用CVD的方法,在表面淀積SiO2 1601,厚度為800nm;

      (4j)在1000℃,退火1分鐘,使離子注入的雜質(zhì)激活、并且推進(jìn)多晶硅中雜質(zhì);

      步驟5,構(gòu)成PIN二極管步驟:

      (5a)如圖6q所示,在P、N接觸區(qū)光刻引線孔1701;

      (5b)如圖6r所示,襯底表面濺射金屬,在750℃合金形成金屬硅化物1801,并刻蝕掉表面的金屬;

      (5c)襯底表面濺射金屬,光刻引線;

      (5d)如圖6s所示,淀積Si3N4/SiN形成鈍化層1901,光刻PAD,形成PIN二極管,作為制備套筒偶極子天線的材料。

      本實(shí)施例中,上述各種工藝參數(shù)均為舉例說(shuō)明,依據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員的常規(guī)手段所做的變換均為本申請(qǐng)之保護(hù)范圍。

      本發(fā)明制備的應(yīng)用于套筒偶極子天線的SPiN二極管,首先,所使用的GaAs材料,由于其高遷移率和大載流子壽命的特性,提高了SPiN二極管的固態(tài)等離子體濃度;另外,SPiN二極管的P區(qū)與N區(qū)采用了基于刻蝕的深槽刻蝕的多晶硅鑲嵌工藝,該工藝能夠提供突變結(jié)pi與ni結(jié),并且能夠有效地提高pi結(jié)、ni結(jié)的結(jié)深,使固態(tài)等離子體的濃度和分布的可控性增強(qiáng),有利于制備出高性能的等離子天線;再次,本發(fā)明制備的應(yīng)用于套筒偶極子天線的SPiN二極管采用了一種基于刻蝕的深槽介質(zhì)隔離工藝,有效地提高了器件的擊穿電壓,抑制了漏電流對(duì)器件性能的影響。

      以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明,不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換,都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

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