技術(shù)總結(jié)
公開了一種具有背柵負(fù)電容的半導(dǎo)體器件及其制造方法及包括這種半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備。根據(jù)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件可以包括：襯底；在襯底上設(shè)置的有源層；設(shè)于有源層上的控制柵；設(shè)于有源層下的背柵，其中，背柵包括負(fù)電容器。

技術(shù)研發(fā)人員：朱慧瓏;朱正勇;賈昆鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院微電子研究所
文檔號碼：201611189669
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.19
技術(shù)公布日：2017.05.10