1.一種掩膜法制絨和刻槽填柵電極太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征是，包括如下步驟：
步驟一：在硅片表面通過(guò)旋涂或者絲網(wǎng)印刷的方式涂覆膠；
步驟二：使用預(yù)制模板通過(guò)熱固化壓印或者紫外固化壓印的方式，在掩膜膠上形成排列的孔并在對(duì)應(yīng)電極位置形成槽；
步驟三：使用混酸溶液或者堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行腐蝕，在掩膜膠上有孔的地方腐蝕硅片，形成坑狀絨面，同時(shí)在膠上有槽的硅片上腐蝕形成凹槽；
步驟四：使用膠的顯影液去膠；
步驟五：擴(kuò)撒制結(jié)、邊緣刻蝕、PECVD鍍減反射薄膜、絲網(wǎng)印刷背電極和背電場(chǎng)；
步驟六：使用絲網(wǎng)印刷的方法，將漿料填充進(jìn)凹槽，并在其上堆積成有較大高寬比的電極柵線；
步驟七：高溫?zé)Y(jié)，形成刻槽填柵電極太陽(yáng)能電池。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種掩膜法制絨和刻槽填柵電極太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征是，步驟一中膠為熱固化膠或者紫外固化膠，膠的厚度為1μm～5μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種掩膜法制絨和刻槽填柵電極太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征是，步驟二中的模板為金剛石、碳化硅、氮化硅、二氧化硅、硅、PDMS、PMMA、h-PDMS、PMV、PVC、PVA、PTFE和ETFE材料中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種掩膜法制絨和刻槽填柵電極太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征是，模板的電極柵線對(duì)應(yīng)位置的凸起部位寬度為5μm～50μm，深度為1μm～10μm，凸起之間的間隔為0.5mm～3mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種掩膜法制絨和刻槽填柵電極太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征是，模板上凸起的柱狀圖形為內(nèi)切圓，內(nèi)切圓的直徑為10nm～4μm的正多邊形或者圓形柱體；柱體高度為1μm～6μm，柱體之間的間隔為1μm～20μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種掩膜法制絨和刻槽填柵電極太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征是，膠的固化方法為熱固化壓印或者紫外固化壓印，熱固化壓印的固化溫度為60～200℃，壓力為1N～50N，固化時(shí)長(zhǎng)為5秒～300秒，紫外固化的燈光波長(zhǎng)為300nm～500nm，固化時(shí)長(zhǎng)為5秒～300秒。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種掩膜法制絨和刻槽填柵電極太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征是，混酸溶液為49%的氫氟酸和69%的硝酸的混合溶液，氫氟酸和硝酸的比例在0%～80%之間，腐蝕溫度為5～8℃，腐蝕時(shí)間為40秒～100秒；堿溶液為氫氧化鈉或者氫氧化鉀，濃度為5%～20%，腐蝕溫度在50～70℃之間，腐蝕時(shí)間在120秒～1200秒之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種掩膜法制絨和刻槽填柵電極太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征是，顯影液為膠所配套的顯影液，顯影溫度5～40℃，顯影時(shí)長(zhǎng)5秒～150秒。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種掩膜法制絨和刻槽填柵電極太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征是，絲網(wǎng)印刷用網(wǎng)版柵線開(kāi)口在15μm～50μm之間，網(wǎng)版柵線間距在0.5mm～3mm之間；所用正面電極銀漿的粘度在180Pa·s～400 Pa·s之間。