本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地涉及多輸出封裝件結(jié)構(gòu)、天線系統(tǒng)及半導(dǎo)體封裝方法。

背景技術(shù)：

能夠在一個(gè)以上頻帶中操作的移動電話的天線的設(shè)計(jì)(例如，雙模式)受到市場要求持續(xù)減小電話的整個(gè)尺寸的約束。用于具有極輕重量的智能電話的天線將需要尤其地緊湊，同時(shí)仍然能夠提供令人滿意的性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種多輸出封裝件結(jié)構(gòu)，包括：天線主體；再分布層(rdl)；以及天線輔助體，在所述再分布層中。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種天線系統(tǒng)，包括：天線主體，布置為提供第一共振；以及天線輔助體，布置為通過寄生耦合至所述天線主體提供第二共振。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體封裝方法，包括：提供載體；在所述載體上附著天線主體以提供第一共振；在所述載體上設(shè)置天線輔助體，以通過寄生耦合至所述天線主體提供第二共振；其中，所述第一共振不同于所述第二共振。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以更好地理解本發(fā)明的實(shí)施例。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，對各種部件沒有按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或縮小。

圖1至圖7是根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例的示出包括多模式天線的多輸出結(jié)構(gòu)的制造中的中間階段的示意圖和截面圖；

圖8是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的示出多模式天線系統(tǒng)的頂視圖；

圖9a是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的示出多模式天線系統(tǒng)的頂視圖；

圖9b是沿圖9a的線9-9截取的截面圖；

圖10a是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的示出多模式天線系統(tǒng)的頂視圖；

圖10b是沿圖10a的線10-10截取的截面圖；

圖11a是根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的示出多模式天線系統(tǒng)的頂視圖；以及

圖11b是沿圖11a的線11-11截取的截面圖。

具體實(shí)施方式

以下公開內(nèi)容提供了許多用于實(shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗?。下面描述了組件和布置的具體實(shí)例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅僅是實(shí)例，而不旨在限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成為直接接觸的實(shí)施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可在各個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號和/或字母。該重復(fù)是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

而且，為便于描述，在此可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空間相對術(shù)語，以便于描述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對術(shù)語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，而在此使用的空間相對描述符可以同樣地作相應(yīng)的解釋。

盡管提出本發(fā)明寬泛范圍的數(shù)值范圍和參數(shù)設(shè)定是近似值，在特定實(shí)例中的數(shù)值設(shè)定被盡可能精確地報(bào)告。然而，任何數(shù)值固有地包含某些必然誤差，該誤差由各自的測試測量結(jié)果中發(fā)現(xiàn)的標(biāo)準(zhǔn)偏差產(chǎn)生。同樣，正如此處使用的術(shù)語“約”一般指在給定值或范圍的10％、5％、1％或0.5％內(nèi)?；蛘?，術(shù)語“約”意思是在本領(lǐng)域普通的技術(shù)人員可以考慮到的可接受的平均標(biāo)準(zhǔn)誤差內(nèi)。除了在操作/工作實(shí)例中，或者除非明確指出，否則應(yīng)該理解，通過術(shù)語“大約”修改所有示例中的所有的數(shù)值范圍、數(shù)量、值和百分比(諸如用于本文所公開的材料的數(shù)量、持續(xù)時(shí)間、溫度、操作條件、比率大小等)。因此，除非有相反規(guī)定，本發(fā)明和所附權(quán)利要求所記載的數(shù)值參數(shù)設(shè)定是可以根據(jù)要求改變的近似值。至少，每個(gè)數(shù)值參數(shù)應(yīng)該至少被解釋為根據(jù)被報(bào)告的有效數(shù)字的數(shù)目，并應(yīng)用普通的四舍五入技術(shù)。此處范圍可以表示為從一個(gè)端點(diǎn)到另一個(gè)端點(diǎn)或在兩個(gè)端點(diǎn)之間。此處公開的所有范圍包括端點(diǎn)，除非另有說明。

公開了能夠在一個(gè)以上的頻帶中操作的多模式天線。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，多模式天線嵌入在具有包括的至少一個(gè)天線主體的多輸出封裝件結(jié)構(gòu)中且還提供了其形成方法。示出了形成多輸出封裝件的中間階段。討論實(shí)施例的變化。貫穿各個(gè)視圖和示例性實(shí)施例，相同的參考標(biāo)號用于指定相同的元件。

圖1至圖7是根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例的示出包括多模式天線的多輸出結(jié)構(gòu)的制造中的中間階段的示意圖。圖1是示出了載體20和載體20上的粘合層22的截面圖。載體20可為玻璃載體、陶瓷載體等。粘合層22可以是由諸如粘合膜的粘合劑形成的。

圖2a是示出了載體20上方的螺旋線圈23的放置的三維立體圖。螺旋線圈23是用作天線主體的具有4匝的16mm平坦的螺旋線圈電感器且從頂視圖角度看時(shí)具有多邊形的基本輪廓。在該實(shí)施例中，從頂視圖角度，螺旋線圈23描繪了16mm*16mm的尺寸的四邊形。在一些實(shí)施例中，從頂視圖角度，螺旋線圈23可以布置為四方形、正多邊形、圓形或橢圓形。在一些實(shí)施例中，螺旋線圈23可具有圓角。如圖2a所示，螺旋線圈23具有多邊形、圓形或橢圓形的橫截面，且橫截面具有高度h和寬度w。在該實(shí)施例中，高度h約為150um。在一些實(shí)施例中，高度h可在約100um至約200um的范圍內(nèi)。請注意，這不旨在使本發(fā)明限制于此處所示的幾何實(shí)例。螺旋線圈23包括線圈最外匝處的第一端23a和線圈最內(nèi)匝處的第二端23b。

螺旋線圈23是可在別處制造的組件且隨后被放置在載體20上。在一些實(shí)施例中，螺旋線圈23可以是由銅(cu)組成的且通過諸如低成本穿孔、濕蝕刻或激光切割的操作制造。與通過在圖案化的襯底上的電鍍方法制備的現(xiàn)有的螺旋線圈相比，由所述操作制作的螺旋線圈23具有增加的厚度(即，h)且因此具有更大的深寬比(即，h和w的比率，又稱高寬比)。在固定的寬度下，更大的深度為螺旋線圈23提供更大的截面面積，因此減少電阻值。在一些實(shí)施例中，深寬比可以超過2。在一些實(shí)施例中，深寬比可以超過2.5。圖2b是示出了沿圖2a的線2-2截取的載體20上方的螺旋線圈23的放置的截面圖。

在一些實(shí)施例中，可以利用拾取放置機(jī)器以將平坦的螺旋線圈23逐一地安裝至晶圓上。拾取放置機(jī)器可以包括其上具有多個(gè)孔的真空噴嘴以提供真空吸力，從而當(dāng)將平坦的螺旋線圈23從托盤移動至晶圓上的具體位置時(shí)牢固地固定平坦的螺旋線圈23。在一些其它實(shí)施例中，與前述的拾取放置機(jī)器相反，可以利用振動部件對準(zhǔn)裝置以將平坦的螺旋線圈23的組一次性地安裝至晶圓上。振動部件對準(zhǔn)裝置可以包括由振動發(fā)生器固定支撐的線圈對準(zhǔn)托板，其中，該線圈對準(zhǔn)托板具有用于在振動發(fā)生器的振動期間平坦的螺旋線圈23的組的對準(zhǔn)的多個(gè)凹槽。然后，晶圓被翻轉(zhuǎn)且附接至線圈對準(zhǔn)托板，從而使得平坦的螺旋線圈23的組通過按壓和加熱操作從托板轉(zhuǎn)移至晶圓。

圖3a是示出了載體20上方的管芯24和25的放置的三維立體圖。管芯24和管芯25放置在載體20上方的螺旋線圈23的旁邊。在一些實(shí)施例中，管芯24和管芯25附接至粘合至載體20的粘合層22。管芯24可以是包括其中的邏輯晶體管的邏輯器件且和天線主體協(xié)同工作。例如，管芯24是包括充電相關(guān)功能的集成電路(ic)，并且管芯25是藍(lán)牙ic。在一些實(shí)施例中，諸如電阻器、電容器和電感器的集成無源器件(ipd)還可包括在管芯24和25中。在一些實(shí)施例中，從頂視圖角度，螺旋線圈23描繪了16mm*16mm的尺寸的四邊形，并且從頂視圖角度，管芯24和25中的每個(gè)都包括3mm*3mm的尺寸。

形成電連接件26和27以分別地作為管芯24和25的頂部，并且電連接件26和27電耦合至管芯24和25中的器件。在一些實(shí)施例中，電連接件26和27包括可以在器件管芯24和25放置在載體20上方之前預(yù)形成的金屬支柱(諸如銅支柱)。金屬支柱26和27可以不具有焊料且可以包括垂直的側(cè)壁。在一些實(shí)施例中，介電層形成在管芯24和管芯25的頂面處，金屬支柱26和27在介電層中至少具有下部或全部。介電層的頂面還可以與金屬支柱26和27的頂端基本上齊平。介電層可以由聚酰亞胺、聚苯并惡唑(pbo)、氧化物層、氮化物層或它們的多層組成。當(dāng)不形成介電層時(shí)，金屬支柱26和27從管芯24和25的頂面之上突出。在該實(shí)施例中，在圖3a和隨后附圖中不描述介電層。

管芯24和25附接至附著于載體20的粘合層22?？刂乒苄?4、25的厚度和金屬支柱26和27的高度，從而使得管芯24和25的金屬支柱26和27的頂端與螺旋線圈23的高度h基本上齊平。此外，由于管芯24、25和螺旋線圈23放置在粘合層22上，所以管芯24、25和螺旋線圈23的背面彼此齊平。

圖3b示出了圖3a的結(jié)構(gòu)的頂視圖。在一些實(shí)施例中，管芯24、25和螺旋線圈23的放置在晶圓級處，并且因此，在載體20上方放置有多個(gè)管芯24、25和螺旋線圈23。圖3b示出了載體20具有圓形頂視圖形狀。在可選實(shí)施例中，載體20還可以具有矩形頂視圖形狀，且管芯24和25可以布局為陣列。在圖3b中，環(huán)繞每組管芯24、25和螺旋線圈23的矩形(未標(biāo)記)限定在隨后操作中形成的對應(yīng)的封裝件的邊界。

參考圖4，在管芯24、25和螺旋線圈23上分配且模制模制材料40。管芯24、25和螺旋線圈23的相對位移可參考之前討論的圖3a。模制材料40填充管芯24、25和螺旋線圈23之間的間隙，并且可以與粘合層22接觸。此外，如果在管芯24和25的頂面上不形成介電層，那么模制材料40可以填充在金屬支柱26和27之間的間隙內(nèi)。在一些實(shí)施例中，模制材料40由聚合物組成。例如，模制材料40可包括模塑料、模制底部填充物、環(huán)氧樹脂、或樹脂。模制材料40的頂面高于金屬支柱26、27和螺旋線圈23的頂端。模制材料40的底面與管芯24、25和螺旋線圈23的背面基本上齊平。在被分配之后，固化模制材料40。

接下來，實(shí)施可以是研磨操作或化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)操作的平坦化操作以減薄模制材料40?？梢酝瓿善教够僮髦钡奖┞督饘僦е?6、27和螺旋線圈23的頂端。圖5中示出了生成的結(jié)構(gòu)。金屬支柱26、27的頂端和螺旋線圈23的頂端的相對位移可參考之前討論的圖3a。螺旋線圈23與管芯24和25中的金屬支柱26和27的頂端彼此齊平，且與模制材料的頂面40a齊平。在不形成介電層的一些實(shí)施例中，模制材料40環(huán)繞金屬支柱26和27中的每個(gè)且與金屬支柱26和27中的每個(gè)接觸。在形成介電層的可選實(shí)施例中，金屬支柱26和27的頂端彼此齊平且與介電層的表面和模制材料40的頂面40a基本上齊平。

接下來，參考圖6a和圖6b，圖6b是沿圖6a的線6-6截取的截面圖。在模制材料40上方形成再分布層(rdl)45。rdl45包括介電層44以及位于其中的多個(gè)導(dǎo)電圖案41a、41b、41c、41d、42a、42b、43a和43，其中，由于實(shí)際上切割線僅穿過導(dǎo)電圖案41b、42b、和43，所以圖6b中僅示出了導(dǎo)電圖案41b、42b、和43?？梢跃哂幸粋€(gè)、兩個(gè)、三個(gè)或更多的介電層44，每個(gè)介電層44都包括在相同平面處多個(gè)連接導(dǎo)電圖案。導(dǎo)電圖案41a、41b、41c、和41d是將上部相鄰再分布層中的導(dǎo)電圖案42a和42b與螺旋線圈23和管芯24互連的通孔。這樣，螺旋線圈23的第一端23a和第二端23b與管芯24連接。l形導(dǎo)電圖案43具有約7um的高度且可用作天線輔助體，以及沿著螺旋線圈23的一側(cè)定位，從而使得l形導(dǎo)電圖案43的較長段平行于螺旋線圈23的右側(cè)。導(dǎo)電圖案43通過通孔43a連接至管芯25。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電圖案43和螺旋線圈23的線圈最外匝之間的水平距離確定為阻抗匹配和電容耦合設(shè)計(jì)的結(jié)果。從頂視圖角度，在螺旋線圈23描繪了16mm*16mm的尺寸且管芯25包括3mm*3mm的尺寸的方案下，水平距離在從約100μm至約150μm的范圍內(nèi)。

底部再分布層和對應(yīng)的介電層44中的通孔41a、41b、41c、41d和43a具有約4.5um的高度且具有與金屬支柱26、27、螺旋線圈23的頂端以及模制材料40的頂面40a接觸的底面。在一些實(shí)施例中，rdl45通過形成和圖案化介電層44，且在圖案化的介電層44中的開口中形成導(dǎo)電圖案41a、41b、41c、41d、42a、42b、43a和43來形成。在可選實(shí)施例中，rdl45通過沉積金屬層，圖案化金屬層，以及用介電層44填充導(dǎo)電圖案41a、41b、41c、41d、42a、42b、43a和43之間的間隙形成。在又一可選的實(shí)施例中，rdl45可以使用鑲嵌工藝形成。rdl45可以由銅、鎳、鈀、鋁、鎢等組成。介電層44可以包括諸如可以被圖案化而不需使用額外的光刻膠的聚酰亞胺、pbo等的感光材料。介電層44還可以由無機(jī)材料或諸如氧化物和/或氮化物的材料形成。

在該實(shí)施例中，充電ic24可配置為檢測在相關(guān)近場區(qū)域內(nèi)定位的無線充電器且配置為通過近場共振以6.78mhz穿過天線主體23發(fā)送無線功率。此外，天線輔助體43通過寄生耦合至天線主體23提供2.45ghz共振。術(shù)語寄生耦合是指當(dāng)元件鄰近且當(dāng)元件通過其它元件分隔開時(shí)第一元件和第二元件之間的寄生耦合，其中，能量從第一元件寄生耦合至串聯(lián)的任何數(shù)量的元件且然后寄生耦合至第二元件。以這樣的方式，充電ic24和藍(lán)牙ic25可以通過共用的天線主體23和天線輔助體43同時(shí)操作，并且天線主體23和天線輔助體43的總面積和成本小于專用于充電ic24和藍(lán)牙ic25的兩個(gè)單獨(dú)的天線。這樣，可以減小半導(dǎo)體器件的總面積。

圖7示出根據(jù)一些示例性實(shí)施例的電連接件46的形成。連接件46的形成可以包括將焊球放置在導(dǎo)電圖案47的暴露部分上以及回流焊球。在可選的實(shí)施例中，連接件46的形成包括實(shí)施鍍敷操作以在連接圖案47的暴露部分上方形成銅或焊料區(qū)域。連接件46還可以包括金屬支柱或者金屬支柱和焊帽，其也可以通過鍍敷來形成。載體20與封裝件48分離且可以去除粘合層22。包括管芯24、25、螺旋線圈23、模制材料40、上面的rdl45和連接件46的組合結(jié)構(gòu)稱為多輸出封裝件48。多輸出封裝件48占據(jù)晶圓的包括多個(gè)多輸出封裝件的部分，且沿著多個(gè)多輸出封裝件內(nèi)的劃線管芯鋸切晶圓。

上述的示例性實(shí)施例提供了一種包括集成在其中的管芯和螺旋線圈的多輸出封裝件。與通過電鍍制備的現(xiàn)有的螺旋線圈相比，本文討論的集成在多輸出封裝件中的螺旋線圈擁有更高的深寬比，從而當(dāng)提供相同的性能時(shí)，本發(fā)明的螺旋線圈的形狀因數(shù)更小。此外，與現(xiàn)有的螺旋線圈相比，本發(fā)明的螺旋線圈具有高純度銅和更低的剩余應(yīng)力。

在一些實(shí)施例中，例如，如圖8所示，更多的無線通信系統(tǒng)應(yīng)用可進(jìn)一步被納入充電和藍(lán)牙系統(tǒng)中。圖8是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例示出的多模式天線系統(tǒng)的頂視圖。長期演進(jìn)(lte)ic84和無線保真(wifi)ic80進(jìn)一步并入多輸出封裝件48中。利用相應(yīng)的lte天線輔助體86和相應(yīng)的wifi天線輔助體82以寄生耦合至天線主體23。以這樣的方式，通過共用天線主體23和三個(gè)天線輔助體43、82和86來實(shí)現(xiàn)四模式天線系統(tǒng)。與使用四個(gè)單獨(dú)的天線相比，公開的四模式天線系統(tǒng)具有減少的面積、成本和天線之間的干擾。

請注意，在一些實(shí)施例中，螺旋線圈23，即天線主體，還可通過rdl中的圖案化和沉積操作形成。此外，多模式天線的概念還可應(yīng)用于不同于晶圓級封裝件工藝的場合。例如，本發(fā)明的概念可通過銅跡線應(yīng)用于印刷電路板(pcb)上的天線。在另一實(shí)例中，本發(fā)明的概念可通過金屬線應(yīng)用于半導(dǎo)體管芯中的天線。在一些實(shí)施例中，可以根據(jù)各個(gè)設(shè)計(jì)要求改變天線主體的圖案。在下面段落中描述一些可選的設(shè)計(jì)。

圖9a是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的示出多模式天線系統(tǒng)的頂視圖。圖9a中示出的多模式天線系統(tǒng)是包括用作通過用于lte相關(guān)應(yīng)用的導(dǎo)電圖案93耦合至lteic94的天線主體的單極天線(monopoleantenna)90三模式天線系統(tǒng)。如圖9a所示，三模式天線系統(tǒng)還包括耦合至用于wifi相關(guān)應(yīng)用的wifiic92的天線輔助體91，其中，天線輔助體91寄生耦合至天線90的側(cè)部。如圖9a所示，另一天線輔助體95耦合至用于相關(guān)應(yīng)用的藍(lán)牙ic96，其中，天線輔助體95寄生耦合至單極天線90的另一側(cè)。

圖9b是沿圖9a的線9-9截取的截面圖。請注意，為了簡潔，圖9b僅示出了天線體所在的rdl99。如可以圖9b看見，天線主體90，是由在rdl99的介電層98中形成的導(dǎo)電圖案組成的。在rdl99的同一介電層98中形成天線輔助體91和95。如上所述，可在rdl99中通過圖案化和沉積操作形成天線主體90以及輔助體91和95。然而，這并不是對本發(fā)明的限制。

圖10a是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的示出多模式天線系統(tǒng)的頂視圖。圖10a中示出的多模式天線系統(tǒng)是包括用作通過用于lte相關(guān)應(yīng)用的導(dǎo)電圖案103耦合至lteic104的天線主體的鋸齒形天線100的三模式天線系統(tǒng)。如圖10a所示，三模式天線系統(tǒng)還包括耦合至用于wifi相關(guān)應(yīng)用的wifiic102的天線輔助體101，其中，天線輔助體101寄生耦合至鋸齒形天線100的側(cè)部。如圖10a所示，另一天線輔助體105耦合至用于相關(guān)應(yīng)用的藍(lán)牙ic106，其中，天線輔助體105寄生耦合至鋸齒形天線100的另一側(cè)。

圖10b是沿圖10a的線10-10截取的截面圖。請注意，為了簡潔，圖10b僅示出了天線體所在的rdl109。如可從圖10b看見，螺旋管形天線100是由rdl109的介電層107和108中形成的導(dǎo)電線100a和100b組成的，其中，通孔100c也形成在介電層107和108中以使導(dǎo)電線100a和100b互連并且因此形成鋸齒形天線100。在rdl109的介電層108中形成天線輔助體101和105。如上所述，可在rdl109中通過圖案化和沉積操作形成天線主體100和輔助體101和105。然而，這并不是對本發(fā)明的限制。

圖11a是根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的示出多模式天線系統(tǒng)的頂視圖。圖11a中示出的多模式天線系統(tǒng)是包括用作通過用于lte相關(guān)應(yīng)用的導(dǎo)電圖案113耦合至lteic114的天線主體的螺旋管形天線110的三模式天線系統(tǒng)。如圖11a所示，三模式天線系統(tǒng)還包括耦合至用于wifi相關(guān)應(yīng)用的wifiic112的天線輔助體111，其中，天線輔助體111寄生耦合至螺旋管形天線110的側(cè)部。如圖11a所示，另一天線輔助體115耦合至用于相關(guān)應(yīng)用的藍(lán)牙ic116，其中，天線輔助體115寄生耦合至螺旋管形天線110的內(nèi)部。

圖11b是沿圖11a的線11-11截取的截面圖。請注意，為了簡潔，圖11b僅示出了天線體所在的rdl120。如可從圖11b看見，鋸齒形天線110是由在rdl120的介電層117和119中形成的導(dǎo)電線110a和110b組成的。在rdl120的介電層109中形成天線輔助體111。天線輔助體115形成在rdl120的介電層108中以穿過鋸齒形天線110的中心并且由導(dǎo)電線110a和110b圍繞。通孔110c形成在介電層117和118中以互連導(dǎo)電線110a和110b并且因此形成鋸齒形天線110。如上所述，可在rdl120中通過圖案化和沉積操作形成天線主體110和輔助體111和115。然而，這并不是對本發(fā)明的限制。

公開的多模式天線工藝擁有緊湊和簡單的結(jié)構(gòu)且可在具有不同頻率的各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)。與為不同的模式分別使用單獨(dú)的天線的系統(tǒng)相比，本發(fā)明具有減小的面積、成本和天線之間的干擾。此外，通過各個(gè)實(shí)施例示出的多模式天線很容易被集成在晶圓級封裝工藝中。

本發(fā)明的一些實(shí)施例提供了一種多輸出封裝件結(jié)構(gòu)，包括天線主體；再分布層(rdl)；以及rdl中的天線輔助體。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，天線主體提供處于第一頻率的共振。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，天線輔助體通過寄生耦合至天線主體提供處于第二頻率的共振。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，第一頻率高于第二頻率或低于第二頻率。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，天線主體位于rdl中。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，天線主體位于與rdl相鄰的層中，并且層中的間隙由模制材料填充。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，天線主體是螺旋線圈。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，天線輔助體包括與天線主體的側(cè)部平行的導(dǎo)電線。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，還包括連接至rdl的第一管芯，從而使得第一管芯通過rdl連接至天線主體。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，第一管芯包括與充電應(yīng)用相關(guān)的功能。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，還包括連接至rdl的第二管芯，從而使得第二管芯通過rdl連接至天線輔助體。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，第二管芯包括與無線通信系統(tǒng)相關(guān)的功能。

本發(fā)明的一些實(shí)施例提供了一種天線系統(tǒng)，包括：天線主體，布置為提供第一共振；以及天線輔助體，布置為通過寄生耦合至天線主體提供第二共振；其中天線主體的尺寸大于天線輔助體的尺寸。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，天線主體是螺旋線圈。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，天線主體是單極天線。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，天線主體是螺旋管形天線。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，天線輔助體至少部分地平行于天線主體。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，天線輔助體與天線主體至少部分地重疊。

本發(fā)明的一些實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體封裝方法，包括：提供載體；在載體上附著天線主體以提供第一共振；在載體上方的再分布層(rdl)中設(shè)置天線輔助體以通過寄生耦合至天線主體提供第二共振；其中，第一共振不同于第二共振。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，該方法還包括：在載體上附著管芯；以及將天線主體通過rdl與管芯連接。

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種多輸出封裝件結(jié)構(gòu)，包括：天線主體；再分布層(rdl)；以及天線輔助體，在所述再分布層中。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述天線主體提供處于第一頻率的共振。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述天線輔助體通過寄生耦合至所述天線主體提供處于第二頻率的共振。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述第一頻率高于所述第二頻率。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述天線主體位于所述再分布層中。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述天線主體位于與所述再分布層相鄰的層中，并且所述層中的間隙由模制材料填充。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述天線主體是螺旋線圈。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述天線輔助體包括平行于所述天線主體的側(cè)部的導(dǎo)電線。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，多輸出封裝件結(jié)構(gòu)還包括連接至所述再分布層的第一管芯，從而使得所述第一管芯通過所述再分布層連接至所述天線主體。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述第一管芯包括與充電應(yīng)用相關(guān)的功能。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，多輸出封裝件結(jié)構(gòu)還包括連接至所述再分布層的第二管芯，從而使得所述第二管芯通過所述再分布層連接至所述天線輔助體。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述第二管芯包括與無線通信系統(tǒng)相關(guān)的功能。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種天線系統(tǒng)，包括：天線主體，布置為提供第一共振；以及天線輔助體，布置為通過寄生耦合至所述天線主體提供第二共振；其中，所述天線主體的尺寸大于所述天線輔助體的尺寸。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述天線主體是螺旋線圈。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述天線主體是平面回折倒f天線(mifa)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述天線主體是鋸齒形天線。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述天線輔助體至少部分地平行于所述天線主體。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述天線輔助體與所述天線主體至少部分地重疊。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體封裝方法，包括：提供載體；在所述載體上附著天線主體以提供第一共振；在所述載體上方的再分布層(rdl)中設(shè)置天線輔助體，以通過寄生耦合至所述天線主體提供第二共振；其中，所述第一共振不同于所述第二共振。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體封裝方法還包括：在所述載體上附著管芯；以及通過所述再分布層將所述天線主體與所述管芯連接。

上面概述了若干實(shí)施例的部件、使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)現(xiàn)與在此所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)勢的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識到，這種等同構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍、并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此他們可以做出多種變化、替換以及改變。