本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED顯示面板及其制作方法。

背景技術(shù)：

隨著顯示面板朝著輕薄、低能耗、便攜帶的趨勢發(fā)展，以有機(jī)電致發(fā)光二極管（OLED）為代表的新一代顯示技術(shù)受到了越來越廣泛的關(guān)注。相比于LCD顯示技術(shù)，OLED具有輕薄、低功耗、低驅(qū)動電壓、更良好的視角和對比度、以及更快的響應(yīng)速度等優(yōu)點(diǎn)。

目前OLED顯示面板實(shí)現(xiàn)全彩顯示的主流方法為：WOLED+CF（帶彩色濾光片的白光OLED）或FMM（精密金屬掩膜版）或IJP RGB，無論哪種方法，所制備的OLED元器件中都有共用功能層，由于共用功能層一般為電荷傳輸層，當(dāng)OLED元器件工作時(shí)，由于各個(gè)元器件的共用功能層是相連的，共用功能層的良好電荷傳輸性能，可能引起橫向漏電流，進(jìn)而影響整個(gè)顯示面板的顯示對比度以及顯示效果。此外，目前常用的像素bank結(jié)構(gòu)如圖1所示，其中1為基板、2為像素電極、3為像素bank、4為發(fā)光層、5為共用功能層、6為頂電極，為了保證頂電極具有良好均勻的導(dǎo)電性，一般像素bank采用小角度tape角（傾斜角），防止tape角因過大導(dǎo)致斜面處的頂電極過薄，從而導(dǎo)致斷路以及導(dǎo)電均勻性不佳的問題，然而小角度tape角由于角度延伸會降低整個(gè)顯示面板的開口率。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種OLED顯示面板及其制作方法，旨在解決現(xiàn)有小角度tape角由于角度延伸降低整個(gè)顯示面板的開口率的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種OLED顯示面板，其中，所述OLED顯示面板從下而上依次包括基板、位于基板像素電極圖案區(qū)的像素電極、像素電極周邊區(qū)域的像素bank層、像素電極上的發(fā)光層、共用功能層、頂電極及TCGDB層（透明導(dǎo)電氣體擴(kuò)散阻隔層）；其中所述像素bank層的tape角大于60°，所述TCGDB層采用ALD工藝制作而成。

所述的OLED顯示面板，其中，所述基板為玻璃基板或柔性基板。

所述的OLED顯示面板，其中，所述像素電極為導(dǎo)電膜層，所述導(dǎo)電膜層為透明導(dǎo)電膜層或反光導(dǎo)電膜層。

所述的OLED顯示面板，其中，所述像素bank層的材料為負(fù)性光阻材料或正性光阻材料，所述像素bank層的厚度為0.8-1.5μm。

所述的OLED顯示面板，其中，所述發(fā)光層為有機(jī)發(fā)光層，所述有機(jī)發(fā)光層包括聚合物發(fā)光層、小分子發(fā)光層、摻雜型發(fā)光層中的一層或多層。

所述的OLED顯示面板，其中，所述共用功能層為激子阻擋層、電荷阻擋層、電荷傳輸層、電荷注入層中的一層或多層。

所述的OLED顯示面板，其中，所述頂電極為反射電極或透明電極。

所述的OLED顯示面板，其中，所述反射電極的材料為Al或Ag，所述透明電極的材料為ITO、IZO、石墨烯或?qū)щ娋酆衔铩?/p>

所述的OLED顯示面板，其中，所述TCGDB層的材料為透明導(dǎo)電金屬氧化物。

一種如上任一所述的OLED顯示面板的制作方法，其中，包括：

步驟A、在基板的像素電極圖案區(qū)制作像素電極；

步驟B、在像素電極周邊區(qū)域制作像素bank層，其中所述像素bank層的tape角大于60°；

步驟C、在像素電極上制作發(fā)光層；

步驟D、在發(fā)光層上依次制作共用功能層和頂電極；

步驟E、采用ALD工藝在頂電極上制作TCGDB層，完成OLED顯示面板的制作。

有益效果：本發(fā)明通過采用大角度tape角的像素bank，并結(jié)合頂電極上ALD工藝沉積的TCGDB層，不僅可以有效減小甚至消除器件的橫向漏電流，同時(shí)由于TCGDB良好的導(dǎo)電性，可以作為輔助電極提高頂電極的導(dǎo)電性，以及由于TCGDB良好的水氧阻擋性，可以作為一層無機(jī)水氧阻擋層提高整個(gè)面板的穩(wěn)定性；此外，由于采用大角度tape角的像素bank，還能在一定程度上提高整個(gè)顯示面板的開口率。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有OLED顯示面板的截面示意圖。

圖2為本發(fā)明一種OLED顯示面板較佳實(shí)施例的截面示意圖。

圖3為本發(fā)明一種OLED顯示面板的制作方法較佳實(shí)施例的流程圖。

圖4為圖3中經(jīng)步驟S200后得到的OLED顯示面板截面示意圖。

圖5為圖3中經(jīng)步驟S300后得到的OLED顯示面板截面示意圖。

圖6為圖3中經(jīng)步驟S400和步驟S500后得到的OLED顯示面板截面示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明提供一種OLED顯示面板及其制作方法，為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

請參閱圖2，圖2為本發(fā)明的一種OLED顯示面板較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，所述OLED顯示面板從下而上依次包括基板7、位于基板像素電極圖案區(qū)的像素電極8、像素電極周邊區(qū)域的像素bank層9、像素電極上的發(fā)光層10、共用功能層11、頂電極12及TCGDB層13，其中所述像素bank層9的tape角大于60°，所述TCGDB層采用ALD工藝制作而成。

本發(fā)明采用大角度tape角像素bank，甚至倒角狀像素bank，這樣在制作OLED器件的共用功能層以及頂電極時(shí)時(shí)，共用功能層以及頂電極（常規(guī)蒸鍍工藝，臺階覆蓋性差）在像素發(fā)光區(qū)以及像素bank頂部由于大角度tape角導(dǎo)致像素bank斜坡處的薄膜很薄甚至斷裂，從而減小甚至消除器件的橫向漏電流。進(jìn)一步地，通過在頂電極上采用ALD工藝沉積一層TCGDB（透明導(dǎo)電氣體擴(kuò)散阻隔層），由于ALD工藝具有良好的臺階覆蓋性，因此可以將像素發(fā)光區(qū)和像素bank頂部的頂電極相連，同時(shí)由于TCGDB具有良好的導(dǎo)電性，還能作為輔助電極增加頂電極的導(dǎo)電性，進(jìn)而提高整個(gè)面板的發(fā)光均勻性。此外，由于采用大角度tape角的像素bank，還能在一定程度上提高整個(gè)顯示面板的開口率。

具體地，本發(fā)明所述基板可以為玻璃基板或柔性基板，所述基板上具有像素電極圖案，所述像素電極圖案區(qū)用于制作像素電極，當(dāng)OLED顯示面板為PM面板（無源面板）時(shí)，其不具有驅(qū)動TFT陣列，當(dāng)OLED顯示面板為AM面板（有源面板）時(shí)，基板上具有驅(qū)動TFT陣列。

具體地，本發(fā)明所述像素電極為導(dǎo)電膜層，當(dāng)OLED顯示面板為底發(fā)射型面板時(shí)，該導(dǎo)電膜層為透明導(dǎo)電膜層，其可選用ITO、IZO等導(dǎo)電金屬氧化物或石墨烯、導(dǎo)電聚合物等高導(dǎo)電有機(jī)導(dǎo)電材料；當(dāng)OLED顯示面板為頂發(fā)射型面板時(shí)，該導(dǎo)電膜層為反光導(dǎo)電膜層，其可選用Al或Ag等高導(dǎo)電金屬薄膜。

具體地，本發(fā)明所述像素電極周邊區(qū)域的像素bank層可以為本領(lǐng)域常規(guī)材料制備而成，如常規(guī)的負(fù)性光阻材料或正性光阻材料，其中像素bank層的tape角為大角度tape角，優(yōu)選的tape角大于60°，甚至tape角可以為倒角，即大于90°，像素bank層的厚度為0.8-1.5μm。

具體地，本發(fā)明所述發(fā)光層可以為有機(jī)發(fā)光層，所述有機(jī)發(fā)光層包括聚合物發(fā)光層、小分子發(fā)光層、摻雜型發(fā)光層中的一層或多層。根據(jù)器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，所述發(fā)光層還可以包括電荷注入層、電荷傳輸層、電荷阻擋層以及激子阻擋層中的一層或多層功能層，其中的電荷注入層、電荷傳輸層、電荷阻擋層以及激子阻擋層位于有機(jī)發(fā)光層與像素電極之間。且根據(jù)OLED器件所采用的結(jié)構(gòu)，即正裝結(jié)構(gòu)或倒置結(jié)構(gòu)，功能層各不一樣，當(dāng)OLED器件采用正裝結(jié)構(gòu)時(shí)，各功能層分別為空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層以及激子阻擋層；當(dāng)OLED器件采用倒置結(jié)構(gòu)時(shí)，各功能層分別為電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層以及激子阻擋層。

具體地，本發(fā)明所述共用功能層為OLED顯示面板中所有發(fā)光像素單元的共用功能層，其包括激子阻擋層、電荷阻擋層、電荷傳輸層、電荷注入層中的一層或多層；根據(jù)OLED器件所采用的結(jié)構(gòu)的不同，共用功能層的功能各不一樣，當(dāng)OLED器件采用正裝結(jié)構(gòu)時(shí)，共用功能層為激子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層以及電子注入層中的一層或多層；當(dāng)OLED器件采用倒置結(jié)構(gòu)時(shí)，共用功能層為激子阻擋層、電子阻擋層、空穴傳輸層以及空穴注入層中的一層或多層。

具體地，本發(fā)明所述頂電極根據(jù)OLED顯示面板的出光類型可以為反射電極（底發(fā)射型）或透明電極（頂發(fā)射型），所述反射電極的材料可以為Al或Ag等高導(dǎo)電金屬薄膜，所述透明電極的材料可以為ITO、IZO等導(dǎo)電金屬氧化物或石墨烯、導(dǎo)電聚合物等高導(dǎo)有機(jī)導(dǎo)電材料。

具體地，本發(fā)明所述TCGDB的材料為透明導(dǎo)電氣體擴(kuò)散阻擋層，其可以為ITO、IZO等透明導(dǎo)電金屬氧化物，本發(fā)明TCGDB薄膜致密平整，從而保證導(dǎo)電性的同時(shí)，有效阻擋水氧等其他的擴(kuò)散。

基于上述OLED顯示面板，本發(fā)明還提供一種如上任一所述的OLED顯示面板的制備方法較佳實(shí)施例的流程圖，如圖3所示，包括：

步驟S100、在基板的像素電極圖案區(qū)制作像素電極；

具體地，在制作像素電極之前，本發(fā)明先將該基板進(jìn)行清洗、干燥。然后在基板的像素電極圖案區(qū)制作像素電極。

步驟S200、在像素電極周邊區(qū)域制作像素bank層，其中所述像素bank層的tape角大于60°，如圖4所示，圖4中14為基板、15為像素電極、16為像素bank層；

步驟S300、在像素電極上制作發(fā)光層，如圖5所示，像素電極15上制作的發(fā)光層17；

本發(fā)明所述發(fā)光層可采用蒸鍍或印刷工藝制備得到。

步驟S400、在發(fā)光層上依次制作共用功能層和頂電極，如圖6所示，在發(fā)光層17上依次制作的共用功能層18和頂電極19；

步驟S500、采用ALD工藝在頂電極上制作TCGDB層，完成OLED顯示面板的制作，如圖6所示，在頂電極19上制作的TCGDB層20。

本發(fā)明所述共用功能層可采用蒸鍍工藝制備得到。所述TCGDB層采用ALD工藝沉積得到。這是由于ALD工藝沉積的TCGDB層具有良好的臺階覆蓋性，即在器件凹坑的縱向位置有一TCGDB層，將像素發(fā)光區(qū)和像素bank頂部的頂電極相連；另外，采用ALD工藝沉積能夠形成致密平整的薄膜，從而保證導(dǎo)電性的同時(shí)，有效阻擋水氧等其他的擴(kuò)散。

本發(fā)明在完成上述OLED顯示面板的制作后，將OLED顯示面板進(jìn)行封裝。封裝的方法可以為手動封裝或機(jī)器封裝。

綜上所述，本發(fā)明提供的一種OLED顯示面板及其制作方法，本發(fā)明通過采用大角度tape角的像素bank，并結(jié)合頂電極上沉積的TCGDB層，不僅可以有效減小甚至消除器件的橫向漏電流，同時(shí)由于TCGDB良好的導(dǎo)電性，可以作為輔助電極提高頂電極的導(dǎo)電性，以及由于TCGDB良好的水氧阻擋性，可以作為一層無機(jī)水氧阻擋層提高整個(gè)面板的穩(wěn)定性；此外，由于采用大角度tape角的像素bank，還能在一定程度上提高整個(gè)顯示面板的開口率。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。