本發(fā)明涉及一種用于快速評(píng)估快恢復(fù)二極管性能的基座，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

快恢復(fù)二極管（Fast Recovery Diode，F(xiàn)RD）是近年來問世的新型半導(dǎo)體功率器件，具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短、正向電流大、反向耐壓大、體積小、安裝簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)。

目前快恢復(fù)二極管開發(fā)時(shí)參數(shù)評(píng)估需要對(duì)快恢復(fù)二極管芯片進(jìn)行封裝，常見的封裝形式有單管和模塊。由于模塊封裝成本高且評(píng)估測(cè)試時(shí)需要特定的夾具，因此快恢復(fù)二極管開發(fā)時(shí)對(duì)開發(fā)樣品常采用單管封裝形式。單管封裝無法對(duì)面積較大快恢復(fù)二極管芯片進(jìn)行封裝，且少量的開發(fā)樣品封裝所需的周期較長(zhǎng)且封裝費(fèi)用較高，嚴(yán)重影響了快恢復(fù)二極管的開發(fā)周期和開發(fā)成本。

快恢復(fù)二極管的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能評(píng)估時(shí)，只需將快恢復(fù)二極管芯片固定在框架上就能進(jìn)行測(cè)試評(píng)估，目前單管的金屬框架各管腳之間在貼片和打線之后為短路的，需要完成整個(gè)封裝工序后才能將各管腳開路固定。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種用于快速評(píng)估快恢復(fù)二極管性能的基座，通過該基座可以對(duì)快恢復(fù)二極管芯片直接貼片和打線后直接進(jìn)行靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能評(píng)估。

按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，本發(fā)明涉及一種用于快速評(píng)估快恢復(fù)二極管性能的基座，其特征是：包括耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架，在耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架中嵌入一個(gè)陽極金屬引線框架和陰極金屬引線框架，陽極金屬引線框架在陰極金屬引線框架左側(cè)，陽極金屬引線框架和陰極金屬引線框架之間保持一定的距離；所述陽極金屬引線框架的部分表面、陰極金屬引線框架的部分表面以及耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架的部分表面在同一平面上，該平面為二極管芯片的貼片平面；所述陽極金屬引線框架和陰極金屬引線框架各有部分露出與耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架之外，分別形成陽極管腳和陰極管腳，陽極管腳和陰極管腳相互平行，陽極管腳和陰極管腳所形成的平行平面與貼片平面平行。

進(jìn)一步的，所述貼片平面上的陰極金屬引線框架的部分表面的面積大于所需評(píng)估的二極管芯片的面積。

進(jìn)一步的，所述陽極管腳和陰極管腳的長(zhǎng)度相同。

本發(fā)明所述的用于快速評(píng)估快恢復(fù)二極管的基座可以在快恢復(fù)二極管產(chǎn)品開發(fā)期間用來對(duì)快恢復(fù)二極管芯片直接貼片和打線后進(jìn)行靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能評(píng)估，大大縮短快恢復(fù)二極管的開發(fā)周期，降低開發(fā)成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明所述用于快速評(píng)估快恢復(fù)二極管性能的基座的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為所述陽極金屬引線框架的示意圖。

圖3為所述陰極金屬引線框架的示意圖。

圖4為圖1的A-A剖視圖。

圖5為圖1的B-B剖視圖。

圖6為圖1的C-C剖視圖。

圖7為圖1的D-D剖視圖。

圖8為本發(fā)明所述用于快速評(píng)估快恢復(fù)二極管性能的基座的應(yīng)用示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

如圖1所示，本發(fā)明所述用于快速評(píng)估快恢復(fù)二極管性能的基座包括一個(gè)陽極金屬引線框架1、一個(gè)陰極金屬引線框架2和一個(gè)耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架3；通過一個(gè)耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架3將一個(gè)陽極金屬引線框架1和一個(gè)陰極金屬引線框架2固定在一起形成一個(gè)整體的基座，陽極金屬引線框架1在陰極金屬引線框架2左側(cè)。

如圖1所示，為了防止陽極金屬引線框架1和陰極金屬引線框架2之間短路，陽極金屬引線框架1和陰極金屬引線框架2之間沒有直接的接觸點(diǎn)，并且陽極金屬引線框架1和陰極金屬引線框架2之間保持一定的距離。

如圖1、圖4～圖6所示，所述陽極金屬引線框架1和陰極金屬引線框架2嵌入耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架3內(nèi)，其中陽極金屬引線框架1的部分表面、陰極金屬引線框架2的部分表面以及耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架3的部分表面是在同一平面上，稱該平面為貼片平面。貼片平面上的陰極金屬引線框架2的部分表面的面積可調(diào)節(jié)使其大于所需評(píng)估的二極管芯片的面積。

如圖1所示，陽極金屬引線框架1和陰極金屬引線框架2各有部分露出與耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架3之外，分別形成陽極管腳和陰極管腳，分別對(duì)應(yīng)著圖2和圖3中下部的閉合圖形所示部分。陽極管腳和陰極管腳相互平行，如圖7所示，陽極管腳和陰極管腳所形成的平行平面（如圖7中A）與貼片平面平行。陽極管腳和陰極管腳長(zhǎng)度相同，陽極管腳和陰極管腳之間的距離可根據(jù)測(cè)試夾具間的距離調(diào)節(jié)。

如圖8所示，本發(fā)明在用于快速評(píng)估快速二極管時(shí)，將快恢復(fù)二極管芯片貼片在貼片平面中的陰極金屬引線框架2之上，然后通過打線將快恢復(fù)二極管的陽極和貼面平面中的陽極金屬引線框架1連接后直接進(jìn)行快恢復(fù)二極管靜態(tài)和動(dòng)態(tài)參數(shù)的評(píng)估。