技術特征：

技術總結
本發(fā)明實施例公開了鰭式場效晶體管器件及其形成方法。一種鰭式場效晶體管器件包括在第一區(qū)中具有第一鰭及第二鰭且在第二區(qū)中具有第三鰭及第四鰭的襯底，以及分別跨越第一鰭至第四鰭的第一柵極至第四柵極。第一柵極的第一端部側壁面對第二柵極的第二端部側壁，且在第一端部側壁與第二端部側壁之間形成有第一開口。第三柵極的第三端部側壁面對第四柵極的第四端部側壁，且在第三端部側壁與第四端部側壁之間形成有第二開口。第一區(qū)及第二區(qū)具有不同的圖案密度，且第一開口的側壁與襯底之間的夾角不同于第二開口的側壁與襯底之間的夾角。

技術研發(fā)人員：張哲誠;林志翰;曾鴻輝
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：2016.12.29
技術公布日：2017.09.15