本發(fā)明的一個方式涉及一種發(fā)光元件或包括該發(fā)光元件的顯示裝置、電子設(shè)備及照明裝置。另外，本發(fā)明的一個方式不局限于上述
技術(shù)領(lǐng)域：
。本說明書等所公開的發(fā)明的一個方式的
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涉及一種物體、方法或制造方法。或者，本發(fā)明的一個方式涉及一種工序(process)、機(jī)器(machine)、產(chǎn)品(manufacture)或組合物(compositionofmatter)。因此，更具體地，作為本說明書所公開的本發(fā)明的一個方式的
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的一個例子，可以舉出半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、液晶顯示裝置、發(fā)光裝置、照明裝置、蓄電裝置、存儲裝置、它們的驅(qū)動方法或它們的制造方法。
背景技術(shù)：
：近年來，對利用電致發(fā)光(el：electroluminescence)的發(fā)光元件的研究開發(fā)日益火熱。這些發(fā)光元件的基本結(jié)構(gòu)是在一對電極之間夾有包含發(fā)光物質(zhì)的層(el層)的結(jié)構(gòu)。通過將電壓施加到該元件的電極間，可以獲得來自發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光。由于上述發(fā)光元件是自發(fā)光型發(fā)光元件，所以使用該發(fā)光元件的顯示裝置具有良好的可見度、不需要背光源及耗電量低等優(yōu)點(diǎn)。另外，還具有如下優(yōu)點(diǎn)：能夠被制造得薄且輕；以及響應(yīng)速度快等。當(dāng)使用將有機(jī)化合物用作發(fā)光物質(zhì)并在一對電極間設(shè)置有包含該發(fā)光物質(zhì)的el層的發(fā)光元件(例如，有機(jī)el元件)時，通過將電壓施加到一對電極間，電子和空穴(hole)分別從陰極和陽極注入到el層，而使電流流過。而且，被注入了的電子與空穴復(fù)合而使發(fā)光有機(jī)化合物成為激發(fā)態(tài)，由此可以從被激發(fā)的發(fā)光有機(jī)化合物得到發(fā)光。發(fā)光有機(jī)化合物所發(fā)射的光是該有機(jī)化合物特有的發(fā)光。因此，通過作為發(fā)光物質(zhì)采用多種有機(jī)化合物，可以得到發(fā)射多種光的發(fā)光元件。作為該發(fā)光元件的重要特性之一是效率及可靠性。因此，減少導(dǎo)致發(fā)光元件的效率及可靠性降低的雜質(zhì)變得尤為重要。專利文獻(xiàn)1中公開了一種通過將含有有機(jī)化合物的el層中的鹵族化合物的濃度降低到一定數(shù)值以下來得到可靠性高的發(fā)光元件的方法。[專利文獻(xiàn)1]國際公開第00/41443號雖然有導(dǎo)致發(fā)光元件的效率及可靠性等特性下降的雜質(zhì)，但是也有不影響發(fā)光元件的特性的雜質(zhì)。因此，重要的是弄清使發(fā)光元件的特性下降的雜質(zhì)的種類。但是，由于發(fā)光元件所包含的雜質(zhì)的含量較少，很難特定雜質(zhì)。此外，對于雜質(zhì)是如何使發(fā)光元件的特性下降的機(jī)理也不是很清楚。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：因此，本發(fā)明的一個方式的課題之一是提供一種可靠性高的發(fā)光元件。另外，本發(fā)明的一個方式的課題之一是提供一種發(fā)光效率高的發(fā)光元件。另外，本發(fā)明的一個方式的課題之一是提供一種功耗得到降低的發(fā)光元件。另外，本發(fā)明的一個方式的課題之一是提供一種新穎的發(fā)光元件。另外，本發(fā)明的一個方式的課題之一是提供一種新穎的發(fā)光裝置。另外，本發(fā)明的一個方式的課題之一是提供一種新穎的顯示裝置。另外，上述課題的記載不妨礙其他課題的存在。此外，本發(fā)明的一個方式并不需要解決所有上述課題。此外，可以從說明書等的記載得知并得出上述課題以外的課題。本發(fā)明的一個方式是具有發(fā)光層的發(fā)光元件，該發(fā)光層包含第一有機(jī)化合物及客體材料，第一有機(jī)化合物具有含氮六元芳雜環(huán)骨架，發(fā)光層中含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架、具有nh基的仲胺骨架或具有nh基的伯胺骨架的有機(jī)化合物與第一有機(jī)化合物的重量比為0.03以下。另外，本發(fā)明的另一個方式是具有發(fā)光層的發(fā)光元件，發(fā)光層包含第一有機(jī)化合物及客體材料，第一有機(jī)化合物具有吡啶骨架、二嗪骨架或三嗪骨架中的至少一個，發(fā)光層中含有具有nh基的吡咯骨架、具有nh基的咪唑骨架、具有nh基的三唑骨架、具有nh基的四唑骨架或具有nh基的芳香胺骨架的有機(jī)化合物與第一有機(jī)化合物的重量比為0.03以下。另外，本發(fā)明的另一個方式是具有發(fā)光層的發(fā)光元件，發(fā)光層包含第一有機(jī)化合物、第二有機(jī)化合物及客體材料，第一有機(jī)化合物具有含氮六元芳雜環(huán)骨架，第二有機(jī)化合物具有含氮五元雜環(huán)骨架或叔胺骨架中的至少一個，發(fā)光層中含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架、具有nh基的仲胺骨架或具有nh基的伯胺骨架的有機(jī)化合物與第二有機(jī)化合物的重量比為0.01以下。另外，本發(fā)明的另一個方式是具有發(fā)光層的發(fā)光元件，發(fā)光層包括第一有機(jī)化合物、第二有機(jī)化合物及客體材料，第一有機(jī)化合物具有吡啶骨架、二嗪骨架或三嗪骨架中的至少一個，第二有機(jī)化合物具有吡咯骨架、咪唑骨架、三唑骨架、四唑骨架或芳香胺骨架中的至少一個，發(fā)光層中含有具有nh基的吡咯骨架、具有nh基的咪唑骨架、具有nh基的三唑骨架、具有nh基的四唑骨架或具有nh基的芳香胺骨架的有機(jī)化合物與第二有機(jī)化合物的重量比為0.01以下。另外，在上述各結(jié)構(gòu)中，當(dāng)從該具有nh基的有機(jī)化合物的激發(fā)態(tài)到nh鍵發(fā)生離解所需的活化能為0.3ev以下時，本發(fā)明的一個方式的效果大。另外，當(dāng)nh基的nh鍵發(fā)生離解時的穩(wěn)定能小于0ev時，本發(fā)明的一個方式的效果大。另外，在上述各結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選發(fā)光層中含有氮原子具有不成對電子的含氮五元雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物或氮原子具有不成對電子的芳香胺骨架的有機(jī)化合物與第一有機(jī)化合物的重量比為0.03以下。再者，進(jìn)一步優(yōu)選發(fā)光層中氫原子鍵合于第一有機(jī)化合物的有機(jī)化合物與第一有機(jī)化合物的重量比為0.03以下。另外，在上述各結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選發(fā)光層中含有氮原子具有不成對電子的含氮五元雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物或氮原子具有不成對電子的芳香胺骨架的有機(jī)化合物與第二有機(jī)化合物的重量比為0.01以下。再者，進(jìn)一步優(yōu)選發(fā)光層中氫原子鍵合于第一有機(jī)化合物的有機(jī)化合物與第二有機(jī)化合物的重量比為0.01以下。另外，在上述各結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選客體材料具有能夠使三重態(tài)激發(fā)能轉(zhuǎn)換為發(fā)光的功能。另外，客體材料優(yōu)選含有銥。本發(fā)明的其他的一個方式是一種顯示裝置，該顯示裝置包括：上述各結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件；以及濾色片或晶體管中的至少一個。本發(fā)明的其他的一個方式是一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括：上述顯示裝置；以及框體或觸摸傳感器中的至少一個。本發(fā)明的其他的一個方式是一種照明裝置，該照明裝置包括：上述各結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件；以及框體或觸摸傳感器中的至少一個。另外，本發(fā)明的一個方式在其范疇內(nèi)不僅包括具有發(fā)光元件的發(fā)光裝置，還包括具有發(fā)光裝置的電子設(shè)備。因此，本說明書中的發(fā)光裝置是指圖像顯示器件或光源(包括照明裝置)。另外，本發(fā)明的一個方式還包括：在發(fā)光元件中安裝有連接器諸如fpc(flexibleprintedcircuit：柔性電路板)、tcp(tapecarrierpackage：載帶封裝)的顯示模塊；在tcp端部中設(shè)置有印刷線路板的顯示模塊；或者ic(集成電路)通過cog(chiponglass：玻璃上芯片)方式直接安裝在發(fā)光元件上的顯示模塊。根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種可靠性高的發(fā)光元件?；蛘?，可以提供一種發(fā)光效率高的發(fā)光元件?；蛘撸鶕?jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種功耗被降低的發(fā)光元件。或者，通過本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種新穎的發(fā)光元件。或者，根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種新穎的發(fā)光裝置?；蛘撸鶕?jù)本發(fā)明的一個方式可以，提供一種新穎的顯示裝置。注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。此外，本發(fā)明的一個方式并不需要具有所有上述效果。另外，可以從說明書、附圖、權(quán)利要求書等的記載得知并得出上述效果以外的效果。附圖說明圖1a和圖1b是本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的截面示意圖；圖2是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的反應(yīng)的圖；圖3a和圖3b是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的反應(yīng)的圖；圖4a和圖4b是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的反應(yīng)的圖；圖5是說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的lumo能級與能量的關(guān)系的圖；圖6a至圖6c是本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的截面示意圖及說明發(fā)光層中的能級相關(guān)的圖；圖7a至圖7c是本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的截面示意圖及說明發(fā)光層中的能級相關(guān)的圖；圖8a至圖8c是本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的截面示意圖及說明發(fā)光層中的能級相關(guān)的圖；圖9a和圖9b是本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的截面示意圖；圖10a和圖10b是本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的截面示意圖；圖11a至圖11c是說明本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的制造方法的截面示意圖；圖12a至圖12c是說明本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的制造方法的截面示意圖；圖13a和圖13b是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的俯視圖及截面示意圖；圖14a和圖14b是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的截面示意圖；圖15是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的截面示意圖；圖16a和圖16b是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的截面示意圖；圖17a和圖17b是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的截面示意圖；圖18是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的截面示意圖；圖19a和圖19b是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的截面示意圖；圖20是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的截面示意圖；圖21a和圖21b是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的截面示意圖；圖22a至圖22d是說明el層的制造方法的截面示意圖；圖23是說明液滴噴射裝置的概念圖；圖24a和圖24b是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的方框圖及電路圖；圖25a和圖25b是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的像素電路的電路圖；圖26a和圖26b是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的像素電路的電路圖；圖27a和圖27b示出本發(fā)明的一個方式的觸摸面板的一個例子的透視圖；圖28a至圖28c示出本發(fā)明的一個方式的顯示裝置及觸摸傳感器的一個例子的截面圖；圖29a和圖29b示出本發(fā)明的一個方式的觸摸面板的一個例子的截面圖；圖30a和圖30b是根據(jù)本發(fā)明的一個方式的觸摸傳感器的方框圖及時序圖；圖31是根據(jù)本發(fā)明的一個方式的觸摸傳感器的電路圖；圖32是說明本發(fā)明的一個方式的顯示模塊的透視圖；圖33a至圖33g是說明本發(fā)明的一個方式的電子設(shè)備的圖；圖34a至圖34f是說明本發(fā)明的一個方式的電子設(shè)備的圖；圖35a至圖35e是說明本發(fā)明的一個方式的電子設(shè)備的圖；圖36a至圖36d是說明本發(fā)明的一個方式的電子設(shè)備的圖；圖37a和圖37b是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的透視圖；圖38a至圖38c是說明本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置的透視圖及截面圖；圖39a至圖39d是說明本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置的截面圖；圖40a至圖40c是說明本發(fā)明的一個方式的照明裝置及電子設(shè)備的圖；圖41是說明本發(fā)明的一個方式的照明裝置的圖；圖42是說明實(shí)施例中的發(fā)光元件的截面示意圖；圖43是說明實(shí)施例中的發(fā)光元件的亮度-電流密度特性的圖；圖44是說明實(shí)施例中的發(fā)光元件的亮度-電圧特性的圖；圖45是說明實(shí)施例中的發(fā)光元件的電流效率-亮度特性的圖；圖46是說明實(shí)施例中的發(fā)光元件的外部量子效率-亮度特性的圖；圖47是說明實(shí)施例中的發(fā)光元件的功率效率-亮度特性的圖；圖48是說明實(shí)施例中的發(fā)光元件的電致發(fā)射光譜的圖；圖49a和圖49b是說明實(shí)施例中的化合物的吸收光譜及發(fā)射光譜的圖；圖50a和圖50b是說明實(shí)施例中的化合物的發(fā)射光譜的圖；圖51是說明實(shí)施例中的發(fā)光元件的發(fā)射光譜的圖；圖52是說明實(shí)施例中的發(fā)光元件的外部量子效率與發(fā)射光譜強(qiáng)度的關(guān)系的圖；圖53是說明實(shí)施例中的發(fā)光元件的可靠性測試結(jié)果的圖；圖54a和圖54b是說明實(shí)施例中的發(fā)光元件的雜質(zhì)的重量比與可靠性的關(guān)系的圖；圖55是說明實(shí)施例中的發(fā)光元件的亮度-電流密度特性的圖；圖56是說明實(shí)施例中的發(fā)光元件的亮度-電圧特性的圖；圖57是說明實(shí)施例中的發(fā)光元件的電流效率-亮度特性的圖；圖58是說明實(shí)施例中的發(fā)光元件的外部量子效率-亮度特性的圖；圖59是說明實(shí)施例中的發(fā)光元件的功率效率-亮度特性的圖；圖60是說明實(shí)施例中的發(fā)光元件的電致發(fā)射光譜的圖；圖61是說明實(shí)施例中的薄膜的發(fā)射光譜的圖；圖62是說明實(shí)施例中的薄膜的發(fā)射光譜的圖；圖63是說明實(shí)施例中的薄膜的發(fā)射光譜的圖；圖64是說明實(shí)施例中的薄膜的發(fā)光量子產(chǎn)率的測定結(jié)果的圖；圖65是說明實(shí)施例中的薄膜的發(fā)光量子產(chǎn)率的測定結(jié)果的圖；圖66是說明實(shí)施例中的薄膜的發(fā)光量子產(chǎn)率的測定結(jié)果的圖；圖67是說明實(shí)施例中的薄膜的過渡熒光特性的圖；圖68是說明實(shí)施例中的薄膜的過渡熒光特性的圖；圖69是說明實(shí)施例中的薄膜的過渡熒光特性的圖。具體實(shí)施方式以下，參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施方式。注意，本發(fā)明不局限于以下說明，其方式及詳細(xì)內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅局限在以下所示的實(shí)施方式及實(shí)施例所記載的內(nèi)容中。另外，為了便于理解，有時在附圖等中示出的各結(jié)構(gòu)的位置、大小及范圍等并不表示其實(shí)際的位置、大小及范圍等。因此，所公開的發(fā)明不一定局限于附圖等所公開的位置、大小、范圍等。此外，在本說明書等中，為了方便起見，附加了第一、第二等序數(shù)詞，而其有時并不表示工序順序或疊層順序。因此，例如可以將“第一”適當(dāng)?shù)刂脫Q為“第二”或“第三”等而進(jìn)行說明。此外，本說明書等中所記載的序數(shù)詞與用于指定本發(fā)明的一個方式的序數(shù)詞有時不一致。注意，在本說明書等中，當(dāng)利用附圖說明發(fā)明的結(jié)構(gòu)時，有時在不同的附圖中共同使用表示相同的部分的符號。另外，在本說明書等中，可以將“膜”和“層”相互調(diào)換。例如，有時可以將“導(dǎo)電層”換稱為“導(dǎo)電膜”。此外，有時可以將“絕緣膜”換稱為“絕緣層”。另外，在本說明書等中，單重激發(fā)態(tài)(s*)是指具有激發(fā)能量的單重態(tài)。另外，s1能級是單重激發(fā)能級的最低能級，其是指最低單重激發(fā)態(tài)(s1狀態(tài))的激發(fā)能級。另外，三重激發(fā)態(tài)(t*)是指具有激發(fā)能量的三重態(tài)。另外，t1能級是三重激發(fā)能級的最低能級，其是指最低三重激發(fā)態(tài)(t1狀態(tài))的激發(fā)能級。此外，在本說明書等中，即使僅表示為“單重激發(fā)態(tài)”和“單重激發(fā)態(tài)能級”也有時分別表示s1狀態(tài)和s1能級。另外，即使表示為“三重激發(fā)態(tài)”和“三重激發(fā)態(tài)能級”也有時分別表示t1狀態(tài)和t1能級。另外，在本說明書等中，熒光化合物是指在從單重激發(fā)態(tài)返回到基態(tài)時在可見光區(qū)域發(fā)光的物質(zhì)。磷光化合物是指在從三重激發(fā)態(tài)返回到基態(tài)時在室溫下在可見光區(qū)域發(fā)光的物質(zhì)。換言之，磷光化合物是指能夠?qū)⑷丶ぐl(fā)能量轉(zhuǎn)換為可見光的物質(zhì)之一。此外，磷光發(fā)光能量或三重激發(fā)能量可以從磷光發(fā)光的最短波長一側(cè)的發(fā)光峰值(包括肩峰)或上升的波長導(dǎo)出。另外，通過在低溫(例如10k)環(huán)境下的時間分辨光致發(fā)光譜可以觀察上述磷光發(fā)光。另外，熱活化延遲熒光的發(fā)光能量可以從熱活化延遲熒光的最短波長一側(cè)的發(fā)光峰值(包括肩峰)或上升的波長導(dǎo)出。注意，在本說明書等中，室溫是指0℃以上且40℃以下中的任意溫度。此外，在本說明書等中，藍(lán)色的波長區(qū)域是指400nm以上且小于500nm的波長區(qū)域，藍(lán)色的發(fā)光是在該區(qū)域具有至少一個發(fā)射光譜峰的發(fā)光。此外，綠色的波長區(qū)域是指500nm以上且小于580nm的波長區(qū)域，綠色的發(fā)光是在該區(qū)域具有至少一個發(fā)射光譜峰的發(fā)光。另外，紅色的波長區(qū)域是指580nm以上且680nm以下的波長區(qū)域，紅色的發(fā)光是在該區(qū)域具有至少一個發(fā)射光譜峰的發(fā)光。實(shí)施方式1在本實(shí)施方式中，參照圖1a至圖5說明本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件。〈發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)實(shí)例〉首先，下面將參照圖1a和圖1b說明本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。圖1a是本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件150的截面示意圖。發(fā)光元件150包括一對電極(電極101及電極102)，并包括設(shè)置在該一對電極間的el層100。el層100至少包括發(fā)光層130。另外，圖1a所示的el層100除了發(fā)光層130以外還包括空穴注入層111、空穴傳輸層112、電子傳輸層118及電子注入層119等功能層。注意，雖然在本實(shí)施方式中以一對電極中的電極101為陽極且電極102為陰極來進(jìn)行說明，但是發(fā)光元件150的結(jié)構(gòu)并不局限于此。也就是說，也可以將電極101用作陰極且將電極102用作陽極，倒序地層疊該電極間的各層。換言之，從陽極一側(cè)依次層疊空穴注入層111、空穴傳輸層112、發(fā)光層130、電子傳輸層118及電子注入層119即可。注意，el層100的結(jié)構(gòu)不局限于圖1a所示的結(jié)構(gòu)，只要包括選自空穴注入層111、空穴傳輸層112、電子傳輸層118及電子注入層119中的至少一個即可?；蛘撸琫l層100也可以包括具有如下功能的功能層：能夠減少空穴或電子的注入勢壘；能夠提高空穴或電子的傳輸性；能夠阻礙空穴或電子的傳輸性；或者能夠抑制電極所引起的猝滅現(xiàn)象等。功能層既可以是單層又可以是層疊有多個層的結(jié)構(gòu)。圖1b是示出圖1a所示的發(fā)光層130的一個例子的截面示意圖。圖1b所示的發(fā)光層130包括主體材料131及客體材料132。主體材料131至少含有有機(jī)化合物131_1。有機(jī)化合物131_1優(yōu)選為具有傳輸電子的功能(具有電子傳輸性)的化合物，優(yōu)選為具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的化合物。含氮六元芳雜環(huán)骨架的電子傳輸性高且穩(wěn)定，是優(yōu)選的。另外，優(yōu)選主體材料131還含有有機(jī)化合物131_2。有機(jī)化合物131_2優(yōu)選為具有傳輸正孔的功能(具有空穴傳輸性)的化合物，優(yōu)選為具有含氮五元雜環(huán)骨架或叔胺骨架的化合物。含氮五元雜環(huán)骨架或叔胺骨架的空穴傳輸性高且穩(wěn)定，是優(yōu)選的。另外，當(dāng)有機(jī)化合物131_1與有機(jī)化合物131_2的組合是具有電子傳輸性的化合物與具有空穴傳輸性的化合物的組合時，能夠通過調(diào)整其混合比而容易地控制載流子的平衡。具體而言，具有電子傳輸性的化合物:具有空穴傳輸性的化合物優(yōu)選在1:9至9:1(重量比)的范圍內(nèi)。另外，通過具有該結(jié)構(gòu)，可以容易地控制載流子的平衡，由此也可以容易地對載流子復(fù)合區(qū)域進(jìn)行控制。作為客體材料132，使用發(fā)光有機(jī)化合物即可，作為該發(fā)光有機(jī)化合物，優(yōu)選使用能夠發(fā)射熒光的物質(zhì)(下面，熒光化合物)或者能夠發(fā)射磷光的物質(zhì)(下面，也稱為磷光化合物)。在下面的說明中，說明作為客體材料132使用熒光化合物或磷光化合物的結(jié)構(gòu)。注意，也可以將客體材料132換稱為熒光化合物或磷光化合物。在本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件150中，通過對一對電極(電極101及電極102)之間施加電壓，電子和空穴(hole)分別從陰極和陽極注入到el層100，而電流流過。并且，注入的電子及空穴復(fù)合，從而形成激子。激子是指載流子(電子及空穴)的對。由于激子具有激發(fā)能量，所以形成有激子的材料成為激發(fā)態(tài)。當(dāng)在主體材料131中載流子復(fù)合時，通過激子的生成而形成主體材料131的激發(fā)態(tài)(單重激發(fā)態(tài)或三重激發(fā)態(tài))。當(dāng)客體材料132為熒光化合物時，激發(fā)能從主體材料131的s1能級轉(zhuǎn)移至客體材料132的s1能級，由此形成客體材料132的單重激發(fā)態(tài)。另外，當(dāng)客體材料132為磷光化合物時，激發(fā)能從主體材料131的s1能級或t1能級向客體材料132的t1能級進(jìn)行能量轉(zhuǎn)移，由此形成客體材料132的三重激發(fā)態(tài)。在上述任一情況下，激發(fā)態(tài)的客體材料132失活而回到基態(tài)時發(fā)光。作為發(fā)光元件150所要求的特性之一，可舉出高發(fā)光效率。另外，還要求其具有高可靠性，也就是說，在長期保存或長時間驅(qū)動時發(fā)光效率下降少，即，壽命長。為了使發(fā)光元件具有高發(fā)光效率及高可靠性，優(yōu)選采用el層100尤其是發(fā)光層130中的雜質(zhì)含量少的有機(jī)化合物。為了得到雜質(zhì)含量少的有機(jī)化合物，優(yōu)選提高有機(jī)化合物的純度。例如，當(dāng)采用含有如合成有機(jī)化合物時使用的溶劑等雜質(zhì)或包含于溶劑等中的雜質(zhì)或合成有機(jī)化合物時使用的原料中的元素的有機(jī)化合物制造發(fā)光元件時，例如有可能導(dǎo)致驅(qū)動電壓、發(fā)光效率及可靠性等發(fā)光元件的特性劣化。另外，例如，由于上述雜質(zhì)中含有鹵素的雜質(zhì)的影響大，因此優(yōu)選其含量小。因此，用于發(fā)光元件的有機(jī)化合物通常采用進(jìn)行了升華提純的雜質(zhì)少的材料。通過升華提純，可以將合成時的殘留溶劑和微量的雜質(zhì)(例如，鹵化物)分離。但是，由于如與用于el層100的有機(jī)化合物的分子結(jié)構(gòu)相似等原因難以降低某些雜質(zhì)的含量，有時即便是經(jīng)過升華提純的材料也還含有該雜質(zhì)。此外，即使降低了制造發(fā)光元件所使用的有機(jī)化合物中的雜質(zhì)含量，在制造發(fā)光元件時也有可能混入雜質(zhì)而使發(fā)光元件中包含雜質(zhì)。例如，有時在進(jìn)行真空蒸鍍時因有機(jī)化合物的分解而生成的物質(zhì)作為雜質(zhì)混入發(fā)光元件中。另外，例如，當(dāng)采用涂敷法、噴墨法及印刷法等使用溶劑的制造方法時，有時溶劑或溶劑中的雜質(zhì)混入發(fā)光元件。另外，在驅(qū)動發(fā)光元件時因有機(jī)化合物分解而生成的物質(zhì)有可能作為雜質(zhì)混入發(fā)光元件中。因此，很難去除發(fā)光元件中含有的所有雜質(zhì)。另一方面還存在即使被包含于el層100中也不會對發(fā)光元件的特性造成影響的雜質(zhì)。但是，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，即便是這樣的雜質(zhì)，當(dāng)其與其他化合物發(fā)生相互作用時也有可能生成對發(fā)光元件的特性造成影響的物質(zhì)。具體地，由于含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架或仲胺骨架的有機(jī)化合物與具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物發(fā)生相互作用而生成影響發(fā)光元件的特性的物質(zhì)。因此，在包括具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物的發(fā)光元件中，優(yōu)選包含具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架或仲胺骨架的有機(jī)化合物的含量少。<利用量子化學(xué)計算的反應(yīng)機(jī)理的解析>《pcch與35dczppy的反應(yīng)機(jī)理的計算》下面，對如下過程進(jìn)行說明：因含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架或仲胺骨架的有機(jī)化合物與具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物發(fā)生相互作用而生成影響發(fā)光元件的特性的雜質(zhì)。為了對上述過程進(jìn)行解析應(yīng)用了量子化學(xué)計算。以下示出用于計算的化合物的結(jié)構(gòu)及簡稱。[化1]在計算中，因3-(n-苯基-9h-咔唑-3-基)-9h-咔唑(簡稱：pcch)與3，5-雙[3-(9h-咔唑-9-基)苯基]吡啶(簡稱：35dczppy)的相互作用，pcch的源于nh基的氫原子遷移至35dczppy，對上述結(jié)構(gòu)的pcc及35dczppy-h生成的氫原子遷移反應(yīng)進(jìn)行了解析。下面示出計算方法。另外，作為量子化學(xué)計算程序，使用gaussian09。使用高性能計算機(jī)(sgi株式會社制造，icex)來進(jìn)行計算。關(guān)于最低三重激發(fā)態(tài)中氫原子遷移反應(yīng)的初始狀態(tài)、過渡態(tài)及終態(tài)的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)利用密度泛函法(dft)進(jìn)行了計算。再者，在各最穩(wěn)定結(jié)構(gòu)中進(jìn)行了振動解析。以勢能、電子間靜電能、電子的運(yùn)動能、包括所有的其他復(fù)雜的電子間的互相作用的交換相關(guān)能的總和表示dft的所有的能量。在dft中，由于使用以電子密度表示的單電子勢的泛函(函數(shù)的函數(shù)之意)來近似交換相關(guān)作用，所以可以高速計算。在此，利用作為混合泛函的b3lyp來規(guī)定涉及交換相關(guān)能的各參數(shù)的權(quán)重。作為基底函數(shù)使用6-311g(d，p)。圖2示出通過最低三重激發(fā)態(tài)中的氫原子遷移反應(yīng)的解析得到的反應(yīng)路徑及能量圖。在圖2中，t1狀態(tài)的pcch及基態(tài)(s0狀態(tài))的35dczppy以無限遠(yuǎn)離解狀態(tài)的能量為基準(zhǔn)。使該氫原子發(fā)生遷移的反應(yīng)的活化能極小為0.03ev，在室溫下就能容易地發(fā)生。并且，在氫原子遷移后的終態(tài)，pcc與35dczppy-h分別變?yōu)樽杂苫鶢顟B(tài)，終態(tài)的能量比初始狀態(tài)的能量低，該反應(yīng)為放熱反應(yīng)。由此可知，在驅(qū)動發(fā)光元件的狀態(tài)下的發(fā)光層中(激發(fā)態(tài))，當(dāng)pcch與35dczppy處于形成氫鍵的分子配置時，有可能快速地發(fā)生氫原子的遷移反應(yīng)。另外，當(dāng)使具有nh基的有機(jī)化合物從激發(fā)態(tài)變?yōu)閚h鍵離解所需要的活化能為0.3ev以下時，氫在室溫下即可容易地離解。此時，終態(tài)的自由基狀態(tài)的pcc及自由基狀態(tài)的35dczppy-h具有比s0狀態(tài)的pcch及s0狀態(tài)的35dczppy高的能量。因此，當(dāng)沒有副反應(yīng)等時，所生成的自由基狀態(tài)的pcc及自由基狀態(tài)的35dczppy-h具有可逆性，即，發(fā)生熱失活而變回原來的s0狀態(tài)的pcch及s0狀態(tài)的35dczppy。假想該反應(yīng)是在包含客體材料的發(fā)光元件中的情況。當(dāng)終態(tài)(自由基狀態(tài)的pcc及自由基狀態(tài)的35dczppy-h)的能級低于客體材料的激發(fā)態(tài)的激發(fā)能級時，不能從pcc及35dczppy-h向客體材料進(jìn)行能量轉(zhuǎn)移。另外，此時，當(dāng)終態(tài)(自由基狀態(tài)的pcc及自由基狀態(tài)的35dczppy-h)及客體材料的激發(fā)態(tài)同時生成時，會發(fā)生從激發(fā)態(tài)的客體材料向自由基狀態(tài)的pcc及自由基狀態(tài)的35dczppy-h的激發(fā)能的轉(zhuǎn)移。因此，不能從客體材料得到發(fā)光，從而導(dǎo)致發(fā)光元件的發(fā)光效率下降。接著，計算上述氫原子遷移反應(yīng)的反應(yīng)物(pcch及35dczppy)與生成物(pcc及35dczppy-h)的電離電位(ip)和電子親和勢(ea)。這里，pcch與35dczppy的電離電位是由自由基陽離子狀態(tài)與單重基態(tài)的總能量的差算出的，電子親和勢是由單重基態(tài)與自由基陰離子狀態(tài)的總能量的差算出的。pcc與35dczppy-h的電離電位是由自由基陽離子狀態(tài)與自由基狀態(tài)的總能量的差算出的，電子親和勢是由自由基狀態(tài)與陰離子狀態(tài)的總能量的差算出的。另外，上述狀態(tài)是假設(shè)在發(fā)光元件的驅(qū)動狀態(tài)，即，分子被注入載流子的狀態(tài)下進(jìn)行的計算。表1示出像上述那樣估算出的各化合物的電離電位(ip)及電子親和勢(ea)。[表1]分子pcch35dczppypcc35dczppy-hip(ev)6.336.616.395.05ea(ev)0.130.792.390.59電離電位越小正孔(hole)越容易進(jìn)入分子，電子親和勢越大電子越容易進(jìn)入分子。即，正孔最容易進(jìn)入35dczppy-h，電子最容易進(jìn)入pcc。接著，算出自由基狀態(tài)的pcc接受電子變?yōu)殛庪x子狀態(tài)而自由基狀態(tài)的35dczppy-h接受空穴變?yōu)殛栯x子狀態(tài)時的t1能級的能量。表2示出各化合物的t1能級的能量。這里，t1能級的能量是由最低三重激發(fā)態(tài)(t1狀態(tài))與單重基態(tài)(s0狀態(tài))的總能量的差算出的。[表2]如表2所示，陰離子狀態(tài)的pcc及陽離子狀態(tài)的35dczppy-h的t1能級都為2ev以下的低能級。因此，在作為客體材料包含具有比上述陰離子狀態(tài)的pcc和陽離子狀態(tài)的35dczppy-h中的至少一個的t1能級高的t1能級的磷光化合物的發(fā)光元件中，主體材料131及客體材料132所具有的三重態(tài)激發(fā)能轉(zhuǎn)移至陰離子狀態(tài)的pcc或陽離子狀態(tài)的35dczppy-h，從而導(dǎo)致主體材料131及客體材料132所具有的激發(fā)能容易失活。如上所述，在pcch與35dczppy共存的情況下，在激發(fā)態(tài)時源于pcch的nh基的氫原子遷移至35dczppy。當(dāng)發(fā)生該反應(yīng)過程時，主體材料131的激發(fā)能容易失活而不能轉(zhuǎn)移至客體材料132。另外，因氫遷移反應(yīng)而一時生成的化合物(pcc及35dczppy-h)的荷電狀態(tài)(陽離子狀態(tài)及陰離子狀態(tài))中的t1能級在能量上為低能級，該t1能級變得低于用于客體材料132的磷光化合物的t1能級的可能性較高，該生成化合物有可能成為發(fā)光元件150的猝滅因子。另外，生成的pcc及35dczppy-h通過伴隨反復(fù)的激發(fā)、氧化及還原的不可逆反應(yīng)而反應(yīng)為具有更低能級的物質(zhì)。因此，因發(fā)光元件150的驅(qū)動進(jìn)行的氫遷移反應(yīng)有可能導(dǎo)致可靠性下降。為此，當(dāng)發(fā)光層130中含有35dczppy時，優(yōu)選發(fā)光層130中的pcch的含量少。另外，雖然在上述計算中對初始狀態(tài)為t1狀態(tài)的pcch及基態(tài)(s0狀態(tài))的35dczppy的反應(yīng)進(jìn)行了計算，但是初始狀態(tài)也可以為s1狀態(tài)的pcch及基態(tài)(s0狀態(tài))的35dczppy。由于s1狀態(tài)是比t1狀態(tài)能量高的激發(fā)態(tài)，當(dāng)s1狀態(tài)的pcch與s0狀態(tài)的35dczppy發(fā)生反應(yīng)時，初始狀態(tài)的能量更高，pcch與35dczppy更容易發(fā)生反應(yīng)。因此，在該情況下，由于pcch與35dczppy的反應(yīng)，有時主體材料131的激發(fā)能失活而不轉(zhuǎn)移到客體材料132。另外，因氫遷移反應(yīng)而一時生成的化合物的荷電狀態(tài)(陽離子狀態(tài)及陰離子狀態(tài))中的s1能級變?yōu)榈湍芗?，?dāng)該s1能級低于用于客體材料132的熒光化合物的s1能級時，該生成化合物有可能成為發(fā)光元件150的猝滅因子。另外，生成的pcc及35dczppy-h通過伴隨反復(fù)的激發(fā)、氧化及還原的不可逆反應(yīng)而反應(yīng)為具有更低能級的物質(zhì)。因此，因發(fā)光元件150的驅(qū)動進(jìn)行的氫遷移反應(yīng)有可能導(dǎo)致可靠性下降。因此，即使在作為客體材料132采用熒光化合物的情況下，當(dāng)發(fā)光層130含有35dczppy時，優(yōu)選發(fā)光層130中的pcch的含量低?！陡鶕?jù)pcch的狀態(tài)的反應(yīng)性的計算》接著，計算在初始狀態(tài)的pcch不為激發(fā)態(tài)的情況下源于pcch的nh基的氫原子在離解時的穩(wěn)定能。該計算以各種狀態(tài)的pcch及35dczppy為初始狀態(tài)，并以源于pcch的nh基的氫原子無限遠(yuǎn)地離解與35dczppy鍵合的情況為終態(tài)，并將其能量差作為穩(wěn)定能算出。計算方法可以參照上文所述的方法。表3示出計算結(jié)果。[表3]如表3所示，當(dāng)35dczppy為基態(tài)(s0狀態(tài))且pcch為基態(tài)(s0狀態(tài))或自由基陽離子狀態(tài)時，為初始狀態(tài)與終態(tài)的能量差的穩(wěn)定能大于1ev，而不容易發(fā)生源于pcch的nh基的氫原子離解的反應(yīng)。當(dāng)pcch為激發(fā)態(tài)(t1狀態(tài))或35dczppy為自由基陰離子狀態(tài)時，為初始狀態(tài)與終態(tài)的能量差的穩(wěn)定能為1ev以下，而容易發(fā)生源于pcch的nh基的氫原子離解的反應(yīng)，尤其是，當(dāng)pcch為激發(fā)態(tài)(t1狀態(tài))時穩(wěn)定能小于0ev而容易發(fā)生反應(yīng)。另外，由于s1狀態(tài)比t1狀態(tài)具有更高的激發(fā)能，所以pcch在s1狀態(tài)下也容易發(fā)生反應(yīng)。接著，同樣地通過計算測定pcch單獨(dú)存在時源于pcch的nh基的氫原子是否會發(fā)生離解。表4示出計算結(jié)果。[表4]如表4所示，在pcch單獨(dú)存在的情況下，以源于pcch的nh基的氫原子無限遠(yuǎn)地離解的情況為終態(tài)，將pcch的各初始狀態(tài)與終態(tài)的能量差作為穩(wěn)定能算出。此時，除了pcch的初始狀態(tài)為t1狀態(tài)的情況外，源于pcch的nh基的氫原子離解時的穩(wěn)定能大于1ev。由此可知，在初始狀態(tài)為激發(fā)態(tài)以外的狀態(tài)(s0狀態(tài)、自由基陰離子狀態(tài)、自由基陽離子狀態(tài))，不容易發(fā)生源于pcch的nh基的氫原子離解的反應(yīng)。另外，在初始狀態(tài)為t1狀態(tài)的情況下，雖然穩(wěn)定能為1ev以下，但是由于與35dczppy共存的情況相比穩(wěn)定能要大，因此不容易發(fā)生氫原子離解的反應(yīng)。即，源于pcch的nh基的氫原子發(fā)生離解的反應(yīng)尤其容易在35dcppy與pcch共存的情況下發(fā)生?！犊赡芘cpcch反應(yīng)的化合物的計算》接著，為了分析發(fā)光層內(nèi)因與pcch共存而有可能使該pcch的nh基中的氫原子發(fā)生離解反應(yīng)的有機(jī)化合物的分子結(jié)構(gòu)進(jìn)行了計算。以下示出用于計算的化合物的結(jié)構(gòu)及簡稱。[化2]計算方法與pcch與35dczppy的反應(yīng)機(jī)理的計算相同。圖3a示出由t1狀態(tài)的pcch與基態(tài)(s0狀態(tài))的2，4，6-三[3-(9h-咔唑-9-基)苯基]嘧啶(簡稱：mczp3pm)的氫原子遷移反應(yīng)的解析得到的反應(yīng)路徑及能量圖，圖3b示出由t1狀態(tài)的pcch與基態(tài)(s0狀態(tài))的4，6-雙[3-(9h-咔唑-9-基)苯基]嘧啶(簡稱：4，6mczp2pm)的氫原子遷移反應(yīng)的解析得到的反應(yīng)路徑及能量圖，圖4a示出由t1狀態(tài)的pcch與基態(tài)(s0狀態(tài))的2，6-雙[3-(9h-咔唑-9-基)苯基]吡嗪(簡稱：2，6mczp2pr)的氫原子遷移反應(yīng)的解析得到的反應(yīng)路徑及能量圖，圖4b示出由t1狀態(tài)的pcch與基態(tài)(s0狀態(tài))的2，4-雙[3-(9h-咔唑-9-基)苯基]-1，3，5-三嗪(簡稱：mczp2tzn)的氫原子遷移反應(yīng)的解析得到的反應(yīng)路徑及能量圖。在圖3a中，t1狀態(tài)的pcch及基態(tài)(s0狀態(tài))的mczp3pm以無限遠(yuǎn)離解狀態(tài)的能量為基準(zhǔn)。使該氫原子發(fā)生遷移的反應(yīng)的活化能極小為0.01ev，在室溫下就能容易地發(fā)生。并且，在氫原子遷移后的終態(tài)，pcc與mczp3pm-h變?yōu)樽杂苫鶢顟B(tài)，終態(tài)的能量比初始狀態(tài)的能量低，該反應(yīng)為放熱反應(yīng)。由此可知，在驅(qū)動發(fā)光元件的狀態(tài)下的發(fā)光層中(激發(fā)態(tài))，當(dāng)pcch與mczp3pm處于形成氫鍵的分子配置時，有可能發(fā)生氫原子的遷移反應(yīng)。另外，在t1狀態(tài)的pcch與基態(tài)(s0狀態(tài))的4，6mczp2pm、2，6mczp2pr及mczp2tzn中，源于pcch的nh基的氫原子發(fā)生遷移的反應(yīng)沒有因活化能的勢壘，當(dāng)pcch與上述有機(jī)化合物處于形成氫鍵的分子配置時，會快速地發(fā)生氫原子的遷移反應(yīng)。因此，在圖3b、圖4a及圖4b中，將t1狀態(tài)的pcch與基態(tài)(s0狀態(tài))的4，6mczp2pm、2，6mczp2pr及mczp2tzn不發(fā)生相互作用的狀態(tài)的能量作為基準(zhǔn)。另外，在氫原子遷移后的終態(tài)，pcc與4，6mczp2pm-h、2，6mczp2pr-h及mczp2tzn-h為自由基狀態(tài)，終態(tài)的能量比初始狀態(tài)的能量低，這些反應(yīng)為發(fā)熱反應(yīng)。由此可知，在驅(qū)動發(fā)光元件的狀態(tài)下的發(fā)光層中(激發(fā)態(tài))，當(dāng)pcch與4，6mczp2pm、2，6mczp2pr及mczp2tzn處于形成氫鍵的分子配置時，有可能快速地發(fā)生氫原子的遷移反應(yīng)。接著，為了分析與pcch共存而容易使該pcch的nh基中的氫原子發(fā)生離解反應(yīng)的有機(jī)化合物的分子結(jié)構(gòu)進(jìn)行了計算。以下示出用于計算的化合物的結(jié)構(gòu)及簡稱。另外，其它化合物的結(jié)構(gòu)及簡稱可以參照上述說明。[化3][化4]計算以t1狀態(tài)的pcch(分子1)及基態(tài)(s0狀態(tài))的各種有機(jī)化合物(分子2)為初始狀態(tài)，并以源于pcch的nh基的氫原子發(fā)生離解的pcc及該氫原子在無限遠(yuǎn)與有機(jī)化合物(分子2)鍵合變?yōu)榉€(wěn)定的狀態(tài)為終態(tài)，將其能量差作為穩(wěn)定能算出。表5及表6示出計算結(jié)果。另外，表6還示出分子2的lumo(lowestunoccupiedmolecularorbital，也稱為最低空分子軌道)能級的計算結(jié)果。[表5][表6]由表5可知，在作為不具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物的4，4’，4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(簡稱：tcta)及1，3-雙(n-咔唑基)苯(簡稱：mcp)共存時，pcch的nh基中的氫原子離解時的穩(wěn)定能大于1ev，而不容易發(fā)生離解。另外，由表6可知，當(dāng)作為具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物的1，3，5-三[3-(3-吡啶基)苯基]苯(簡稱：tmpypb)、35dczppy、5，5’-雙[3-(9h-咔唑-9-基)苯基]-3，3’-聯(lián)吡啶(簡稱：5，5’mczp2bpy(3))、4，4’-雙[3-(9h-咔唑-9-基)苯基]-2，2’-聯(lián)吡啶(簡稱：4，4’mczp2bpy)、4，6mczp2pm及mczp3pm共存時，pcch的nh基中的氫原子離解時的穩(wěn)定能小于0ev而為放熱反應(yīng)，所以容易發(fā)生反應(yīng)。接著，圖5示出該具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物的lumo能級(計算值)與源于pcch的nh基的氫原子離解時的穩(wěn)定能(初始狀態(tài)與終態(tài)的能量差)的關(guān)系。如圖5所示，有機(jī)化合物(分子2)的lumo能級越低，源于pcch的nh基的氫原子離解時的穩(wěn)定能越小，氫原子越容易從pcch離解。如上所述，與pcch共存時容易發(fā)生nh基的氫原子離解的反應(yīng)的有機(jī)化合物不局限于35dczppy，具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物都可以。另外，氫原子從nh基發(fā)生離解的離解能量幾乎不因nh基以外的分子結(jié)構(gòu)的變化而變化。因此，如上所述，源于nh基的氫原子容易發(fā)生離解反應(yīng)的有機(jī)化合物不局限于pcch。也就是說，如pcch那樣的含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架、仲胺骨架或伯胺骨架的有機(jī)化合物中也發(fā)生同樣的反應(yīng)。作為含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架、仲胺骨架或伯胺骨架的有機(jī)化合物，例如可以舉出含有具有nh基的吡咯骨架、咪唑骨架、三唑骨架、四唑骨架或者具有nh基的芳香胺骨架的有機(jī)化合物。作為具有nh基的吡咯骨架，例如可以舉出吲哚骨架及咔唑骨架。另外，作為具有nh基的仲胺骨架及伯胺骨架，例如可以舉出二芳基胺骨架及單芳基胺骨架。因此，當(dāng)發(fā)光元件的發(fā)光層含有具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物時，優(yōu)選像pcch那樣含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架、仲胺骨架或伯胺骨架的有機(jī)化合物的含量低。具體地，當(dāng)有機(jī)化合物131_1含有具有含氮六元芳雜環(huán)骨架時，優(yōu)選發(fā)光層130中的含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架、仲胺骨架或伯胺骨架的有機(jī)化合物相對于有機(jī)化合物131_1的重量比為0.03以下，更優(yōu)選為0.003以下。因此，優(yōu)選由含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架、仲胺骨架或伯胺骨架的有機(jī)化合物與具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物131_1發(fā)生反應(yīng)而生成的含有氮原子具有不成對電子的含氮五元雜環(huán)骨架、仲胺骨架或伯胺骨架的有機(jī)化合物相對于有機(jī)化合物131_1的重量比為0.03以下，更優(yōu)選為0.003以下。優(yōu)選氫原子與具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物131_1鍵合的有機(jī)化合物相對于有機(jī)化合物131_1的重量比為0.03以下，更優(yōu)選為0.003以下。另外，除了利用重量比進(jìn)行算出以外，也可以在利用色譜柱等分離雜質(zhì)之后從出現(xiàn)在吸收光譜的長波長一側(cè)的峰值的比估算出存在比。具體地，當(dāng)有機(jī)化合物131_1含有具有含氮六元芳雜環(huán)骨架、有機(jī)化合物131_2具有含氮五元雜環(huán)骨架或叔胺骨架中的至少一個時，優(yōu)選發(fā)光層130中的含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架、仲胺骨架或伯胺骨架的有機(jī)化合物相對于有機(jī)化合物131_2的重量比為0.01以下，更優(yōu)選為0.001以下。因此，優(yōu)選由含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架、仲胺骨架或伯胺骨架的有機(jī)化合物與具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物131_1發(fā)生反應(yīng)而生成的含有氮原子具有不成對電子的含氮五元雜環(huán)骨架、仲胺骨架或伯胺骨架的有機(jī)化合物相對于有機(jī)化合物131_2的重量比為0.01以下，更優(yōu)選為0.001以下。優(yōu)選氫原子與具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物131_1鍵合的有機(jī)化合物相對于有機(jī)化合物131_2的重量比為0.01以下，更優(yōu)選為0.001以下。<材料>接著，詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的構(gòu)成要素。《發(fā)光層》此外，在發(fā)光層130中，主體材料131的重量比最大，客體材料132分散于主體材料131中。當(dāng)客體材料132為熒光化合物時，發(fā)光層130的主體材料131(有機(jī)化合物131_1及有機(jī)化合物131_2)的s1能級優(yōu)選高于發(fā)光層130的客體材料(客體材料132)的s1能級。此外，在客體材料132是磷光化合物時，發(fā)光層130的主體材料131(有機(jī)化合物131_1及有機(jī)化合物131_2)的t1能級優(yōu)選高于發(fā)光層130的客體材料(客體材料132)的t1能級。有機(jī)化合物131_1優(yōu)選為具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的化合物。具體地，可以舉出具有吡啶骨架、二嗪骨架(吡嗪骨架、嘧啶骨架及噠嗪骨架)及三嗪骨架的化合物。作為上述含有具有堿性的含氮芳雜環(huán)骨架的化合物，例如可以舉出吡啶衍生物、聯(lián)吡啶衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、喹喔啉衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、菲咯啉衍生物、嘌呤衍生物等化合物。另外，作為有機(jī)化合物131_1，可以使用電子傳輸性比空穴傳輸性高的材料(電子傳輸性材料)，優(yōu)選使用具有1×10-6cm2/vs以上的電子遷移率的材料。具體地，例如可以使用：紅菲咯啉(簡稱：bphen)、浴銅靈(簡稱：bcp)等的含有吡啶骨架的雜環(huán)化合物；2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(簡稱：2mdbtpdbq-ii)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)聯(lián)苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(簡稱：2mdbtbpdbq-ii)、2-[3’-(9h-咔唑-9-基)聯(lián)苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(簡稱：2mczbpdbq)、2-[4-(3，6-二苯基-9h-咔唑-9-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(簡稱：2czpdbq-iii)、7-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(簡稱：7mdbtpdbq-ii)及6-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(簡稱：6mdbtpdbq-ii)、2-[3-(3，9’-聯(lián)-9h-咔唑-9-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(簡稱：2mczczpdbq)、4，6-雙[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶(簡稱：4，6mpnp2pm)、4，6-雙[3-(4-二苯并噻吩基)苯基]嘧啶(簡稱：4，6mdbtp2pm-ii)、4，6-雙[3-(9h-咔唑-9-基)苯基]嘧啶(簡稱：4，6mczp2pm)等的具有二嗪骨架的雜環(huán)化合物；2-{4-[3-(n-苯基-9h-咔唑-3-基)-9h-咔唑-9-基]苯基}-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(簡稱：pcczptzn)等的具有三嗪骨架的雜環(huán)化合物；3，5-雙[3-(9h-咔唑-9-基)苯基]吡啶(簡稱：35dczppy)、1，3，5-三[3-(3-吡啶基)苯基]苯(簡稱：tmpypb)等的具有吡啶骨架的雜環(huán)化合物。在上述雜環(huán)化合物中，具有三嗪骨架、二嗪(嘧啶、吡嗪、噠嗪)骨架或吡啶骨架的雜環(huán)化合物穩(wěn)定且可靠性良好，所以是優(yōu)選的。尤其是，具有該骨架的雜環(huán)化合物具有高電子傳輸性，也有助于降低驅(qū)動電壓。此外，也可以使用高分子化合物諸如聚(2,5-吡啶二基)(簡稱：ppy)、聚[(9,9-二己基芴-2,7-二基)-co-(吡啶-3,5-二基)](簡稱：pf-py)、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-co-(2,2'-聯(lián)吡啶-6,6'-二基)](簡稱：pf-bpy)。這里所述的物質(zhì)主要為具有1×10-6cm2/vs以上的電子遷移率的物質(zhì)。然而，可以使用不同于上述物質(zhì)的任何物質(zhì)，只要該物質(zhì)是電子輸運(yùn)屬性高于空穴輸運(yùn)屬性的物質(zhì)。作為有機(jī)化合物131_2優(yōu)選使用具有含氮五元雜環(huán)骨架或叔胺骨架的化合物。具體地，可以舉出具有吡咯骨架或芳香胺骨架的化合物。例如，可以舉出吲哚衍生物、咔唑衍生物、三芳基胺衍生物等。另外，作為含氮五元雜環(huán)骨架可以舉出咪唑骨架、三唑骨架及四唑骨架。另外，作為有機(jī)化合物131_2，可以使用空穴傳輸性比電子傳輸性高的材料(空穴傳輸性材料)，優(yōu)選使用具有1×10-6cm2/vs以上的空穴遷移率的材料。上述空穴傳輸性材料也可以是高分子化合物。作為空穴傳輸性高的材料，具體而言，作為芳香胺化合物，可以舉出n，n’-二(對甲苯基)-n，n’-二苯基-對苯二胺(簡稱：dtdppa)、4，4’-雙[n-(4-二苯氨基苯基)-n-苯氨基]聯(lián)苯(簡稱：dpab)、n，n'-雙{4-[雙(3-甲基苯基)氨基]苯基}-n，n'-二苯基-(1，1'-聯(lián)苯)-4，4'-二胺(簡稱：dntpd)、1，3，5-三[n-(4-二苯氨基苯基)-n-苯氨基]苯(簡稱：dpa3b)等。另外，作為咔唑衍生物，具體而言，可以舉出3-[n-(4-二苯氨基苯基)-n-苯氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：pczdpa1)、3，6-雙[n-(4-二苯氨基苯基)-n-苯氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：pczdpa2)、3，6-雙[n-(4-二苯氨基苯基)-n-(1-萘基)氨]-9-苯基咔唑(簡稱：pcztpn2)、3-[n-(9-苯基咔唑-3-基)-n-苯氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：pczpca1)、3，6-雙[n-(9-苯基咔唑-3-基)-n-苯氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：pczpca2)、3-[n-(1-萘基)-n-(9-苯基咔唑-3-基)氨]-9-苯基咔唑(簡稱：pczpcn1)等。另外，作為咔唑衍生物，還可以舉出4，4’-二(n-咔唑基)聯(lián)苯(簡稱：cbp)、1，3，5-三[4-(n-咔唑基)苯基]苯(簡稱：tcpb)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(簡稱：czpa)、1，4-雙[4-(n-咔唑基)苯基]-2，3，5，6-四苯基苯等。另外，還可以使用n，n-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑-3-胺(簡稱：cza1pa)、4-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：dphpa)、4-(9h-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：ygapa)、n，9-二苯基-n-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑-3-胺(簡稱：pcapa)、n，9-二苯基-n-{4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基}-9h-咔唑-3-胺(簡稱：pcapba)、n，9-二苯基-n-(9，10-二苯基-2-蒽基)-9h-咔唑-3-胺(簡稱：2pcapa)、9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(簡稱：pczpa)、3，6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(簡稱：dpczpa)、n，n，n’，n’，n”，n”，n”’，n”’-八苯基二苯并[g，p](chrysene)-2，7，10，15-四胺(簡稱：dbc1)等。另外，也可以使用聚(n-乙烯基咔唑)(簡稱：pvk)、聚(4-乙烯基三苯胺)(簡稱：pvtpa)、聚[n-(4-{n’-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-n’-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](簡稱：ptpdma)、聚[n，n’-雙(4-丁基苯基)-n，n’-雙(苯基)聯(lián)苯胺](簡稱：poly-tpd)等高分子化合物。另外，作為空穴傳輸性高的材料，例如，可以使用4，4’-雙[n-(1-萘基)-n-苯氨基]聯(lián)苯(簡稱：npb或α-npd)、n，n’-雙(3-甲基苯基)-n，n’-二苯基-[1，1’-聯(lián)苯]-4，4’-二胺(簡稱：tpd)、4，4’，4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(簡稱：tcta)、4，4’，4”-三[n-(1-萘基)-n-苯氨基]三苯胺(簡稱：1’-tnata)、4，4’，4”-三(n，n-二苯氨基)三苯胺(簡稱：tdata)、4，4’，4”-三[n-(3-甲基苯基)-n-苯氨基]三苯胺(簡稱：mtdata)、4，4’-雙[n-(螺-9，9’-聯(lián)芴-2-基)-n-苯氨基]聯(lián)苯(簡稱：bspb)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(簡稱：bpaflp)、4-苯基-3’-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(簡稱：mbpaflp)、n-(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-n-{9，9-二甲基-2-[n’-苯基-n’-(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)氨]-9h-芴-7-基}苯基胺(簡稱：dfladfl)、n-(9，9-二甲基-2-二苯氨基-9h-芴-7-基)二苯基胺(簡稱：dpnf)、2-[n-(4-二苯氨基苯基)-n-苯氨基]螺-9，9’-聯(lián)芴(簡稱：dpasf)、4-苯基-4’-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：pcba1bp)、4，4’-二苯基-4”-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：pcbbi1bp)、4-(1-萘基)-4’-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：pcbanb)、4，4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：pcbnbb)、4-苯基二苯基-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)胺(簡稱：pca1bp)、n，n’-雙(9-苯基咔唑-3-基)-n，n’-二苯基苯-1，3-二胺(簡稱：pca2b)、n，n’，n”-三苯基-n，n’，n”-三(9-苯基咔唑-3-基)苯-1，3，5-三胺(簡稱：pca3b)、n-(4-聯(lián)苯)-n-(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9-苯基-9h-咔唑-3-胺(簡稱：pcbif)、n-(1，1’-聯(lián)苯-4-基)-n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9h-芴-2-胺(簡稱：pcbbif)、9，9-二甲基-n-苯基-n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(簡稱：pcbaf)、n-苯基-n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]螺-9，9’-聯(lián)芴-2-胺(簡稱：pcbasf)、2-[n-(9-苯基咔唑-3-基)-n-苯氨基]螺-9，9’-聯(lián)芴(簡稱：pcasf)、2，7-雙[n-(4-二苯氨基苯基)-n-苯氨基]-螺-9，9’-聯(lián)芴(簡稱：dpa2sf)、n-[4-(9h-咔唑-9-基)苯基]-n-(4-苯基)苯基苯胺(簡稱：yga1bp)、n，n’-雙[4-(咔唑-9-基)苯基]-n，n’-二苯基-9，9-二甲基芴-2，7-二胺(簡稱：yga2f)等芳香胺化合物等。另外，還可以使用3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9h-咔唑(簡稱：pcpn)、3-[4-(9-菲基)-苯基]-9-苯基-9h-咔唑(簡稱：pcppn)、3，3’-雙(9-苯基-9h-咔唑)(簡稱：pccp)、1，3-雙(n-咔唑基)苯(簡稱：mcp)、3，6-雙(3，5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(簡稱：cztp)、3，6-二(9h-咔唑-9-基)-9-苯基-9h-咔唑(簡稱：phczgi)、2，8-二(9h-咔唑-9-基)-二苯并噻吩(簡稱：cz2dbt)等的胺化合物、咔唑化合物等。在上述化合物中，具有吡咯骨架、芳香胺骨架的化合物穩(wěn)定且可靠性良好，所以是優(yōu)選的。另外，具有上述骨架的化合物具有高空穴傳輸性，也有助于降低驅(qū)動電壓。另外，作為有機(jī)化合物131_2可以使用具有如咪唑骨架、三唑骨架及四唑骨架等的含氮五元雜環(huán)骨架的化合物。具體地，例如可以使用3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(簡稱：taz)、9-[4-(4，5-二苯基-4h-1，2，4-三唑-3-基)苯基]-9h-咔唑(簡稱：cztaz1)、2，2’，2”-(1，3，5-苯三基)三(1-苯基-1h-苯并咪唑)(簡稱：tpbi)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1h-苯并咪唑(簡稱：mdbtbim-ii)等。作為含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架、仲胺骨架或伯胺骨架的有機(jī)化合物，具體地，例如可以舉出具有nh基且具有有機(jī)化合物131_2所具有的骨架的一部分的化合物。換言之，例如可以舉出上述能夠用作有機(jī)化合物131_2的具有吡咯骨架、咪唑骨架、三唑骨架、四唑骨架、三芳基胺骨架等的具有如下結(jié)構(gòu)的化合物：與含氮五元雜環(huán)骨架或叔胺骨架所含有的氮鍵合的芳基或烷基中的至少一個被氫置換。在發(fā)光層130中，對客體材料132沒有特別的限制，作為熒光化合物優(yōu)選使用蒽衍生物、并四苯衍生物、(chrysene)衍生物、菲衍生物、芘衍生物、二萘嵌苯衍生物、二苯乙烯衍生物、吖啶酮衍生物、香豆素衍生物、吩惡嗪衍生物、吩噻嗪衍生物等，例如可以使用如下物質(zhì)。具體而言，作為該材料，可以舉出5，6-雙[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-2，2'-聯(lián)吡啶(簡稱：pap2bpy)、5，6-雙[4'-(10-苯基-9-蒽基)聯(lián)苯-4-基]-2，2'-聯(lián)吡啶(簡稱：papp2bpy)、n，n'-二苯基-n，n'-雙[4-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(簡稱：1，6flpaprn)、n，n’-雙(3-甲基苯基)-n，n’-雙[3-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(簡稱：1，6mmemflpaprn)、n，n’-雙[4-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]-n，n’-雙(4-叔丁苯基)芘-1，6-二胺(簡稱：1，6tbu-flpaprn)、n，n’-二苯基-n，n’-雙[4-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]-3，8-二環(huán)己基芘-1，6-二胺(簡稱：ch-1，6flpaprn)、n，n'-雙[4-(9h-咔唑-9-基)苯基]-n，n'-二苯基二苯乙烯-4，4'-二胺(簡稱：yga2s)、4-(9h-咔唑-9-基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：ygapa)、4-(9h-咔唑-9-基)-4'-(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(簡稱：2ygappa)、n，9-二苯基-n-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑-3-胺(簡稱：pcapa)、苝、2，5，8，11-四(叔丁基)苝(簡稱：tbp)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：pcbapa)、n，n”-(2-叔丁基蒽-9，10-二基二-4，1-亞苯基)雙[n，n'，n'-三苯基-1，4-苯二胺](簡稱：dpabpa)、n，9-二苯基-n-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9h-咔唑-3-胺(簡稱：2pcappa)、n-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-n，n'，n'-三苯基-1，4-苯二胺(簡稱：2dpappa)、n，n，n'，n'，n”，n”，n”'，n”'-八苯基二苯并[g，p](chrysene)-2，7，10，15-四胺(簡稱：dbc1)、香豆素30、n-(9，10-二苯基-2-蒽基)-n，9-二苯基-9h-咔唑-3-胺(簡稱：2pcapa)、n-[9，10-雙(1，1'-聯(lián)苯-2-基)-2-蒽基]-n，9-二苯基-9h-咔唑-3-胺(簡稱：2pcabpha)、n-(9，10-二苯基-2-蒽基)-n，n'，n'-三苯基-1，4-苯二胺(簡稱：2dpapa)、n-[9，10-雙(1，1'-聯(lián)苯-2-基)-2-蒽基]-n，n'，n'-三苯基-1，4-苯二胺(簡稱：2dpabpha)、9，10-雙(1，1'-聯(lián)苯-2-基)-n-[4-(9h-咔唑-9-基)苯基]-n-苯基蒽-2-胺(簡稱：2ygabpha)、n，n，9-三苯基蒽-9-胺(簡稱：dphapha)、香豆素6、香豆素545t、n，n'-二苯基喹吖酮(簡稱：dpqd)、紅熒烯、2，8-二-叔丁基-5，11-雙(4-叔丁苯基)-6，12-二苯基并四苯(簡稱：tbrb)、尼羅紅、5，12-雙(1，1'-聯(lián)苯-4-基)-6，11-二苯基并四苯(簡稱：bpt)、2-(2-{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4h-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡稱：dcm1)、2-{2-甲基-6-[2-(2，3，6，7-四氫-1h，5h-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4h-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱：dcm2)、n，n，n'，n'-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(簡稱：p-mphtd)、7，14-二苯基-n，n，n'，n'-四(4-甲基苯基)苊并[1，2-a]熒蒽-3，10-二胺(簡稱：p-mphafd)、2-{2-異丙基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫-1h，5h-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4h-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱：dcjti)、2-{2-叔丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫-1h，5h-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4h-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱：dcjtb)、2-(2，6-雙{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-4h-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡稱：bisdcm)、2-{2，6-雙[2-(8-甲氧基-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫-1h，5h-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4h-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱：bisdcjtm)、5，10，15，20-四苯基雙苯并(tetraphenylbisbenzo)[5，6]茚并[1，2，3-cd:1'，2'，3'-lm]苝等。作為客體材料132(磷光化合物)，可以舉出銥、銠、鉑類有機(jī)金屬配合物或金屬配合物，其中優(yōu)選的是有機(jī)銥配合物，例如銥類鄰位金屬配合物。作為鄰位金屬化的配體，可以舉出4h-三唑配體、1h-三唑配體、咪唑配體、吡啶配體、嘧啶配體、吡嗪配體或異喹啉配體等。作為金屬配合物可以舉出具有卟啉配體的鉑配合物等。作為在藍(lán)色或綠色處具有發(fā)光峰值的物質(zhì)，例如可以舉出三{2-[5-(2-甲基苯基)-4-(2,6-二甲基苯基)-4h-1,2,4-三唑-3-基-κn2]苯基-κc}銥(iii)(簡稱：ir(mpptz-dmp)3)、三(5-甲基-3,4-二苯基-4h-1,2,4-三唑)銥(iii)(簡稱：ir(mptz)3)、三[4-(3-聯(lián)苯)-5-異丙基-3-苯基-4h-1,2,4-三唑]銥(iii)(簡稱：ir(iprptz-3b)3)、三[3-(5-聯(lián)苯)-5-異丙基-4-苯基-4h-1，2，4-三唑]銥(iii)(簡稱：ir(ipr5btz)3)等具有4h-三唑骨架的有機(jī)金屬銥配合物；三[3-甲基-1-(2-甲基苯基)-5-苯基-1h-1,2,4-三唑]銥(iii)(簡稱：ir(mptz1-mp)3)、三(1-甲基-5-苯基-3-丙基-1h-1,2,4-三唑)銥(iii)(簡稱：ir(prptz1-me)3)等具有1h-三唑骨架的有機(jī)金屬銥配合物；fac-三[1-(2,6-二異丙基苯基)-2-苯基-1h-咪唑]銥(iii)(簡稱：ir(iprpmi)3)、三[3-(2,6-二甲基苯基)-7-甲基咪唑并[1,2-f]菲啶根(phenanthridinato)]銥(iii)(簡稱：ir(dmpimpt-me)3)等具有咪唑骨架的有機(jī)金屬銥配合物；以及雙[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根-n,c2']銥(iii)四(1-吡唑基)硼酸鹽(簡稱：fir6)、雙[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根-n,c2']銥(iii)吡啶甲酸鹽(簡稱：firpic)、雙{2-[3',5'-雙(三氟甲基)苯基]吡啶根-n,c2'}銥(iii)吡啶甲酸鹽(簡稱：ir(cf3ppy)2(pic))、雙[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根-n,c2']銥(iii)乙酰丙酮(簡稱：fir(acac))等以具有吸電子基團(tuán)的苯基吡啶衍生物為配體的有機(jī)金屬銥配合物。在上述金屬配合物中，由于具有4h-三唑骨架、1h-三唑骨架及咪唑骨架等含氮五元雜環(huán)骨架的有機(jī)金屬銥配合物的三重激發(fā)能量很高并具有優(yōu)異的可靠性及發(fā)光效率，所以是特別優(yōu)選的。作為在綠色或黃色處具有發(fā)光峰值的物質(zhì)，例如可以舉出三(4-甲基-6-苯基嘧啶)銥(iii)(簡稱：ir(mppm)3)、三(4-叔丁基-6-苯基嘧啶)銥(iii)(簡稱：ir(tbuppm)3)、(乙酰丙酮根)雙(6-甲基-4-苯基嘧啶)銥(iii)(簡稱：ir(mppm)2(acac))、(乙酰丙酮根)雙(6-叔丁基-4-苯基嘧啶)銥(iii)(簡稱：ir(tbuppm)2(acac))、(乙酰丙酮根)雙[4-(2-降莰基)-6-苯基嘧啶]銥(iii)(簡稱：ir(nbppm)2(acac))、(乙酰丙酮根)雙[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-苯基嘧啶]銥(iii)(簡稱：ir(mpmppm)2(acac))、(乙酰丙酮根)雙{4，6-二甲基-2-[6-(2，6-二甲基苯基)-4-嘧啶基-κn3]苯基-κc}銥(iii)(簡稱：ir(dmppm-dmp)2(acac))、(乙酰丙酮根)雙(4，6-二苯基嘧啶)銥(iii)(簡稱：ir(dppm)2(acac))等具有嘧啶骨架的有機(jī)金屬銥配合物；(乙酰丙酮根)雙(3,5-二甲基-2-苯基吡嗪)銥(iii)(簡稱：ir(mppr-me)2(acac))、(乙酰丙酮根)雙(5-異丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪)銥(iii)(簡稱：ir(mppr-ipr)2(acac))等具有吡嗪骨架的有機(jī)金屬銥配合物；三(2-苯基吡啶-n,c2')銥(iii)(簡稱：ir(ppy)3)、雙(2-苯基吡啶根-n,c2')銥(iii)乙酰丙酮(簡稱：ir(ppy)2(acac))、雙(苯并[h]喹啉)銥(iii)乙酰丙酮(簡稱：ir(bzq)2(acac))、三(苯并[h]喹啉)銥(iii)(簡稱：ir(bzq)3)、三(2-苯基喹啉-n,c2′)銥(iii)(簡稱：ir(pq)3)、雙(2-苯基喹啉-n,c2')銥(iii)乙酰丙酮(簡稱：ir(pq)2(acac))等具有吡啶骨架的有機(jī)金屬銥配合物；雙(2，4-二苯基-1，3-噁唑-n，c2')銥(iii)乙酰丙酮(簡稱：ir(dpo)2(acac))、雙{2-[4'-(全氟苯基)苯基]吡啶-n，c2'}銥(iii)乙酰丙酮(簡稱：ir(p-pf-ph)2(acac))、雙(2-苯基苯并噻唑-n，c2')銥(iii)乙酰丙酮(簡稱：ir(bt)2(acac))等有機(jī)金屬銥配合物；三(乙酰丙酮根)(單菲咯啉)鋱(iii)(簡稱：tb(acac)3(phen))等稀土金屬配合物。在上述物質(zhì)中，由于具有嘧啶骨架的有機(jī)金屬銥配合物也具有顯著優(yōu)良的可靠性及發(fā)光效率，所以是尤其優(yōu)選的。另外，作為在黃色或紅色處具有發(fā)光峰值的物質(zhì)，例如可以舉出(二異丁酰甲烷根)雙[4，6-雙(3-甲基苯基)嘧啶根]銥(iii)(簡稱：ir(5mdppm)2(dibm))、雙[4，6-雙(3-甲基苯基)嘧啶根](二新戊?；淄楦?銥(iii)(簡稱：ir(5mdppm)2(dpm))、雙[4，6-二(萘-1-基)嘧啶根](二新戊酰基甲烷根)銥(iii)(簡稱：ir(d1npm)2(dpm))等具有嘧啶骨架的有機(jī)金屬銥配合物；(乙酰丙酮根)雙(2，3，5-三苯基吡嗪根)銥(iii)(簡稱：ir(tppr)2(acac))、雙(2，3，5-三苯基吡嗪根)(二新戊?；淄楦?銥(iii)(簡稱：ir(tppr)2(dpm))、(乙酰丙酮根)雙[2，3-雙(4-氟苯基)喹喔啉]合銥(iii)(簡稱：ir(fdpq)2(acac))等具有吡嗪骨架的有機(jī)金屬銥配合物；三(1-苯基異喹啉-n，c2’)銥(iii)(簡稱：ir(piq)3)、雙(1-苯基異喹啉-n，c2’)銥(iii)乙酰丙酮(簡稱：ir(piq)2(acac))等具有吡啶骨架的有機(jī)金屬銥配合物；2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21h，23h-卟啉鉑(ii)(簡稱：ptoep)等鉑配合物；以及三(1，3-二苯基-1，3-丙二酮(propanedionato))(單菲羅啉)銪(iii)(簡稱：eu(dbm)3(phen))、三[1-(2-噻吩甲?；?-3，3，3-三氟丙酮](單菲羅啉)銪(iii)(簡稱：eu(tta)3(phen))等稀土金屬配合物。在上述物質(zhì)中，由于具有嘧啶骨架的有機(jī)金屬銥配合物也具有顯著優(yōu)良的可靠性及發(fā)光效率，所以是尤其優(yōu)選的。另外，具有吡嗪骨架的有機(jī)金屬銥配合物可以獲得色度良好的紅色發(fā)光。另外，作為發(fā)光層130所包含的發(fā)光材料，優(yōu)選使用能夠?qū)⑷丶ぐl(fā)能量轉(zhuǎn)換為發(fā)光的材料。作為該能夠?qū)⑷丶ぐl(fā)能轉(zhuǎn)換為發(fā)光的材料，除了磷光化合物之外，可以舉出熱活化延遲熒光(thermallyactivateddelayedfluorescence：tadf)材料。因此，可以將有關(guān)磷光化合物的記載看作有關(guān)熱活化延遲熒光材料的記載。注意，熱活化延遲熒光材料是指三重激發(fā)能級與單重激發(fā)能級的差較小且具有通過反系間竄越將能量從三重激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)換為單重激發(fā)態(tài)的功能的材料。因此，能夠通過微小的熱能量將三重激發(fā)態(tài)上轉(zhuǎn)換(up-convert)為單重激發(fā)態(tài)(反系間竄越)并能夠高效地呈現(xiàn)來自單重激發(fā)態(tài)的發(fā)光(熒光)。另外，可以高效地獲得熱活化延遲熒光的條件為如下：三重激發(fā)態(tài)能級與單重激態(tài)發(fā)能級的能量差大于0ev且為0.2ev以下，優(yōu)選大于0ev且為0.1ev以下。當(dāng)熱活化延遲熒光材料由一種材料構(gòu)成時，例如可以使用如下材料。首先，可以舉出富勒烯或其衍生物、原黃素等吖啶衍生物、曙紅(eosin)等。另外，可以舉出包含鎂(mg)、鋅(zn)、鎘(cd)、錫(sn)、鉑(pt)、銦(in)或鈀(pd)等的含金屬卟啉。作為該含金屬卟啉，例如，也可以舉出原卟啉-氟化錫絡(luò)合物(簡稱：snf2(protoix))、中卟啉-氟化錫絡(luò)合物(簡稱：snf2(mesoix))、血卟啉-氟化錫絡(luò)合物(簡稱：snf2(hematoix))、糞卟啉四甲酯-氟化錫絡(luò)合物(簡稱：snf2(coproⅲ-4me))、八乙基卟啉-氟化錫絡(luò)合物(簡稱：snf2(oep))、初卟啉-氟化錫絡(luò)合物(簡稱：snf2(etioi))以及八乙基卟啉-氯化鉑絡(luò)合物(簡稱：ptcl2oep)等。另外，作為由一種材料構(gòu)成的熱活化延遲熒光材料，還可以使用具有富π電子型芳雜環(huán)及缺π電子型芳雜環(huán)的雜環(huán)化合物。具體而言，可以舉出2-(聯(lián)苯-4-基)-4，6-雙(12-苯基吲哚并[2，3-a]咔唑-11-基)-1，3，5-三嗪(簡稱：pic-trz)、2-{4-[3-(n-苯基-9h-咔唑-3-基)-9h-咔唑-9-基]苯基}-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(簡稱：pcczptzn)、2-[4-(10h-吩惡嗪-10-基)苯基]-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(簡稱：pxz-trz)、3-[4-(5-苯基-5，10-二氫吩嗪-10-基)苯基]-4，5-二苯基-1，2，4-三唑(簡稱：ppz-3tpt)、3-(9，9-二甲基-9h-吖啶-10-基)-9h-氧雜蒽-9-酮(簡稱：acrxtn)、雙[4-(9，9-二甲基-9，10-二氫吖啶)苯基]砜(簡稱：dmac-dps)、10-苯基-10h，10’h-螺[吖啶-9，9’-蒽]-10’-酮(簡稱：acrsa)等。該雜環(huán)化合物具有富π電子型芳雜環(huán)及缺π電子型芳雜環(huán)，因此電子傳輸性及空穴傳輸性高，所以是優(yōu)選的。尤其是，在具有缺π電子型芳雜環(huán)的骨架中，二嗪骨架(嘧啶骨架、吡嗪骨架、噠嗪骨架)或三嗪骨架穩(wěn)定且可靠性良好，所以是優(yōu)選的。另外，在具有富π電子型芳雜環(huán)的骨架中，吖啶骨架、吩惡嗪骨架、噻吩骨架、呋喃骨架及吡咯骨架穩(wěn)定且可靠性良好，所以具有選自該骨架中的任何一個或多個是優(yōu)選的。作為吡咯骨架，特別優(yōu)選使用吲哚骨架、咔唑骨架及3-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)-9h-咔唑骨架。另外，在富π電子型雜芳環(huán)與缺π電子型雜芳環(huán)直接鍵合的物質(zhì)中，富π電子型雜芳環(huán)的供體性和缺π電子型雜芳環(huán)的受體性都強(qiáng)，而單重激發(fā)態(tài)和三重激發(fā)態(tài)之間的差異變小，所以是特別優(yōu)選的。另外，發(fā)光層130中也可以包括主體材料131及客體材料132以外的材料。對作為能夠用于發(fā)光層130的材料沒有特別的限定，例如，可以舉出蒽衍生物、菲衍生物、芘衍生物、衍生物、二苯并[g，p]衍生物等的縮合多環(huán)芳香化合物，具體地，可以舉出9，10-二苯基蒽(簡稱：dpanth)、6，12-二甲氧基-5，11-二苯基9，10-雙(3，5-二苯基苯基)蒽(簡稱：dppa)、9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱：dna)、2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱：t-budna)、9，9’-聯(lián)蒽(簡稱：bant)、9，9’-(二苯乙烯-3，3’-二基)二菲(簡稱：dpns)、9，9’-(二苯乙烯-4，4’-二基)二菲(簡稱：dpns2)、1，3，5-三(1-芘)苯(簡稱：tpb3)等。另外，可以從上述物質(zhì)及公知物質(zhì)中選擇一種或多種具有比上述客體材料132的激發(fā)能級高的單重激發(fā)能級或三重激發(fā)能級的物質(zhì)而使用。另外，例如，可以將如噁二唑衍生物等的具有芳雜環(huán)骨架的化合物用于發(fā)光層130。具體地，例如，可以舉出2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(簡稱：pbd)、1，3-雙[5-(p-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(簡稱：oxd-7)、9-[4-(5-苯基-1，3，4-噁二唑-2-基)苯基]-9h-咔唑(簡稱：co11)、4，4’-雙(5-甲基苯并惡唑-2-基)二苯乙烯(簡稱：bzos)等的雜環(huán)化合物。另外，可以將具有雜環(huán)的金屬配合物(例如，鋅及鋁類金屬配合物)等用于發(fā)光層130。例如，可以舉出包括喹啉配體、苯并喹啉配體、噁唑配體或噻唑配體的金屬配合物。具體而言，可舉出具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬配合物等，例如三(8-羥基喹啉)鋁(iii)(簡稱：alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(iii)(簡稱：almq3)、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹(ii)(簡稱：bebq2)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(iii)(簡稱：balq)、雙(8-羥基喹啉)鋅(ii)(簡稱：znq)等。另外，除此之外，還可以使用如雙[2-(2-苯并噁唑基)苯酚]鋅(ii)(簡稱：znpbo)、雙[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]鋅(ii)(簡稱：znbtz)等具有噁唑基類或噻唑類配體的金屬配合物等。發(fā)光層130也可以由兩層以上的多個層形成。例如，在從空穴傳輸層一側(cè)依次層疊第一發(fā)光層和第二發(fā)光層來形成發(fā)光層130的情況下，可以將具有空穴傳輸性的物質(zhì)用作第一發(fā)光層的主體材料，并且將具有電子傳輸性的物質(zhì)用作第二發(fā)光層的主體材料。另外，第一發(fā)光層和第二發(fā)光層所包含的發(fā)光材料也可以是相同或不同的材料。另外，第一發(fā)光層和第二發(fā)光層所包含的發(fā)光材料既可以是具有呈現(xiàn)相同顏色的發(fā)光的功能的材料，又可以是具有呈現(xiàn)不同顏色的發(fā)光的功能的材料。通過作為兩層的發(fā)光層分別使用具有呈現(xiàn)彼此不同顏色的發(fā)光的功能的發(fā)光材料，可以同時得到多個發(fā)光。尤其是，優(yōu)選選擇用于各發(fā)光層的發(fā)光材料，以便通過組合兩層發(fā)光層所發(fā)射的光而能夠得到白色發(fā)光。另外，可以利用蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、噴墨法、涂敷法、凹版印刷等的方法形成發(fā)光層130。此外，除了上述材料以外，發(fā)光層130及發(fā)光層135也可以包含量子點(diǎn)等無機(jī)化合物或高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)?！犊昭ㄗ⑷雽印房昭ㄗ⑷雽?11具有通過降低來自一對電極中的一個(電極101或電極102)的空穴注入勢壘促進(jìn)空穴注入的功能，并例如使用過渡金屬氧化物、酞菁衍生物或芳香胺等形成。作為過渡金屬氧化物可以舉出鉬氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物等。作為酞菁衍生物，可以舉出酞菁或金屬酞菁等。作為芳香胺，可以舉出聯(lián)苯胺衍生物或亞苯基二胺衍生物等。另外，也可以使用聚噻吩或聚苯胺等高分子化合物，典型的是：作為被自摻雜的聚噻吩的聚(乙基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)等。作為空穴注入層111，可以使用具有由空穴傳輸性材料和具有接收來自空穴傳輸性材料的電子的特性的材料構(gòu)成的復(fù)合材料的層?；蛘?，也可以使用包含具有接收電子的特性的材料的層與包含空穴傳輸性材料的層的疊層。在定態(tài)或者在存在有電場的狀態(tài)下，電荷的授受可以在這些材料之間進(jìn)行。作為具有接收電子的特性的材料，可以舉出醌二甲烷衍生物、四氯苯醌衍生物、六氮雜苯并菲衍生物等有機(jī)受體。具體而言，可以舉出7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(簡稱：f4-tcnq)、氯醌、2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮雜苯并菲(簡稱：hat-cn)等具有吸電子基團(tuán)(鹵基或氰基)的化合物。此外，也可以使用過渡金屬氧化物、例如第4族至第8族金屬的氧化物。具體而言，可以使用氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、氧化錸等。特別優(yōu)選使用氧化鉬，因為其在大氣中也穩(wěn)定，吸濕性低，并且容易處理。作為空穴傳輸性材料，可以使用空穴傳輸性比電子傳輸性高的材料，優(yōu)選使用具有1×10-6cm2/vs以上的空穴遷移率的材料。具體而言，可以使用作為能夠用于發(fā)光層130的空穴傳輸性材料而舉出的芳香胺、咔唑衍生物、芳烴、二苯乙烯衍生物等。上述空穴傳輸性材料也可以是高分子化合物。另外，作為空穴傳輸性材料還可以舉出芳烴，例如，可以舉出2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱：t-budna)、2-叔丁基-9，10-二(1-萘基)蒽、9，10-雙(3，5-二苯基苯基)蒽(簡稱：dppa)、2-叔丁基-9，10-雙(4-苯基苯基)蒽(簡稱：t-budba)、9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱：dna)、9，10-二苯基蒽(簡稱：dpanth)、2-叔丁基蒽(簡稱：t-buanth)、9，10-雙(4-甲基-1-萘基)蒽(簡稱：dmna)、2-叔丁基-9，10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽、9，10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(1-萘基)蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(2-萘基)蒽、9，9’-聯(lián)蒽、10，10’-二苯基-9，9’-聯(lián)蒽、10，10’-雙(2-苯基苯基)-9，9’-聯(lián)蒽、10，10’-雙[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]-9，9’-聯(lián)蒽、蒽、并四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯等。此外，還可以使用并五苯、暈苯等。如此，更優(yōu)選使用具有1×10-6cm2/vs以上的空穴遷移率且碳原子數(shù)為14至42的芳烴。另外，芳烴可以具有乙烯基骨架。作為具有乙烯基的芳烴，例如，可以舉出4，4’-雙(2，2-二苯基乙烯基)聯(lián)苯(簡稱：dpvbi)、9，10-雙[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(簡稱：dpvpa)等。另外，可以使用4-{3-[3-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(簡稱：mmdbfflbi-ii)、4，4’，4”-(苯-1，3，5-三基)三(二苯并呋喃)(簡稱：dbf3p-ii)、1，3，5-三(二苯并噻吩-4-基)-苯(簡稱：dbt3p-ii)、2，8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]二苯并噻吩(簡稱：dbtflp-iii)、4-[4-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(簡稱：dbtflp-iv)、4-[3-(三亞苯-2-基)苯基]二苯并噻吩(簡稱：mdbtptp-ii)等的噻吩化合物、呋喃化合物、芴化合物、三亞苯化合物、菲化合物等。其中，具有吡咯骨架、呋喃骨架、噻吩骨架、芳香胺骨架的化合物穩(wěn)定且可靠性良好，所以是優(yōu)選的。具有上述骨架的化合物具有高空穴傳輸性，也有助于降低驅(qū)動電壓?！犊昭▊鬏攲印房昭▊鬏攲?12是包含空穴傳輸性材料的層，可以使用作為空穴注入層111的材料所例示的空穴傳輸性材料。空穴傳輸層112具有將注入到空穴注入層111的空穴傳輸?shù)桨l(fā)光層130的功能，所以優(yōu)選具有與空穴注入層111的homo(highestoccupiedmolecularorbital，也稱為最高占據(jù)分子軌道)能級相同或接近的homo能級。另外，優(yōu)選使用具有1×10-6cm2/vs以上的空穴遷移率的物質(zhì)。但是，只要是空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)，就可以使用上述物質(zhì)以外的物質(zhì)。另外，包括高空穴傳輸性的物質(zhì)的層不限于單層，還可以層疊兩層以上的由上述物質(zhì)構(gòu)成的層?！峨娮觽鬏攲印冯娮觽鬏攲?18具有將從一對電極中的另一個(電極101或電極102)經(jīng)過電子注入層119注入的電子傳輸?shù)桨l(fā)光層130的功能。作為電子傳輸性材料，可以使用電子傳輸性比空穴傳輸性高的材料，優(yōu)選使用具有1×10-6cm2/vs以上的電子遷移率的材料。作為容易接收電子的化合物(具有電子傳輸性的材料)，可以使用含氮雜芳族化合物等的缺π電子型雜芳族化合物或金屬配合物等。具體地，可以舉出作為可用于發(fā)光層130的電子傳輸性材料舉出的吡啶衍生物、聯(lián)吡啶衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、喹喔啉衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、菲咯啉衍生物、三唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噁二唑衍生物等。另外，優(yōu)選是具有1×10-6cm2/vs以上的電子遷移率的物質(zhì)。另外，只要是電子傳輸性高于空穴傳輸性的物質(zhì)，就可以使用上述物質(zhì)以外的物質(zhì)。另外，電子傳輸層118不限于單層，還可以層疊兩層以上的由上述物質(zhì)構(gòu)成的層。另外，作為具有雜環(huán)的金屬配合物，例如，可以舉出可以舉出包括喹啉配體、苯并喹啉配體、噁唑配體或噻唑配體的金屬配合物。具體而言，可舉出具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬配合物等，例如三(8-羥基喹啉)鋁(iii)(簡稱：alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(iii)(簡稱：almq3)、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹(ii)(簡稱：bebq2)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(iii)(簡稱：balq)、雙(8-羥基喹啉)鋅(ii)(簡稱：znq)等。另外，除此之外，還可以使用如雙[2-(2-苯并噁唑基)苯酚]鋅(ii)(簡稱：znpbo)、雙[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]鋅(ii)(簡稱：znbtz)等具有噁唑基類配體或噻唑類配體的金屬配合物等。另外，還可以在電子傳輸層118與發(fā)光層130之間設(shè)置控制電子載流子的移動的層。該控制電子載流子的移動的層是對上述電子傳輸性高的材料添加少量的電子俘獲性高的物質(zhì)而成的層，通過抑制電子載流子的移動，可以調(diào)節(jié)載流子平衡。這種結(jié)構(gòu)對抑制因電子穿過發(fā)光層而引起的問題(例如元件壽命的下降)發(fā)揮很大的效果?！峨娮幼⑷雽印冯娮幼⑷雽?19具有通過降低來自電極102的電子注入勢壘促進(jìn)電子注入的功能，例如可以使用第1族金屬、第2族金屬或它們的氧化物、鹵化物、碳酸鹽等。另外，也可以使用上述電子傳輸性材料和具有對電子傳輸性材料供應(yīng)電子的特性的材料的復(fù)合材料。作為具有供電子特性的材料，可以舉出第1族金屬、第2族金屬或它們的氧化物等。具體而言，可以使用氟化鋰(lif)、氟化鈉(naf)、氟化銫(csf)、氟化鈣(caf2)及鋰氧化物(liox)等堿金屬、堿土金屬或這些金屬的化合物。另外，可以使用氟化鉺(erf3)等稀土金屬化合物。另外，也可以將電子鹽用于電子注入層119。作為該電子鹽，例如可以舉出對鈣和鋁的混合氧化物以高濃度添加電子的物質(zhì)等。另外，也可以將能夠用于電子傳輸層118的物質(zhì)用于電子注入層119。另外，也可以將有機(jī)化合物與電子給體(供體)混合形成的復(fù)合材料用于電子注入層119。這種復(fù)合材料因為通過電子給體在有機(jī)化合物中產(chǎn)生電子而具有優(yōu)異的電子注入性和電子傳輸性。在此情況下，有機(jī)化合物優(yōu)選是在傳輸所產(chǎn)生的電子方面性能優(yōu)異的材料，具體而言，例如，可以使用如上所述的構(gòu)成電子傳輸層118的物質(zhì)(金屬配合物、雜芳族化合物等)。作為電子給體，只要是對有機(jī)化合物呈現(xiàn)電子供給性的物質(zhì)即可。具體而言，優(yōu)選使用堿金屬、堿土金屬和稀土金屬，可以舉出鋰、鈉、銫、鎂、鈣、鉺、鐿等。另外，優(yōu)選使用堿金屬氧化物或堿土金屬氧化物，可以舉出鋰氧化物、鈣氧化物、鋇氧化物等。此外，還可以使用氧化鎂等路易斯堿。另外，也可以使用四硫富瓦烯(簡稱：ttf)等有機(jī)化合物。另外，上述發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層及電子注入層分別可以通過蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、噴墨法、涂敷法、凹版印刷等方法形成。此外，作為上述發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層及電子注入層，除了上述材料之外，也可以使用量子點(diǎn)等無機(jī)化合物或高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)?！读孔狱c(diǎn)》量子點(diǎn)是其尺寸為幾nm至幾十nm的半導(dǎo)體納米晶，并由1×103個至1×106個左右的原子構(gòu)成。量子點(diǎn)的能量移動依賴于其尺寸，因此，即使是由相同的物質(zhì)構(gòu)成的量子點(diǎn)也根據(jù)尺寸具有互不相同的發(fā)光波長。所以，通過改變所使用的量子點(diǎn)的尺寸，可以容易改變發(fā)光波長。此外，量子點(diǎn)的發(fā)射光譜的峰寬窄，因此，可以得到色純度高的發(fā)光。再者，量子點(diǎn)的理論上的內(nèi)部量子效率被認(rèn)為大致是100％，即，大幅度地超過呈現(xiàn)熒光發(fā)光的有機(jī)化合物的25％，且與呈現(xiàn)磷光發(fā)光的有機(jī)化合物相等。因此，通過將量子點(diǎn)用作發(fā)光材料，可以獲得發(fā)光效率高的發(fā)光元件。而且，作為無機(jī)材料的量子點(diǎn)在實(shí)質(zhì)穩(wěn)定性上也是優(yōu)異的，因此，可以獲得壽命長的發(fā)光元件。作為構(gòu)成量子點(diǎn)的材料，可以舉出第十四族元素、第十五族元素、第十六族元素、包含多個第十四族元素的化合物、第四族至第十四族的元素和第十六族元素的化合物、第二族元素和第十六族元素的化合物、第十三族元素和第十五族元素的化合物、第十三族元素和第十七族元素的化合物、第十四族元素和第十五族元素的化合物、第十一族元素和第十七族元素的化合物、氧化鐵類、氧化鈦類、硫系尖晶石(spinelchalcogenide)類、各種半導(dǎo)體簇等。具體而言，可以舉出硒化鎘、硫化鎘、碲化鎘、硒化鋅、氧化鋅、硫化鋅、碲化鋅、硫化汞、硒化汞、碲化汞、砷化銦、磷化銦、砷化鎵、磷化鎵、氮化銦、氮化鎵、銻化銦、銻化鎵、磷化鋁、砷化鋁、銻化鋁、硒化鉛、碲化鉛、硫化鉛、硒化銦、碲化銦、硫化銦、硒化鎵、硫化砷、硒化砷、碲化砷、硫化銻、硒化銻、碲化銻、硫化鉍、硒化鉍、碲化鉍、硅、碳化硅、鍺、錫、硒、碲、硼、碳、磷、氮化硼、磷化硼、砷化硼、氮化鋁、硫化鋁、硫化鋇、硒化鋇、碲化鋇、硫化鈣、硒化鈣、碲化鈣、硫化鈹、硒化鈹、碲化鈹、硫化鎂、硒化鎂、硫化鍺、硒化鍺、碲化鍺、硫化錫、硫化錫、硒化錫、碲化錫、氧化鉛、氟化銅、氯化銅、溴化銅、碘化銅、氧化銅、硒化銅、氧化鎳、氧化鈷、硫化鈷、氧化鐵、硫化鐵、氧化錳、硫化鉬、氧化釩、氧化鎢、氧化鉭、氧化鈦、氧化鋯、氮化硅、氮化鍺、氧化鋁、鈦酸鋇、硒鋅鎘的化合物、銦砷磷的化合物、鎘硒硫的化合物、鎘硒碲的化合物、銦鎵砷的化合物、銦鎵硒的化合物、銦硒硫化合物、銅銦硫的化合物以及它們的組合等，但是不局限于此。此外，也可以使用以任意比例表示組成的所謂的合金型量子點(diǎn)。例如，因為鎘硒硫的合金型量子點(diǎn)可以通過改變元素的含量比來改變發(fā)光波長，所以鎘硒硫的合金型量子點(diǎn)是有效于得到藍(lán)色發(fā)光的手段之一。作為量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)，有核型、核殼(coreshell)型、核多殼(coremultishell)型等?？梢允褂蒙鲜鋈我粋€，但是通過使用覆蓋核且具有更寬的帶隙的其他無機(jī)材料來形成殼，可以減少存在于納米晶表面上的缺陷或懸空鍵的影響，從而可以大幅度地提高發(fā)光的量子效率。由此，優(yōu)選使用核殼型或核多殼型的量子點(diǎn)。作為殼的材料的例子，可以舉出硫化鋅或氧化鋅。此外，在量子點(diǎn)中，由于表面原子的比例高，因此反應(yīng)性高而容易發(fā)生聚集。因此，量子點(diǎn)的表面優(yōu)選附著有保護(hù)劑或設(shè)置有保護(hù)基。由此可以防止聚集并提高對溶劑的溶解性。此外，還可以通過降低反應(yīng)性來提高電穩(wěn)定性。作為保護(hù)劑(或保護(hù)基)，例如可以舉出：月桂醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯硬脂酸酯(polyoxyethylenestearylether)、聚氧乙烯月桂醚(polyoxyethyleneoleylether)等聚氧乙烯烷基醚類；三丙基膦、三丁基膦、三已基膦、三辛基膦等三烷基膦類；聚氧乙烯正-辛基苯基醚、聚氧乙烯正-壬基苯基醚等聚氧乙烯烷基苯基醚類；三(正-己基)胺、三(正-辛基)胺、三(正-癸基)胺等叔胺類；三丙基氧化膦、三丁基氧化膦、三己基氧化膦、三辛基氧化膦、三癸基氧化膦等有機(jī)磷化合物；聚乙二醇二月桂酸酯、聚乙二醇二硬脂酸酯等聚乙二醇二酯類；吡啶、盧惕啶、可力丁、喹啉類等含氮芳香化合物等有機(jī)氮化合物；己基胺、辛基胺、癸基胺、十二烷基胺、十四烷基胺、十六烷基胺、十八烷基胺等氨基鏈烷類；二丁基硫醚等二烷基硫醚類；二甲亞砜、二丁亞砜等二烷亞砜類；噻吩等含硫芳香化合物等有機(jī)硫化合物；棕櫚酸、硬脂酸、油酸等高級脂肪酸；乙醇類；失水山梨醇脂肪酸酯類；脂肪酸改性聚酯類；叔胺類改性聚氨酯類；聚乙烯亞胺類等。量子點(diǎn)其尺寸越小帶隙越大，因此適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)其尺寸以獲得所希望的波長的光。隨著結(jié)晶尺寸變小，量子點(diǎn)的發(fā)光向藍(lán)色一側(cè)(即，向高能量一側(cè))遷移，因此，通過改變量子點(diǎn)的尺寸，可以在涵蓋紫外區(qū)域、可見光區(qū)域和紅外區(qū)域的光譜的波長區(qū)域中調(diào)節(jié)其發(fā)光波長。通常使用的量子點(diǎn)的尺寸(直徑)為0.5nm至20nm，優(yōu)選為1nm至10nm。另外，量子點(diǎn)其尺寸分布越小發(fā)射光譜越窄，因此可以獲得色純度高的發(fā)光。另外，對量子點(diǎn)的形狀沒有特別的限制，可以為球狀、棒狀、圓盤狀、其他的形狀。另外，作為棒狀量子點(diǎn)的量子桿具有呈現(xiàn)具有指向性的光的功能，所以通過將量子桿用作發(fā)光材料，可以得到外部量子效率更高的發(fā)光元件。在有機(jī)el元件中，通常通過將發(fā)光材料分散在主體材料中來抑制發(fā)光材料的濃度猝滅，而提高發(fā)光效率。主體材料需要具有發(fā)光材料以上的單重激發(fā)能級或三重激發(fā)能級。特別是，在將藍(lán)色磷光材料用作發(fā)光材料時，需要具有藍(lán)色磷光材料以上的三重激發(fā)能級且使用壽命長的主體材料，這種材料的開發(fā)是極困難的。在此，量子點(diǎn)即使在只使用量子點(diǎn)而不使用主體材料來形成發(fā)光層的情況下，也可以確保發(fā)光效率，因此可以得到使用壽命長的發(fā)光元件。在只使用量子點(diǎn)形成發(fā)光層時，量子點(diǎn)優(yōu)選具有核殼型結(jié)構(gòu)(包括核多殼型結(jié)構(gòu))。在將量子點(diǎn)用作發(fā)光層的發(fā)光材料的情況下，該發(fā)光層的厚度為3nm至100nm，優(yōu)選為10nm至100nm，發(fā)光層所包含的量子點(diǎn)的比率為1vol.％至100vol.％。注意，優(yōu)選只由量子點(diǎn)形成發(fā)光層。另外，在形成將該量子點(diǎn)用作發(fā)光材料而將其分散在主體材料中的發(fā)光層時，可以將量子點(diǎn)分散在主體材料中或?qū)⒅黧w材料和量子點(diǎn)溶解或分散在適當(dāng)?shù)囊后w介質(zhì)中，并使用濕式法(旋涂法、澆鑄法、點(diǎn)膠涂布法、刮涂法、輥涂法、噴墨法、印刷法、噴涂法、簾式涂布法、朗繆爾-布羅基特(langmuirblodgett)法等)形成。使用磷光發(fā)光材料的發(fā)光層除了上述濕式法之外也優(yōu)選采用真空蒸鍍法。作為用于濕式法的液體介質(zhì)，例如可以使用：甲乙酮、環(huán)己酮等酮類；乙酸乙酯等脂肪酸酯類；二氯苯等鹵化烴類；甲苯、二甲苯、均三甲苯、環(huán)己基苯等芳烴類；環(huán)己烷、十氫化萘、十二烷等脂肪族烴類；二甲基甲酰胺(dmf)、二甲亞砜(dmso)等有機(jī)溶劑?！兑粚﹄姌O》電極101及電極102被用作發(fā)光元件的陽極或陰極。電極101及電極102可以使用金屬、合金、導(dǎo)電性化合物以及它們的混合物或疊層體等形成。電極101和電極102中的一個優(yōu)選使用具有反射光的功能的導(dǎo)電材料形成。作為該導(dǎo)電材料，可以舉出鋁(al)或包含al的合金等。作為包含al的合金，可以舉出包含al及l(fā)(l表示鈦(ti)、釹(nd)、鎳(ni)和鑭(la)中的一個或多個)的合金等，例如為包含al及ti的合金或者包含al、ni及l(fā)a的合金等。鋁具有低電阻率和高光反射率。此外，由于鋁在地殼中大量地含有且不昂貴，所以使用鋁可以降低發(fā)光元件的制造成本。此外，也可以使用銀(ag)、包含ag、n(n表示釔(y)、nd、鎂(mg)、鐿(yb)、al、ti、鎵(ga)、鋅(zn)、銦(in)、鎢(w)、錳(mn)、錫(sn)、鐵(fe)、ni、銅(cu)、鈀(pd)、銥(ir)和金(au)中的一個或多個)的合金等。作為包含銀的合金，例如可以舉出如下合金：包含銀、鈀及銅的合金；包含銀及銅的合金；包含銀及鎂的合金；包含銀及鎳的合金；包含銀及金的合金；以及包含銀及鐿的合金等。除了上述材料以外，可以使用鎢、鉻(cr)、鉬(mo)、銅及鈦等的過渡金屬。另外，從發(fā)光層獲得的光透過電極101和電極102中的一個或兩個被提取。由此，電極101和電極102中的至少一個優(yōu)選使用具有透過光的功能的導(dǎo)電材料形成。作為該導(dǎo)電材料，可以舉出可見光透過率為40％以上且100％以下，優(yōu)選為60％以上且100％以下，且電阻率為1×10-2ω·cm以下的導(dǎo)電材料。此外，電極101及電極102也可以使用具有透過光的功能及反射光的功能的導(dǎo)電材料形成。作為該導(dǎo)電材料，可以舉出可見光反射率為20％以上且80％以下，優(yōu)選為40％以上且70％以下，且電阻率為1×10-2ω·cm以下的導(dǎo)電材料。例如，可以使用具有導(dǎo)電性的金屬、合金和導(dǎo)電性化合物中的一種或多種。具體而言，例如可以使用銦錫氧化物(indiumtinoxide，以下稱為ito)、包含硅或氧化硅的銦錫氧化物(簡稱：itso)、氧化銦-氧化鋅(indiumzincoxide)、含有鈦的氧化銦-錫氧化物、銦-鈦氧化物、包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦等金屬氧化物。另外，可以使用具有透過光的程度的厚度(優(yōu)選為1nm以上且30nm以下的厚度)的金屬膜。作為金屬，例如可以使用ag、ag及al、ag及mg、ag及au以及ag及yb等的合金等。注意，在本說明書等中，作為具有透光的功能的材料，使用具有使可見光透過的功能且具有導(dǎo)電性的材料即可，例如有上述以ito(indiumtinoxide)為代表的氧化物導(dǎo)電體、氧化物半導(dǎo)體或包含有機(jī)物的有機(jī)導(dǎo)電體。作為包含有機(jī)物的有機(jī)導(dǎo)電體，例如可以舉出包含混合有機(jī)化合物與電子給體(供體)而成的復(fù)合材料、包含混合有機(jī)化合物與電子受體(受體)而成的復(fù)合材料等。另外，也可以使用石墨烯等無機(jī)碳類材料。另外，該材料的電阻率優(yōu)選為1×105ω·cm以下，更優(yōu)選為1×104ω·cm以下。另外，可以通過層疊多個上述材料形成電極101和電極102中的一個或兩個。為了提高光提取效率，可以與具有透過光的功能的電極接觸地形成其折射率比該電極高的材料。作為這種材料，只要具有透過可見光的功能即可，可以為具有導(dǎo)電性的材料，也可以為不具有導(dǎo)電性的材料。例如，除了上述氧化物導(dǎo)電體以外，還可以舉出氧化物半導(dǎo)體、有機(jī)物。作為有機(jī)物，例如可以舉出作為發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層或電子注入層例示出的材料。另外，也可以使用無機(jī)碳類材料或具有透過光的程度的厚度的金屬薄膜，也可以層疊多個具有幾nm至幾十nm厚的層。當(dāng)電極101或電極102具有被用作陰極的功能時，優(yōu)選使用功函數(shù)小(3.8ev以下)的材料。例如，可以使用屬于元素周期表中的第1族或第2族的元素(例如，鋰、鈉及銫等堿金屬、鈣或鍶等堿土金屬、鎂等)、包含上述元素的合金(例如，ag及mg或al及l(fā)i)、銪(eu)或yb等稀土金屬、包含上述稀土金屬的合金、包含鋁、銀的合金等。當(dāng)電極101或電極102被用作陽極時，優(yōu)選使用功函數(shù)大(4.0ev以上)的材料。電極101及電極102也可以采用具有反射光的功能的導(dǎo)電材料及具有透過光的功能的導(dǎo)電材料的疊層。在此情況下，電極101及電極102具有調(diào)整光學(xué)距離的功能以便使來自各發(fā)光層的所希望的波長的光諧振而增強(qiáng)該波長的光，所以是優(yōu)選的。作為電極101及電極102的成膜方法，可以適當(dāng)?shù)厥褂脼R射法、蒸鍍法、印刷法、涂敷法、mbe(molecularbeamepitaxy：分子束外延)法、cvd法、脈沖激光沉積法、ald(atomiclayerdeposition：原子層沉積)法等?！兑r底》另外，本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件可以在由玻璃、塑料等構(gòu)成的襯底上制造。作為在襯底上層疊的順序，可以從電極101一側(cè)依次層疊，也可以從電極102一側(cè)依次層疊。另外，作為能夠形成本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的襯底，例如可以使用玻璃、石英或塑料等?；蛘撸部梢允褂萌嵝砸r底。柔性襯底是可以彎曲(flexible)的襯底，例如由聚碳酸酯、聚芳酯制成的塑料襯底等。另外，可以使用薄膜、無機(jī)蒸鍍薄膜等。注意，只要在發(fā)光元件及光學(xué)元件的制造過程中起支撐物的作用，就可以使用其他材料?；蛘?，只要具有保護(hù)發(fā)光元件及光學(xué)元件的功能即可。例如，在本說明書等中，可以使用各種襯底形成發(fā)光元件。對襯底的種類沒有特別的限制。作為該襯底的例子，例如可以使用半導(dǎo)體襯底(例如，單晶襯底或硅襯底)、soi襯底、玻璃襯底、石英襯底、塑料襯底、金屬襯底、不銹鋼襯底、具有不銹鋼箔的襯底、鎢襯底、具有鎢箔的襯底、柔性襯底、貼合薄膜、包含纖維狀的材料的紙或者基材薄膜等。作為玻璃襯底的例子，有鋇硼硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃等。作為柔性襯底、貼合薄膜、基材薄膜等，可以舉出如下例子。例如，可以舉出以聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚醚砜(pes)、聚四氟乙烯(ptfe)為代表的塑料?；蛘?，作為例子，可以舉出丙烯酸樹脂等樹脂等?；蛘?，作為例子，可以舉出聚丙烯、聚酯、聚氟化乙烯或聚氯乙烯等?；蛘?，作為例子，可以舉出聚酰胺、聚酰亞胺、芳族聚酰胺、環(huán)氧樹脂、無機(jī)蒸鍍薄膜、紙類等。另外，也可以作為襯底使用柔性襯底，并在柔性襯底上直接形成發(fā)光元件?；蛘撸部梢栽谝r底與發(fā)光元件之間設(shè)置剝離層。當(dāng)在剝離層上制造發(fā)光元件的一部分或全部，然后將其從襯底分離并轉(zhuǎn)置到其他襯底上時可以使用剝離層。此時，也可以將發(fā)光元件轉(zhuǎn)置到耐熱性低的襯底或柔性襯底上。另外，作為上述剝離層，例如可以使用鎢膜和氧化硅膜的無機(jī)膜的疊層結(jié)構(gòu)或在襯底上形成有聚酰亞胺等樹脂膜的結(jié)構(gòu)等。也就是說，也可以使用一個襯底來形成發(fā)光元件，然后將發(fā)光元件轉(zhuǎn)置到另一個襯底上。作為發(fā)光元件被轉(zhuǎn)置的襯底的例子，除了上述襯底之外，還可以舉出玻璃紙襯底、石材襯底、木材襯底、布襯底(包括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)或再生纖維(醋酯纖維、銅氨纖維、人造纖維、再生聚酯)等)、皮革襯底、橡膠襯底等。通過采用這些襯底，可以制造不易損壞的發(fā)光元件、耐熱性高的發(fā)光元件、實(shí)現(xiàn)輕量化的發(fā)光元件或?qū)崿F(xiàn)薄型化的發(fā)光元件。另外，也可以在上述襯底上例如形成場效應(yīng)晶體管(fet)，并且在與fet電連接的電極上制造發(fā)光元件150。由此，可以制造通過fet控制發(fā)光元件150的驅(qū)動的有源矩陣型顯示裝置。在本實(shí)施方式中，對本發(fā)明的一個方式進(jìn)行說明。另外，在其他實(shí)施方式中，對本發(fā)明的另一個方式進(jìn)行說明。但是，本發(fā)明的一個方式不局限于此。就是說，在本實(shí)施方式及其他實(shí)施方式中記載各種各樣的發(fā)明的方式，由此本發(fā)明的一個方式不局限于特定的方式。例如，雖然示出了將本發(fā)明的一個方式應(yīng)用于發(fā)光元件的例子，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此。例如，根據(jù)情況或狀況，也可以不將本發(fā)明的一個方式應(yīng)用于發(fā)光元件。另外，例如，雖然作為本發(fā)明的一個方式示出如下例子，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此。在該例子中，包括第一有機(jī)化合物、第二有機(jī)化合物及客體材料，第一有機(jī)化合物具有含氮六元芳雜環(huán)骨架，第二有機(jī)化合物具有含氮五元雜環(huán)骨架或叔胺骨架中的至少一個。根據(jù)情況或狀況，例如，本發(fā)明的一個方式也可以不包含第二有機(jī)化合物?；蛘?，第一有機(jī)化合物也可以不具有含氮六元芳雜環(huán)骨架?；蛘?，第二有機(jī)化合物也可以不具有含氮五元雜環(huán)骨架及叔胺骨架?；蛘?，例如，雖然在本發(fā)明的一個方式中示出含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架或仲胺骨架的有機(jī)化合物與第一有機(jī)化合物的重量比為0.03以下時的例子，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此。根據(jù)情況或狀況，也可以使本發(fā)明的一個方式的含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架或仲胺骨架的有機(jī)化合物與第一有機(jī)化合物的重量比大于0.03。以上，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施方式2在本實(shí)施方式中，參照圖6a至圖8c對具有與實(shí)施方式1所示的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)不同的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件及該發(fā)光元件的發(fā)光機(jī)理進(jìn)行說明。注意，在圖6a至圖8c中，在具有與圖1a所示的附圖標(biāo)記相同功能的部分，使用相同的陰影，而有時省略附圖標(biāo)記。此外，具有與圖1a相同的功能的部分由相同的附圖標(biāo)記表示，有時省略其詳細(xì)說明。<發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)實(shí)例1>圖6a是發(fā)光元件250的截面示意圖。圖6a所示的發(fā)光元件250在一對電極(電極101與電極102)之間具有多個發(fā)光單元(圖6a中的發(fā)光單元106和發(fā)光單元108)。多個發(fā)光單元中的一個優(yōu)選具有與el層100同樣的結(jié)構(gòu)。也就是說，圖1a和圖1b所示的發(fā)光元件150優(yōu)選具有一個發(fā)光單元，而發(fā)光元件250優(yōu)選具有多個發(fā)光單元。注意，在發(fā)光元件250中，雖然對電極101為陽極且電極102為陰極時的情況進(jìn)行說明，但是作為發(fā)光元件250的結(jié)構(gòu)也可以采用與此相反的結(jié)構(gòu)。另外，在圖6a所示的發(fā)光元件250中，層疊有發(fā)光單元106和發(fā)光單元108，并且在發(fā)光單元106與發(fā)光單元108之間設(shè)置有電荷產(chǎn)生層115。另外，發(fā)光單元106和發(fā)光單元108可以具有相同結(jié)構(gòu)或不同結(jié)構(gòu)。例如，發(fā)光單元106優(yōu)選采用與el層100相同的結(jié)構(gòu)。另外，發(fā)光元件250包括發(fā)光層120和發(fā)光層170。另外，發(fā)光單元106除了發(fā)光層170之外還包括空穴注入層111、空穴傳輸層112、電子傳輸層113及電子注入層114。此外，發(fā)光單元108除了發(fā)光層120之外還包括空穴注入層116、空穴傳輸層117、電子傳輸層118及電子注入層119。電荷產(chǎn)生層115既可以是對空穴傳輸性材料添加有作為電子受體的受體性物質(zhì)的結(jié)構(gòu)，又可以是對電子傳輸性材料添加有作為電子給體的供體性物質(zhì)的結(jié)構(gòu)。另外，也可以層疊這兩種結(jié)構(gòu)。當(dāng)電荷產(chǎn)生層115包含由有機(jī)化合物與受體性物質(zhì)構(gòu)成的復(fù)合材料時，作為該復(fù)合材料使用可以用于實(shí)施方式1所示的空穴注入層111的復(fù)合材料即可。作為有機(jī)化合物，可以使用芳香胺化合物、咔唑化合物、芳烴、高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)等各種化合物。另外，作為有機(jī)化合物，優(yōu)選使用其空穴遷移率為1×10-6cm2/vs以上的物質(zhì)。但是，只要是其空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)，就可以使用這些以外的物質(zhì)。因為由有機(jī)化合物和受體性物質(zhì)構(gòu)成的復(fù)合材料具有良好的載流子注入性以及載流子傳輸性，所以可以實(shí)現(xiàn)低電壓驅(qū)動以及低電流驅(qū)動。注意，在發(fā)光單元的陽極一側(cè)的表面接觸于電荷產(chǎn)生層115時，電荷產(chǎn)生層115還可以具有該發(fā)光單元的空穴注入層或空穴傳輸層的功能，所以在該發(fā)光單元中也可以不設(shè)置空穴注入層或空穴傳輸層。或者，在發(fā)光單元的陰極一側(cè)的表面接觸于電荷產(chǎn)生層115時，電荷產(chǎn)生層115還可以具有該發(fā)光單元的電子注入層或電子傳輸層的功能，所以在該發(fā)光單元中也可以不設(shè)置電子注入層或電子傳輸層。注意，電荷產(chǎn)生層115也可以是組合包含有機(jī)化合物和受體性物質(zhì)的復(fù)合材料的層與由其他材料構(gòu)成的層的疊層結(jié)構(gòu)。例如，也可以是組合包含有機(jī)化合物和受體性物質(zhì)的復(fù)合材料的層與包含選自供電子性物質(zhì)中的一個化合物和高電子傳輸性的化合物的層的結(jié)構(gòu)。另外，也可以是組合包含有機(jī)化合物和受體性物質(zhì)的復(fù)合材料的層與包含透明導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)。夾在發(fā)光單元106與發(fā)光單元108之間的電荷產(chǎn)生層115只要具有在將電壓施加到電極101和電極102之間時，將電子注入到一個發(fā)光單元且將空穴注入到另一個發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)即可。例如，在圖6a中，在以使電極101的電位高于電極102的電位的方式施加電壓時，電荷產(chǎn)生層115將電子注入到發(fā)光單元106且將空穴注入到發(fā)光單元108。從光提取效率的觀點(diǎn)來看，電荷產(chǎn)生層115優(yōu)選具有可見光透射性(具體而言，可見光對于電荷產(chǎn)生層115的透射率為40％以上)。另外，電荷產(chǎn)生層115即使其導(dǎo)電率小于一對電極(電極101及電極102)也發(fā)揮作用。通過使用上述材料形成電荷產(chǎn)生層115，可以抑制在層疊發(fā)光層時的驅(qū)動電壓的增大。雖然在圖6a中說明了具有兩個發(fā)光單元的發(fā)光元件，但是可以將同樣的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于層疊有三個以上的發(fā)光單元的發(fā)光元件。如發(fā)光元件250所示，通過在一對電極之間以由電荷產(chǎn)生層將其隔開的方式配置多個發(fā)光單元，可以實(shí)現(xiàn)在保持低電流密度的同時還可以進(jìn)行高亮度發(fā)光，并且使用壽命更長的發(fā)光元件。另外，還可以實(shí)現(xiàn)功耗低的發(fā)光元件。另外，通過將具有實(shí)施方式1所示的結(jié)構(gòu)用于多個單元中的至少一個單元，可以提供一種發(fā)光效率高的發(fā)光元件及可靠性高的發(fā)光元件。在本實(shí)施方式中，對發(fā)光單元106所包括的發(fā)光層170具有實(shí)施方式1所示的發(fā)光層130的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。由此，發(fā)光元件250成為發(fā)光效率高且可靠性高的發(fā)光元件，所以是優(yōu)選的。另外，如圖6b所示，發(fā)光單元108所包括的發(fā)光層120包含主體材料121和客體材料122。注意，下面以熒光化合物作為客體材料122進(jìn)行說明?！栋l(fā)光層120的發(fā)光機(jī)理》下面對發(fā)光層120的發(fā)光機(jī)理進(jìn)行說明。從一對電極(電極101及電極102)或電荷產(chǎn)生層115注入的電子及空穴在發(fā)光層120中復(fù)合，由此生成激子。由于主體材料121所存在的量大于客體材料122，所以因激子的生成基本形成主體材料121的激發(fā)態(tài)。激子是指載流子(電子及空穴)的對。由于激子具有能量，所以生成激子的材料成為激發(fā)態(tài)。當(dāng)所形成的主體材料121的激發(fā)態(tài)是單重激發(fā)態(tài)時，單重激發(fā)能從主體材料121的s1能級轉(zhuǎn)移到客體材料122的s1能級，由此形成客體材料122的單重激發(fā)態(tài)。由于客體材料122是熒光化合物，所以當(dāng)在客體材料122中形成單重激發(fā)態(tài)時，客體材料122會迅速地發(fā)光。此時，為了得到高發(fā)光效率，客體材料122優(yōu)選具有高熒光量子產(chǎn)率。另外，這在客體材料122中的載流子復(fù)合而生成的激發(fā)態(tài)為單重激發(fā)態(tài)的情況下也是同樣的。接著，對因載流子的復(fù)合而形成主體材料121的三重激發(fā)態(tài)的情況進(jìn)行說明。圖6c示出此時的主體材料121與客體材料122的能級相關(guān)。另外，下面示出圖6c中的記載及附圖標(biāo)記。注意，由于主體材料121的t1能級優(yōu)選低于客體材料122的t1能級，所以在圖6c中示出此時的情況，但是主體材料121的t1能級也可以高于客體材料122的t1能級?！ost(121)：主體材料121·guest(122)：客體材料122(熒光化合物)·sfh：主體材料121的s1能級·tfh：主體材料121的t1能級·sfg：客體材料122(熒光化合物)的s1能級·tfg：客體材料122(熒光化合物)的t1能級如圖6c所示，通過三重態(tài)-三重態(tài)湮滅(tta：triplet-tripletannihilation)由于載流子的復(fù)合生成的三重態(tài)激子互相作用，進(jìn)行激發(fā)能的供應(yīng)以及自旋角動量的交換，由此產(chǎn)生變換為具有主體材料121的s1能級(sfh)的能量的單重激子的反應(yīng)(參照圖6c的tta)。主體材料121的單重激發(fā)能從sfh轉(zhuǎn)移到能量比其低的客體材料122的s1能級(sfg)(參照圖6c的路徑e5)，形成客體材料122的單重激發(fā)態(tài)，由此客體材料122發(fā)光。另外，當(dāng)發(fā)光層120中的三重態(tài)激子的密度充分高(例如為1×1012cm-3以上)時，可以忽視單個三重態(tài)激子的失活，而僅考慮兩個接近的三重態(tài)激子的反應(yīng)。另外，當(dāng)在客體材料122中載流子復(fù)合而形成三重激發(fā)態(tài)時，由于客體材料122的三重激發(fā)態(tài)熱失活，所以難以將其用于發(fā)光。然而，當(dāng)主體材料121的t1能級(tfh)低于客體材料122的t1能級(tfg)時，客體材料122的三重激發(fā)能能夠從客體材料122的t1能級(tfg)轉(zhuǎn)移到主體材料121的t1能級(tfh)(參照圖6c的路徑e6)，然后被用于tta。也就是說，主體材料121優(yōu)選具有由tta將三重激發(fā)能轉(zhuǎn)換為單重激發(fā)能的功能。由此，將在發(fā)光層120中生成的三重激發(fā)能的一部分利用主體材料121中的tta轉(zhuǎn)換為單重激發(fā)能，并使該單重激發(fā)能轉(zhuǎn)移到客體材料122，由此能夠提取熒光發(fā)光。為此，主體材料121的s1能級(sfh)優(yōu)選高于客體材料122的s1能級(sfg)。另外，主體材料121的t1能級(tfh)優(yōu)選低于客體材料122的t1能級(tfg)。尤其是當(dāng)客體材料122的t1能級(tfg)低于主體材料121的t1能級(tfh)時，優(yōu)選在主體材料121與客體材料122的重量比中客體材料122所占比例較低。具體而言，客體材料122與主體材料121的重量比優(yōu)選大于0且為0.05以下。由此，可以降低載流子在客體材料122中復(fù)合的概率。還可以降低從主體材料121的t1能級(tfh)到客體材料122的t1能級(tfg)的能量轉(zhuǎn)移所發(fā)生的概率。注意，主體材料121可以由單一的化合物構(gòu)成，也可以由多個化合物構(gòu)成。當(dāng)發(fā)光單元106及發(fā)光單元108分別具有其發(fā)光顏色不同的客體材料時，與由發(fā)光層170的發(fā)光相比，由發(fā)光層120的發(fā)光優(yōu)選具有更靠近短波長一側(cè)的發(fā)光峰值。使用具有高三重激發(fā)能級的材料的發(fā)光元件有亮度劣化快的趨勢。于是，通過將tta用于呈現(xiàn)短波長的發(fā)光的發(fā)光層，可以提供亮度劣化小的發(fā)光元件。另外，發(fā)光層170可以具有實(shí)施方式1所示的發(fā)光層130的結(jié)構(gòu)及發(fā)光層120的結(jié)構(gòu)。<發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)實(shí)例2>圖7a是發(fā)光元件252的截面示意圖。與上述發(fā)光元件250同樣地，圖7a所示的發(fā)光元件252在一對電極(電極101與電極102)之間包括多個發(fā)光單元(在圖7a中為發(fā)光單元106及發(fā)光單元110)。至少一個發(fā)光單元具有與el層100同樣的結(jié)構(gòu)。另外，發(fā)光單元106與發(fā)光單元110既可以是相同的結(jié)構(gòu)又可以是不同的結(jié)構(gòu)。另外，在圖7a所示的發(fā)光元件252中層疊有發(fā)光單元106及發(fā)光單元110，在發(fā)光單元106與發(fā)光單元110之間設(shè)置有電荷產(chǎn)生層115。例如，發(fā)光單元106優(yōu)選具有與el層100同樣的結(jié)構(gòu)。另外，發(fā)光元件252包括發(fā)光層140和發(fā)光層170。另外，發(fā)光單元106除了發(fā)光層170還包括空穴注入層111、空穴傳輸層112、電子傳輸層113及電子注入層114。另外，發(fā)光單元110除了發(fā)光層140還包括空穴注入層116、空穴傳輸層117、電子傳輸層118及電子注入層119。另外，通過將實(shí)施方式1所示的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于多個單元中的至少一個單元，可以提供一種發(fā)光效率高的發(fā)光元件及可靠性高的發(fā)光元件。發(fā)光單元110的發(fā)光層優(yōu)選包含磷光化合物。即，發(fā)光單元110所包括的發(fā)光層140優(yōu)選包含磷光化合物，發(fā)光單元106所包括的發(fā)光層170優(yōu)選包括實(shí)施方式1所示的發(fā)光層130的結(jié)構(gòu)。下面說明此時的發(fā)光元件252的結(jié)構(gòu)實(shí)例。如圖7b所示，發(fā)光單元110所包括的發(fā)光層140包含主體材料141和客體材料142。另外，主體材料141包含有機(jī)化合物141_1以及有機(jī)化合物141_2。下面以磷光化合物作為發(fā)光層140所包含的客體材料142進(jìn)行說明?！栋l(fā)光層140的發(fā)光機(jī)理》接著，下面將對發(fā)光層140的發(fā)光機(jī)理進(jìn)行說明。優(yōu)選發(fā)光層140中的有機(jī)化合物141_1及有機(jī)化合物141_2形成激基復(fù)合物。作為有機(jī)化合物141_1與有機(jī)化合物141_2的組合，只要是能夠形成激基復(fù)合物的組合即可，更優(yōu)選的是，其中一個是具有空穴傳輸性的化合物，另一個是具有電子傳輸性的化合物。圖7c示出發(fā)光層140中的有機(jī)化合物141_1、有機(jī)化合物141_2及客體材料142的能級相關(guān)。另外，下面示出圖7c中的記載及附圖標(biāo)記。·host(141_1)：有機(jī)化合物141_1(主體材料)·host(141_2)：有機(jī)化合物141_2(主體材料)·guest(142)：客體材料142(磷光化合物)·sph1：有機(jī)化合物141_1(主體材料)的s1能級·tph1：有機(jī)化合物141_1(主體材料)的t1能級·sph2：有機(jī)化合物141_2(主體材料)的s1能級·tph2：有機(jī)化合物141_2(主體材料)的t1能級·tpg：客體材料142(磷光化合物)的t1能級·spe：激基復(fù)合物的s1能級·tpe：激基復(fù)合物的t1能級有機(jī)化合物141_1與有機(jī)化合物141_2形成激基復(fù)合物，該激基復(fù)合物的s1能級(spe)及t1能級(tpe)成為互相相鄰的能級(參照圖7c的路徑e7)。通過有機(jī)化合物141_1和有機(jī)化合物141_2中的一個接收空穴，另一個接收電子，迅速地形成激基復(fù)合物。或者，當(dāng)其中一個成為激發(fā)態(tài)時，通過與另一個起相互作用來迅速地形成激基復(fù)合物。由此，發(fā)光層140中的大部分的激子都作為激基復(fù)合物存在。激基復(fù)合物的激發(fā)能級(spe或tpe)比形成激基復(fù)合物的主體材料(有機(jī)化合物141_1及有機(jī)化合物141_2)的s1能級(sph1及sph2)低，所以可以以更低的激發(fā)能形成主體材料141的激發(fā)態(tài)。由此，可以降低發(fā)光元件的驅(qū)動電壓。然后，通過將激基復(fù)合物(spe)及(tpe)的雙方的能量轉(zhuǎn)移到客體材料142(磷光化合物)的t1能級而得到發(fā)光(參照圖7c的路徑e8、e9)。激基復(fù)合物的t1能級(tpe)優(yōu)選比客體材料142的t1能級(tpg)高。由此，可以將所產(chǎn)生的激基復(fù)合物的單重激發(fā)能及三重激發(fā)能從激基復(fù)合物的s1能級(spe)及t1能級(tpe)轉(zhuǎn)移到客體材料142的t1能級(tpg)。為了使激發(fā)能高效地從激基復(fù)合物轉(zhuǎn)移到客體材料142，激基復(fù)合物的t1能級(tpe)優(yōu)選等于或低于形成激基復(fù)合物的各有機(jī)化合物(有機(jī)化合物141_1及有機(jī)化合物141_2)的t1能級(tph1及tph2)。由此，不容易產(chǎn)生各有機(jī)化合物(有機(jī)化合物141_1及有機(jī)化合物141_2)所導(dǎo)致的激基復(fù)合物的三重激發(fā)能的猝滅，而高效地發(fā)生從激基復(fù)合物向客體材料142的能量轉(zhuǎn)移。另外，為了使有機(jī)化合物141_1與有機(jī)化合物141_2高效地形成激基復(fù)合物，優(yōu)選有機(jī)化合物141_1及有機(jī)化合物141_2中的一個的homo能級高于另一個的homo能級，其中一個的lumo能級高于另一個的lumo能級。例如，在有機(jī)化合物141_1具有空穴傳輸性且有機(jī)化合物141_2具有電子傳輸性的情況下，優(yōu)選有機(jī)化合物141_1的homo能級高于有機(jī)化合物141_2的homo能級且有機(jī)化合物141_1的lumo能級高于有機(jī)化合物141_2的lumo能級?；蛘撸谟袡C(jī)化合物141_2具有空穴傳輸性且有機(jī)化合物141_1具有電子傳輸性的情況下，優(yōu)選有機(jī)化合物141_2的homo能級高于有機(jī)化合物141_1的homo能級且有機(jī)化合物141_2的lumo能級高于有機(jī)化合物141_1的lumo能級。具體而言，有機(jī)化合物141_1的homo能級與有機(jī)化合物141_2的homo能級的能量差優(yōu)選為0.05ev以上，更優(yōu)選為0.1ev以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.2ev以上。另外，有機(jī)化合物141_1的lumo能級與有機(jī)化合物141_2的lumo能級的能量差優(yōu)選為0.05ev以上，更優(yōu)選為0.1ev以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.2ev以上。在有機(jī)化合物141_1與有機(jī)化合物141_2的組合是具有空穴傳輸性的化合物與具有電子傳輸性的化合物的組合時，能夠通過調(diào)整其混合比而容易地控制載流子平衡。具體而言，具有空穴傳輸性的化合物：具有電子傳輸性的化合物優(yōu)選在1:9至9:1(重量比)的范圍內(nèi)。另外，通過具有該結(jié)構(gòu)，可以容易地控制載流子平衡，由此也可以容易地對載流子復(fù)合區(qū)域進(jìn)行控制。<能量轉(zhuǎn)移機(jī)理>下面，對主體材料141與客體材料142的分子間的能量轉(zhuǎn)移過程的控制因素進(jìn)行說明。作為分子間的能量轉(zhuǎn)移的機(jī)理，提出了福斯特機(jī)理(偶極-偶極相互作用)和德克斯特(dexter)機(jī)理(電子交換相互作用)的兩個機(jī)理。注意，雖然在此對主體材料141與客體材料142的分子間的能量轉(zhuǎn)移過程進(jìn)行說明，但是在主體材料141為激基復(fù)合物時也是同樣的?！陡Ｋ固貦C(jī)理》在福斯特機(jī)理中，在能量轉(zhuǎn)移中不需要分子間的直接接觸，通過主體材料141與客體材料142間的偶極振蕩的共振現(xiàn)象發(fā)生能量轉(zhuǎn)移。通過偶極振蕩的共振現(xiàn)象，主體材料141給客體材料142供應(yīng)能量，激發(fā)態(tài)的主體材料141成為基態(tài)，基態(tài)的客體材料142成為激發(fā)態(tài)。此外，算式(1)示出福斯特機(jī)理的速度常數(shù)kh*→g。[算式1]在算式(1)中，ν表示振蕩數(shù)，f’h(ν)表示主體材料141的歸一化發(fā)射光譜(當(dāng)考慮由單重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移時，相當(dāng)于熒光光譜，而當(dāng)考慮由三重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移時，相當(dāng)于磷光光譜)，εg(ν)表示客體材料142的摩爾吸光系數(shù)，n表示阿伏伽德羅數(shù)，n表示介質(zhì)的折射率，r表示主體材料141與客體材料142的分子間距，τ表示所測量的激發(fā)態(tài)的壽命(熒光壽命或磷光壽命)，c表示光速，φ表示發(fā)光量子收率(當(dāng)考慮由單重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移時，相當(dāng)于熒光量子收率，而當(dāng)考慮由三重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移時，相當(dāng)于磷光量子收率)，k2表示主體材料141和客體材料142的躍遷偶極矩的取向的系數(shù)(0至4)。此外，在無規(guī)取向中，k2＝2/3?！兜驴怂固貦C(jī)理》在德克斯特機(jī)理中，主體材料141和客體材料142接近于產(chǎn)生軌道的重疊的接觸有效距離，通過交換激發(fā)態(tài)的主體材料141的電子和基態(tài)的客體材料142的電子，發(fā)生能量轉(zhuǎn)移。此外，算式(2)示出德克斯特機(jī)理的速度常數(shù)kh*→g。[算式2]在算式(2)中，h表示普朗克常數(shù)，k表示具有能量維數(shù)(energydimension)的常數(shù)，ν表示振蕩數(shù)，f’h(ν)表示主體材料141的歸一化發(fā)射光譜(當(dāng)考慮由單重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移時，相當(dāng)于熒光光譜，而當(dāng)考慮由三重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移時，相當(dāng)于磷光光譜)，ε’g(ν)表示客體材料142的歸一化吸收光譜，l表示有效分子半徑，r表示主體材料141與客體材料142的分子間距。在此，從主體材料141到客體材料142的能量轉(zhuǎn)移效率φet以算式(3)表示。kr表示主體材料141的發(fā)光過程(當(dāng)考慮由單重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移時，相當(dāng)于熒光，而當(dāng)考慮由三重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移時，相當(dāng)于磷光)的速度常數(shù)，kn表示主體材料141的非發(fā)光過程(熱失活或系間竄越)的速度常數(shù)，τ表示所測量的主體材料141的激發(fā)態(tài)的壽命。[算式3]從算式(3)可知，為了提高能量轉(zhuǎn)移效率φet，增大能量轉(zhuǎn)移的速度常數(shù)kh*→g，其他競爭的速度常數(shù)kr+kn(＝1/τ)相對變小，即可?！队脕硖岣吣芰哭D(zhuǎn)移的概念》在基于福斯特機(jī)理的能量轉(zhuǎn)移中，作為能量轉(zhuǎn)移效率φet，發(fā)光量子收率φ(在說明來自單重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移時是熒光量子收率，在說明來自三重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移時是磷光量子收率)優(yōu)選高。此外，主體材料141的發(fā)射光譜(在說明來自單重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移時是熒光光譜)與客體材料142的吸收光譜(相當(dāng)于從單重基態(tài)到三重激發(fā)態(tài)的遷移的吸收)的重疊優(yōu)選大。再者，客體材料142的摩爾吸光系數(shù)優(yōu)選高。這意味著主體材料141的發(fā)射光譜與呈現(xiàn)在客體材料142的最長波長一側(cè)的吸收帶重疊。此外，在基于德克斯特機(jī)理的能量轉(zhuǎn)移中，為了增大速度常數(shù)kh*→g，主體材料141的發(fā)射光譜(在說明來自單重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移時是熒光光譜，在說明來自三重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移時是磷光光譜)與客體材料142的吸收光譜(相當(dāng)于從單重基態(tài)到三重激發(fā)態(tài)的遷移的吸收)的重疊優(yōu)選大。因此，能量轉(zhuǎn)移效率的最優(yōu)化可以通過使主體材料141的發(fā)射光譜與呈現(xiàn)在客體材料142的最長波長一側(cè)的吸收帶重疊而實(shí)現(xiàn)。與從主體材料141到客體材料142的能量轉(zhuǎn)移同樣地，在從激基復(fù)合物到客體材料142的能量轉(zhuǎn)移過程中也發(fā)生基于福斯特機(jī)理及德克斯特機(jī)理的雙方的能量轉(zhuǎn)移。換言之，主體材料141包括有機(jī)化合物141_1和有機(jī)化合物141_2，有機(jī)化合物141_1和有機(jī)化合物141_2為形成具有將能量高效地轉(zhuǎn)移到客體材料142的作為能量供體的功能的激基復(fù)合物的組合。可以以比單個有機(jī)化合物141_1和單個有機(jī)化合物141_2的激發(fā)態(tài)低的激發(fā)能量形成有機(jī)化合物141_1和有機(jī)化合物141_2所形成的激基復(fù)合物。由此，可以降低發(fā)光元件的驅(qū)動電壓。再者，為了使從激基復(fù)合物的s1能級到用作能量受體的客體材料142的t1能級的能量轉(zhuǎn)移容易產(chǎn)生，優(yōu)選的是，該激基復(fù)合物的發(fā)射光譜與呈現(xiàn)在客體材料142的最長波長一側(cè)(低能量一側(cè))的吸收帶重疊。由此，可以提高客體材料142的三重激發(fā)態(tài)的產(chǎn)生效率。由于在發(fā)光層140中生成的激基復(fù)合物具有單重激發(fā)能級與三重激發(fā)能級接近的特征，所以通過使激基復(fù)合物的發(fā)射光譜與在客體材料142的最長波長一側(cè)(低能量一側(cè))呈現(xiàn)的吸收帶重疊，可以容易發(fā)生從激基復(fù)合物的三重激發(fā)能級到客體材料142的三重激發(fā)能級的能量轉(zhuǎn)移。通過使發(fā)光層140具有上述結(jié)構(gòu)，可以高效地獲得來自發(fā)光層140的客體材料142(磷光化合物)的發(fā)光。在本說明書等中，有時將上述路徑e7至e9的過程稱為extet(exciplex-tripletenergytransfer：激基復(fù)合物-三重態(tài)能量轉(zhuǎn)移)。換言之，在發(fā)光層140中，產(chǎn)生從激基復(fù)合物到客體材料142的激發(fā)能量的供應(yīng)。在此情況下，未必需要使從tpe向spe的反系間竄越的效率及由spe的發(fā)光量子產(chǎn)率高，因此可以選擇的材料更多。另外，發(fā)光層170可以具有實(shí)施方式1所示的發(fā)光層130的結(jié)構(gòu)或發(fā)光層140的結(jié)構(gòu)。在上述各結(jié)構(gòu)中，用于發(fā)光單元106及發(fā)光單元108或發(fā)光單元106及發(fā)光單元110的客體材料所呈現(xiàn)的發(fā)光顏色既可以相同又可以不同。當(dāng)發(fā)光單元106及發(fā)光單元108或發(fā)光單元106及發(fā)光單元110包含具有呈現(xiàn)相同顏色的功能的客體材料時，發(fā)光元件250及發(fā)光元件252成為以小電流值呈現(xiàn)高發(fā)光亮度的發(fā)光元件，所以是優(yōu)選的。另外，當(dāng)發(fā)光單元106及發(fā)光單元108或發(fā)光單元106及發(fā)光單元110包含具有呈現(xiàn)彼此不同顏色的發(fā)光的功能的客體材料時，發(fā)光元件250及發(fā)光元件252成為呈現(xiàn)多色發(fā)光的發(fā)光元件，所以是優(yōu)選的。此時，由于通過作為發(fā)光層120和發(fā)光層170中的一個或兩個或者發(fā)光層140和發(fā)光層170中的一個或兩個使用發(fā)光波長不同的多個發(fā)光材料，合成具有不同的發(fā)光峰值的光，因此發(fā)光元件250及發(fā)光元件252所呈現(xiàn)的發(fā)射光譜具有至少兩個極大值。另外，上述結(jié)構(gòu)適合用來獲得白色發(fā)光。通過使發(fā)光層120與發(fā)光層170或發(fā)光層140與發(fā)光層170的光為互補(bǔ)色的關(guān)系，可以獲得白色發(fā)光。尤其優(yōu)選以實(shí)現(xiàn)演色性高的白色發(fā)光或至少具有紅色、綠色、藍(lán)色的發(fā)光的方式選擇客體材料。此外，也可以將發(fā)光層120、發(fā)光層140和發(fā)光層170中的至少一個進(jìn)一步分割為層狀并使該被分割的層的每一個都含有不同的發(fā)光材料。也就是說，發(fā)光層120、發(fā)光層140和發(fā)光層170中的至少一個也可以由兩層以上的多個層形成。例如，在從空穴傳輸層一側(cè)依次層疊第一發(fā)光層和第二發(fā)光層來形成發(fā)光層的情況下，可以將具有空穴傳輸性的材料用作第一發(fā)光層的主體材料，并且將具有電子傳輸性的材料用作第二發(fā)光層的主體材料。在此情況下，第一發(fā)光層和第二發(fā)光層所包含的發(fā)光材料也可以是相同或不同的材料。在此情況下，第一發(fā)光層和第二發(fā)光層所包含的發(fā)光材料也可以是相同或不同的材料。另外，第一發(fā)光層和第二發(fā)光層所包含的發(fā)光材料既可以是具有呈現(xiàn)相同顏色的發(fā)光的功能的材料，又可以是具有呈現(xiàn)不同顏色的發(fā)光的功能的材料。通過采用具有呈現(xiàn)彼此不同顏色的發(fā)光的功能的多個發(fā)光材料的結(jié)構(gòu)，也可以得到由三原色或四種以上的發(fā)光顏色構(gòu)成的演色性高的白色發(fā)光。<發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)實(shí)例3>接著，參照圖8a至圖8c說明與圖6a至圖7c所示的發(fā)光元件不同的結(jié)構(gòu)實(shí)例。圖8a是發(fā)光元件254的截面示意圖。圖8a所示的發(fā)光元件254具有在一對電極(電極101及電極102)之間夾有el層100的結(jié)構(gòu)。注意，雖然下面說明在發(fā)光元件254中電極101用作陽極且電極102用作陰極的情況，但是發(fā)光元件254的陽極和陰極也可以與此相反。此外，el層100包括發(fā)光層180，該發(fā)光層180包括發(fā)光層120及發(fā)光層140。此外，在發(fā)光元件254中，除了發(fā)光層之外還示出空穴注入層111、空穴傳輸層112、電子傳輸層118及電子注入層119作為el層100，但是上述疊層結(jié)構(gòu)只是一個例子，發(fā)光元件254中的el層100的結(jié)構(gòu)不局限于此。例如，可以改變el層100中的上述各層的疊層順序?；蛘撸梢栽趀l層100中設(shè)置上述各層之外的功能層。該功能層例如可以具有降低空穴或電子的注入勢壘的功能、提高空穴或電子的傳輸性的功能、阻礙空穴或電子的傳輸性的功能、產(chǎn)生空穴或電子的功能。此外，如圖8b所示，發(fā)光層120包含主體材料121和客體材料122。此外，發(fā)光層140包含主體材料141和客體材料142。主體材料141包含有機(jī)化合物141_1和有機(jī)化合物141_2。以下說明客體材料122為熒光化合物且客體材料142為磷光化合物的情況。另外，優(yōu)選發(fā)光層120和發(fā)光層140中的至少一個具有實(shí)施方式1所示的發(fā)光層130的結(jié)構(gòu)?！栋l(fā)光層180的發(fā)光機(jī)理》發(fā)光層120的發(fā)光機(jī)理與圖6b、圖6c所示的發(fā)光層120的發(fā)光機(jī)理相同。另外，發(fā)光層140的發(fā)光機(jī)理與圖7bc所示的發(fā)光層140的發(fā)光機(jī)理相同。如圖8a所示，當(dāng)具有發(fā)光層120與發(fā)光層140彼此接觸的結(jié)構(gòu)時，即使在發(fā)光層120與發(fā)光層140之間的界面發(fā)生從發(fā)光層140的激基復(fù)合物到發(fā)光層120的主體材料121的能量轉(zhuǎn)移(尤其是，三重激發(fā)能量的能量轉(zhuǎn)移)也可以在發(fā)光層120中將上述三重激發(fā)能量轉(zhuǎn)換為發(fā)光。發(fā)光層120的主體材料121的t1能級優(yōu)選低于發(fā)光層140所包含的有機(jī)化合物141_1及有機(jī)化合物141_2的t1能級。此外，在發(fā)光層120中，優(yōu)選的是，主體材料121的s1能級高于客體材料122(熒光化合物)的s1能級，并且，主體材料121的t1能級低于客體材料122(熒光化合物)的t1能級。具體而言，圖8c示出在發(fā)光層120中使用tta，在發(fā)光層140中使用extet時的能級的相關(guān)關(guān)系。圖8c中的記載及符號表示的是如下。fluorescenceeml(120)：發(fā)光層120(熒光發(fā)光層)phosphorescenceeml(140)：發(fā)光層140(磷光發(fā)光層)host(121)：主體材料121guest(122)：客體材料122(熒光化合物)host(141_1)：主體材料(有機(jī)化合物141_1)guest(142)：客體材料142(磷光化合物)exciplex：激基復(fù)合物(有機(jī)化合物141_1和有機(jī)化合物141_2)sfh：主體材料121的s1能級tfh：主體材料121的t1能級sfg：客體材料122(熒光化合物)的s1能級tfg：客體材料122(熒光化合物)的t1能級sph：主體材料(有機(jī)化合物141_1)的s1能級tph：主體材料(有機(jī)化合物141_1)的t1能級tpg：客體材料142(磷光化合物)的t1能級se：激基復(fù)合物的s1能級te：激基復(fù)合物的t1能級如圖8c所示，激基復(fù)合物只處于激發(fā)態(tài)，因此不容易產(chǎn)生激基復(fù)合物和激基復(fù)合物之間的激子擴(kuò)散。激基復(fù)合物的激發(fā)能級(se、te)低于發(fā)光層140的有機(jī)化合物141_1(即，磷光化合物的主體材料)的激發(fā)能級(sph、tph)，因此不發(fā)生從激基復(fù)合物向有機(jī)化合物141_1的能量擴(kuò)散。就是說，在磷光發(fā)光層(發(fā)光層140)中，激基復(fù)合物的激子擴(kuò)散距離短，因此可以保持磷光發(fā)光層(發(fā)光層140)的效率。即使在熒光發(fā)光層(發(fā)光層120)與磷光發(fā)光層(發(fā)光層140)之間的界面磷光發(fā)光層(發(fā)光層140)的激基復(fù)合物的三重激發(fā)能量的一部分?jǐn)U散到熒光發(fā)光層(發(fā)光層120)中，該擴(kuò)散所引起的熒光發(fā)光層(發(fā)光層120)的三重激發(fā)能量也利用tta而轉(zhuǎn)換為發(fā)光，因此可以減少能量損失。如上所述，在發(fā)光元件254中，通過在發(fā)光層140中利用extet且在發(fā)光層120中利用tta來減少能量損失，由此可以實(shí)現(xiàn)發(fā)光效率高的發(fā)光元件。此外，如發(fā)光元件254所示，當(dāng)采用發(fā)光層120與發(fā)光層140彼此接觸的結(jié)構(gòu)時，可以在減少上述能量損失的同時減少el層100中的層的個數(shù)。因此，可以實(shí)現(xiàn)制造成本低的發(fā)光元件。此外，也可以采用發(fā)光層120不與發(fā)光層140接觸的結(jié)構(gòu)。此時，可以防止從在發(fā)光層140中生成的有機(jī)化合物141_1、有機(jī)化合物141_2或客體材料142(磷光化合物)的激發(fā)態(tài)到發(fā)光層120中的主體材料121或客體材料122(熒光化合物)的利用德克斯特(dexter)機(jī)理的能量轉(zhuǎn)移(尤其是，三重態(tài)能量轉(zhuǎn)移)。因此，設(shè)置在發(fā)光層120與發(fā)光層140之間的層只要具有幾nm左右的厚度即可。具體而言，在該層的厚度為1nm以上且5nm以下時，能夠抑制驅(qū)動電壓的上升，所以是優(yōu)選的。設(shè)置在發(fā)光層120與發(fā)光層140之間的層既可以只包含一個材料，又可以包含空穴傳輸性材料和電子傳輸性材料。當(dāng)上述層只包含一個材料時，也可以使用雙極性材料。雙極性材料是指電子和空穴的遷移率比例為100以下的材料。此外，也可以使用空穴傳輸性材料或電子傳輸性材料等?；蛘?，其中的至少一個也可以使用與發(fā)光層140的主體材料(有機(jī)化合物141_1或有機(jī)化合物141_2)相同的材料形成。由此，發(fā)光元件的制造變得容易，并且可以降低驅(qū)動電壓。再者，也可以使用空穴傳輸性材料和電子傳輸性材料形成激基復(fù)合物，此時可以有效地抑制激子的擴(kuò)散。具體而言，可以防止從發(fā)光層140的主體材料(有機(jī)化合物141_1或有機(jī)化合物141_2)或客體材料142(磷光化合物)的激發(fā)態(tài)到發(fā)光層120的主體材料121或客體材料122(熒光化合物)的能量轉(zhuǎn)移。雖然說明了在發(fā)光元件254中發(fā)光層120位于空穴傳輸層112一側(cè)且發(fā)光層140位于電子傳輸層118一側(cè)的情況，但是本發(fā)明的一個實(shí)施方式的發(fā)光元件不局限于此。發(fā)光層120可以位于電子傳輸層118一側(cè)，發(fā)光層140可以位于空穴傳輸層112一側(cè)。在發(fā)光元件254中，載流子的復(fù)合區(qū)域優(yōu)選具有一定程度的分布。為此，在發(fā)光層120或發(fā)光層140中優(yōu)選具有適當(dāng)?shù)妮d流子俘獲性，發(fā)光層140所包含的客體材料142(磷光化合物)優(yōu)選具有電子俘獲性?；蛘?，發(fā)光層120所包含的客體材料122(熒光化合物)優(yōu)選具有空穴俘獲性。此外，優(yōu)選的是，與來自發(fā)光層140的發(fā)光相比，來自發(fā)光層120的發(fā)光在更短波長一側(cè)具有發(fā)光峰值。使用發(fā)射短波長的發(fā)光的磷光化合物的發(fā)光元件有亮度劣化快的趨勢。于是，通過作為短波長的發(fā)光采用熒光發(fā)光可以提供一種亮度劣化小的發(fā)光元件。此外，當(dāng)發(fā)光層120和發(fā)光層140發(fā)射彼此不同的發(fā)光波長的光時，可以實(shí)現(xiàn)多色發(fā)光的元件。此時，由于具有不同的發(fā)光峰值的發(fā)光被合成，因此其發(fā)射光譜具有至少兩個極大值。此外，上述結(jié)構(gòu)適合用來獲得白色發(fā)光。當(dāng)發(fā)光層120與發(fā)光層140的光具有互補(bǔ)色的關(guān)系時，可以獲得白色發(fā)光。此外，通過將發(fā)光波長不同的多種發(fā)光材料用于發(fā)光層120和發(fā)光層140中的一方或雙方，可以得到由三原色或四種以上的發(fā)光顏色構(gòu)成的演色性高的白色發(fā)光。在此情況下，可以將發(fā)光層進(jìn)一步分割為層狀并使該被分割的層的每一個含有不同的發(fā)光材料。<可用于發(fā)光層的材料的例子>接下來，對可用于發(fā)光層120、發(fā)光層140及發(fā)光層170的材料進(jìn)行說明?！犊捎糜诎l(fā)光層120的材料》在發(fā)光層120中，主體材料121的重量比最大，客體材料122(熒光化合物)分散在主體材料121中。優(yōu)選的是，主體材料121的s1能級高于客體材料122(熒光化合物)的s1能級，主體材料121的t1能級低于客體材料122(熒光化合物)的t1能級。在發(fā)光層120中，對客體材料122沒有特別的限制，但是優(yōu)選使用蒽衍生物、并四苯衍生物、(chrysene)衍生物、菲衍生物、芘衍生物、二萘嵌苯衍生物、二苯乙烯衍生物、吖啶酮衍生物、香豆素衍生物、吩惡嗪衍生物、吩噻嗪衍生物等。具體而言，例如，可以使用作為實(shí)施方式1所示的客體材料132所舉出的熒光化合物。雖然對能夠用于發(fā)光層120中的主體材料121的材料沒有特別的限制，但是例如可以舉出：三(8-羥基喹啉)鋁(iii)(簡稱：alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(iii)(簡稱：almq3)、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹(ii)(簡稱：bebq2)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(iii)(簡稱：balq)、雙(8-羥基喹啉)鋅(ii)(簡稱：znq)、雙[2-(2-苯并惡唑基)苯酚]鋅(ii)(簡稱：znpbo)、雙[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]鋅(ii)(簡稱：znbtz)等金屬配合物；2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(簡稱：pbd)、1，3-雙[5-(對叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(簡稱：oxd-7)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(簡稱：taz)、2，2'，2”-(1，3，5-苯三基)三(1-苯基-1h-苯并咪唑)(簡稱：tpbi)、紅菲繞啉(簡稱：bphen)、浴銅靈(簡稱：bcp)、9-[4-(5-苯基-1，3，4-噁二唑-2-基)苯基]-9h-咔唑(簡稱：co11)等雜環(huán)化合物；4，4’-雙[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱：npb或α-npd)、n，n’-雙(3-甲基苯基)-n，n’-二苯基-[1，1’-聯(lián)苯]-4，4’-二胺(簡稱：tpd)、4，4’-雙[n-(螺-9，9’-二芴-2-基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱：bspb)等芳香胺化合物。另外，可以舉出蒽衍生物、菲衍生物、芘衍生物、(chrysene)衍生物、二苯并[g，p](chrysene)衍生物等縮合多環(huán)芳香化合物(condensedpolycyclicaromaticcompound)。具體地，可以舉出9，10-二苯基蒽(簡稱：dpanth)、n，n-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑-3-胺(簡稱：cza1pa)、4-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：dphpa)、4-(9h-咔唑-9-基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：ygapa)、n，9-二苯基-n-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑-3-胺(簡稱：pcapa)、n，9-二苯基-n-{4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基}-9h-咔唑-3-胺(簡稱：pcapba)、n，9-二苯基-n-(9，10-二苯基-2-蒽基)-9h-咔唑-3-胺(簡稱：2pcapa)、6，12-二甲氧基-5，11-二苯n，n，n’，n’，n”，n”，n”’，n”’-八苯基二苯并[g，p](chrysene)-2，7，10，15-四胺(簡稱：dbc1)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(簡稱：czpa)、3，6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(簡稱：dpczpa)、9，10-雙(3，5-二苯基苯基)蒽(簡稱：dppa)、9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱：dna)、2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱：t-budna)、9，9'-聯(lián)蒽(簡稱：bant)、9，9'-(二苯乙烯-3，3'-二基)二菲(簡稱：dpns)、9，9'-(二苯乙稀-4，4'-二基)二菲(簡稱：dpns2)以及1，3，5-三(1-芘基)苯(簡稱：tpb3)等。另外，從這些物質(zhì)及已知的物質(zhì)中選擇一種或多種具有比上述客體材料122的能隙大的能隙的物質(zhì)即可。發(fā)光層120也可以由兩層以上的多個層形成。例如，在從空穴傳輸層一側(cè)依次層疊第一發(fā)光層和第二發(fā)光層來形成發(fā)光層120的情況下，有如下結(jié)構(gòu)等：將具有空穴傳輸性的物質(zhì)用作第一發(fā)光層的主體材料，并且將具有電子傳輸性的物質(zhì)用作第二發(fā)光層的主體材料。此外，在發(fā)光層120中，主體材料121既可以由一個化合物構(gòu)成，又可以由多個化合物構(gòu)成。或者，發(fā)光層120也可以包含主體材料121及客體材料122以外的材料。另外，發(fā)光層120可以具有實(shí)施方式1所示的發(fā)光層130的結(jié)構(gòu)。此時，優(yōu)選使用實(shí)施方式1所示的主體材料131及客體材料132(熒光化合物)。《可用于發(fā)光層140的材料》在發(fā)光層140中，主體材料141的重量比最大，客體材料142(磷光化合物)分散在主體材料141中。優(yōu)選發(fā)光層140的主體材料141(有機(jī)化合物141_1及有機(jī)化合物141_2)的t1能級高于客體材料142的t1能級。作為有機(jī)化合物141_1，除了鋅、鋁類金屬配合物以外還可以舉出噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯并咪唑衍生物、喹喔啉衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、吡啶衍生物、聯(lián)吡啶衍生物、菲羅啉衍生物等。作為其他例子，可以舉出芳族胺或咔唑衍生物等。具體而言，可以使用實(shí)施方式1所示的電子傳輸性材料及空穴傳輸性材料。作為有機(jī)化合物141_2，優(yōu)選使用可以與有機(jī)化合物141_1組合形成激基復(fù)合物的材料。具體而言，例如，可以使用實(shí)施方式1所示的電子傳輸性材料及空穴傳輸性材料。此時，優(yōu)選以有機(jī)化合物141_1與有機(jī)化合物141_2所形成的激基復(fù)合物的發(fā)光峰值與客體材料142(磷光化合物)的三重mlct(從金屬到配體的電荷轉(zhuǎn)移：metaltoligandchargetransfer)躍遷的吸收帶(具體為最長波長一側(cè)的吸收帶)重疊的方式選擇有機(jī)化合物141_1、有機(jī)化合物141_2及客體材料142(磷光化合物)。由此，可以實(shí)現(xiàn)一種發(fā)光效率得到顯著提高的發(fā)光元件。注意，在使用熱活化延遲熒光化合物代替磷光化合物的情況下，最長波長一側(cè)的吸收帶優(yōu)選為單重態(tài)的吸收帶。作為客體材料142(磷光化合物)，可以舉出銥、銠、鉑類有機(jī)金屬配合物或金屬配合物，其中優(yōu)選的是有機(jī)銥配合物，例如銥類鄰位金屬配合物。作為鄰位金屬化的配體，可以舉出4h-三唑配體、1h-三唑配體、咪唑配體、吡啶配體、嘧啶配體、吡嗪配體或異喹啉配體等。作為金屬配合物可以舉出具有卟啉配體的鉑配合物等。具體地，例如，可以使用作為實(shí)施方式1所示的客體材料132舉出的磷光化合物。作為發(fā)光層140所包括的發(fā)光材料，可以使用能夠?qū)⑷丶ぐl(fā)能轉(zhuǎn)換為發(fā)光的材料。作為能夠?qū)⒃撊貞B(tài)激發(fā)能轉(zhuǎn)換為發(fā)光的材料，除了磷光化合物之外還可以舉出熱活化延遲熒光化合物。因此，可以將有關(guān)磷光化合物的記載看作有關(guān)熱活化延遲熒光化合物的記載。另外，顯示熱活化延遲熒光的材料既可以是能夠單獨(dú)從三重激發(fā)態(tài)通過反系間竄躍生成單重激發(fā)態(tài)的材料，又可以由形成激基復(fù)合物(也稱為exciplex)的多個材料構(gòu)成。當(dāng)熱活化延遲熒光化合物由一種材料構(gòu)成時，具體而言，可以使用實(shí)施方式1所示的熱活化延遲熒光化合物。另外，當(dāng)作為主體材料使用熱活化延遲熒光化合物時,優(yōu)選組合形成激基復(fù)合物的兩種化合物而使用。此時，特別優(yōu)選使用上述容易接收電子的化合物及容易接收空穴的化合物的組合，該組合形成上述所示的激基復(fù)合物。另外，發(fā)光層140可以具有實(shí)施方式1所示的發(fā)光層130的結(jié)構(gòu)。此時，優(yōu)選使用實(shí)施方式1所示的主體材料131及客體材料132(磷光化合物)?！犊梢杂糜诎l(fā)光層170的材料》作為可以用于發(fā)光層170的材料，可以應(yīng)用能夠用于上述實(shí)施方式1所示的發(fā)光層的材料。由此可以制造發(fā)光效率高的發(fā)光元件。此外，對包含在發(fā)光層120、發(fā)光層140及發(fā)光層170的發(fā)光材料的發(fā)光顏色沒有限制，可以相同或不同。來自各材料的發(fā)光被混合并提取到元件的外部，因此例如當(dāng)兩個發(fā)光顏色為互補(bǔ)色時，發(fā)光元件可以提供白色光。當(dāng)考慮發(fā)光元件的可靠性時，包含在發(fā)光層120的發(fā)光材料的發(fā)光峰波長優(yōu)選比包含在發(fā)光層170的發(fā)光材料短。此外，可以利用蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、噴墨法、涂敷法、凹版印刷等的方法形成發(fā)光單元106、發(fā)光單元108、發(fā)光單元110及電荷產(chǎn)生層115。以上，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。實(shí)施方式3在本實(shí)施方式中，參照圖9a至圖12c說明具有與實(shí)施方式1及實(shí)施方式2所示的結(jié)構(gòu)不同的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件的例子。<發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)實(shí)例1>圖9a及圖9b是示出本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的截面圖。在圖9a及圖9b中，在具有與圖1a所示的附圖標(biāo)記同樣功能的部分，使用相同的陰影線，有時省略附圖標(biāo)記。此外，具有相同的功能的部分由相同的附圖標(biāo)記表示，有時省略其詳細(xì)說明。圖9a及圖9b所示的發(fā)光元件260a及發(fā)光元件260b既可以是經(jīng)過襯底200提取光的底面發(fā)射(底部發(fā)射)型發(fā)光元件，也可以是將光提取到與襯底200相反的方向的頂面發(fā)射(頂部發(fā)射)型發(fā)光元件。注意，本發(fā)明的一個方式并不局限于此，也可以是將發(fā)光元件所發(fā)射的光提取到襯底200的上方及下方的雙方的雙面發(fā)射(雙發(fā)射：dualemission)型發(fā)光元件。當(dāng)發(fā)光元件260a及發(fā)光元件260b是底部發(fā)射型發(fā)光元件時，電極101優(yōu)選具有透過光的功能。另外，電極102優(yōu)選具有反射光的功能?；蛘撸?dāng)發(fā)光元件260a及發(fā)光元件260b是頂部發(fā)射型發(fā)光元件時，電極101優(yōu)選具有反射光的功能。另外，電極102優(yōu)選具有透過光的功能。發(fā)光元件260a及發(fā)光元件260b在襯底200上包括電極101及電極102。另外，在電極101與電極102之間包括發(fā)光層123b、發(fā)光層123g及發(fā)光層123r。另外，還包括空穴注入層111、空穴傳輸層112、電子傳輸層113及電子注入層114。另外，作為電極101的結(jié)構(gòu)的一部分，發(fā)光元件260b包括導(dǎo)電層101a、導(dǎo)電層101a上的導(dǎo)電層101b、導(dǎo)電層101a下的導(dǎo)電層101c。也就是說，發(fā)光元件260b包括具有導(dǎo)電層101a被導(dǎo)電層101b與導(dǎo)電層101c夾持的結(jié)構(gòu)的電極101。在發(fā)光元件260b中，導(dǎo)電層101b與導(dǎo)電層101c既可以由不同的材料形成，又可以由相同的材料形成。當(dāng)導(dǎo)電層101b和導(dǎo)電層101c由相同的導(dǎo)電材料形成時，容易通過電極101的形成過程中的蝕刻工序進(jìn)行圖案形成，所以是優(yōu)選的。此外，在發(fā)光元件260b中，也可以僅包括導(dǎo)電層101b和導(dǎo)電層101c中的任一個。另外，電極101所包括的導(dǎo)電層101a、101b、101c都可以使用與實(shí)施方式1所示的電極101或電極102同樣的結(jié)構(gòu)及材料。在圖9a及圖9b中，在被電極101與電極102夾持的區(qū)域221b、區(qū)域221g與區(qū)域221r之間分別具有分隔壁145。分隔壁145具有絕緣性。分隔壁145覆蓋電極101的端部，并具有與該電極重疊的開口部。通過設(shè)置分隔壁145，可以將各區(qū)域的襯底200上的電極101分別分為島狀。此外，發(fā)光層123b與發(fā)光層123g可以在與分隔壁145重疊的區(qū)域中具有彼此重疊的區(qū)域。另外，發(fā)光層123g與發(fā)光層123r可以在與分隔壁145重疊的區(qū)域中具有彼此重疊的區(qū)域。另外，發(fā)光層123r與發(fā)光層123b可以在與分隔壁145重疊的區(qū)域中具有彼此重疊的區(qū)域。分隔壁145只要具有絕緣性即可，使用無機(jī)材料或有機(jī)材料形成。作為該無機(jī)材料，可以舉出氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氮化鋁等。作為該有機(jī)材料，例如可以舉出丙烯酸樹脂或聚酰亞胺樹脂等感光樹脂材料。注意，氧氮化硅膜是指其組成中氧含量多于氮含量的膜，優(yōu)選在55atoms％以上且65atoms％以下、1atoms％以上且20atoms％以下、25atoms％以上且35atoms％以下、0.1atoms％以上且10atoms％以下的范圍內(nèi)分別包含氧、氮、硅和氫。氮氧化硅膜是指其組成中氮含量多于氧含量的膜，優(yōu)選在55atoms％以上且65atoms％以下、1atoms％以上且20atoms％以下、25atoms％以上且35atoms％以下、0.1atoms％以上且10atoms％以下的范圍內(nèi)分別包含氮、氧、硅和氫。另外，發(fā)光層123r、發(fā)光層123g及發(fā)光層123b優(yōu)選分別包含能夠發(fā)射不同顏色的發(fā)光材料。例如，當(dāng)發(fā)光層123r包含能夠發(fā)射紅色的發(fā)光材料時，區(qū)域221r呈現(xiàn)紅色光；當(dāng)發(fā)光層123g包含能夠發(fā)射綠色的發(fā)光材料時，區(qū)域221g呈現(xiàn)綠色光；當(dāng)發(fā)光層123b包含能夠發(fā)射藍(lán)色的發(fā)光材料時，區(qū)域221b呈現(xiàn)藍(lán)色光。通過將具有這種結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件260a或發(fā)光元件260b用于顯示裝置的像素，可以制造能夠進(jìn)行全彩色顯示的顯示裝置。另外，每個發(fā)光層的厚度既可以相同又可以不同。另外，發(fā)光層123b、發(fā)光層123g及發(fā)光層123r中的任一個或多個發(fā)光層優(yōu)選具有與實(shí)施方式1所示的發(fā)光層130的結(jié)構(gòu)。由此，可以制造發(fā)光效率高的發(fā)光元件及可靠性高的發(fā)光元件。另外，發(fā)光層123b、發(fā)光層123g、發(fā)光層123r中的任一個或多個發(fā)光層也可以是兩層以上的疊層。如上所述，通過使至少一個發(fā)光層具有實(shí)施方式1所示的發(fā)光層的結(jié)構(gòu)，并且將包括該發(fā)光層的發(fā)光元件260a或發(fā)光元件260b用于顯示裝置的像素，可以制造發(fā)光效率高的顯示裝置及可靠性高的顯示裝置。也就是說，包括發(fā)光元件260a或發(fā)光元件260b的顯示裝置可以減少功耗。另外，通過在提取光一側(cè)的電極的提取光的方向上設(shè)置光學(xué)元件(例如，濾色片、偏振片、反射防止膜等)，可以提高發(fā)光元件260a及發(fā)光元件260b的色純度。因此，可以提高包括發(fā)光元件260a或發(fā)光元件260b的顯示裝置的色純度?；蛘?，可以減少發(fā)光元件260a及發(fā)光元件260b的外光反射。因此，可以提高包括發(fā)光元件260a或發(fā)光元件260b的顯示裝置的對比度。注意，關(guān)于發(fā)光元件260a及發(fā)光元件260b中的其他構(gòu)成要素，參照實(shí)施方式1及實(shí)施方式2中的發(fā)光元件的構(gòu)成要素即可。<發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)實(shí)例2>下面，參照圖10a及圖10b說明與圖9a及圖9b所示的發(fā)光元件不同的結(jié)構(gòu)實(shí)例。圖10a及圖10b是示出本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的截面圖。在圖10a及圖10b中，在具有與圖9a及圖9b所示的附圖標(biāo)記相同的功能的部分，使用相同的陰影線，而有時省略附圖標(biāo)記。此外，具有與圖9a及圖9b相同的功能的部分由相同的附圖標(biāo)記表示，有時省略其詳細(xì)說明。圖10a及圖10b是在一對電極之間具有發(fā)光層的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)實(shí)例。圖10a所示的發(fā)光元件262a是將光提取到與襯底200相反的方向的頂面發(fā)射(頂部發(fā)射)型發(fā)光元件，并且圖10b所示的發(fā)光元件262b是經(jīng)過襯底200提取光的底面發(fā)射(底部發(fā)射)型發(fā)光元件。注意，本發(fā)明的一個方式并不局限于此，也可以是將發(fā)光元件所發(fā)射的光提取到形成有發(fā)光元件的襯底200的上方及下方的雙方的雙面發(fā)射(雙發(fā)射)型發(fā)光元件。發(fā)光元件262a及發(fā)光元件262b在襯底200上包括電極101、電極102、電極103、電極104。此外，在電極101與電極102之間、在電極102與電極103之間以及在電極102與電極104之間至少包括發(fā)光層170、發(fā)光層190及電荷產(chǎn)生層115。此外，還包括空穴注入層111、空穴傳輸層112、電子傳輸層113、電子注入層114、空穴注入層116、空穴傳輸層117、電子傳輸層118、電子注入層119。電極101包括導(dǎo)電層101a、在導(dǎo)電層101a上并與其接觸的導(dǎo)電層101b。此外，電極103包括導(dǎo)電層103a、在導(dǎo)電層103a上并與其接觸的導(dǎo)電層103b。電極104包括導(dǎo)電層104a、在導(dǎo)電層104a上并與其接觸的導(dǎo)電層104b。圖10a所示的發(fā)光元件262a及圖10b所示的發(fā)光元件262b在由電極101及電極102夾持的區(qū)域222b與由電極102及電極103夾持的區(qū)域222g與由電極102及電極104夾持的區(qū)域222r之間都包括分隔壁145。分隔壁145具有絕緣性。分隔壁145覆蓋電極101、電極103及電極104的端部，并包括與該電極重疊的開口部。通過設(shè)置分隔壁145，可以將各區(qū)域的襯底200上的該電極分為島狀。通過使用對空穴傳輸性材料添加電子受體(受體)的材料或?qū)﹄娮觽鬏斝圆牧咸砑与娮咏o體(供體)的材料，可以形成電荷產(chǎn)生層115。當(dāng)電荷產(chǎn)生層115的導(dǎo)電率與一對電極大致同樣高時，由于因電荷產(chǎn)生層115而產(chǎn)生的載流子流過相鄰的像素，所以有時相鄰的像素會產(chǎn)生發(fā)光。因此，為了抑制相鄰的像素不正常地產(chǎn)生發(fā)光，電荷產(chǎn)生層115優(yōu)選由導(dǎo)電率低于一對電極的材料形成。發(fā)光元件262a及發(fā)光元件262b在從區(qū)域222b、區(qū)域222g及區(qū)域222r發(fā)射的光被提取的方向上具有包括光學(xué)元件224b、光學(xué)元件224g及光學(xué)元件224r的襯底220。從各區(qū)域發(fā)射的光透過各光學(xué)元件射出到發(fā)光元件的外部。也就是說，從區(qū)域222b發(fā)射的光透過光學(xué)元件224b射出，從區(qū)域222g發(fā)射的光透過光學(xué)元件224g射出，且從區(qū)域222r發(fā)射的光透過光學(xué)元件224r射出。光學(xué)元件224b、光學(xué)元件224g及光學(xué)元件224r具有選擇性地使入射光中的呈現(xiàn)特定顏色的光透過的功能。例如，從區(qū)域222b發(fā)射的光透過光學(xué)元件224b成為藍(lán)色光，從區(qū)域222g發(fā)射的光透過光學(xué)元件224g成為綠色光，從區(qū)域222r發(fā)射的光透過光學(xué)元件224r成為紅色光。作為光學(xué)元件224r、光學(xué)元件224g、光學(xué)元件224b，例如可以采用著色層(也稱為濾色片)、帶通濾光片、多層膜濾光片等。此外，可以將顏色轉(zhuǎn)換元件應(yīng)用于光學(xué)元件。顏色轉(zhuǎn)換元件是將入射光轉(zhuǎn)換為其波長比該入射光長的光的光學(xué)元件。作為顏色轉(zhuǎn)換元件，優(yōu)選使用利用量子點(diǎn)的元件。通過利用量子點(diǎn)，可以提高顯示裝置的色彩再現(xiàn)性。另外，也可以在光學(xué)元件224r、光學(xué)元件224g及光學(xué)元件224b上重疊地設(shè)置一個或多個其他光學(xué)元件。作為其他光學(xué)元件，例如可以設(shè)置圓偏振片或防反射膜等。通過將圓偏振片設(shè)置在顯示裝置中的發(fā)光元件所發(fā)射的光被提取的一側(cè)，可以防止從顯示裝置的外部入射的光在顯示裝置的內(nèi)部被反射而射出到外部的現(xiàn)象。另外，通過設(shè)置防反射膜，可以減弱在顯示裝置的表面被反射的外光。由此，可以清晰地觀察顯示裝置所發(fā)射的光。在圖10a及圖10b中使用虛線的箭頭示意性地示出透過各光學(xué)元件從各區(qū)域射出的藍(lán)色(b)光、綠色(g)光、紅色(r)光。在各光學(xué)元件之間包括遮光層223。遮光層223具有遮蔽從相鄰的區(qū)域發(fā)射的光的功能。此外，也可以采用不設(shè)置遮光層223的結(jié)構(gòu)。遮光層223具有抑制外光的反射的功能。或者，遮光層223具有防止從相鄰的發(fā)光元件發(fā)射出的光混合的功能。遮光層223可以使用金屬、包含黑色顏料的樹脂、碳黑、金屬氧化物、包含多種金屬氧化物的固溶體的復(fù)合氧化物等。另外，光學(xué)元件224b與光學(xué)元件224g也可以在與遮光層223重疊的區(qū)域中具有彼此重疊的區(qū)域?；蛘?，光學(xué)元件224g與光學(xué)元件224r也可以在與遮光層223重疊的區(qū)域中具有彼此重疊的區(qū)域?；蛘撸鈱W(xué)元件224r與光學(xué)元件224b也可以在與遮光層223重疊的區(qū)域中具有彼此重疊的區(qū)域。另外，關(guān)于襯底200及具有光學(xué)元件的襯底220的結(jié)構(gòu)，可以參照實(shí)施方式1。并且，發(fā)光元件262a及發(fā)光元件262b具有微腔結(jié)構(gòu)?！段⑶唤Y(jié)構(gòu)》從發(fā)光層170及發(fā)光層190射出的光在一對電極(例如，電極101與電極102)之間被諧振。另外，發(fā)光層170及發(fā)光層190形成在所射出的光中的所希望的波長的光得到增強(qiáng)的位置。例如，通過調(diào)整從電極101的反射區(qū)域到發(fā)光層170的發(fā)光區(qū)域的光學(xué)距離以及從電極102的反射區(qū)域到發(fā)光層170的發(fā)光區(qū)域的光學(xué)距離，可以增強(qiáng)從發(fā)光層170射出的光中的所希望的波長的光。另外，通過調(diào)整從電極101的反射區(qū)域到發(fā)光層190的發(fā)光區(qū)域的光學(xué)距離以及從電極102的反射區(qū)域到發(fā)光層190的發(fā)光區(qū)域的光學(xué)距離，可以增強(qiáng)從發(fā)光層190射出的光中的所希望的波長的光。也就是說，當(dāng)采用層疊多個發(fā)光層(在此為發(fā)光層170及發(fā)光層190)的發(fā)光元件時，優(yōu)選分別將發(fā)光層170及發(fā)光層190的光學(xué)距離最優(yōu)化。另外，在發(fā)光元件262a及發(fā)光元件262b中，通過在各區(qū)域中調(diào)整導(dǎo)電層(導(dǎo)電層101b、導(dǎo)電層103b及導(dǎo)電層104b)的厚度，可以增強(qiáng)發(fā)光層170及發(fā)光層190所發(fā)射的光中的所希望的波長的光。此外，通過在各區(qū)域中使空穴注入層111和空穴傳輸層112中的至少一個的厚度或電子注入層119和電子傳輸層118中的至少一個的厚度不同，也可以增強(qiáng)從發(fā)光層170及發(fā)光層190發(fā)射的光。例如，在電極101至電極104中，當(dāng)能夠反射光的導(dǎo)電材料的折射率小于發(fā)光層170或發(fā)光層190的折射率時，以電極101與電極102之間的光學(xué)距離為mbλb/2(mb表示自然數(shù)，λb表示在區(qū)域222b中增強(qiáng)的光的波長)的方式調(diào)整電極101中的導(dǎo)電層101b的厚度。同樣地，以電極103與電極102之間的光學(xué)距離為mgλg/2(mg表示自然數(shù)，λg表示在區(qū)域222g中增強(qiáng)的光的波長)的方式調(diào)整電極103中的導(dǎo)電層103b的厚度。并且，以電極104與電極102之間的光學(xué)距離為mrλr/2(mr表示自然數(shù)，λr表示在區(qū)域222r中增強(qiáng)的光的波長)的方式調(diào)整電極104中的導(dǎo)電層104b的厚度。例如，在難以嚴(yán)密地決定電極101至電極104的反射區(qū)域的情況下，通過將電極101至電極104的任意區(qū)域假設(shè)為反射區(qū)域，可以導(dǎo)出增強(qiáng)從發(fā)光層170或發(fā)光層190射出的光的光學(xué)距離。另外，在難以嚴(yán)密地決定發(fā)光層170及發(fā)光層190的發(fā)光區(qū)域的情況下，通過將發(fā)光層170及發(fā)光層190的任意區(qū)域假設(shè)為發(fā)光區(qū)域，可以導(dǎo)出增強(qiáng)從發(fā)光層170及發(fā)光層190射出的光的光學(xué)距離。如上所述，通過設(shè)置微腔結(jié)構(gòu)調(diào)整各區(qū)域的一對電極之間的光學(xué)距離，可以抑制各電極附近的光的散射及光的吸收，由此可以實(shí)現(xiàn)較高的光提取效率。另外，在上述結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)電層101b、導(dǎo)電層103b、導(dǎo)電層104b優(yōu)選具有透過光的功能。另外，構(gòu)成導(dǎo)電層101b、導(dǎo)電層103b、導(dǎo)電層104b的材料既可以相同又可以不同。當(dāng)使用相同材料形成導(dǎo)電層101b、導(dǎo)電層103b、導(dǎo)電層104b時，電極101、電極103及電極104的形成過程中的蝕刻工序的圖案形成變得容易，所以是優(yōu)選的。另外，導(dǎo)電層101b、導(dǎo)電層103b、導(dǎo)電層104b也可以分別是兩層以上的層疊層的結(jié)構(gòu)。由于圖10a所示的發(fā)光元件262a是頂面發(fā)射型發(fā)光元件，所以導(dǎo)電層101a、導(dǎo)電層103a及導(dǎo)電層104a優(yōu)選具有反射光的功能。另外，電極102優(yōu)選具有透過光的功能及反射光的功能。另外，由于圖10b所示的發(fā)光元件262b是底面發(fā)射型發(fā)光元件，所以導(dǎo)電層101a、導(dǎo)電層103a及導(dǎo)電層104a優(yōu)選具有透過光的功能及反射光的功能。另外，電極102優(yōu)選具有反射光的功能。在發(fā)光元件262a及發(fā)光元件262b中，導(dǎo)電層101a、導(dǎo)電層103a、或?qū)щ妼?04a既可以使用相同的材料，又可以使用不同的材料。當(dāng)導(dǎo)電層101a、導(dǎo)電層103a、導(dǎo)電層104a使用相同的材料時，可以降低發(fā)光元件262a及發(fā)光元件262b的制造成本。另外，導(dǎo)電層101a、導(dǎo)電層103a、導(dǎo)電層104a也可以分別是兩層以上的層疊層的結(jié)構(gòu)。另外，發(fā)光元件262a及發(fā)光元件262b中的發(fā)光層170和發(fā)光層190中的至少一個優(yōu)選具有實(shí)施方式1和實(shí)施方式2所示的結(jié)構(gòu)中的至少一個。由此，可以制造發(fā)光效率高的發(fā)光元件及可靠性高的發(fā)光元件。例如，發(fā)光層170及發(fā)光層190可以具有如發(fā)光層190a及發(fā)光層190b那樣在其中一個或兩個中層疊有兩層的結(jié)構(gòu)。通過作為兩層的發(fā)光層分別使用第一化合物及第二化合物這兩種具有發(fā)射不同顏色的功能的發(fā)光材料，可以同時得到多種發(fā)光。尤其是，優(yōu)選選擇用于各發(fā)光層的發(fā)光材料，以便通過組合發(fā)光層170和發(fā)光層190所發(fā)射的光而能夠得到白色發(fā)光。發(fā)光層170和發(fā)光層190中的一個或兩個也可以具有層疊有三層以上的結(jié)構(gòu)，并也可以包括不具有發(fā)光材料的層。如上所示，通過將至少具有實(shí)施方式1和實(shí)施方式2所示的發(fā)光層的結(jié)構(gòu)中的一種的發(fā)光元件262a或發(fā)光元件262b用于顯示裝置的像素，可以制造發(fā)光效率高的顯示裝置及可靠性高的顯示裝置。也就是說，包括發(fā)光元件262a或發(fā)光元件262b的顯示裝置可以減少功耗。注意，關(guān)于發(fā)光元件262a及發(fā)光元件262b中的其他結(jié)構(gòu)，參照發(fā)光元件260a或發(fā)光元件260b或者實(shí)施方式1及實(shí)施方式2所示的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)即可。<發(fā)光元件的制造方法>接著，參照圖11a至圖12c對本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的制造方法進(jìn)行說明。在此，對圖10a所示的發(fā)光元件262a的制造方法進(jìn)行說明。圖11a至圖12c是說明本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的制造方法的截面圖。下面將說明的發(fā)光元件262a的制造方法包括第一步驟至第七步驟的七個步驟?！兜谝徊襟E》第一步驟是如下工序：將發(fā)光元件的電極(具體為構(gòu)成電極101的導(dǎo)電層101a、構(gòu)成電極103的導(dǎo)電層103a以及構(gòu)成電極104的導(dǎo)電層104a)形成在襯底200上(參照圖11a)。在本實(shí)施方式中，在襯底200上形成具有反射光的功能的導(dǎo)電層，將該導(dǎo)電層加工為所希望的形狀，由此形成導(dǎo)電層101a、導(dǎo)電層103a及導(dǎo)電層104a。作為上述具有反射光的功能的導(dǎo)電層，使用銀、鈀及銅的合金膜(也稱為ag-pd-cu膜、apc)。如此，通過經(jīng)過對同一導(dǎo)電層進(jìn)行加工的工序形成導(dǎo)電層101a、導(dǎo)電層103a、及導(dǎo)電層104a，可以降低制造成本，所以是優(yōu)選的。此外，也可以在第一步驟之前在襯底200上形成多個晶體管。此外，上述多個晶體管可以與導(dǎo)電層101a、導(dǎo)電層103a及導(dǎo)電層104a分別電連接?！兜诙襟E》第二步驟是如下工序：在構(gòu)成電極101的導(dǎo)電層101a上形成具有透過光的功能的導(dǎo)電層101b；在構(gòu)成電極103的導(dǎo)電層103a上形成具有透過光的功能的導(dǎo)電層103b；以及在構(gòu)成電極104的導(dǎo)電層104a上形成具有透過光的功能的導(dǎo)電層104b(參照圖11b)。在本實(shí)施方式中，在具有反射光的功能的導(dǎo)電層101a、103a及104a上分別形成具有透過光的功能的導(dǎo)電層101b、103b及104b，由此形成電極101、電極103及電極104。作為上述導(dǎo)電層101b、103b及104b使用itso膜。另外，具有透過光的功能的導(dǎo)電層101b、103b及104b也可以分為多次來形成。通過分為多次形成，可以以在各區(qū)域中實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)奈⑶唤Y(jié)構(gòu)的膜厚度來形成導(dǎo)電層101b、103b及104b。《第三步驟》第三步驟是形成覆蓋發(fā)光元件的各電極的端部的分隔壁145的工序(參照圖11c)。分隔壁145包括與電極重疊的開口部。由于該開口部而露出的導(dǎo)電膜被用作發(fā)光元件的陽極。在本實(shí)施方式中，作為分隔壁145使用聚酰亞胺樹脂。另外，在第一步驟至第三步驟中沒有損傷el層(包含有機(jī)化合物的層)的可能性，由此可以使用各種各樣的成膜方法及微細(xì)加工技術(shù)。在本實(shí)施方式中，利用濺射法形成反射導(dǎo)電層，利用光刻法在該導(dǎo)電層上形成圖案，然后利用干蝕刻法或濕蝕刻法將該導(dǎo)電層加工為島狀，來形成構(gòu)成電極101的導(dǎo)電層101a、構(gòu)成電極103的導(dǎo)電層103a以及構(gòu)成電極104的導(dǎo)電層104a。然后，利用濺射法形成具有透明性的導(dǎo)電膜，利用光刻法在該具有透明性的導(dǎo)電膜上形成圖案，然后利用濕蝕刻法將該透明導(dǎo)電膜加工為島狀，來形成電極101、電極103以及電極104?！兜谒牟襟E》第四步驟是形成空穴注入層111、空穴傳輸層112、發(fā)光層190、電子傳輸層113、電子注入層114及電荷產(chǎn)生層115的工序(參照圖12a)。通過共蒸鍍空穴傳輸性材料和包含受體性物質(zhì)的材料，可以形成空穴注入層111。注意，共蒸鍍是指使多個不同的物質(zhì)分別從不同的蒸發(fā)源同時蒸發(fā)的蒸鍍法。通過蒸鍍空穴傳輸性材料，可以形成空穴傳輸層112。通過蒸鍍發(fā)射選自紫色、藍(lán)色、藍(lán)綠色、綠色、黃綠色、黃色、橙色和紅色中至少一個的光的客體材料，可以形成發(fā)光層190。作為客體材料，可以使用發(fā)射熒光或磷光的發(fā)光有機(jī)化合物。另外，優(yōu)選使用實(shí)施方式1及實(shí)施方式2所示的發(fā)光層的結(jié)構(gòu)。另外，發(fā)光層190也可以是雙層結(jié)構(gòu)。此時，兩個發(fā)光層優(yōu)選具有彼此發(fā)射不同顏色的發(fā)光的發(fā)光有機(jī)化合物。通過蒸鍍電子傳輸性高的物質(zhì)，可以形成電子傳輸層113。另外，通過蒸鍍電子注入性高的物質(zhì)，可以形成電子注入層114。通過蒸鍍對空穴傳輸性材料添加有電子受體(受體)的材料或?qū)﹄娮觽鬏斝圆牧咸砑佑须娮咏o體(供體)的材料，可以形成電荷產(chǎn)生層115?！兜谖宀襟E》第五步驟是形成空穴注入層116、空穴傳輸層117、發(fā)光層170、電子傳輸層118、電子注入層119以及電極102的工序(參照圖12b)。通過利用與上面所示的空穴注入層111相同的材料及方法，可以形成空穴注入層116。另外，通過利用與上面所示的空穴傳輸層112相同的材料及方法，可以形成空穴傳輸層117。通過蒸鍍發(fā)射選自紫色、藍(lán)色、藍(lán)綠色、綠色、黃綠色、黃色橙色和紅色中至少一個的光的客體材料，可以形成發(fā)光層170。客體材料可以使用呈現(xiàn)熒光或磷光的發(fā)光有機(jī)化合物。另外，優(yōu)選使用實(shí)施方式1及實(shí)施方式2所示的發(fā)光層的結(jié)構(gòu)。此外，發(fā)光層170及發(fā)光層190優(yōu)選包含具有呈現(xiàn)彼此不同的發(fā)光的功能的發(fā)光有機(jī)化合物。作為電子傳輸層118，可以利用與上述電子傳輸層113同樣的材料及同樣的方法形成。另外，作為電子注入層119，可以利用與上述電子注入層114同樣的材料及同樣的方法形成。通過層疊具有反射性的導(dǎo)電膜與具有透光性的導(dǎo)電膜，可以形成電極102。電極102可以采用單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。通過上述工序，在襯底200上形成發(fā)光元件，該發(fā)光元件在電極101、電極103及電極104上分別包括區(qū)域222b、區(qū)域222g及區(qū)域222r?！兜诹襟E》第六步驟是在襯底220上形成遮光層223、光學(xué)元件224b、光學(xué)元件224g及光學(xué)元件224r的工序(參照圖12c)。將包含黑色顏料的樹脂膜形成在所希望的區(qū)域中，來形成遮光層223。然后，在襯底220及遮光層223上形成光學(xué)元件224b、光學(xué)元件224g、光學(xué)元件224r。將包含藍(lán)色顏料的樹脂膜形成在所希望的區(qū)域中，來形成光學(xué)元件224b。將包含綠色顏料的樹脂膜形成在所希望的區(qū)域中，來形成光學(xué)元件224g。將包含紅色顏料的樹脂膜形成在所希望的區(qū)域中，來形成光學(xué)元件224r。《第七步驟》第七步驟是如下工序：將形成在襯底200上的發(fā)光元件、形成在襯底220上的遮光層223、光學(xué)元件224b、光學(xué)元件224g及光學(xué)元件224r貼合，并使用密封劑來密封(未圖示)。通過上述工序，可以形成圖10a所示的發(fā)光元件262a。本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施方式4在本實(shí)施方式中，參照圖13a至圖23對本發(fā)明的一個方式的顯示裝置進(jìn)行說明。<顯示裝置的結(jié)構(gòu)實(shí)例1>圖13a是示出顯示裝置600的俯視圖，圖13b是沿圖13a中的點(diǎn)劃線a-b、點(diǎn)劃線c-d所切斷的部分的截面圖。顯示裝置600包括驅(qū)動電路部(信號線驅(qū)動電路部601、掃描線驅(qū)動電路部603)以及像素部602。信號線驅(qū)動電路部601、掃描線驅(qū)動電路部603、像素部602具有控制發(fā)光元件的發(fā)光的功能。顯示裝置600包括元件襯底610、密封襯底604、密封劑605、由密封劑605圍繞的區(qū)域607、引繞布線608以及fpc609。注意，引繞布線608是用來傳送輸入到信號線驅(qū)動電路部601及掃描線驅(qū)動電路部603的信號的布線，并且從用作外部輸入端子的fpc609接收視頻信號、時鐘信號、起始信號、復(fù)位信號等。注意，雖然在此只圖示出fpc609，但是fpc609還可以安裝有印刷線路板(pwb：printedwiringboard)。作為信號線驅(qū)動電路部601，形成組合n溝道型晶體管623和p溝道型晶體管624的cmos電路。另外，信號線驅(qū)動電路部601或掃描線驅(qū)動電路部603可以利用各種cmos電路、pmos電路或nmos電路。另外，雖然在本實(shí)施方式中示出將形成有驅(qū)動電路部的驅(qū)動器和像素設(shè)置在襯底的同一表面上的顯示裝置，但是未必需要采用該結(jié)構(gòu)，驅(qū)動電路部也可以形成在外部，而不形成在襯底上。另外，像素部602包括開關(guān)晶體管611、電流控制晶體管612以及與電流控制晶體管612的漏極電連接的下部電極613。注意，以覆蓋下部電極613的端部的方式形成有分隔壁614。作為分隔壁614可以使用正型感光丙烯酸樹脂膜。另外，將分隔壁614的上端部或下端部形成為具有曲率的曲面，以獲得良好的覆蓋性。例如，在使用正型感光丙烯酸樹脂作為分隔壁614的材料的情況下，優(yōu)選只使分隔壁614的上端部包括具有曲率半徑(0.2μm以上且3μm以下)的曲面。作為分隔壁614，可以使用負(fù)型感光樹脂或者正型感光樹脂中的任一者。對晶體管(晶體管611、612、623、624)的結(jié)構(gòu)沒有特別的限制。例如，作為晶體管也可以使用交錯型晶體管。另外，對晶體管的極性也沒有特別的限制，也可以采用包括n溝道型晶體管及p溝道型晶體管的結(jié)構(gòu)或者只具有n溝道型晶體管和p溝道型晶體管中的任一個的結(jié)構(gòu)。對用于晶體管的半導(dǎo)體膜的結(jié)晶性也沒有特別的限制。例如，可以使用非晶半導(dǎo)體膜或結(jié)晶性半導(dǎo)體膜。作為半導(dǎo)體材料，可以使用第14族(硅等)半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體(包括氧化物半導(dǎo)體)、有機(jī)半導(dǎo)體等。作為晶體管，例如使用能隙為2ev以上，優(yōu)選為2.5ev以上，更優(yōu)選為3ev以上的氧化物半導(dǎo)體，由此可以降低晶體管的關(guān)態(tài)電流，所以是優(yōu)選的。作為該氧化物半導(dǎo)體，例如可以舉出in-ga氧化物、in-m-zn氧化物(m表示鋁(al)、鎵(ga)、釔(y)、鋯(zr)、鑭(la)、鈰(ce)、錫(sn)、鉿(hf)或釹(nd))等。在下部電極613上分別形成有el層616及上部電極617。將下部電極613用作陽極，將上部電極617用作陰極。另外，el層616通過使用蒸鍍掩模的蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、液滴噴射法(也稱為噴墨法)、旋轉(zhuǎn)法等的涂敷法、凹板印刷法等各種方法形成。另外，作為構(gòu)成el層616的其他材料，也可以使用低分子化合物或高分子化合物(包括低聚物、樹枝狀聚合物)。由下部電極613、el層616及上部電極617構(gòu)成發(fā)光元件618。優(yōu)選發(fā)光元件618是具有構(gòu)成實(shí)施方式1至實(shí)施方式3的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。注意，當(dāng)像素部包括多個發(fā)光元件時，也可以包括在實(shí)施方式1至實(shí)施方式3中記載的發(fā)光元件以及具有其他結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。另外，通過使用密封劑605將密封襯底604貼合到元件襯底610，形成如下結(jié)構(gòu)，即發(fā)光元件618安裝在由元件襯底610、密封襯底604以及密封劑605圍繞的區(qū)域607中。注意，在區(qū)域607中填充有填料，除了填充有非活性氣體(氮或氬等)的情況以外，也有填充有可用于密封劑605的紫外線固化樹脂或熱固化樹脂的情況，例如可以使用pvc(聚氯乙烯)類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、環(huán)氧類樹脂、硅酮類樹脂、pvb(聚乙烯醇縮丁醛)類樹脂或eva(乙烯-醋酸乙烯酯)類樹脂。通過在密封襯底中形成凹部且在其中設(shè)置干燥劑，可以抑制水分所導(dǎo)致的劣化，所以是優(yōu)選的。另外，在密封襯底604的下方以與發(fā)光元件618重疊的方式設(shè)置光學(xué)元件621。此外，在密封襯底604的下方還設(shè)置遮光層622。作為光學(xué)元件621及遮光層622都可以采用與實(shí)施方式3所示的光學(xué)元件及遮光層同樣的結(jié)構(gòu)。另外，優(yōu)選使用環(huán)氧類樹脂或玻璃粉作為密封劑605。另外，這些材料優(yōu)選為盡可能地不容易使水或氧透過的材料。另外，作為用于密封襯底604的材料，除了可以使用玻璃襯底或石英襯底以外，還可以使用由frp(fiberreinforcedplastics；玻璃纖維增強(qiáng)塑料)、pvf(聚氟乙烯)、聚酯、丙烯酸等構(gòu)成的塑料襯底。在此，參照圖22a至圖22d說明利用液滴噴射法形成el層616的方法。圖22a至圖22d是說明el層616的制造方法的截面圖。首先，在圖22a中，示出形成有下部電極613及分隔壁614的元件襯底610，但是也可以使用如圖13b所示地在絕緣膜上形成有下部電極613及分隔壁614的襯底。接著，在作為分隔壁614的開口部的下部電極613的露出部上利用液滴噴射裝置683噴射液滴684，來形成包含組成物的層685。液滴684是包含溶劑的組成物，附著于下部電極613上(參照圖22b)。另外，也可以在減壓下進(jìn)行噴射液滴684的工序。接著，通過去除包含組成物的層685中的溶劑而使其固化，形成el層616(參照圖22c)。作為去除溶劑的方法，可以進(jìn)行干燥工序或加熱工序。接著，在el層616上形成上部電極617，形成發(fā)光元件618(參照圖22d)。如上所述，通過利用液滴噴射法形成el層616，可以選擇地噴射組成物，因此可以減少材料的損失。另外，由于不需要經(jīng)過用來進(jìn)行形狀的加工的光刻工序等，所以可以使工序簡化，從而可以以低成本形成el層。另外，上述的液滴噴射法被總稱為如下手段：包括具有組成物的噴射口的噴嘴或者具有一個或多個噴嘴的頭等液滴噴射的手段。接著，參照圖23說明在液滴噴射法中利用的液滴噴射裝置。圖23是說明液滴噴射裝置1400的示意圖。液滴噴射裝置1400包括液滴噴射單元1403。液滴噴射單元1403包括頭1405、頭1412。通過由計算機(jī)1410控制與頭1405、頭1412連接的控制單元1407，可以描畫預(yù)先編程了的圖案。另外，作為描畫的時機(jī)，例如可以以形成在襯底1402上的標(biāo)記1411為基準(zhǔn)而進(jìn)行描畫?；蛘?，也可以以襯底1402的邊緣為基準(zhǔn)而確定基準(zhǔn)點(diǎn)。在此，利用成像單元1404檢測出標(biāo)記1411，將通過圖像處理單元1409轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號的標(biāo)記1411利用計算機(jī)1410識別而產(chǎn)生控制信號，以將該控制信號傳送至控制單元1407。可使用電荷偶合器件(ccd)或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)的圖像傳感器等作為成像單元1404。另外，在襯底1402上需要形成的圖案的數(shù)據(jù)存儲于存儲媒體1408，可以基于該數(shù)據(jù)將控制信號傳送至控制單元1407，來分別控制液滴噴射單元1403的頭1405、頭1412等各頭。通過管道將要排出的材料從材料供應(yīng)源1413和1414分別供應(yīng)到頭部1405和1412。頭1405的內(nèi)部包括以虛線所示的填充液狀材料的空間1406及噴射口的噴嘴。盡管圖中沒有顯示,但是頭部1412的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與頭部1405類似。通過將頭1405的噴嘴的尺寸與頭1412的噴嘴的尺寸不同，可以使用不同的材料同時描畫具有不同的寬度的圖案。使用一個頭可以噴射多種發(fā)光材料中的每一個且描畫圖案。在對廣區(qū)域描畫圖案的情況下，為了提高描畫量，同時使用多個噴嘴噴射同一發(fā)光材料而可以描畫圖案。在使用大型襯底的情況下，頭1405和頭1412在圖23所示的箭頭的x、y或z的方向上自由地對襯底進(jìn)行掃描，可以自由地設(shè)定描畫的區(qū)域，由此可以在一個襯底上描畫多個相同的圖案。另外，排出組合物的工序可以在減壓下進(jìn)行。也可以在排出的時候?qū)M(jìn)行加熱。在噴射組成物之后，進(jìn)行干燥工序和燒成工序中的一個或兩個。干燥工序及燒成工序都是一種加熱處理的工序，各工序的目的、溫度及時間不同。干燥工序和燒成工序在常壓或減壓下，通過照射激光、瞬間熱退火、加熱爐等來進(jìn)行。注意對所進(jìn)行的熱處理的時機(jī)以及次數(shù)沒有具體的限制。為了進(jìn)行良好的干燥工序及燒成工序，其溫度依賴于襯底的材料及組成物的性質(zhì)。如上所述，可以使用液滴噴射裝置制造el層616。通過上述步驟，可以得到包括實(shí)施方式1至實(shí)施方式3所記載的發(fā)光元件及光學(xué)元件的顯示裝置。<顯示裝置的結(jié)構(gòu)實(shí)例2>下面，參照圖14a、圖14b及圖15對顯示裝置的其他例子進(jìn)行說明。另外，圖14a、圖14b及圖15是本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的截面圖。圖14a示出襯底1001、基底絕緣膜1002、柵極絕緣膜1003、柵電極1006、1007、1008、第一層間絕緣膜1020、第二層間絕緣膜1021、周圍部1042、像素部1040、驅(qū)動電路部1041、發(fā)光元件的下部電極1024r、1024g、1024b、分隔壁1025、el層1028、發(fā)光元件的上部電極1026、密封層1029、密封襯底1031、密封劑1032等。另外，在圖14a中，作為光學(xué)元件的一個例子，將著色層(紅色著色層1034r、綠色著色層1034g及藍(lán)色著色層1034b)設(shè)置在透明基材1033上。另外，還可以設(shè)置遮光層1035。對設(shè)置有著色層及遮光層的透明基材1033進(jìn)行對準(zhǔn)而將其固定到襯底1001上。另外，著色層及遮光層被覆蓋層1036覆蓋。另外，在圖14a中，透過著色層的光成為紅色光、綠色光、藍(lán)色光，因此能夠以三個顏色的像素呈現(xiàn)圖像。圖14b示出作為光學(xué)元件的一個例子將著色層(紅色著色層1034r、綠色著色層1034g、藍(lán)色著色層1034b)形成在柵極絕緣膜1003和第一層間絕緣膜1020之間的例子。如上述那樣，也可以將著色層設(shè)置在襯底1001和密封襯底1031之間。在圖15中，作為光學(xué)元件的一個例子，示出著色層(紅色著色層1034r、綠色著色層1034g、藍(lán)色著色層1034b)形成在第一層間絕緣膜1020和第二層間絕緣膜1021之間的例子。如此，著色層也可以設(shè)置在襯底1001和密封襯底1031之間。另外，雖然以上說明了具有在形成有晶體管的襯底1001一側(cè)提取光的結(jié)構(gòu)(底部發(fā)射型)的顯示裝置，但是也可以采用具有在密封襯底1031一側(cè)提取發(fā)光的結(jié)構(gòu)(頂部發(fā)射型)的顯示裝置。<顯示裝置的結(jié)構(gòu)實(shí)例3>圖16a及圖16b示出頂部發(fā)射型顯示裝置的截面圖的一個例子。圖16a及圖16b是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的截面圖，省略圖14a、圖14b及圖15所示的驅(qū)動電路部1041、周圍部1042等。在此情況下，襯底1001可以使用不使光透過的襯底。到制造連接晶體管與發(fā)光元件的陽極的連接電極為止的工序與底部發(fā)射型顯示裝置同樣地進(jìn)行。然后，以覆蓋電極1022的方式形成第三層間絕緣膜1037。該絕緣膜也可以具有平坦化的功能。第三層間絕緣膜1037可以使用與第二層間絕緣膜相同的材料或其他各種材料形成。雖然在此發(fā)光元件的下部電極1024r、1024g、1024b都是陽極，但是也可以是陰極。另外，在采用如圖16a及圖16b所示那樣的頂部發(fā)射型顯示裝置的情況下，下部電極1024r、1024g、1024b優(yōu)選具有反射光的功能。另外，在el層1028上設(shè)置有上部電極1026。優(yōu)選的是：上部電極1026具有反射光的功能及透過光的功能，在下部電極1024r、1024g、1024b與上部電極1026之間采用微腔結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)特定波長的光的強(qiáng)度。在圖16a所示的頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的情況下，可以使用設(shè)置有著色層(紅色著色層1034r、綠色著色層1034g及藍(lán)色著色層1034b)的密封襯底1031進(jìn)行密封。密封襯底1031也可以設(shè)置有位于像素和像素之間的遮光層1035。另外，作為密封襯底1031，優(yōu)選使用具有透光性的襯底。在圖16a中，例示出設(shè)置多個發(fā)光元件并在該多個發(fā)光元件的每一個上設(shè)置著色層的結(jié)構(gòu)，但是不局限于此。例如，如圖16b所示，也可以以設(shè)置紅色著色層1034r及藍(lán)色著色層1034b而不設(shè)置綠色著色層的方式以紅色、綠色、藍(lán)色的三個顏色進(jìn)行全彩色顯示。如圖16a所示，當(dāng)設(shè)置發(fā)光元件并在該發(fā)光元件的每一個上設(shè)置著色層時，發(fā)揮可以抑制外光反射的效果。另一方面，如圖16b所示，當(dāng)發(fā)光元件采用設(shè)置紅色著色層以及藍(lán)色著色層而不設(shè)置綠色著色層的結(jié)構(gòu)時，綠色發(fā)光元件所發(fā)射出的光的能量損失少，因此發(fā)揮可以減少功耗的效果。<顯示裝置的結(jié)構(gòu)實(shí)例4>雖然上述顯示裝置包括三種顏色(紅色、綠色及藍(lán)色)的子像素，但是也可以包括四種顏色(紅色、綠色、藍(lán)色及黃色或者紅色、綠色、藍(lán)色及白色)的子像素。圖17a至圖19b示出包括下部電極1024r、1024g、1024b及1024y的顯示裝置的結(jié)構(gòu)。圖17a、圖17b及圖18示出將光提取到形成有晶體管的襯底1001一側(cè)的結(jié)構(gòu)(底部發(fā)射型)的顯示裝置，圖19a及圖19b示出將光提取到密封襯底1031一側(cè)的結(jié)構(gòu)(頂部發(fā)射型)的顯示裝置。圖17a示出將光學(xué)元件(著色層1034r、著色層1034g、著色層1034b、著色層1034y)設(shè)置于透明的基材1033的顯示裝置的例子。另外，圖17b示出將光學(xué)元件(著色層1034r、著色層1034g、著色層1034b)形成在柵極絕緣膜1003與第一層間絕緣膜1020之間的顯示裝置的例子。另外，圖18示出將光學(xué)元件(著色層1034r、著色層1034g、著色層1034b、著色層1034y)形成在第一層間絕緣膜1020與第二層間絕緣膜1021之間的顯示裝置的例子。著色層1034r具有透過紅色光的功能，著色層1034g具有透過綠色光的功能，著色層1034b具有透過藍(lán)色光的功能。另外，著色層1034y具有透過黃色光的功能或者透過選自藍(lán)色、綠色、黃色、紅色中的多個光的功能。當(dāng)著色層1034y具有透過選自藍(lán)色、綠色、黃色、紅色中的多個光的功能時，透過著色層1034y的光也可以是白色。發(fā)射黃色或白色的光的發(fā)光元件的發(fā)光效率高，因此包括著色層1034y的顯示裝置可以降低功耗。另外，在圖19a及圖19b所示的頂部發(fā)射型顯示裝置中，在包括下部電極1024y的發(fā)光元件中也與圖16a的顯示裝置同樣地優(yōu)選在下部電極1024y與上部電極1026之間具有微腔結(jié)構(gòu)。另外，在圖19a的顯示裝置中，可以利用設(shè)置有著色層(紅色著色層1034r、綠色著色層1034g、藍(lán)色著色層1034b及黃色著色層1034y)的密封襯底1031進(jìn)行密封。透過微腔及黃色著色層1034y發(fā)射的光是在黃色的區(qū)域具有發(fā)射光譜的光。由于黃色的視覺靈敏度(luminosityfactor)高，所以發(fā)射黃色光的發(fā)光元件的發(fā)光效率高。也就是說，具有圖19a的結(jié)構(gòu)的顯示裝置可以降低功耗。在圖19a中，例示出設(shè)置多個發(fā)光元件并在該多個發(fā)光元件的每一個上設(shè)置著色層的結(jié)構(gòu)，但是不局限于此。例如，如圖19b所示，也可以以設(shè)置紅色著色層1034r、綠色著色層1034g及藍(lán)色著色層1034b而不設(shè)置黃色著色層的方式以紅色、綠色、藍(lán)色、黃色的四個顏色或紅色、綠色、藍(lán)色、白色的四個顏色進(jìn)行全彩色顯示。如圖19a所示，當(dāng)設(shè)置發(fā)光元件并在該發(fā)光元件的每一個上設(shè)置著色層時，發(fā)揮可以抑制外光反射的效果。另一方面，如圖19b所示，當(dāng)發(fā)光元件采用設(shè)置紅色著色層、綠色著色層及藍(lán)色著色層而不設(shè)置黃色著色層的結(jié)構(gòu)時，黃色或白色的發(fā)光元件所發(fā)射出的光的能量損失少，因此發(fā)揮可以減少功耗的效果。<顯示裝置的結(jié)構(gòu)實(shí)例5>接著，圖20示出本發(fā)明的其他一個方式的顯示裝置。圖20是以圖13a的點(diǎn)劃線a-b、點(diǎn)劃線c-d切斷的截面圖。另外，在圖20中，具有與圖13b所示的功能同樣的功能的部分由相同的附圖標(biāo)記表示，有時省略其詳細(xì)說明。圖20所示的顯示裝置600在由元件襯底610、密封襯底604及密封劑605圍繞的區(qū)域607中包括密封層607a、密封層607b及密封層607c。密封層607a、密封層607b及密封層607c中的一個或多個例如可以使用pvc(聚氯乙烯)類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、環(huán)氧類樹脂、硅酮類樹脂、pvb(聚乙烯醇縮丁醛)類樹脂或eva(乙烯-醋酸乙烯酯)類樹脂等樹脂。另外，可以使用氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氮化鋁等無機(jī)材料。通過形成密封層607a、密封層607b及密封層607c，可以抑制水等雜質(zhì)所引起的發(fā)光元件618的劣化，所以是優(yōu)選的。另外，當(dāng)形成密封層607a、密封層607b及密封層607c時，可以不設(shè)置密封劑605。另外，既可以形成密封層607a、密封層607b及密封層607c中的任一個或兩個，又可以形成四個以上的密封層。通過使密封層具有多層，可以高效地防止水等雜質(zhì)從顯示裝置600的外部進(jìn)入顯示裝置內(nèi)部的發(fā)光元件618，所以是優(yōu)選的。此外，當(dāng)密封層采用多層時，優(yōu)選的是，其中層疊樹脂和無機(jī)材料。<顯示裝置的結(jié)構(gòu)實(shí)例6>本實(shí)施方式中的結(jié)構(gòu)實(shí)例1至結(jié)構(gòu)實(shí)例4所示的顯示裝置包括光學(xué)元件，但是本發(fā)明的一個方式也可以不包括光學(xué)元件。圖21a及圖21b所示的顯示裝置是經(jīng)過密封襯底1031提取光的結(jié)構(gòu)(頂部發(fā)射型)的顯示裝置。圖21a是包括發(fā)光層1028r、發(fā)光層1028g及發(fā)光層1028b的顯示裝置的一個例子。圖21b是包括發(fā)光層1028r、發(fā)光層1028g、發(fā)光層1028b及發(fā)光層1028y的顯示裝置的一個例子。發(fā)光層1028r具有發(fā)射紅色的光的功能，發(fā)光層1028g具有發(fā)射綠色的光的功能，發(fā)光層1028b具有發(fā)射藍(lán)色的光的功能。發(fā)光層1028y具有發(fā)射黃色的光的功能或發(fā)射選自藍(lán)色、綠色和紅色中的多個光的功能。發(fā)光層1028y所發(fā)射的光也可以為白色的光。發(fā)射黃色或白色的光的發(fā)光元件的發(fā)光效率高，因此包括發(fā)光層1028y的顯示裝置可以降低功耗。圖21a及圖21b所示的顯示裝置在子像素中包括發(fā)射不同顏色的光的el層，由此可以不設(shè)置被用作光學(xué)元件的著色層。密封層1029例如可以使用pvc(聚氯乙烯)類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、環(huán)氧類樹脂、硅酮類樹脂、pvb(聚乙烯醇縮丁醛)類樹脂或eva(乙烯-醋酸乙烯酯)類樹脂等樹脂。另外，可以使用氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氮化鋁等無機(jī)材料。通過形成密封層1029，可以抑制水等雜質(zhì)所引起的發(fā)光元件的劣化，所以是優(yōu)選的。另外，既可以形成單層或兩層的密封層1029，又可以形成四個以上的密封層1029。通過使密封層具有多層，可以高效地防止水等雜質(zhì)從顯示裝置的外部進(jìn)入顯示裝置內(nèi)部，所以是優(yōu)選的。此外，當(dāng)密封層采用多層時，優(yōu)選的是，其中層疊樹脂和無機(jī)材料。密封襯底1031具有保護(hù)發(fā)光元件的功能即可。由此，密封襯底1031可以使用具有柔性的襯底或薄膜。本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式或本實(shí)施方式中的其他結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合。實(shí)施方式5在本實(shí)施方式中，參照圖24a至圖26b說明包括本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的顯示裝置。注意，圖24a是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的方框圖，圖24b是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置所包括的像素電路的電路圖。<關(guān)于顯示裝置的說明>圖24a所示的顯示裝置包括：具有顯示元件的像素的區(qū)域(以下稱為像素部802)；配置在像素部802外側(cè)并具有用來驅(qū)動像素的電路的電路部(以下稱為驅(qū)動電路部804)；具有保護(hù)元件的功能的電路(以下稱為保護(hù)電路806)；以及端子部807。此外，也可以不設(shè)置保護(hù)電路806。驅(qū)動電路部804的一部分或全部優(yōu)選與像素部802形成在同一襯底上。由此，可以減少構(gòu)件的數(shù)量或端子的數(shù)量。當(dāng)驅(qū)動電路部804的一部分或全部不與像素部802形成在同一襯底上時，驅(qū)動電路部804的一部分或全部可以通過cog或tab(tapeautomatedbonding：卷帶自動結(jié)合)安裝。像素部802包括用來驅(qū)動配置為x行(x為2以上的自然數(shù))y列(y為2以上的自然數(shù))的多個顯示元件的電路(以下稱為像素電路801)，驅(qū)動電路部804包括輸出選擇像素的信號(掃描信號)的電路(以下稱為掃描線驅(qū)動電路804a)以及用來供應(yīng)用于驅(qū)動像素的顯示元件的信號(數(shù)據(jù)信號)的電路(以下稱為信號線驅(qū)動電路804b)等驅(qū)動電路。掃描線驅(qū)動電路804a具有移位寄存器等。掃描線驅(qū)動電路804a通過端子部807被輸入用來驅(qū)動移位寄存器的信號并輸出信號。例如，掃描線驅(qū)動電路804a被輸入起始脈沖信號、時鐘信號等并輸出脈沖信號。掃描線驅(qū)動電路804a具有控制被供應(yīng)掃描信號的布線(以下稱為掃描線gl_1至gl_x)的電位的功能。另外，也可以設(shè)置多個掃描線驅(qū)動電路804a，并通過多個掃描線驅(qū)動電路804a分別控制掃描線gl_1至gl_x?；蛘撸瑨呙杈€驅(qū)動電路804a具有能夠供應(yīng)初始化信號的功能。但是，不局限于此，掃描線驅(qū)動電路804a也可以供應(yīng)其他信號。信號線驅(qū)動電路804b具有移位寄存器等。信號線驅(qū)動電路804b通過端子部807被輸入用來驅(qū)動移位寄存器的信號和從其中得出數(shù)據(jù)信號的信號(圖像信號)。信號線驅(qū)動電路804b具有根據(jù)圖像信號生成寫入到像素電路801的數(shù)據(jù)信號的功能。此外，信號線驅(qū)動電路804b具有響應(yīng)于由于起始脈沖信號、時鐘信號等的輸入產(chǎn)生的脈沖信號而控制數(shù)據(jù)信號的輸出的功能。另外，信號線驅(qū)動電路804b具有控制被供應(yīng)數(shù)據(jù)信號的布線(以下稱為數(shù)據(jù)線dl_1至dl_y)的電位的功能?；蛘?，信號線驅(qū)動電路804b具有能夠供應(yīng)初始化信號的功能。但是，不局限于此，信號線驅(qū)動電路804b可以供應(yīng)其他信號。信號線驅(qū)動電路804b例如使用多個模擬開關(guān)等來構(gòu)成。信號線驅(qū)動電路804b通過依次使多個模擬開關(guān)開啟而可以輸出對圖像信號進(jìn)行時間分割所得到的信號作為數(shù)據(jù)信號。此外，也可以使用移位寄存器等構(gòu)成信號線驅(qū)動電路804b。脈沖信號及數(shù)據(jù)信號分別通過被供應(yīng)掃描信號的多個掃描線gl之一及被供應(yīng)數(shù)據(jù)信號的多個數(shù)據(jù)線dl之一被輸入到多個像素電路801中的每一個。另外，多個像素電路801的每一個通過掃描線驅(qū)動電路804a來控制數(shù)據(jù)信號的寫入及保持。例如，對第m行第n列的像素電路801，通過掃描線gl_m(m是x以下的自然數(shù))從掃描線驅(qū)動電路804a對第m行第n列的像素電路801輸入脈沖信號，并根據(jù)掃描線gl_m的電位而通過數(shù)據(jù)線dl_n(n是y以下的自然數(shù))從信號線驅(qū)動電路804b輸入數(shù)據(jù)信號。圖24a所示的保護(hù)電路806例如連接于作為掃描線驅(qū)動電路804a和像素電路801之間的布線的掃描線gl?；蛘撸Ｗo(hù)電路806連接于作為信號線驅(qū)動電路804b和像素電路801之間的布線的數(shù)據(jù)線dl。或者，保護(hù)電路806可以連接于掃描線驅(qū)動電路804a和端子部807之間的布線?；蛘?，保護(hù)電路806可以連接于信號線驅(qū)動電路804b和端子部807之間的布線。此外，端子部807是指設(shè)置有用來從外部的電路對顯示裝置輸入電源、控制信號及圖像信號的端子的部分。保護(hù)電路806是在對與其連接的布線供應(yīng)一定范圍之外的電位時使該布線與其他布線之間導(dǎo)通的電路。如圖24a所示，通過對像素部802和驅(qū)動電路部804分別與保護(hù)電路806連接，可以提高顯示裝置對因esd(electrostaticdischarge：靜電放電)等而產(chǎn)生的過電流的耐性。但是，保護(hù)電路806的結(jié)構(gòu)不局限于此，例如，也可以采用將掃描線驅(qū)動電路804a與保護(hù)電路806連接的結(jié)構(gòu)或?qū)⑿盘柧€驅(qū)動電路804b與保護(hù)電路806連接的結(jié)構(gòu)?；蛘撸部梢圆捎脤⒍俗硬?07與保護(hù)電路806連接的結(jié)構(gòu)。另外，雖然在圖24a中示出由掃描線驅(qū)動電路804a和信號線驅(qū)動電路804b形成驅(qū)動電路部804的例子，但不局限于此。例如，也可以只形成掃描線驅(qū)動電路804a并安裝形成有另外準(zhǔn)備的信號線驅(qū)動電路的襯底(例如，由單晶半導(dǎo)體膜或多晶半導(dǎo)體膜形成的驅(qū)動電路襯底)。<像素電路的結(jié)構(gòu)實(shí)例>圖24a所示的多個像素電路801例如可以采用圖24b所示的結(jié)構(gòu)。圖24b所示的像素電路801包括晶體管852、854、電容器862以及發(fā)光元件872。晶體管852的源電極和漏電極中的一個電連接于被供應(yīng)數(shù)據(jù)信號的布線(數(shù)據(jù)線dl_n)。并且，晶體管852的柵電極電連接于被供應(yīng)柵極信號的布線(掃描線gl_m)。晶體管852具有控制數(shù)據(jù)信號的寫入的功能。電容器862的一對電極中的一個電連接于被供應(yīng)電位的布線(以下，稱為電位供應(yīng)線vl_a)，另一個電連接于晶體管852的源電極和漏電極中的另一個。電容器862具有作為儲存被寫入的數(shù)據(jù)的存儲電容器的功能。晶體管854的源電極和漏電極中的一個電連接于電位供應(yīng)線vl_a。并且，晶體管854的柵電極電連接于晶體管852的源電極和漏電極中的另一個。發(fā)光元件872的陽極和陰極中的一個電連接于電位供應(yīng)線vl_b，另一個電連接于晶體管854的源電極和漏電極中的另一個。作為發(fā)光元件872，可以使用實(shí)施方式1至實(shí)施方式3所示的發(fā)光元件。此外，電位供應(yīng)線vl_a和電位供應(yīng)線vl_b中的一個被施加高電源電位vdd，另一個被施加低電源電位vss。例如，在具有圖24b的像素電路801的顯示裝置中，通過圖24a所示的掃描線驅(qū)動電路804a依次選擇各行的像素電路801，并使晶體管852開啟而寫入數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)。當(dāng)晶體管852被關(guān)閉時，被寫入數(shù)據(jù)的像素電路801成為保持狀態(tài)。并且，流過晶體管854的源電極與漏電極之間的電流量根據(jù)寫入的數(shù)據(jù)信號的電位被控制，發(fā)光元件872以對應(yīng)于流過的電流量的亮度發(fā)光。通過按行依次進(jìn)行上述步驟，可以顯示圖像。另外，可以使像素電路具有校正晶體管的閾值電壓等的變動的影響的功能。圖25a及圖25b和圖26a及圖26b示出像素電路的一個例子。圖25a所示的像素電路包括六個晶體管(晶體管303_1至303_6)、電容器304以及發(fā)光元件305。此外，布線301_1至301_5、布線302_1及布線302_2電連接到圖25a所示的像素電路。注意，作為晶體管303_1至303_6，例如可以使用p溝道型晶體管。圖25b所示的像素電路是除圖25a所示的像素電路之外還包括晶體管303_7的結(jié)構(gòu)。另外，布線301_6及布線301_7電連接到圖25b所示的像素電路。在此，布線301_5與布線301_6可以分別電連接。注意，作為晶體管303_7，例如可以使用p溝道型晶體管。圖26a所示的像素電路包括六個晶體管(晶體管308_1至308_6)、電容器304以及發(fā)光元件305。此外，布線306_1至306_3及布線307_1至307_3電連接到圖26a所示的像素電路。在此，布線306_1與布線306_3可以分別電連接。注意，作為晶體管308_1至308_6，例如可以使用p溝道型晶體管。圖26b所示的像素電路包括兩個晶體管(晶體管309_1及晶體管309_2)、兩個電容器(電容器304_1及電容器304_2)以及發(fā)光元件305。另外，布線311_1至布線311_3、布線312_1及布線312_2電連接到圖26b所示的像素電路。此外，通過采用圖26b所示的像素電路的結(jié)構(gòu)，例如可以實(shí)現(xiàn)電壓輸入-電流驅(qū)動方式(也稱為cvcc方式)。注意，作為晶體管309_1及309_2，例如可以使用p溝道型晶體管。另外，本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件可以適用于在顯示裝置的像素中包括有源元件的有源矩陣方式或在顯示裝置的像素中沒有包括有源元件的無源矩陣方式。在有源矩陣方式中，作為有源元件(activeelement，非線性元件)除晶體管外還可以使用各種有源元件(activeelement，非線性元件)。例如，也可以使用mim(metalinsulatormetal：金屬-絕緣體-金屬)或tfd(thinfilmdiode：薄膜二極管)等。由于這些元件的制造工序少，因此能夠降低制造成本或者提高成品率。另外，由于這些元件的尺寸小，所以可以提高開口率，從而能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗或高亮度化。作為除了有源矩陣方式以外的方式，也可以采用不使用有源元件(activeelement，非線性元件)的無源矩陣型。由于不使用有源元件(activeelement，非線性元件)，所以制造工序少，從而可以降低制造成本或者提高成品率。另外，由于不使用有源元件(非線性元件)，所以可以提高開口率，從而能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗或高亮度化等。本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施方式6在本實(shí)施方式中，參照圖27a至圖31說明包括本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的顯示裝置以及在該顯示裝置安裝輸入裝置的電子設(shè)備。<關(guān)于觸摸面板的說明1>注意，在本實(shí)施方式中，作為電子設(shè)備的一個例子，對組合顯示裝置與輸入裝置的觸摸面板2000進(jìn)行說明。另外，作為輸入裝置的一個例子，對使用觸摸傳感器的情況進(jìn)行說明。圖27a及圖27b是觸摸面板2000的透視圖。另外，在圖27a及圖27b中，為了明確起見，示出觸摸面板2000的典型的構(gòu)成要素。觸摸面板2000包括顯示裝置2501及觸摸傳感器2595(參照圖27b)。此外，觸摸面板2000包括襯底2510、襯底2570以及襯底2590。另外，襯底2510、襯底2570以及襯底2590都具有柔性。注意，襯底2510、襯底2570和襯底2590中的任一個或全部可以不具有柔性。顯示裝置2501包括襯底2510上的多個像素以及能夠向該像素供應(yīng)信號的多個布線2511。多個布線2511被引導(dǎo)在襯底2510的外周部，其一部分構(gòu)成端子2519。端子2519與fpc2509(1)電連接。另外，多個布線2511可以將來自信號線驅(qū)動電路2503s(1)的信號供應(yīng)到多個像素。襯底2590包括觸摸傳感器2595以及與觸摸傳感器2595電連接的多個布線2598。多個布線2598被引導(dǎo)在襯底2590的外周部，其一部分構(gòu)成端子。并且，該端子與fpc2509(2)電連接。另外，為了明確起見，在圖27b中以實(shí)線示出設(shè)置在襯底2590的背面一側(cè)(與襯底2510相對的面一側(cè))的觸摸傳感器2595的電極以及布線等。作為觸摸傳感器2595，例如可以適用電容式觸摸傳感器。作為電容式，可以舉出表面型電容式、投影型電容式等。作為投影型電容式，主要根據(jù)驅(qū)動方法的不同而分為自電容式、互電容式等。當(dāng)采用互電容式時，可以同時檢測出多個點(diǎn)，所以是優(yōu)選的。注意，圖27b所示的觸摸傳感器2595是采用了投影型電容式觸摸傳感器的結(jié)構(gòu)。另外，觸摸傳感器2595可以適用可檢測出手指等檢測對象的接近或接觸的各種傳感器。投影型電容式觸摸傳感器2595包括電極2591及電極2592。電極2591電連接于多個布線2598之中的任何一個，而電極2592電連接于多個布線2598之中的任何其他一個。如圖27a及圖27b所示，電極2592具有在一個方向上反復(fù)地配置的多個四邊形在角部連接的形狀。電極2591是四邊形且在與電極2592延伸的方向交叉的方向上反復(fù)地配置。布線2594與其間夾著電極2592的兩個電極2591電連接。此時，電極2592與布線2594的交叉部面積優(yōu)選為盡可能小。由此，可以減少沒有設(shè)置電極的區(qū)域的面積，從而可以降低透過率的偏差。其結(jié)果，可以降低透過觸摸傳感器2595的光的亮度偏差。注意，電極2591及電極2592的形狀不局限于此，可以具有各種形狀。例如，也可以采用如下結(jié)構(gòu)：將多個電極2591配置為其間盡量沒有間隙，并隔著絕緣層間隔開地設(shè)置多個電極2592，以形成不重疊于電極2591的區(qū)域。此時，通過在相鄰的兩個電極2592之間設(shè)置與這些電極電絕緣的虛擬電極，可以減少透過率不同的區(qū)域的面積，所以是優(yōu)選的。<關(guān)于顯示裝置的說明>接著，參照圖28a說明顯示裝置2501的詳細(xì)內(nèi)容。圖28a是沿圖27b中的點(diǎn)劃線x1-x2所示的部分的截面圖。顯示裝置2501包括多個配置為矩陣狀的像素。該像素包括顯示元件以及驅(qū)動該顯示元件的像素電路。在以下說明中，說明將發(fā)射白色光的發(fā)光元件適用于顯示元件的例子，但是顯示元件不局限于此。例如，也可以應(yīng)用發(fā)光顏色不同的發(fā)光元件，以使各相鄰的像素的發(fā)光顏色不同。作為襯底2510及襯底2570，例如，可以適當(dāng)?shù)厥褂盟魵馔高^率為1×10-5g·m-2·day-1以下，優(yōu)選為1×10-6g·m-2·day-1以下的具有柔性的材料。或者，優(yōu)選使用襯底2510的熱膨脹率及襯底2570的熱膨脹率大致相同的材料。例如，適合使用線性膨脹系數(shù)為1×10-3/k以下，優(yōu)選為5×10-5/k以下，進(jìn)一步優(yōu)選為1×10-5/k以下的材料。注意，襯底2510是疊層體，其中包括防止雜質(zhì)擴(kuò)散到發(fā)光元件的絕緣層2510a、柔性襯底2510b以及貼合絕緣層2510a與柔性襯底2510b的粘合層2510c。另外，襯底2570是疊層體，其中包括防止雜質(zhì)擴(kuò)散到發(fā)光元件的絕緣層2570a、柔性襯底2570b以及貼合絕緣層2570a與柔性襯底2570b的粘合層2570c。粘合層2510c及粘合層2570c例如可以使用聚酯、聚烯烴、聚酰胺(尼龍、芳族聚酰胺等)、聚酰亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂、聚氨酯、環(huán)氧樹脂?；蛘?，也可以使用硅酮等具有硅氧烷鍵的樹脂。此外，在襯底2510與襯底2570之間包括密封層2560。密封層2560優(yōu)選具有比空氣大的折射率。此外，如圖28a所示，當(dāng)在密封層2560一側(cè)提取光時，密封層2560可以兼作光學(xué)接合層。另外，可以在密封層2560的外周部形成密封劑。通過使用該密封劑，可以在由襯底2510、襯底2570、密封層2560及密封劑圍繞的區(qū)域中配置發(fā)光元件2550r。注意，作為密封層2560，可以填充非活性氣體(氮或氬等)。此外，可以在該非活性氣體內(nèi)設(shè)置干燥劑而吸收水分等?；蛘撸梢允褂帽┧針渲颦h(huán)氧樹脂等樹脂填充。另外，作為上述密封劑，例如優(yōu)選使用環(huán)氧類樹脂或玻璃粉。此外，作為用于密封劑的材料，優(yōu)選使用不使水分或氧透過的材料。另外，顯示裝置2501包括像素2502r。此外，像素2502r包括發(fā)光模塊2580r。像素2502r包括發(fā)光元件2550r以及可以向該發(fā)光元件2550r供應(yīng)電力的晶體管2502t。注意，將晶體管2502t用作像素電路的一部分。此外，發(fā)光模塊2580r包括發(fā)光元件2550r以及著色層2567r。發(fā)光元件2550r包括下部電極、上部電極以及下部電極與上部電極之間的el層。作為發(fā)光元件2550r，例如可以使用實(shí)施方式1至實(shí)施方式3所示的發(fā)光元件。另外，也可以在下部電極與上部電極之間采用微腔結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)特定波長的光的強(qiáng)度。另外，在密封層2560被設(shè)置于提取光一側(cè)的情況下，密封層2560接觸于發(fā)光元件2550r及著色層2567r。著色層2567r位于與發(fā)光元件2550r重疊的位置。由此，發(fā)光元件2550r所發(fā)射的光的一部分透過著色層2567r，而向圖中的箭頭所示的方向被射出到發(fā)光模塊2580r的外部。此外，在顯示裝置2501中，在發(fā)射光的方向上設(shè)置遮光層2567bm。遮光層2567bm以圍繞著色層2567r的方式設(shè)置。著色層2567r具有使特定波長區(qū)的光透過的功能即可，例如，可以使用使紅色波長區(qū)的光透過的濾色片、使綠色波長區(qū)的光透過的濾色片、使藍(lán)色波長區(qū)的光透過的濾色片以及使黃色波長區(qū)的光透過的濾色片等。每個濾色片可以通過印刷法、噴墨法、利用光刻技術(shù)的蝕刻法等并使用各種材料形成。另外，在顯示裝置2501中設(shè)置有絕緣層2521。絕緣層2521覆蓋晶體管2502t。此外，絕緣層2521具有使起因于像素電路的凹凸平坦的功能。另外，可以使絕緣層2521具有能夠抑制雜質(zhì)擴(kuò)散的功能。由此，能夠抑制由于雜質(zhì)擴(kuò)散而晶體管2502t等的可靠性降低。此外，發(fā)光元件2550r被形成于絕緣層2521的上方。另外，以與發(fā)光元件2550r所包括的下部電極的端部重疊的方式設(shè)置分隔壁2528。此外，可以在分隔壁2528上形成控制襯底2510與襯底2570的間隔的間隔物。掃描線驅(qū)動電路2503g(1)包括晶體管2503t及電容器2503c。注意，驅(qū)動電路可以與像素電路利用同一工序形成在同一襯底上。另外，在襯底2510上設(shè)置有能夠供應(yīng)信號的布線2511。此外，在布線2511上設(shè)置有端子2519。另外，fpc2509(1)電連接到端子2519。此外，fpc2509(1)具有供應(yīng)視頻信號、時鐘信號、起始信號、復(fù)位信號等的功能。另外，fpc2509(1)也可以安裝有印刷線路板(pwb)。此外，可以將各種結(jié)構(gòu)的晶體管適用于顯示裝置2501。在圖28a中，雖然示出了使用底柵型晶體管的情況，但不局限于此，例如可以將圖28b所示的頂柵型晶體管適用于顯示裝置2501。另外，對晶體管2502t及晶體管2503t的極性沒有特別的限制，例如，可以使用n溝道晶體管及p溝道晶體管，或者可以使用n溝道晶體管或p溝道晶體管。此外，對用于晶體管2502t及2503t的半導(dǎo)體膜的結(jié)晶性也沒有特別的限制。例如，可以使用非晶半導(dǎo)體膜、結(jié)晶半導(dǎo)體膜。另外，作為半導(dǎo)體材料，可以使用第14族半導(dǎo)體(例如，含有硅的半導(dǎo)體)、化合物半導(dǎo)體(包括氧化物半導(dǎo)體)、有機(jī)半導(dǎo)體等。通過將能隙為2ev以上，優(yōu)選為2.5ev以上，更優(yōu)選為3ev以上的氧化物半導(dǎo)體用于晶體管2502t和晶體管2503t中的任一個或兩個，能夠降低晶體管的關(guān)態(tài)電流，所以是優(yōu)選的。作為該氧化物半導(dǎo)體，可以舉出in-ga氧化物、in-m-zn氧化物(m表示al、ga、y、zr、la、ce、sn、hf或nd)等。<關(guān)于觸摸傳感器的說明>接著，參照圖28c說明觸摸傳感器2595的詳細(xì)內(nèi)容。圖28c是沿圖27b中的點(diǎn)劃線x3-x4所示的部分的截面圖。觸摸傳感器2595包括：在襯底2590上配置為交錯形狀的電極2591及電極2592；覆蓋電極2591及電極2592的絕緣層2593；以及使相鄰的電極2591電連接的布線2594。電極2591及電極2592使用具有透光性的導(dǎo)電材料形成。作為具有透光性的導(dǎo)電材料，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等導(dǎo)電氧化物。此外，還可以使用含有石墨烯的膜。含有石墨烯的膜例如可以通過使包含形成為膜狀的氧化石墨烯的膜還原而形成。作為還原方法，可以舉出進(jìn)行加熱的方法等。例如，在通過濺射法將具有透光性的導(dǎo)電材料形成在襯底2590上之后，可以通過光刻法等各種圖案形成技術(shù)去除不需要的部分來形成電極2591及電極2592。另外，作為用于絕緣層2593的材料，例如除了丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂等樹脂、硅酮等具有硅氧烷鍵的樹脂之外，還可以使用氧化硅、氧氮化硅、氧化鋁等無機(jī)絕緣材料。另外，達(dá)到電極2591的開口設(shè)置在絕緣層2593中，并且布線2594與相鄰的電極2591電連接。由于透光導(dǎo)電材料可以提高觸摸面板的開口率，因此可以適用于布線2594。另外，因為其導(dǎo)電性高于電極2591及電極2592的材料可以減少電阻，所以可以適用于布線2594。電極2592在一個方向上延伸，多個電極2592設(shè)置為條紋狀。此外，布線2594以與電極2592交叉的方式設(shè)置。夾著一個電極2592設(shè)置有一對電極2591。另外，布線2594電連接一對電極2591。另外，多個電極2591并不一定要設(shè)置在與一個電極2592正交的方向上，也可以設(shè)置為形成大于0°且小于90°的角。此外，一個布線2598與電極2591或電極2592電連接。另外，將布線2598的一部分用作端子。作為布線2598，例如可以使用金屬材料諸如鋁、金、鉑、銀、鎳、鈦、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等，或者包含該金屬材料的合金材料。另外，通過設(shè)置覆蓋絕緣層2593及布線2594的絕緣層，可以保護(hù)觸摸傳感器2595。此外，連接層2599電連接布線2598與fpc2509(2)。作為連接層2599，可以使用各向異性導(dǎo)電膜(acf：anisotropicconductivefilm)或各向異性導(dǎo)電膏(acp：anisotropicconductivepaste)等。<關(guān)于觸摸面板的說明2>接著，參照圖29a說明觸摸面板2000的詳細(xì)內(nèi)容。圖29a是沿圖27a中的點(diǎn)劃線x5-x6所示的部分的截面圖。圖29a所示的觸摸面板2000是將圖28a所說明的顯示裝置2501與圖28c所說明的觸摸傳感器2595貼合在一起的結(jié)構(gòu)。另外，圖29a所示的觸摸面板2000除了圖28a及圖28c所說明的結(jié)構(gòu)之外還包括粘合層2597及防反射層2567p。粘合層2597以與布線2594接觸的方式設(shè)置。注意，粘合層2597以使觸摸傳感器2595重疊于顯示裝置2501的方式將襯底2590貼合到襯底2570。此外，粘合層2597優(yōu)選具有透光性。另外，作為粘合層2597，可以使用熱固化樹脂或紫外線固化樹脂。例如，可以使用丙烯酸類樹脂、氨酯類樹脂、環(huán)氧類樹脂或硅氧烷類樹脂。防反射層2567p設(shè)置在重疊于像素的位置上。作為防反射層2567p，例如可以使用圓偏振片。接著，參照圖29b對與圖29a所示的結(jié)構(gòu)不同的結(jié)構(gòu)的觸摸面板進(jìn)行說明。圖29b是觸摸面板2001的截面圖。圖29b所示的觸摸面板2001與圖29a所示的觸摸面板2000的不同之處是相對于顯示裝置2501的觸摸傳感器2595的位置。在這里對不同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的說明，而對可以使用同樣的結(jié)構(gòu)的部分援用觸摸面板2000的說明。著色層2567r位于與發(fā)光元件2550r重疊的位置。此外，圖29b所示的發(fā)光元件2550r將光射出到設(shè)置有晶體管2502t的一側(cè)。由此，發(fā)光元件2550r所發(fā)射的光的一部分透過著色層2567r，而向圖29b中的箭頭所示的方向被射出到發(fā)光模塊2580r的外部。另外，觸摸傳感器2595被設(shè)置于顯示裝置2501的襯底2510一側(cè)。粘合層2597位于襯底2510與襯底2590之間，并將顯示裝置2501和觸摸傳感器2595貼合在一起。如圖29a及圖29b所示，從發(fā)光元件射出的光可以通過襯底2510一側(cè)和襯底2570一側(cè)中的任一方或兩雙被射出。<關(guān)于觸摸面板的驅(qū)動方法的說明>接著，參照圖30a及圖30b對觸摸面板的驅(qū)動方法的一個例子進(jìn)行說明。圖30a是示出互電容式觸摸傳感器的結(jié)構(gòu)的方框圖。在圖30a中，示出脈沖電壓輸出電路2601、電流檢測電路2602。另外，在圖30a中，以x1至x6的六個布線表示被施加有脈沖電壓的電極2621，并以y1至y6的六個布線表示檢測電流的變化的電極2622。此外，圖30a示出由于使電極2621與電極2622重疊而形成的電容器2603。注意，電極2621與電極2622的功能可以互相調(diào)換。脈沖電壓輸出電路2601是用來依次將脈沖電壓施加到x1至x6的布線的電路。通過對x1至x6的布線施加脈沖電壓，在形成電容器2603的電極2621與電極2622之間產(chǎn)生電場。通過利用該產(chǎn)生于電極之間的電場由于被遮蔽等而使電容器2603的互電容產(chǎn)生變化，可以檢測出被檢測體的接近或接觸。電流檢測電路2602是用來檢測電容器2603的互電容變化所引起的y1至y6的布線的電流變化的電路。在y1至y6的布線中，如果沒有被檢測體的接近或接觸，所檢測的電流值則沒有變化，而另一方面，在由于所檢測的被檢測體的接近或接觸而互電容減少的情況下，檢測到電流值減少的變化。另外，通過積分電路等檢測電流即可。接著，圖30b示出圖30a所示的互電容式觸摸傳感器中的輸入/輸出波形的時序圖。在圖30b中，在一個幀期間進(jìn)行各行列中的被檢測體的檢測。另外，在圖30b中，示出沒有檢測出被檢測體(未觸摸)和檢測出被檢測體(觸摸)的兩種情況。此外，圖30b示出對應(yīng)于y1至y6的布線所檢測出的電流值的電壓值的波形。依次對x1至x6的布線施加脈沖電壓，y1至y6的布線的波形根據(jù)該脈沖電壓變化。當(dāng)沒有被檢測體的接近或接觸時，y1至y6的波形對應(yīng)于x1至x6的布線的電壓變化而同樣地變化。另一方面，在有被檢測體接近或接觸的部位電流值減少，因而與其相應(yīng)的電壓值的波形也產(chǎn)生變化。如此，通過檢測互電容的變化，可以檢測出被檢測體的接近或接觸。<關(guān)于傳感器電路的說明>另外，作為觸摸傳感器，圖30a雖然示出在布線的交叉部只設(shè)置電容器2603的無源矩陣型觸摸傳感器的結(jié)構(gòu)，但是也可以采用包括晶體管和電容器的有源矩陣型觸摸傳感器。圖31示出有源矩陣型觸摸傳感器所包括的傳感器電路的一個例子。圖31所示的傳感器電路包括電容器2603、晶體管2611、晶體管2612及晶體管2613。對晶體管2613的柵極施加信號g2，對源極和漏極中的一個施加電壓vres，并且另一個與電容器2603的一個電極及晶體管2611的柵極電連接。晶體管2611的源極和漏極中的一個與晶體管2612的源極和漏極中的一個電連接，對另一個施加電壓vss。對晶體管2612的柵極施加信號g1，源極和漏極中的另一個與布線ml電連接。對電容器2603的另一個電極施加電壓vss。接下來，對圖31所述的傳感器電路的工作進(jìn)行說明。首先，通過作為信號g2施加使晶體管2613成為開啟狀態(tài)的電位，與晶體管2611的柵極連接的節(jié)點(diǎn)n被施加對應(yīng)于電壓vres的電位。接著，通過作為信號g2施加使晶體管2613成為關(guān)閉狀態(tài)的電位，節(jié)點(diǎn)n的電位被保持。接著，由于手指等被檢測體的接近或接觸，電容器2603的互電容產(chǎn)生變化，而節(jié)點(diǎn)n的電位隨其由vres變化。在讀出工作中，作為信號g1施加使晶體管2612成為開啟狀態(tài)的電位。流過晶體管2611的電流，即流過布線ml的電流根據(jù)節(jié)點(diǎn)n的電位而產(chǎn)生變化。通過檢測該電流，可以檢測出被檢測體的接近或接觸。在晶體管2611、晶體管2612及晶體管2613中，優(yōu)選將氧化物半導(dǎo)體層用于形成有其溝道區(qū)的半導(dǎo)體層。尤其是通過將這種晶體管用于晶體管2613，能夠長期間保持節(jié)點(diǎn)n的電位，由此可以減少對節(jié)點(diǎn)n再次供應(yīng)vres的工作(刷新工作)的頻度。本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施方式7在本實(shí)施方式中，參照圖32至圖37b對包括本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的顯示模塊及電子設(shè)備進(jìn)行說明。<關(guān)于顯示模塊的說明>圖32所示的顯示模塊8000在上蓋8001與下蓋8002之間包括連接于fpc8003的觸摸傳感器8004、連接于fpc8005的顯示裝置8006、框架8009、印刷電路板8010、電池8011。例如可以將本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件用于顯示裝置8006。上蓋8001及下蓋8002可以根據(jù)觸摸傳感器8004及顯示裝置8006的尺寸可以適當(dāng)?shù)馗淖冃螤罨虺叽纭Ｓ|摸傳感器8004能夠是電阻膜式觸摸傳感器或電容式觸摸傳感器，并且能夠被形成為與顯示裝置8006重疊。此外，也可以使顯示裝置8006的對置襯底(密封襯底)具有觸摸傳感器的功能。另外，也可以在顯示裝置8006的各像素內(nèi)設(shè)置光傳感器，而形成光學(xué)觸摸傳感器。框架8009除了具有保護(hù)顯示裝置8006的功能以外還具有用來遮斷因印刷電路板8010的工作而產(chǎn)生的電磁波的電磁屏蔽的功能。此外，框架8009也可以具有作為散熱板的功能。印刷電路板8010具有電源電路以及用來輸出視頻信號及時鐘信號的信號處理電路。作為對電源電路供應(yīng)電力的電源，既可以采用外部的商業(yè)電源，又可以采用另行設(shè)置的電池8011的電源。當(dāng)使用商業(yè)電源時，可以省略電池8011。此外，在顯示模塊8000中還可以追加設(shè)置偏振片、相位差板、棱鏡片等構(gòu)件。<關(guān)于電子設(shè)備的說明>圖33a至圖33g是示出電子設(shè)備的圖。這些電子設(shè)備可以包括框體9000、顯示部9001、揚(yáng)聲器9003、操作鍵9005(包括電源開關(guān)或操作開關(guān))、連接端子9006、傳感器9007(它具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)速、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9008等。另外，傳感器9007可以如脈沖傳感器及指紋傳感器等那樣具有測量生物信息的功能。圖33a至圖33g所示的電子設(shè)備可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種信息(靜態(tài)圖像、動態(tài)圖像、文字圖像等)顯示在顯示部上的功能；觸控傳感器的功能；顯示日歷、日期或時間等的功能；通過利用各種軟件(程序)控制處理的功能；進(jìn)行無線通信的功能；通過利用無線通信功能來連接到各種計算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的功能；通過利用無線通信功能，進(jìn)行各種數(shù)據(jù)的發(fā)送或接收的功能；讀出儲存在存儲介質(zhì)中的程序或數(shù)據(jù)來將其顯示在顯示部上的功能；等。注意，圖33a至圖33g所示的電子設(shè)備可具有的功能不局限于上述功能，而可以具有各種功能。另外，雖然在圖33a至圖33g中未圖示，但是電子設(shè)備可以包括多個顯示部。此外，也可以在該電子設(shè)備中設(shè)置照相機(jī)等而使其具有如下功能：拍攝靜態(tài)圖像的功能；拍攝動態(tài)圖像的功能；將所拍攝的圖像儲存在存儲介質(zhì)(外部存儲介質(zhì)或內(nèi)置于照相機(jī)的存儲介質(zhì))中的功能；將所拍攝的圖像顯示在顯示部上的功能；等。下面，詳細(xì)地說明圖33a至圖33g所示的電子設(shè)備。圖33a是示出便攜式信息終端9100的透視圖。便攜式信息終端9100所包括的顯示部9001具有柔性。因此，可以沿著所彎曲的框體9000的彎曲面組裝顯示部9001。另外，顯示部9001具備觸摸傳感器，而可以用手指或觸屏筆等觸摸屏幕來進(jìn)行操作。例如，通過觸摸顯示于顯示部9001上的圖標(biāo)，可以啟動應(yīng)用程序。圖33b是示出便攜式信息終端9101的透視圖。便攜式信息終端9101例如具有電話機(jī)、電子筆記本和信息閱讀裝置等中的一種或多種的功能。具體而言，可以將其用作智能手機(jī)。注意，揚(yáng)聲器9003、連接端子9006、傳感器9007等在便攜式信息終端9101中未圖示，但可以設(shè)置在與圖33a所示的便攜式信息終端9100同樣的位置上。另外，便攜式信息終端9101可以將文字或圖像信息顯示在其多個面上。例如，可以將三個操作按鈕9050(還稱為操作圖標(biāo)或簡稱為圖標(biāo))顯示在顯示部9001的一個面上。另外，可以將由虛線矩形表示的信息9051顯示在顯示部9001的另一個面上。此外，作為信息9051的一個例子，可以舉出提示收到來自電子郵件、sns(socialnetworkingservices：社交網(wǎng)絡(luò)服務(wù))或電話等的信息的顯示；電子郵件或sns等的標(biāo)題；電子郵件或sns等的發(fā)送者姓名；日期；時間；電池余量；以及電波等接收信號的強(qiáng)度的顯示等?；蛘?，可以在顯示有信息9051的位置上顯示操作按鈕9050等代替信息9051。作為框體9000的材料，例如可以使用包含合金、塑料、陶瓷等。作為塑料，也可以使用增強(qiáng)塑料。增強(qiáng)塑料之一種的碳纖維增強(qiáng)復(fù)合材料(carbonfiberreinforcedplastics：cfrp)具有輕量且不腐蝕的優(yōu)點(diǎn)。此外，作為其他增強(qiáng)塑料，可以舉出使用玻璃纖維的增強(qiáng)塑料及使用芳族聚酰胺纖維的增強(qiáng)塑料。作為合金，可以舉出鋁合金或鎂合金。其中，包含鋯、銅、鎳、鈦的非晶合金(也稱為金屬玻璃)從彈性強(qiáng)度的方面來看很優(yōu)越。該非晶合金是在室溫下具有玻璃遷移區(qū)域的非晶合金，也稱為塊體凝固非晶合金(bulk-solidifyingamorphousalloy)，實(shí)質(zhì)上為具有非晶原子結(jié)構(gòu)的合金。通過利用凝固鑄造法，將合金材料澆鑄到框體的至少一部分的鑄模中并凝固，使用塊體凝固非晶合金形成框體的一部分。非晶合金除了鋯、銅、鎳、鈦以外還可以包含鈹、硅、鈮、硼、鎵、鉬、鎢、錳、鐵、鈷、釔、釩、磷、碳等。此外，非晶合金的形成方法不局限于凝固鑄造法，也可以利用真空蒸鍍法、濺射法、電鍍法、無電鍍法等。此外，非晶合金只要在整體上保持沒有長程有序(周期結(jié)構(gòu))的狀態(tài)，就可以包含微晶或納米晶。注意，合金包括具有單一固相結(jié)構(gòu)的完全固溶體合金及具有兩個以上的相的部分溶體的雙方。通過使用非晶合金形成框體9000，可以實(shí)現(xiàn)具有高彈性的框體。因此，如果框體9000是非晶合金，即使便攜式信息終端9101摔落并在受到?jīng)_擊的瞬間暫時變形，也能夠恢復(fù)到原來的形狀，所以可以提高便攜式信息終端9101的耐沖擊性。圖33c是示出便攜式信息終端9102的透視圖。便攜式信息終端9102具有將信息顯示在顯示部9001的三個以上的面上的功能。在此，示出信息9052、信息9053、信息9054分別顯示于不同的面上的例子。例如，便攜式信息終端9102的使用者能夠在將便攜式信息終端9102放在上衣口袋里的狀態(tài)下確認(rèn)其顯示(這里是信息9053)。具體而言，將打來電話的人的電話號碼或姓名等顯示在能夠從便攜式信息終端9102的上方觀看這些信息的位置。使用者可以確認(rèn)到該顯示而無需從口袋里拿出便攜式信息終端9102，由此能夠判斷是否接電話。圖33d是示出手表型便攜式信息終端9200的透視圖。便攜式信息終端9200可以執(zhí)行移動電話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、網(wǎng)絡(luò)通信、電腦游戲等各種應(yīng)用程序。此外，顯示部9001的顯示面被彎曲，能夠在所彎曲的顯示面上進(jìn)行顯示。另外，便攜式信息終端9200可以進(jìn)行被通信標(biāo)準(zhǔn)化的近距離無線通信。例如，通過與可進(jìn)行無線通信的耳麥相互通信，可以進(jìn)行免提通話。此外，便攜式信息終端9200包括連接端子9006，可以通過連接器直接與其他信息終端進(jìn)行數(shù)據(jù)的交換。另外，也可以通過連接端子9006進(jìn)行充電。此外，充電工作也可以利用無線供電進(jìn)行，而不通過連接端子9006。圖33e至圖33g是示出能夠折疊的便攜式信息終端9201的透視圖。另外，圖33e是展開狀態(tài)的便攜式信息終端9201的透視圖，圖33f是從展開狀態(tài)和折疊狀態(tài)中的一個狀態(tài)變?yōu)榱硪粋€狀態(tài)的中途的狀態(tài)的便攜式信息終端9201的透視圖，圖33g是折疊狀態(tài)的便攜式信息終端9201的透視圖。便攜式信息終端9201在折疊狀態(tài)下可攜帶性好，在展開狀態(tài)下因為具有無縫拼接的較大的顯示區(qū)域而其顯示的一覽性優(yōu)異。便攜式信息終端9201所包括的顯示部9001由鉸鏈9055所連接的三個框體9000來支撐。通過鉸鏈9055使兩個框體9000之間彎折，可以從便攜式信息終端9201的展開狀態(tài)可逆性地變?yōu)檎郫B狀態(tài)。例如，可以以1mm以上且150mm以下的曲率半徑使便攜式信息終端9201彎曲。作為電子設(shè)備，例如可以舉出：電視裝置(也稱為電視或電視接收機(jī))；用于計算機(jī)等的顯示屏；數(shù)碼相機(jī)；數(shù)碼成像機(jī)；數(shù)碼相框；移動電話機(jī)(也稱為移動電話、移動電話裝置)；護(hù)目鏡型顯示裝置(頭盔顯示器)；便攜式游戲機(jī)；便攜式信息終端；聲音再現(xiàn)裝置；彈珠機(jī)等大型游戲機(jī)等。本發(fā)明的一個方式的電子設(shè)備可以包括二次電池，優(yōu)選通過非接觸電力傳送對二次電池充電。作為二次電池，例如可以舉出使用凝膠電解質(zhì)的鋰聚合物電池(鋰離子聚合物電池)等鋰離子二次電池、鋰離子電池、鎳氫電池、鎳鎘電池、有機(jī)自由基電池、鉛蓄電池、空氣二次電池、鎳鋅電池、銀鋅電池等。本發(fā)明的一個方式的電子設(shè)備也可以包括天線。通過由天線接收信號，可以在顯示部上顯示圖像或信息等。另外，在電子設(shè)備包括二次電池時，可以將天線用于非接觸電力傳送。圖34a示出一種便攜式游戲機(jī)，該便攜式游戲機(jī)包括框體7101、框體7102、顯示部7103、顯示部7104、麥克風(fēng)7105、揚(yáng)聲器7106、操作鍵7107以及觸屏筆7108等。通過對顯示部7103或顯示部7104使用根據(jù)本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置，可以提供一種用戶體驗感優(yōu)異且不容易發(fā)生品質(zhì)降低的便攜式游戲機(jī)。注意，雖然圖34a所示的便攜式游戲機(jī)包括兩個顯示部即顯示部7103和顯示部7104，但是便攜式游戲機(jī)所包括的顯示部的數(shù)量不限于兩個。圖34b示出一種攝像機(jī)，該攝像機(jī)包括框體7701、框體7702、顯示部7703、操作鍵7704、鏡頭7705、連接部7706等。操作鍵7704及鏡頭7705被設(shè)置在框體7701中，顯示部7703被設(shè)置在框體7702中。并且，框體7701和框體7702由連接部7706連接，框體7701和框體7702之間的角度可以由連接部7706改變。顯示部7703所顯示的圖像也可以根據(jù)連接部7706所形成的框體7701和框體7702之間的角度切換。圖34c示出筆記本型個人計算機(jī)，該筆記本型個人計算機(jī)包括框體7121、顯示部7122、鍵盤7123及定位設(shè)備7124等。另外，因為顯示部7122具有非常高的像素密度及高清晰度，所以雖然顯示部7122是中小型的，但可以進(jìn)行8k顯示，而得到非常清晰的圖像。此外，圖34d示出頭戴顯示器7200的外觀。頭戴顯示器7200包括安裝部7201、透鏡7202、主體7203、顯示部7204以及電纜7205等。另外，在安裝部7201中內(nèi)置有電池7206。通過電纜7205，將電力從電池7206供應(yīng)到主體7203。主體7203具備無線接收器等，能夠?qū)⑺邮盏膱D像數(shù)據(jù)等的圖像信息顯示到顯示部7204上。另外，通過利用設(shè)置在主體7203中的相機(jī)捕捉使用者的眼球及眼瞼的動作，并根據(jù)該信息算出使用者的視點(diǎn)的坐標(biāo)，可以利用使用者的視點(diǎn)作為輸入方法。另外，也可以對安裝部7201的被使用者接觸的位置設(shè)置多個電極。主體7203也可以具有通過檢測出根據(jù)使用者的眼球的動作而流過電極的電流來識別使用者的視點(diǎn)的功能。此外，主體7203可以具有通過檢測出流過該電極的電流來監(jiān)視使用者的脈搏的功能。安裝部7201可以具有溫度傳感器、壓力傳感器、加速度傳感器等各種傳感器，也可以具有將使用者的生物信息顯示在顯示部7204上的功能。另外，主體7203也可以檢測出使用者的頭部的動作等，并與使用者的頭部的動作等同步地使顯示在顯示部7204上的圖像變化。此外，圖34e示出照相機(jī)7300的外觀。照相機(jī)7300包括框體7301、顯示部7302、操作按鈕7303、快門按鈕7304以及結(jié)合部7305等。另外，照相機(jī)7300也可以安裝鏡頭7306。結(jié)合部7305包括電極，除了后面說明的取景器7400以外，還可以與閃光燈裝置等連接。在此照相機(jī)7300包括能夠從框體7301拆卸下鏡頭7306而交換的結(jié)構(gòu)，鏡頭7306及框體7301也可以被形成為一體。通過按下快門按鈕7304，可以進(jìn)行攝像。另外，顯示部7302包括觸摸傳感器，也可以通過操作顯示部7302進(jìn)行攝像。本發(fā)明的一個方式的顯示裝置或觸摸傳感器可以適用于顯示部7302。圖34f示出照相機(jī)7300安裝有取景器7400時的例子。取景器7400包括框體7401、顯示部7402以及按鈕7403等?？蝮w7401包括與照相機(jī)7300的結(jié)合部7305嵌合的連接部，可以將取景器7400安裝到照相機(jī)7300。另外，該連接部包括電極，可以將從照相機(jī)7300經(jīng)過該電極接收的圖像等顯示到顯示部7402上。按鈕7403被用作電源按鈕。通過利用按鈕7403，可以切換顯示部7402的顯示或非顯示。另外，在圖34e和圖34f中，照相機(jī)7300與取景器7400是分開且可拆卸的電子設(shè)備，但是也可以在照相機(jī)7300的框體7301中內(nèi)置有具備本發(fā)明的一個方式的顯示裝置或觸摸傳感器的取景器。圖35a至圖35e是示出頭盔顯示器7500及7510的外觀的圖。頭盔顯示器7500包括框體7501、兩個顯示部7502、操作按鈕7503及帶狀的固定工具7504。頭盔顯示器7500除了具有上述頭盔顯示器7200所具有的功能之外還具備兩個顯示部。通過包括兩個顯示部7502，使用者可以用一個眼睛觀察一個顯示部，用另一個眼睛觀察另一個顯示器。由此，即使在進(jìn)行利用視差的三維顯示等時也可以顯示高分辨率的圖像。另外，顯示部7502以以使用者的眼睛為近似中心的圓弧狀彎曲。由此，使用者的眼睛到顯示部的顯示面的距離相等，因此使用者可以看到更自然的圖像。此外，由于使用者的眼睛位于顯示部的顯示面的法線方向上，因此即使來自顯示部的光的亮度及色度根據(jù)觀察角度發(fā)生變化，實(shí)質(zhì)上其影響可以忽略不計，由此可以顯示更具真實(shí)感的圖像。操作按鈕7503具有電源按鈕等的功能。此外，還可以包括操作按鈕7503以外的按鈕。另外，頭盔顯示器7510具有框體7501、顯示部7502、帶狀的固定工具7504及一對透鏡7505。使用者可以通過透鏡7505看到顯示部7502上的顯示。優(yōu)選的是，彎曲配置顯示部7502。通過彎曲配置顯示部7502，使用者可以感受高真實(shí)感。顯示部7502可以采用本發(fā)明的一個方式的顯示裝置。由于本發(fā)明的一個方式的顯示裝置能夠提高分辨率，因此即使如圖35e那樣利用透鏡7505進(jìn)行擴(kuò)大，使用者也察覺不出像素，由此可以顯示更具真實(shí)感的圖像。圖36a示出電視裝置的一個例子。在電視裝置9300中，顯示部9001組裝于框體9000中。在此示出利用支架9301支撐框體9000的結(jié)構(gòu)。可以通過利用框體9000所具備的操作開關(guān)、另外提供的遙控操作機(jī)9311進(jìn)行圖36a所示的電視裝置9300的操作。另外，也可以在顯示部9001中具備觸摸傳感器，通過用手指等觸摸顯示部9001可以進(jìn)行顯示部9001的操作。此外，也可以在遙控操作機(jī)9311中具備顯示從該遙控操作機(jī)9311輸出的數(shù)據(jù)的顯示部。通過利用遙控操作機(jī)9311所具備的操作鍵或觸摸面板，可以進(jìn)行頻道及音量的操作，并可以對顯示在顯示部9001上的圖像進(jìn)行操作。另外，電視裝置9300采用具備接收機(jī)及調(diào)制解調(diào)器等的結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^利用接收機(jī)接收一般的電視廣播。再者，通過調(diào)制解調(diào)器將電視裝置連接到有線或無線方式的通信網(wǎng)絡(luò)，從而進(jìn)行單向(從發(fā)送者到接收者)或雙向(發(fā)送者和接收者之間或接收者之間等)的信息通信。此外，由于本發(fā)明的一個方式的電子設(shè)備或照明裝置具有柔性，因此也可以將該電子設(shè)備或照明裝置沿著房屋及高樓的內(nèi)壁或外壁、汽車的內(nèi)部裝飾或外部裝飾的曲面組裝。圖36b示出汽車9700的外觀。圖36c示出汽車9700的駕駛座位。汽車9700包括車體9701、車輪9702、儀表盤9703、燈9704等。本發(fā)明的一個方式的顯示裝置或發(fā)光裝置等可用于汽車9700的顯示部等。例如，本發(fā)明的一個方式的顯示裝置或發(fā)光裝置等可設(shè)置于圖36c所示的顯示部9710至顯示部9715。顯示部9710和顯示部9711是設(shè)置在汽車的擋風(fēng)玻璃上的顯示裝置。通過使用具有透光性的導(dǎo)電材料來制造顯示裝置或發(fā)光裝置等中的電極或布線，可以使本發(fā)明的一個方式的顯示裝置或發(fā)光裝置等成為能看到對面的所謂的透明式顯示裝置或發(fā)光裝置。透明式顯示裝置的顯示部9710和顯示部9711即使在駕駛汽車9700時也不會成為視野的障礙。因此，可以將本發(fā)明的一個方式的顯示裝置或發(fā)光裝置等設(shè)置在汽車9700的擋風(fēng)玻璃上。另外，當(dāng)在顯示裝置或發(fā)光裝置等中設(shè)置用來驅(qū)動顯示裝置或輸入/輸出裝置的晶體管等時，優(yōu)選采用使用有機(jī)半導(dǎo)體材料的有機(jī)晶體管、使用氧化物半導(dǎo)體的晶體管等具有透光性的晶體管。顯示部9712是設(shè)置在立柱部分的顯示裝置。例如，通過將來自設(shè)置在車體的成像單元的影像顯示在顯示部9712，可以補(bǔ)充被立柱遮擋的視野。顯示部9713是設(shè)置在儀表盤部分的顯示裝置。例如，通過將來自設(shè)置在車體的成像單元的影像顯示在顯示部9713，可以補(bǔ)充被儀表盤遮擋的視野。也就是說，通過顯示來自設(shè)置在汽車外側(cè)的成像單元的影像，可以補(bǔ)充死角，從而提高安全性。另外，通過顯示補(bǔ)充看不到的部分的影像，可以更自然、更舒適地確認(rèn)安全。圖36d示出采用長座椅作為駕駛座位及副駕駛座位的汽車室內(nèi)。顯示部9721是設(shè)置在車門部分的顯示裝置。例如，通過將來自設(shè)置在車體的成像單元的影像顯示在顯示部9721，可以補(bǔ)充被車門遮擋的視野。另外，顯示部9722是設(shè)置在方向盤的顯示裝置。顯示部9723是設(shè)置在長座椅的中央部的顯示裝置。另外，通過將顯示裝置設(shè)置在被坐面或靠背部分等，也可以將該顯示裝置用作以該顯示裝置為發(fā)熱源的座椅取暖器。顯示部9714、顯示部9715或顯示部9722可以提供導(dǎo)航信息、速度表、轉(zhuǎn)速計、行駛距離、加油量、排檔狀態(tài)、空調(diào)的設(shè)定以及其他各種信息。另外，使用者可以適當(dāng)?shù)馗淖冿@示部所顯示的顯示內(nèi)容及布局等。另外，顯示部9710至顯示部9713、顯示部9721及顯示部9723也可以顯示上述信息。顯示部9710至顯示部9715、顯示部9721至顯示部9723還可以被用作照明裝置。此外，顯示部9710至顯示部9715、顯示部9721至顯示部9723還可以被用作加熱裝置。圖37a和圖37b所示的顯示裝置9500包括多個顯示面板9501、軸部9511、軸承部9512。多個顯示面板9501包括顯示區(qū)域9502、具有透光性的區(qū)域9503。多個顯示面板9501具有柔性。以其一部分互相重疊的方式設(shè)置相鄰的兩個顯示面板9501。例如，可以重疊相鄰的兩個顯示面板9501的各具有透光性的區(qū)域9503。通過使用多個顯示面板9501，可以實(shí)現(xiàn)屏幕大的顯示裝置。另外，根據(jù)使用情況可以卷繞顯示面板9501，所以可以實(shí)現(xiàn)通用性優(yōu)異的顯示裝置。圖37a和圖37b示出相鄰的顯示面板9501的顯示區(qū)域9502彼此分開的情況，但是不局限于此，例如，也可以通過沒有間隙地重疊相鄰的顯示面板9501的顯示區(qū)域9502，實(shí)現(xiàn)連續(xù)的顯示區(qū)域9502。本實(shí)施方式所示的電子設(shè)備包括用來顯示某些信息的顯示部。注意，本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件也可以應(yīng)用于不包括顯示部的電子設(shè)備。另外，雖然在本實(shí)施方式中示出了電子設(shè)備的顯示部具有柔性且可以在彎曲的顯示面上進(jìn)行顯示的結(jié)構(gòu)或能夠使其顯示部折疊的結(jié)構(gòu)，但不局限于此，也可以采用不具有柔性且在平面部上進(jìn)行顯示的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。實(shí)施方式8在本實(shí)施方式中，參照圖38a至圖39d對包括本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。圖38a是本實(shí)施方式所示的發(fā)光裝置3000的透視圖，圖38b是沿著圖38a所示的點(diǎn)劃線e-f切斷的截面圖。注意，在圖38a中，為了避免繁雜而以虛線表示構(gòu)成要素的一部分。圖38a及圖38b所示的發(fā)光裝置3000包括襯底3001、襯底3001上的發(fā)光元件3005、設(shè)置于發(fā)光元件3005的外周的第一密封區(qū)域3007以及設(shè)置于第一密封區(qū)域3007的外周的第二密封區(qū)域3009。另外，來自發(fā)光元件3005的發(fā)光從襯底3001和襯底3003中的任一個或兩個射出。在圖38a及圖38b中，說明來自發(fā)光元件3005的發(fā)光射出到下方一側(cè)(襯底3001一側(cè))的結(jié)構(gòu)。此外，如圖38a及圖38b所示，發(fā)光裝置3000具有以被第一密封區(qū)域3007及第二密封區(qū)域3009包圍的方式配置發(fā)光元件3005的雙密封結(jié)構(gòu)。通過采用雙密封結(jié)構(gòu)，能夠適當(dāng)?shù)匾种茝耐獠壳秩氚l(fā)光元件3005一側(cè)的雜質(zhì)(例如，水、氧等)。但是，并不一定必須要設(shè)置第一密封區(qū)域3007及第二密封區(qū)域3009。例如，可以只設(shè)置第一密封區(qū)域3007。注意，在圖38b中，第一密封區(qū)域3007及第二密封區(qū)域3009以與襯底3001及襯底3003接觸的方式設(shè)置。但是，不局限于此，例如，第一密封區(qū)域3007和第二密封區(qū)域3009中的一個或兩個可以以與形成在襯底3001的上方的絕緣膜或?qū)щ娔そ佑|的方式設(shè)置?；蛘?，第一密封區(qū)域3007和第二密封區(qū)域3009中的一個或兩個可以以與形成在襯底3003的下方的絕緣膜或?qū)щ娔そ佑|的方式設(shè)置。作為襯底3001及襯底3003的結(jié)構(gòu)，分別采用與上述實(shí)施方式所記載的襯底200及襯底220同樣的結(jié)構(gòu)，即可。作為發(fā)光元件3005的結(jié)構(gòu)，采用與上述實(shí)施方式所記載的發(fā)光元件同樣的結(jié)構(gòu)，即可。第一密封區(qū)域3007可以使用包含玻璃的材料(例如，玻璃粉、玻璃帶等)。另外，第二密封區(qū)域3009可以使用包含樹脂的材料。通過將包含玻璃的材料用于第一密封區(qū)域3007，可以提高生產(chǎn)率及密封性。此外，通過將包含樹脂的材料用于第二密封區(qū)域3009，可以提高抗沖擊性及耐熱性。但是，用于第一密封區(qū)域3007及第二密封區(qū)域3009的材料不局限于此，第一密封區(qū)域3007可以使用包含樹脂的材料形成，而第二密封區(qū)域3009可以使用包含玻璃的材料形成。另外，上述玻璃粉例如可以包含氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶、氧化鋇、氧化銫、氧化鈉、氧化鉀、氧化硼、氧化釩、氧化鋅、氧化碲、氧化鋁、二氧化硅、氧化鉛、氧化錫、氧化磷、氧化釕、氧化銠、氧化鐵、氧化銅、二氧化錳、氧化鉬、氧化鈮、氧化鈦、氧化鎢、氧化鉍、氧化鋯、氧化鋰、氧化銻、硼酸鉛玻璃、磷酸錫玻璃、釩酸鹽玻璃或硼硅酸鹽玻璃等。為了吸收紅外光，玻璃粉優(yōu)選包含一種以上的過渡金屬。此外，作為上述玻璃粉，例如，在襯底上涂敷玻璃粉漿料并對其進(jìn)行加熱處理或照射激光等。玻璃粉漿料包含上述玻璃粉及使用有機(jī)溶劑稀釋的樹脂(也稱為粘合劑)。注意，也可以使用在玻璃粉中添加有吸收激光束的波長的光的吸收劑的玻璃粉漿料。此外，作為激光，例如優(yōu)選使用nd：yag激光或半導(dǎo)體激光等。另外，激光照射形狀既可以為圓形又可以為四角形。此外，作為上述包含樹脂的材料，例如可以使用聚酯、聚烯烴、聚酰胺(尼龍、芳族聚酰胺等)、聚酰亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂、聚氨酯、環(huán)氧樹脂?；蛘撸部梢允褂霉柰染哂泄柩跬殒I的樹脂。注意，當(dāng)?shù)谝幻芊鈪^(qū)域3007和第二密封區(qū)域3009中的任一個或兩個使用包含玻璃的材料時，該包含玻璃的材料的熱膨脹率優(yōu)選近于襯底3001的熱膨脹率。通過采用上述結(jié)構(gòu)，可以抑制由于熱應(yīng)力而在包含玻璃的材料或襯底3001中產(chǎn)生裂縫。例如，在將包含玻璃的材料用于第一密封區(qū)域3007并將包含樹脂的材料用于第二密封區(qū)域3009的情況下，具有如下優(yōu)異的效果。第二密封區(qū)域3009被設(shè)置在比第一密封區(qū)域3007更靠近發(fā)光裝置3000的外周部一側(cè)。在發(fā)光裝置3000中，越接近外周部，起因于外力等的應(yīng)變越大。因此，使用包含樹脂的材料對產(chǎn)生更大的應(yīng)變的發(fā)光裝置3000的外周部一側(cè)，即為第二密封區(qū)域3009進(jìn)行密封，并且使用包含玻璃的材料對設(shè)置于第二密封區(qū)域3009的內(nèi)側(cè)的第一密封區(qū)域3007進(jìn)行密封，由此，即便發(fā)生起因于外力等的應(yīng)變，發(fā)光裝置3000也不容易損壞。另外，如圖38b所示，在被襯底3001、襯底3003、第一密封區(qū)域3007及第二密封區(qū)域3009包圍的區(qū)域中形成第一區(qū)域3011。此外，在被襯底3001、襯底3003、發(fā)光元件3005及第一密封區(qū)域3007包圍的區(qū)域中形成第二區(qū)域3013。第一區(qū)域3011及第二區(qū)域3013例如優(yōu)選填充有稀有氣體或氮?dú)怏w等非活性氣體?；蛘撸梢允褂帽┧針渲颦h(huán)氧樹脂等樹脂填充。注意，作為第一區(qū)域3011及第二區(qū)域3013，與大氣壓狀態(tài)相比，更優(yōu)選為減壓狀態(tài)。另外，圖38c示出圖38b所示的結(jié)構(gòu)的變形實(shí)例。圖38c是示出發(fā)光裝置3000的變形實(shí)例的截面圖。在圖38c所示的結(jié)構(gòu)中，襯底3003的一部分設(shè)置有凹部，并且，該凹部設(shè)置有干燥劑3018。其他結(jié)構(gòu)與圖38b所示的結(jié)構(gòu)相同。作為干燥劑3018，可以使用通過化學(xué)吸附來吸附水分等的物質(zhì)或者通過物理吸附來吸附水分等的物質(zhì)。作為可用作干燥劑3018的物質(zhì)，例如可以舉出堿金屬的氧化物、堿土金屬的氧化物(氧化鈣或氧化鋇等)、硫酸鹽、金屬鹵化物、高氯酸鹽、沸石或硅膠等。接著，參照圖39a至圖39d對圖38b所示的發(fā)光裝置3000的變形實(shí)例進(jìn)行說明。注意，圖39a至圖39d是說明圖38b所示的發(fā)光裝置3000的變形實(shí)例的截面圖。在圖39a至圖39d所示的發(fā)光裝置中，不設(shè)置第二密封區(qū)域3009，而設(shè)置第一密封區(qū)域3007。此外，在圖39a至圖39d所示的發(fā)光裝置中，具有區(qū)域3014代替圖38b所示的第二區(qū)域3013。作為區(qū)域3014，例如可以使用聚酯、聚烯烴、聚酰胺(尼龍、芳族聚酰胺等)、聚酰亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂、聚氨酯、環(huán)氧樹脂?；蛘?，也可以使用硅酮等具有硅氧烷鍵的樹脂。通過將上述材料用于區(qū)域3014，可以實(shí)現(xiàn)所謂的固體密封的發(fā)光裝置。另外，在圖39b所示的發(fā)光裝置中，在圖39a所示的發(fā)光裝置的襯底3001一側(cè)設(shè)置襯底3015。如圖39b所示，襯底3015具有凹凸。通過將具有凹凸的襯底3015設(shè)置于發(fā)光元件3005的提取光一側(cè)，可以提高來自發(fā)光元件3005的光的光提取效率。注意，可以設(shè)置用作擴(kuò)散板的襯底代替如圖39b所示那樣的具有凹凸的結(jié)構(gòu)。此外，圖39a所示的發(fā)光裝置具有從襯底3001一側(cè)提取光的結(jié)構(gòu)，而另一方面，圖39c所示的發(fā)光裝置具有從襯底3003一側(cè)提取光的結(jié)構(gòu)。圖39c所示的發(fā)光裝置在襯底3003一側(cè)包括襯底3015。其他結(jié)構(gòu)是與圖39b所示的發(fā)光裝置同樣的結(jié)構(gòu)。另外，在圖39d所示的發(fā)光裝置中，不設(shè)置圖39c所示的發(fā)光裝置的襯底3003、3015，而設(shè)置襯底3016。襯底3016包括位于離發(fā)光元件3005近的一側(cè)的第一凹凸以及位于離發(fā)光元件3005遠(yuǎn)的一側(cè)的第二凹凸。通過采用圖39d所示的結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)一步提高來自發(fā)光元件3005的光的光提取效率。因此，通過使用本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)由于水分或氧等雜質(zhì)而導(dǎo)致的發(fā)光元件的劣化得到抑制的發(fā)光裝置?；蛘撸ㄟ^使用本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)光提取效率高的發(fā)光裝置。注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施方式9在本實(shí)施方式中，參照圖40a至圖41說明將本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件適用于各種照明裝置及電子設(shè)備的情況的例子。通過將本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件形成在具有柔性的襯底上，能夠?qū)崿F(xiàn)包括具有曲面的發(fā)光區(qū)域的電子設(shè)備或照明裝置。此外，還可以將應(yīng)用了本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置適用于汽車的照明，其中該照明被設(shè)置于儀表盤、擋風(fēng)玻璃、車廂頂棚等。圖40a示出多功能終端3500的一個面的透視圖，圖40b示出多功能終端3500的另一個面的透視圖。在多功能終端3500中，框體3502組裝有顯示部3504、照相機(jī)3506、照明3508等。可以將本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置用于照明3508。將包括本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置的照明3508用作面光源。因此，不同于以led為代表的點(diǎn)光源，能夠得到指向性低的發(fā)光。例如，在將照明3508和照相機(jī)3506組合使用的情況下，可以在使照明3508點(diǎn)亮或閃爍的同時使用照相機(jī)3506來進(jìn)行拍攝。因為照明3508具有面光源的功能，可以獲得仿佛在自然光下拍攝般的照片。注意，圖40a及圖40b所示的多功能終端3500與圖33a至圖33g所示的電子設(shè)備同樣地可以具有各種各樣的功能。另外，可以在框體3502的內(nèi)部設(shè)置揚(yáng)聲器、傳感器(該傳感器具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)速、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)等。此外，通過在多功能終端3500內(nèi)部設(shè)置具有陀螺儀和加速度傳感器等檢測傾斜度的傳感器的檢測裝置，可以判斷多功能終端3500的方向(縱或橫)而自動進(jìn)行顯示部3504的屏面顯示的切換。也可以將顯示部3504用作圖像傳感器。例如，通過用手掌或手指觸摸顯示部3504，來拍攝掌紋、指紋等，能夠進(jìn)行個人識別。另外，通過在顯示部3504中設(shè)置發(fā)射近紅外光的背光或感測光源，也能夠拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。注意，可以將本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置適用于顯示部3504。圖40c示出安全燈(securitylight)3600的透視圖。安全燈3600在框體3602的外側(cè)包括照明3608，并且，框體3602組裝有揚(yáng)聲器3610等。可以將本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置用于照明3608。安全燈3600例如在抓住或握住照明3608時進(jìn)行發(fā)光。另外，可以在框體3602的內(nèi)部設(shè)置有能夠控制安全燈3600的發(fā)光方式的電子電路。作為該電子電路，例如可以為能夠一次或間歇地多次進(jìn)行發(fā)光的電路或通過控制發(fā)光的電流值能夠調(diào)整發(fā)光的光量的電路。此外，也可以組裝在照明3608進(jìn)行發(fā)光的同時從揚(yáng)聲器3610發(fā)出很大的警報音的電路。安全燈3600因為能夠向所有方向發(fā)射光，所以可以發(fā)射光或發(fā)出光和聲音來恐嚇歹徒等。另外，安全燈3600可以包括具有攝像功能的數(shù)碼靜態(tài)相機(jī)等照相機(jī)。圖41是將發(fā)光元件用于室內(nèi)照明裝置8501的例子。另外，因為發(fā)光元件可以實(shí)現(xiàn)大面積化，所以也可以形成大面積的照明裝置。此外，也可以通過使用具有曲面的框體來形成發(fā)光區(qū)域具有曲面的照明裝置8502。本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件為薄膜狀，所以框體的設(shè)計的自由度高。因此，可以形成能夠?qū)?yīng)各種設(shè)計的照明裝置。并且，室內(nèi)的墻面也可以設(shè)置有大型的照明裝置8503。也可以在照明裝置8501、照明裝置8502、照明裝置8503中設(shè)置觸摸傳感器，啟動或關(guān)閉電源。另外，通過將發(fā)光元件用于桌子的表面一側(cè)，可以提供具有桌子的功能的照明裝置8504。此外，通過將發(fā)光元件用于其他家具的一部分，可以提供具有家具的功能的照明裝置。如上所述，通過應(yīng)用本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置，能夠得到照明裝置及電子設(shè)備。注意，不局限于本實(shí)施方式所示的照明裝置及電子設(shè)備，該發(fā)光裝置可以應(yīng)用于各種領(lǐng)域的電子設(shè)備。本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施例1在本實(shí)施例中，示出本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的制造例子。圖42示出在本實(shí)施例中制造的發(fā)光元件的截面示意圖，表7示出元件結(jié)構(gòu)的詳細(xì)內(nèi)容。另外，下面示出這里所使用的化合物的結(jié)構(gòu)及簡稱。另外，關(guān)于其他化合物，參照實(shí)施方式1即可。[化5][表7]<發(fā)光元件的制造〉《發(fā)光元件1的制造》作為電極101，在襯底200上形成厚度為70nm的itso膜。另外，電極101的面積為4mm2(2mm×2mm)。接著，在電極101上，作為空穴注入層111以20nm的厚度共蒸鍍4,4’,4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并噻吩)(簡稱:dbt3p-ii)和氧化鉬，且將其重量比設(shè)定為1:0.5(dbt3p-ii:氧化鉬)。接著，在空穴注入層111上作為空穴傳輸層112以重量比(pccp：pcch)為0.99：0.01的方式共蒸鍍3，3’-雙(9-苯基-9h-咔唑)(簡稱：pccp)及3-(n-苯基-9h-咔唑-3-基)-9h-咔唑(簡稱：pcch)形成厚度為20nm的膜。接著，空穴傳輸層112上作為發(fā)光層160，以pccp與3，5-雙[3-(9h-咔唑-9-基)苯基]吡啶(簡稱：35dczppy)與三{2-[5-(2-甲基苯基)-4-(2，6-二異丙基苯基)-4h-1，2，4-三唑-3-基-κn2]苯基-κc}銥(iii)(簡稱：ir(mpptz-diprp)3)的重量比(pccp：35dczppy：ir(mpptz-diprp)3)為1：0.3：0.06且厚度為30nm的方式進(jìn)行共蒸鍍，然后，以35dczppy與ir(mpptz-diprp)3的重量比(35dczppy：ir(mpptz-diprp)3)為1：0.06且厚度為10nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。在發(fā)光層160中，35dczppy是第一有機(jī)化合物，pccp是第二有機(jī)化合物，ir(mpptz-diprp)3為客體材料(磷光化合物)。接著，在發(fā)光層160上作為電子傳輸層118以35dczppy與紅菲咯啉(簡稱：bphen)的厚度分別為10nm與15nm的方式依次進(jìn)行蒸鍍。接著，作為電子注入層119，在電子傳輸層118上以1nm的厚度蒸鍍氟化鋰(lif)。接著，作為電極102，在電子注入層119上以200nm的厚度形成鋁(al)。接著，在氮?dú)夥盏氖痔紫鋬?nèi)使用有機(jī)el用密封劑將襯底220固定于形成有有機(jī)材料的襯底200上，由此密封發(fā)光元件1。具體而言，將密封劑涂敷于形成在襯底200上的有機(jī)材料的周圍，貼合該襯底200和襯底220，對密封劑以6j/cm2照射波長為365nm的紫外光，并且以80℃進(jìn)行1小時的加熱處理。通過上述步驟得到發(fā)光元件1?！栋l(fā)光元件2至發(fā)光元件4的制造》發(fā)光元件2至發(fā)光元件4與之前所示的發(fā)光元件1的不同之處僅在于發(fā)光層160的形成工序，而其他工序都與發(fā)光元件1采用同樣的制造方法。作為發(fā)光元件2的發(fā)光層160，以pccp與pcch與35dczppy與ir(mpptz-diprp)3的重量比(pccp：pcch：35dczppy：ir(mpptz-diprp)3)為0.99：0.01：0.3：0.06且厚度為30nm的方式進(jìn)行共蒸鍍，接著，以35dczppy與ir(mpptz-diprp)3的重量比(35dczppy：ir(mpptz-diprp)3)為1：0.06且厚度為10nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。另外，在發(fā)光層160中，35dczppy為第一有機(jī)化合物，pccp為第二有機(jī)化合物，pcch為相當(dāng)于雜質(zhì)的有機(jī)化合物(具有nh基的有機(jī)化合物)，ir(mpptz-diprp)3為客體材料(磷光化合物)。作為發(fā)光元件3的發(fā)光層160，以pccp與pcch與35dczppy與ir(mpptz-diprp)3的重量比(pccp：pcch：35dczppy：ir(mpptz-diprp)3)為0.9：0.1：0.3：0.06且厚度為30nm的方式進(jìn)行共蒸鍍，然后以35dczppy與ir(mpptz-diprp)3的重量比(35dczppy：ir(mpptz-diprp)3)為1：0.06且厚度為10nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。另外，在發(fā)光層160中，35dczppy為第一有機(jī)化合物，pccp為第二有機(jī)化合物，pcch為相當(dāng)于雜質(zhì)的有機(jī)化合物(具有nh基的有機(jī)化合物)，ir(mpptz-diprp)3為客體材料(磷光化合物)。作為發(fā)光元件4的發(fā)光層160，以pcch與35dczppy與ir(mpptz-diprp)3的重量比(pcch：35dczppy：ir(mpptz-diprp)3)為1：0.3：0.06且厚度為30nm的方式進(jìn)行共蒸鍍，然后以35dczppy與ir(mpptz-diprp)3的重量比(35dczppy：ir(mpptz-diprp)3)為1：0.06且厚度為10nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。另外，在發(fā)光層160中，35dczppy為第一有機(jī)化合物，pcch為相當(dāng)于雜質(zhì)的有機(jī)化合物(具有nh基的有機(jī)化合物)，ir(mpptz-diprp)3為客體材料(磷光化合物)。<發(fā)光元件的特性>圖43示出制造出的發(fā)光元件1至4的亮度-電流密度特性。另外，圖44示出亮度-電壓特性。另外，圖45示出電流效率-亮度特性。另外，圖46示出外部量子效率-亮度特性。另外，圖47示出功率效率-亮度特性。另外，各發(fā)光元件的測量在室溫(保持為23℃的氣氛)下進(jìn)行。另外，表8示出1000cd/m2附近的發(fā)光元件1至4的元件特性。[表8]另外，圖48示出發(fā)光元件1至4以2.5ma/cm2的電流密度流過電流時的電致發(fā)射光譜(el光譜)。另外，圖48的縱軸表示以各電致發(fā)射光譜的最大值歸一化的發(fā)光強(qiáng)度(el強(qiáng)度)。如圖48所示，發(fā)光元件1至4的電致發(fā)射光譜的峰值波長為473nm，半峰全寬為63nm，呈現(xiàn)藍(lán)色發(fā)光。另外，如圖43至圖47及表8所示，發(fā)光元件1及發(fā)光元件2與發(fā)光元件3及發(fā)光元件4相比呈現(xiàn)高電流效率。另外，發(fā)光元件1及發(fā)光元件2的外部量子效率的最大值極高，分別為30％及29％。另外，發(fā)光元件1至發(fā)光元件3與發(fā)光元件4相比以低驅(qū)動電壓驅(qū)動。因此，發(fā)光元件1和發(fā)光元件2具有優(yōu)異的功率效率。其結(jié)果，與發(fā)光元件1及發(fā)光元件2相比發(fā)光元件3及發(fā)光元件4中的客體材料的發(fā)光強(qiáng)度下降。<吸收光譜及發(fā)射光譜的測定結(jié)果>這里，示出本實(shí)施例所使用的化合物的吸收光譜及發(fā)射光譜的測定結(jié)果。測定所使用的化合物為pcch及pccp。圖49a示出甲苯溶液中的pcch及pccp的吸收光譜及發(fā)射光譜，圖49b示出薄膜狀態(tài)的pcch及pccp的吸收光譜及發(fā)射光譜。當(dāng)測定吸收光譜時，使用紫外可見分光光度計(日本分光株式會社制造，v550型)。將各有機(jī)化合物的甲苯溶液放入石英皿中對甲苯溶液中的有機(jī)化合物(pcch及pccp)的吸收光譜進(jìn)行了測定，并示出從該吸收光譜減去使用石英皿測出的甲苯的吸收光譜而得到的吸收光譜。另外，薄膜的吸收光譜是如下吸收光譜，將各有機(jī)化合物蒸鍍在石英襯底上來制造樣品，并且從該樣品的吸收光譜減去石英的吸收光譜而得到的吸收光譜。另外，發(fā)射光譜的測定使用了pl-el測定裝置(由日本濱松光子學(xué)公司制造)。甲苯溶液中的各有機(jī)化合物的發(fā)射光譜是在將各有機(jī)化合物的甲苯溶液放入石英皿中進(jìn)行了測定。另外，薄膜的發(fā)射光譜將各有機(jī)化合物蒸鍍在石英襯底上制造樣品來進(jìn)行測定。此外，測定吸收光譜及發(fā)射光譜的薄膜在石英襯底上通過真空蒸鍍法形成。由測定結(jié)果可知，pcch及pccp的甲苯溶液中及薄膜中的吸收光譜幾乎相等。另外，由圖49b的薄膜的吸收光譜的數(shù)據(jù)可知，由假設(shè)為直接遷移的tauc曲線求出的pcch及pccp的吸收端分別為3.31ev及3.30ev。因此，估算pcch及pccp的固體狀態(tài)的光學(xué)能隙為3.31ev及3.30ev。由此可知，pcch及pccp在固體狀態(tài)時具有同等的較寬的能隙。<cv測定結(jié)果>接著，利用循環(huán)伏安法(cv)測定對pcch及pccp的電化學(xué)特性(氧化反應(yīng)特性及還原反應(yīng)特性)進(jìn)行測定。在測定中，使用電化學(xué)分析儀(bas株式會社(basinc.)制造，als型號600a或600c)，并且對將各化合物溶解于n，n-二甲基甲酰胺(簡稱：dmf)而成的溶液進(jìn)行測定。在測量中，在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)改變工作電極相對于參考電極的電位，來獲得氧化峰值電位以及還原電位峰值電位。另外，因為參考電極的氧化還原電位估計為-4.94ev，所以從該數(shù)值和所得到的峰值電位算出各化合物的homo能級及l(fā)umo能級。cv測定結(jié)果：pcch的氧化電位為0.57v，還原電位為-2.94v；pccp的氧化電位為0.685v，還原電位為-2.98v。另外，根據(jù)cv測定算出：pcch的homo能級為-5.51ev、lumo能級為-2.00ev；pccp的homo能級為-5.63ev、lumo能級為-1.96ev。<低溫下的發(fā)射光譜的測定結(jié)果>圖50a和圖50b示出在低溫(10k)下對pcch及pccp的發(fā)射光譜進(jìn)行測定的結(jié)果。在該發(fā)射光譜的測定中，利用顯微pl裝置labramhr-pl(由日本株式會社堀場制作所制造)，將測定溫度設(shè)定為10k，作為激發(fā)光使用波長為325nm的he-cd激光，作為檢測器使用ccd檢測器。另外，在石英襯底上形成50nm厚的用來測定的薄膜，并且在氮?dú)夥罩袑υ撌⒁r底從蒸鍍面一側(cè)貼合其他石英襯底之后，將其用于測定。此外，在該發(fā)射光譜的測量中，除了一般的發(fā)射光譜的測量以外，還進(jìn)行了著眼于發(fā)光壽命長的發(fā)光的時間分辨發(fā)射光譜的測量。由于這兩個發(fā)射光譜的測量在低溫(10k)下進(jìn)行，所以在一般的發(fā)射光譜的測量中，除了作為主要發(fā)光成分的熒光以外，還觀察到一部分磷光。另外，在著眼于發(fā)光壽命長的發(fā)光的時間分辨發(fā)射光譜的測量中，主要觀察到磷光。由上述測定的發(fā)射光譜結(jié)果可知，pcch的發(fā)射光譜的熒光成分及磷光成分的最短波長一側(cè)的峰值波長(包括肩峰)分別為391nm及469nm。另外，pccp的發(fā)射光譜的熒光成分及磷光成分的最短波長一側(cè)的峰值波長(包括肩峰)分別為391nm及467nm。因此，根據(jù)上述峰值的波長算出：pcch的s1能級為3.17ev、t1能級為2.64ev，pccp的s1能級為3.17ev、t1能級為2.66ev，pcch與pccp具有同等的s1能級及t1能級。另外，由上述測定結(jié)果可知：pcch及pccp的磷光成分中最短波長一側(cè)的峰值波長(469nm及467nm)比發(fā)光元件1至4的電致發(fā)射光譜的峰值波長(473nm)短，pcch及pccp的s1能級及t1能級是能夠充分地激發(fā)用于發(fā)光元件1至4的客體材料(ir(mpptz-diprp)3)的激發(fā)能級。由此可知，pcch及pccp的單個材料很難引起發(fā)光元件的猝滅。<利用光激發(fā)得到的發(fā)光元件的發(fā)射光譜的測定結(jié)果>接著，圖51示出對發(fā)光元件1至4照射波長為325nm的紫外光時的發(fā)射光譜(pl光譜)。如圖51所示，利用光激發(fā)得到發(fā)光元件1至4的發(fā)射光譜主要是源于峰值波長為474nm的客體材料的發(fā)光。另外，與發(fā)光元件1及發(fā)光元件2相比，發(fā)光元件3及發(fā)光元件4所呈現(xiàn)的客體材料的發(fā)射光譜強(qiáng)度(pl強(qiáng)度)弱。也就是說，在光激發(fā)中，發(fā)光元件3及發(fā)光元件4中的客體材料的發(fā)光強(qiáng)度下降。接著，圖52示出使發(fā)光元件1至4流過電流時得到的外部量子效率(el外部量子效率)與光激發(fā)中的發(fā)射光譜強(qiáng)度(pl強(qiáng)度)的關(guān)系。由圖52可知，電流流過時得到的外部量子效率(el外部量子效率)與光激發(fā)中的發(fā)射光譜強(qiáng)度(pl強(qiáng)度)成正比。因此，與發(fā)光元件1及發(fā)光元件2相比，發(fā)光元件3及發(fā)光元件4的電流效率下降不是由于因發(fā)光層中的主體材料及其濃度不同而引起的載流子平衡的變化，可以說是由于發(fā)光層中的發(fā)光量子產(chǎn)率下降。也就是說，由于pcch與35dczppy共存而使發(fā)光層中的發(fā)光量子產(chǎn)率下降的結(jié)果。如上所述，當(dāng)發(fā)光元件的發(fā)光層中含有35dczppy那樣的具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物時，優(yōu)選pcch那樣的含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物的含量低。具體地，優(yōu)選pcch那樣的含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物與35dczppy那樣的具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物的重量比為0.03以下，并且優(yōu)選pcch那樣的含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物與pccp那樣的具有含氮五元雜環(huán)骨架的化合物的重量比為0.01以下。<可靠性測試結(jié)果>接下來，圖53示出發(fā)光元件1至發(fā)光元件4的可靠性測試的測定結(jié)果。在該可靠性測試中，將各發(fā)光元件的電流密度設(shè)定為2.5ma/cm2，并以一定電流密度連續(xù)驅(qū)動各發(fā)光元件。其結(jié)果，在發(fā)光元件1、發(fā)光元件2、發(fā)光元件3及發(fā)光元件4中，劣化至初期亮度的50％的時間(亮度半衰期)分別為480小時、87小時、12小時及3.3小時，由此可知發(fā)光元件1具有優(yōu)異的可靠性。接著，圖54a示出相對于35dczppy(第一有機(jī)化合物)的pcch(雜質(zhì))的重量比與亮度半衰期的關(guān)系，圖54b示出相對于pccp(第二有機(jī)化合物)的pcch(雜質(zhì))的重量比與亮度半衰期的關(guān)系。繪制出發(fā)光元件2至發(fā)光元件4的亮度半衰期與相對于35dczppy的pcch的重量比的關(guān)系并以冪逼近(powerapproximation)進(jìn)行擬合得知：當(dāng)相對于35dczppy的pcch的重量比為0.003時，亮度半衰期同等于不含有pcch的發(fā)光元件1的亮度半衰期。也就是說，優(yōu)選相對于35dczppy的pcch的重量比為0.003以下。另外，繪制出發(fā)光元件2及發(fā)光元件3的亮度半衰期與相對于pccp的pcch的重量比的關(guān)系并以冪逼近進(jìn)行擬合得知：當(dāng)相對于pccp的pcch的重量比為0.001時，亮度半衰期同等于不含有pcch的發(fā)光元件1的亮度半衰期。也就是說，優(yōu)選相對于pccp的pcch的重量比為0.001以下。換言之，當(dāng)發(fā)光元件的發(fā)光層中含有35dczppy那樣的具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物時，優(yōu)選pcch那樣的含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物的含量低。具體地，優(yōu)選pcch那樣的含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物與35dczppy那樣的具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物的重量比為0.003以下，此時發(fā)光元件的可靠性高，并且優(yōu)選pcch那樣的含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物與pccp那樣的具有含氮五元雜環(huán)骨架的化合物的重量比為0.001以下，此時發(fā)光元件的可靠性高。以上，通過具有本發(fā)明的一個方式的結(jié)構(gòu)，可以制造發(fā)光效率高的發(fā)光元件。此外，可以制造功耗得到降低的發(fā)光元件。另外，可以制造可靠性優(yōu)異的發(fā)光元件。另外，可以制造發(fā)光效率高且可靠性優(yōu)異的呈現(xiàn)藍(lán)色發(fā)光的發(fā)光元件。以上，本實(shí)施例所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式及實(shí)施例適當(dāng)?shù)亟M合而使用。實(shí)施例2在本實(shí)施例中，示出本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的制造例子。在本實(shí)施例中制造的發(fā)光元件的截面示意圖可以參照圖42。表9示出元件結(jié)構(gòu)的詳細(xì)內(nèi)容。另外，下面示出這里所使用的化合物的結(jié)構(gòu)及簡稱。另外，其它的化合物可以參照之前的實(shí)施例及實(shí)施方式1。[化6][表9]<發(fā)光元件的作製>《發(fā)光元件5的制造》作為電極101，在襯底200上形成厚度為70nm的itso膜。電極101的面積為4mm2(2mm×2mm)。接著，在電極101上，作為空穴注入層111以20nm的厚度共蒸鍍dbt3p-ii和氧化鉬，且將其重量比(dbt3p-ii:氧化鉬)設(shè)定為1:0.5。接著，作為空穴傳輸層112，在空穴注入層111上以20nm的厚度蒸鍍pccp。接著，空穴傳輸層112上作為發(fā)光層160，以pccp與4，6-雙[3-(9h-咔唑-9-基)苯基]嘧啶(簡稱：4，6mczp2pm)與三{2-[4-(4-氰基-2，6-二異丁基苯基)-5-(2-甲基苯基)-4h-1，2，4-三唑-3-基-κn2]苯基-κc}銥(iii)(簡稱：ir(mpptz-dibucnp)3)的重量比(pccp：4，6mczp2pm：ir(mpptz-dibucnp)3)為0.6：0.4：0.125且厚度為30nm的方式進(jìn)行共蒸鍍，然后以pccp與4，6mczp2pm與ir(mpptz-dibucnp)3)的重量比(pccp：4，6mczp2pm：ir(mpptz-dibucnp)3)為0.2：0.8：0.125且厚度為10nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。另外，在發(fā)光層160中，4，6mczp2pm為第一有機(jī)化合物，pccp為第二有機(jī)化合物，ir(mpptz-dibucnp)3為客體材料(磷光化合物)。接著，在發(fā)光層160上作為電子傳輸層118，以4，6mczp2pm與bphen的厚度分別為10nm和15nm的方式依次進(jìn)行蒸鍍。接著，在電子傳輸層118上作為電子注入層119以1nm的厚度蒸鍍氟化鋰(lif)。接著，在電子注入層119上，作為電極102形成厚度為200nm的鋁(al)。接著，在氮?dú)夥盏氖痔紫鋬?nèi)使用有機(jī)el用密封劑將襯底220固定于形成有有機(jī)材料的襯底200上，由此密封發(fā)光元件5。另外，具體的方法與發(fā)光元件1同樣。通過上述步驟得到發(fā)光元件5?！栋l(fā)光元件6的制造》發(fā)光元件6與上述所示的發(fā)光元件5的不同之處僅在于發(fā)光層160的形成工序，而其他工序都與發(fā)光元件5采用同樣的制造方法。作為發(fā)光元件6的發(fā)光層160，以pcch、4，6mczp2pm、ir(mpptz-dibucnp)3的重量比(pcch：4，6mczp2pm：ir(mpptz-dibucnp)3)為0.6：0.4：0.125且厚度為30nm的方式進(jìn)行共蒸鍍，接著，以pcch、4，6mczp2pm、ir(mpptz-dibucnp)3的重量比(pcch：4，6mczp2pm：ir(mpptz-dibucnp)3)為0.2：0.8：0.125且厚度為10nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。另外，在發(fā)光層160中，4，6mczp2pm為第一有機(jī)化合物，pcch為相當(dāng)于雜質(zhì)的有機(jī)化合物(具有nh基的有機(jī)化合物)，ir(mpptz-dibucnp)3為客體材料(磷光化合物)?！栋l(fā)光元件7的制造》發(fā)光元件7與上述所示的發(fā)光元件5的不同之處僅在于發(fā)光層160及電子傳輸層118的形成工序，而其他工序都與發(fā)光元件5采用同樣的制造方法。作為發(fā)光元件7的發(fā)光層160，以pcch與2，4，6-三[3-(9h-咔唑-9-基)苯基]嘧啶(簡稱：mczp3pm)與ir(mpptz-dibucnp)3的重量比(pcch：mczp3pm：ir(mpptz-dibucnp)3)為0.6：0.4：0.125且厚度為30nm的方式進(jìn)行共蒸鍍，然后以pcch與mczp3pm與ir(mpptz-dibucnp)3的重量比(pcch：mczp3pm：ir(mpptz-dibucnp)3)為0.2：0.8：0.125且厚度為10nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。另外，在發(fā)光層160中，mczp3pm為第一有機(jī)化合物，pcch為相當(dāng)于雜質(zhì)的有機(jī)化合物(具有nh基的有機(jī)化合物)，ir(mpptz-dibucnp)3為客體材料(磷光化合物)。接著，在發(fā)光層160上作為電子傳輸層118，以mczp3pm與bphen的厚度分別為10nm和15nm的方式依次進(jìn)行蒸鍍。<發(fā)光元件的特性>圖55示出制造出的發(fā)光元件5至7的亮度-電流密度特性。另外，圖56示出亮度-電壓特性。另外，圖57示出電流效率-亮度特性。另外，圖58示出外部量子效率-亮度特性。另外，圖59示出功率效率-亮度特性。另外，各發(fā)光元件的測量在室溫(保持為23℃的氣氛)下進(jìn)行。另外，表10示出1000cd/m2附近的發(fā)光元件5至7的元件特性。[表10]另外，圖60示出發(fā)光元件5至7以2.5ma/cm2的電流密度流過電流時的電致發(fā)射光譜。另外，圖60的縱軸表示以各電致發(fā)射光譜的最大值歸一化的發(fā)光強(qiáng)度(el強(qiáng)度)。如圖60所示，發(fā)光元件5至7的電致發(fā)射光譜的峰值波長為490nm，半峰全寬為66nm，呈現(xiàn)藍(lán)色發(fā)光。另外，如圖55至圖59及表10所示，與發(fā)光元件6及發(fā)光元件7相比，發(fā)光元件5呈現(xiàn)高電流效率。另外，發(fā)光元件5的外部量子效率的最大值為34％，呈現(xiàn)了極佳的值。另外，與發(fā)光元件6及發(fā)光元件7相比發(fā)光元件5以低驅(qū)動電壓驅(qū)動。因此，發(fā)光元件5具有優(yōu)異的功率效率。因此，當(dāng)發(fā)光層含有4，6mczp2pm及mczp3pm那樣的具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物時，優(yōu)選pcch那樣的含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架的化合物的含量低。以上，通過具有本發(fā)明的一個方式的結(jié)構(gòu)，可以制造發(fā)光效率高的發(fā)光元件。此外，可以制造功耗得到降低的發(fā)光元件。另外，可以制造發(fā)光效率高且功耗低的呈現(xiàn)藍(lán)色發(fā)光的發(fā)光元件。以上，本實(shí)施例所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式及實(shí)施例適當(dāng)?shù)亟M合而使用。實(shí)施例3在本實(shí)施例中，制造能夠用于發(fā)光元件的發(fā)光層的薄膜并示出其光學(xué)特性的測定結(jié)果。表11示出所制造的薄膜的詳細(xì)情況。另外，化合物的結(jié)構(gòu)可以參照之前的實(shí)施例及實(shí)施方式1。[表11]<薄膜1至8的制造>作為薄膜1，在石英襯底上以pccp與ir(mpptz-diprp)3的重量比(pccp：ir(mpptz-diprp)3)為1：0.06且厚度為50nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。作為薄膜2，在石英襯底上以pccp與pcch與ir(mpptz-diprp)3的重量比(pccp：pcch：ir(mpptz-diprp)3)為0.99：0.01：0.06且厚度為50nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。作為薄膜3，在石英襯底上以pccp與pcch與ir(mpptz-diprp)3的重量比(pccp：pcch：ir(mpptz-diprp)3)為0.9：0.1：0.06且厚度為50nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。作為薄膜4，在石英襯底上以pcch與ir(mpptz-diprp)3的重量比(pcch：ir(mpptz-diprp)3)為1：0.06且厚度為50nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。作為薄膜5，在石英襯底上以pccp與35dczppy與ir(mpptz-diprp)3的重量比(pccp：35dczppy：ir(mpptz-diprp)3)為1：0.3：0.06且厚度為50nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。作為薄膜6，在石英襯底上以pcch與35dczppy與ir(mpptz-diprp)3的重量比(pcch：35dczppy：ir(mpptz-diprp)3)為1：0.3：0.06且厚度為50nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。作為薄膜7，在石英襯底上以重量比(pccp：35dczppy)為1：1的方式共蒸鍍pccp和35dczppy形成厚度為50nm的膜。作為薄膜8，在石英襯底上以pcch與35dczppy的重量比(pcch：35dczppy)為1：1且厚度為50nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。<發(fā)光量子產(chǎn)率的測定結(jié)果>發(fā)光量子產(chǎn)率的測定利用絕對pl量子產(chǎn)率測定裝置(由日本濱松光子學(xué)公司制造的c11347-01)，并在室溫下進(jìn)行測定。圖61示出照射波長為350nm的光時的薄膜1至4的發(fā)射光譜，圖62示出照射波長為350nm的光時的薄膜5及6的發(fā)射光譜，圖63示出照射波長為312nm的光時的薄膜7及8的發(fā)射光譜。從薄膜1至6，得到峰值波長在473nm附近的、源于ir(mpptz-diprp)3的發(fā)射光譜。另外，從薄膜7得到峰值波長在413nm附近的、源于pccp的發(fā)射光譜，從薄膜8得到峰值波長在413nm附近的、源于pcch的發(fā)射光譜。另外，圖64至圖66示出薄膜1至8的發(fā)光量子產(chǎn)率(pl量子產(chǎn)率)的測定結(jié)果。圖64是薄膜1至4的測定結(jié)果，圖65是薄膜5及6的測定結(jié)果，圖66是薄膜7及8的測定結(jié)果。另外，在圖64至圖66中的橫軸為照射的激發(fā)光的波長。另外，表12示出照射波長為350nm的光時的薄膜1至8的發(fā)光量子產(chǎn)率(pl量子產(chǎn)率)的測定結(jié)果。另外，pccp、pcch、35dczppy及ir(mpptz-diprp)3分別對波長為350nm的光具有吸收。[表12]樣品pl量子產(chǎn)率(％)薄膜189薄膜290薄膜384薄膜483薄膜576薄膜621薄膜723薄膜80.8如表12所示，通過比較含有客體材料的ir(mpptz-diprp)3的薄膜1至薄膜6的結(jié)果可知，薄膜1至5的發(fā)光量子產(chǎn)率高達(dá)76％至90％，而薄膜6的發(fā)光量子產(chǎn)率較低為21％。也就是說，這說明在薄膜6那樣的pcch與35dczppy共存的薄膜中，作為客體材料所使用的ir(mpptz-diprp)3的發(fā)光量子產(chǎn)率下降。另外，通過比較不含有客體材料的薄膜7及薄膜8可知，薄膜7的發(fā)光量子產(chǎn)率23％，與此相對，薄膜8的發(fā)光量子產(chǎn)率非常低，不到1％。也就是說，即便在不含有作為客體材料的ir(mpptz-diprp)3的薄膜中，pcch與35dczppy共存的薄膜的發(fā)光量子產(chǎn)率也降低。由此可以說，含有客體材料的薄膜6中發(fā)光量子產(chǎn)率下降的原因是由于pcch與35dczppy的共存。<過渡熒光特性的測定1>接著，利用時間分辨發(fā)光測定對薄膜1至6的過渡熒光特性進(jìn)行測定。在測量中，使用皮秒熒光壽命測量系統(tǒng)(日本濱松光子學(xué)公司制造)。在本測定中，對薄膜照射脈沖激光，并且使用條紋相機(jī)對在照射激光之后衰減的發(fā)光進(jìn)行時間分辨測量。作為脈沖激光使用波長為337nm的氮?dú)怏w激光，以10hz的頻率對薄膜照射500ps的脈沖激光，并且通過將反復(fù)測量的數(shù)據(jù)累計起來獲得s/n比高的數(shù)據(jù)。注意，測量是在室溫(保持在23℃的氣氛)下進(jìn)行的。另外，pccp、pcch及ir(mpptz-diprp)3分別至少對波長為337nm的光具有吸收。圖67示出通過測定得到的薄膜1至6的過渡熒光特性。如圖67所示，只有薄膜6的發(fā)光壽命短。這說明在pcch與35dczppy共存的薄膜中除了ir(mpptz-diprp)3的發(fā)光過程還存在其他的失活過程。<薄膜9至18的制造>接著，制造使用各種有機(jī)化合物的混合膜，并示出其過渡熒光特性的測定結(jié)果。表13示出制造出的薄膜的詳細(xì)情況。另外，化合物的結(jié)構(gòu)可以參照上述實(shí)施例及實(shí)施方式1。[表13]作為薄膜9，在石英襯底上以pccp與35dczppy與ir(mpptz-dibucnp)3的重量比(pccp：35dczppy：ir(mpptz-dibucnp)3)為0.5：0.5：0.125且厚度為50nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。作為薄膜10，在石英襯底上以pcch與35dczppy與ir(mpptz-dibucnp)3的重量比(pcch：35dczppy：ir(mpptz-dibucnp)3)為0.5：0.5：0.125且厚度為50nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。作為薄膜11，在石英襯底上以pcch與tmpypb與ir(mpptz-dibucnp)3的重量比(pcch：tmpypb：ir(mpptz-dibucnp)3)為0.5：0.5：0.125且厚度為50nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。作為薄膜12，在石英襯底上以pcch與4，4’mczp2bpy與ir(mpptz-dibucnp)3的重量比(pcch：4，4’mczp2bpy：ir(mpptz-dibucnp)3)為0.5：0.5：0.125且厚度為50nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。作為薄膜13，在石英襯底上以pcch與5，5’mczp2bpy(3)與ir(mpptz-dibucnp)3的重量比(pcch：5，5’mczp2bpy(3)：ir(mpptz-dibucnp)3)為0.5：0.5：0.125且厚度為50nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。作為薄膜14，在石英襯底上以pcch與tcta與ir(mpptz-dibucnp)3的重量比(pcch：tcta：ir(mpptz-dibucnp)3)為0.5：0.5：0.125且厚度為50nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。作為薄膜15，在石英襯底上以pcch與mcp與ir(mpptz-dibucnp)3的重量比(pcch：mcp：ir(mpptz-dibucnp)3)為0.5：0.5：0.125且厚度為50nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。作為薄膜16，在石英襯底上以pccp與4，6mczp2pm與ir(mpptz-dibucnp)3的重量比(pccp：4，6mczp2pm：ir(mpptz-dibucnp)3)為0.5：0.5：0.125且厚度為50nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。作為薄膜17，在石英襯底上以pcch與4，6mczp2pm與ir(mpptz-dibucnp)3的重量比(pcch：4，6mczp2pm：ir(mpptz-dibucnp)3)為0.5：0.5：0.125且厚度為50nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。作為薄膜18，在石英襯底上以pcch與mczp3pm與ir(mpptz-dibucnp)3的重量比(pcch：mczp3pm：ir(mpptz-dibucnp)3)為0.5：0.5：0.125且厚度為50nm的方式進(jìn)行共蒸鍍。<過渡熒光特性的測定2>從薄膜9至18觀測到源于用作客體材料的ir(mpptz-dibucnp)3的藍(lán)色發(fā)光。利用時間分辨發(fā)光測定對薄膜9至18的該發(fā)光的過渡熒光特性進(jìn)行了測定。測定方法與薄膜1至6的測定相同。另外，ir(mpptz-dibucnp)3至少對波長為337nm的光具有吸收。圖68示出通過測定得到的薄膜9至15的過渡熒光特性，圖69示出薄膜16至18的過渡熒光特性。如圖68所示，與薄膜9、薄膜14及薄膜15相比，薄膜10至13的發(fā)光壽命短。薄膜9是不含有具有nh基的有機(jī)化合物的薄膜，薄膜14及薄膜15是不含有具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物的薄膜。薄膜10至13是含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物(pcch)且含有具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物的薄膜。因此，通過上述兩個有機(jī)化合物的相互作用，除了作為客體材料的ir(mpptz-dibucnp)3的發(fā)光過程之外還發(fā)生了其它的失活過程。另外，如圖69所示，與薄膜16相比，薄膜17及薄膜18的發(fā)光壽命短。薄膜16是不含有具有nh基的有機(jī)化合物的薄膜。薄膜17和薄膜18是含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物(pcch)且含有具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物的薄膜。因此，通過上述兩個有機(jī)化合物的相互作用，除了作為客體材料的ir(mpptz-dibucnp)3的發(fā)光過程之外還發(fā)生了其它的失活過程。由此可知，由于包括含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架、仲胺骨架或伯胺骨架的有機(jī)化合物并包括具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物，可以用于發(fā)光層的薄膜中激子失活而使發(fā)光量子產(chǎn)率下降。換言之，當(dāng)發(fā)光層含有具有含氮六元芳雜環(huán)骨架的有機(jī)化合物時，優(yōu)選本發(fā)明的一個方式中含有具有nh基的含氮五元雜環(huán)骨架、仲胺骨架或伯胺骨架的有機(jī)化合物的含量少。以上，本實(shí)施例所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式及實(shí)施例適當(dāng)?shù)亟M合而使用。參考例1在本參考例中，對在實(shí)施例2中用作客體材料的有機(jī)金屬配合物的三{2-[4-(4-氰基-2，6-二異丁基苯基)-5-(2-甲基苯基)-4h-1，2，4-三唑-3-基-κn2]苯基-κc}銥(iii)(簡稱：ir(mpptz-dibucnp)3)的合成方法進(jìn)行說明。<合成例1>《步驟1：4-氨基-3，5-二異丁基苯腈的合成》將9.4g(50mmol)的4-氨基-3，5-二氯苯腈、26g(253mmol)的異丁基硼酸、54g(253mmol)的磷酸三鉀、2.0g(4.8mmol)的2-二環(huán)己基膦基-2’，6’-二甲氧基聯(lián)苯(s-phos)以及500ml的甲苯放入到1000ml的三口燒瓶中，并且對該燒瓶內(nèi)進(jìn)行氮?dú)庵脫Q。在燒瓶中進(jìn)行減壓的同時進(jìn)行攪拌，以使該混合物脫氣。在脫氣之后，對該混合物添加0.88g(0.96mmol)的三(二亞芐基丙酮)鈀(0)，在氮?dú)饬飨乱?30℃進(jìn)行8小時的攪拌。對所得到的反應(yīng)溶液添加甲苯，并且通過以硅藻土、氧化鋁、硅藻土的順序?qū)盈B的助濾劑進(jìn)行過濾。濃縮所得到的濾液得到油狀物。通過利用硅膠柱層析法純化所得到的油狀物。作為展開溶劑，使用甲苯。濃縮所得到的餾分，以87％的收率得到10g的黃色油狀物。利用核磁共振法(nmr)確認(rèn)到得到的黃色油狀物為4-氨基-3，5-二異丁基苯腈。如下述式(a-1)示出步驟1的合成方案。[化7]《步驟2：hmpptz-dibucnp的合成》將通過步驟1合成的11g(48mmol)的4-氨基-3，5-二異丁基苯腈、4.7g(16mmol)的n-(2-甲基苯基)氯亞甲基-n'-苯基氯亞甲基肼及40ml的n，n-二甲基苯胺放入到300ml的三口燒瓶中，在氮?dú)饬飨乱?60℃進(jìn)行7小時的攪拌并使其起反應(yīng)。在起反應(yīng)之后，將反應(yīng)溶液添加到300ml的1m鹽酸中，攪拌3小時。將有機(jī)層和水層分離，使用乙酸乙酯對水層進(jìn)行萃取。將有機(jī)層及得到的萃取溶液合并，使用飽和碳酸氫鈉及飽和食鹽水進(jìn)行洗滌，并對有機(jī)層添加無水硫酸鎂以進(jìn)行干燥。對所得到的混合物進(jìn)行重力過濾，并濃縮濾液，而得到油狀物。通過利用硅膠柱層析法純化所得到的油狀物。作為展開溶劑，使用己烷：乙酸乙酯＝5：1的混合溶劑。濃縮所得到的餾分，而得到固體。對所得到的固體添加己烷而照射超聲波，并進(jìn)行抽濾，以28％的收率得到2.0g的白色固體。利用核磁共振法(nmr)確認(rèn)到得到的白色固體為4-(4-氰基-2，6-二異丁基苯基)-3-(2-甲基苯基)-5-苯基-4h-1，2，4-三唑(簡稱：hmpptz-dibucnp)。如下述式(b-1)示出步驟2的合成方案。[化8]《步驟3：ir(mpptz-dibucnp)3的合成》將通過步驟2合成的2.0g(4.5mmol)的hmpptz-dibucnp及0.44g(0.89mmol)的三(乙酰丙酮)銥(iii)放入到安裝有三通旋塞的反應(yīng)容器中，在氬氣流下以250℃進(jìn)行43小時的攪拌。將所得到的反應(yīng)混合物添加到二氯甲烷中，而去除不溶物。濃縮得到的濾液而得到固體。通過硅膠柱層析法使所得到的固體純化。作為展開溶劑，使用二氯甲烷。濃縮所得到的餾分，而得到固體。利用乙酸乙酯/己烷的混合溶劑使得到的固體再結(jié)晶，以23％的收率得到0.32g的黃色固體。通過利用梯度升華方法對所得到的黃色固體中的0.31g進(jìn)行升華提純。在升華提純中，在壓力為2.6pa且氬流量為5.0ml/min的條件下，以310℃加熱19小時。在進(jìn)行升華提純之后，以84％的回收率得到0.26g的黃色固體。如下述式(c-1)示出步驟3的合成方案。[化9]利用核磁共振法(nmr)對通過上述步驟3得到的黃色固體的質(zhì)子(1h)進(jìn)行了測定。以下示出所得到的值。1h-nmrδ(cdcl3)：0.33(d，18h)，0.92(d，18h)，1.51-1.58(m，3h)，1.80-1.88(m，6h)，2.10-2.15(m，6h)，2.26-2.30(m，3h)，2.55(s，9h)，6.12(d，3h)，6.52(t，3h)，6.56(d，3h)，6.72(t，3h)，6.83(t，3h)，6.97(d，3h)，7.16(t，3h)，7.23(d，3h)，7.38(s，3h)，7.55(s，3h)。附圖標(biāo)記說明100el層101電極101a導(dǎo)電層101b導(dǎo)電層101c導(dǎo)電層102電極103電極103a導(dǎo)電層103b導(dǎo)電層104電極104a導(dǎo)電層104b導(dǎo)電層106發(fā)光單元108發(fā)光單元110發(fā)光單元111空穴注入層112空穴傳輸層113電子傳輸層114電子注入層115電荷產(chǎn)生層116空穴注入層117空穴傳輸層118電子傳輸層119電子注入層120發(fā)光層121主體材料122客體材料123b發(fā)光層123g發(fā)光層123r發(fā)光層130發(fā)光層131主體材料131_1有機(jī)化合物131_2有機(jī)化合物132客體材料140發(fā)光層141主體材料141_1有機(jī)化合物141_2有機(jī)化合物142客體材料145分隔壁150發(fā)光元件160發(fā)光層170發(fā)光層180發(fā)光層190發(fā)光層190a發(fā)光層190b發(fā)光層200襯底220襯底221b區(qū)域221g區(qū)域221r區(qū)域222b區(qū)域222g區(qū)域222r區(qū)域223遮光層224b光學(xué)元件224g光學(xué)元件224r光學(xué)元件250發(fā)光元件252發(fā)光元件254發(fā)光元件260a發(fā)光元件260b發(fā)光元件262a發(fā)光元件262b發(fā)光元件301_1布線301_5布線301_6布線301_7布線302_1布線302_2布線303_1晶體管303_6晶體管303_7晶體管304電容器304_1電容器304_2電容器305發(fā)光元件306_1布線306_3布線307_1布線307_3布線308_1晶體管308_6晶體管309_1晶體管309_2晶體管311_1布線311_3布線312_1布線312_2布線600顯示裝置601信號線驅(qū)動電路部602像素部603掃描線驅(qū)動電路部604密封襯底605密封劑607區(qū)域607a密封層607b密封層607c密封層608布線609fpc610元件襯底611晶體管612晶體管613下部電極614分隔壁616el層617上部電極618發(fā)光元件621光學(xué)元件622遮光層623晶體管624晶體管683液滴噴射裝置684液滴685包含組成物的層801像素電路802像素部804驅(qū)動電路部804a掃描線驅(qū)動電路804b信號線驅(qū)動電路806保護(hù)電路807端子部852晶體管854晶體管862電容器872發(fā)光元件1001襯底1002基底絕緣膜1003柵極絕緣膜1006柵電極1007柵電極1008柵電極1020層間絕緣膜1021層間絕緣膜1022電極1024b下部電極1024g下部電極1024r下部電極1024y下部電極1025分隔壁1026上部電極1028el層1028b發(fā)光層1028g發(fā)光層1028r發(fā)光層1028y發(fā)光層1029密封層1031密封襯底1032密封劑1033基材1034b著色層1034g著色層1034r著色層1034y著色層1035遮光層1036覆蓋層1037層間絕緣膜1040像素部1041驅(qū)動電路部1042周圍部1400液滴噴射裝置1402襯底1403液滴噴射單元1404成像單元1405頭1407控制單元1406空間1408存儲媒體1409圖像處理單元1410計算機(jī)1411標(biāo)記1412頭1413材料供應(yīng)源1414材料供應(yīng)源2000觸摸面板2001觸摸面板2501顯示裝置2502r像素2502t晶體管2503c電容器2503g掃描線驅(qū)動電路2503s信號線驅(qū)動電路2503t晶體管2509fpc2510襯底2510a絕緣層2510b柔性襯底2510c粘合層2511布線2519端子2521絕緣層2528分隔壁2550r發(fā)光元件2560密封層2567bm遮光層2567p反射防止層2567r著色層2570襯底2570a絕緣層2570b柔性襯底2570c粘合層2580r發(fā)光模塊2590襯底2591電極2592電極2593絕緣層2594布線2595觸摸傳感器2597粘合層2598布線2599連接層2601脈沖電壓輸出電路2602電流檢測電路2603電容器2611晶體管2612晶體管2613晶體管2621電極2622電極3000發(fā)光裝置3001襯底3003襯底3005發(fā)光元件3007密封區(qū)域3009密封區(qū)域3011區(qū)域3013區(qū)域3014區(qū)域3015襯底3016襯底3018干燥劑3054顯示部3500多功能終端3502框體3504顯示部3506照相機(jī)3508照明3600燈3602框體3608照明3610揚(yáng)聲器7101框體7102框體7103顯示部7104顯示部7105麥克風(fēng)7106揚(yáng)聲器7107操作鍵7108觸屏筆7121框體7122顯示部7123鍵盤7124定位設(shè)備7200頭盔顯示器7201安裝部7202透鏡7203主體7204顯示部7205電纜7206電池7300照相機(jī)7301框體7302顯示部7303操作按鈕7304快門按鈕7305結(jié)合部7306鏡頭7400取景器7401框體7402顯示部7403按鈕7500頭盔顯示器7501框體7502顯示部7503操作按鈕7504固定工具7505透鏡7510頭盔顯示器7701框體7702框體7703顯示部7704操作鍵7705透鏡7706連接部8000顯示模塊8001上蓋8002下蓋8003fpc8004觸摸傳感器8005fpc8006顯示裝置8009框架8010印刷電路板8011電池8501照明裝置8502照明裝置8503照明裝置8504照明裝置9000框體9001顯示部9003揚(yáng)聲器9005操作鍵9006連接端子9007傳感器9008麥克風(fēng)9050操作按鈕9051信息9052信息9053信息9054信息9055鉸鏈9100便攜式信息終端9101便攜式信息終端9102便攜式信息終端9200便攜式信息終端9201便攜式信息終端9300電視裝置9301支架9311遙控操作機(jī)9500顯示裝置9501顯示面板9502顯示區(qū)域9503區(qū)域9511軸部9512軸承部9700汽車9701車體9702車輪9703儀表盤9704燈9710顯示部9711顯示部9712顯示部9713顯示部9714顯示部9715顯示部9721顯示部9722顯示部9723顯示部當(dāng)前第1頁12