本實用新型涉及電子裝置的領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

通常是平行立面體形狀的已知電子裝置包括支撐板，包括電子連接網(wǎng)絡(luò)，安裝在支撐板一個面上的集成電路芯片，以及芯片嵌入其中的封裝塊。芯片由插入在支撐板與芯片之間的電連接元件(諸如連接球之類)或者由嵌入在封裝塊中的電連接引線而連接至支撐板的網(wǎng)絡(luò)。

這些電子裝置安裝在印刷電路板上，通常借由諸如連接球之類的電連接元件的方式，連接了支撐板的電連接網(wǎng)絡(luò)與印刷電路板的電連接網(wǎng)絡(luò)。

當(dāng)芯片產(chǎn)生將要發(fā)送的射頻信號時或者當(dāng)它們處理所接收的射頻信號時，發(fā)送或接收天線制造在印刷電路板上。電信號沿著由印刷電路板的電連接網(wǎng)絡(luò)的電線、在印刷電路板和支撐板之間的電連接元件、支撐板的電連接網(wǎng)絡(luò)的電線以及在支撐板之間的電連接元件所構(gòu)成的非常長的電阻性路徑前進(jìn)。這些路徑此外依賴于由制造引起的互連的質(zhì)量。

當(dāng)用于在吉赫茲量級或更大的、或者實際上遠(yuǎn)大于吉赫茲的頻率下傳輸射頻信號的天線的所需尺寸變得減小時，上文中的設(shè)置明顯地構(gòu)成障礙。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)一個實施例，提出了一種電子裝置，電子裝置包括：展現(xiàn)安裝面的支撐板，安裝在支撐板的安裝面上的至少一個集成電路芯片，其中嵌入了芯片的封裝塊，該封裝塊在支撐板的安裝面上在芯片之上 并在芯片周圍延伸并且展現(xiàn)正面，穿過封裝塊并且至少部分地暴露支撐板的安裝面或芯片的電接觸的至少一個穿通孔，以及延伸在封裝塊的正面之上并且連接至孔中電接觸的、由導(dǎo)電材料制成的至少一個層。

電接觸可以成型在支撐板的安裝面上，遠(yuǎn)離芯片的周邊。

電接觸可以成型在芯片的正面上。

封裝塊可以展現(xiàn)在正面中的至少一個溝槽，導(dǎo)電層在其中延伸。

根據(jù)一個實施例，提供一種電子裝置，包括：封裝塊，嵌入集成電路芯片，所述封裝塊包括至少部分地暴露第一電接觸的第一開口；以及由導(dǎo)電材料制成的層，在所述封裝塊的正面之上延伸并且連接至在所述第一開口中的所述第一電接觸。

可選地，所述層完全地填充所述第一開口。

可選地，所述第一電接觸是在所述集成電路芯片上的接觸。

可選地，所述第一電接觸是在支撐襯底上的接觸，所述集成電路芯片被安裝至所述支撐襯底。

可選地，所述封裝塊進(jìn)一步包括至少部分地暴露第二電接觸的第二開口；以及其中所述由導(dǎo)電材料制成的層在所述封裝塊的正面之上延伸以將所述第一電接觸電連接至所述第二電接觸。

附圖說明

現(xiàn)在將借由附圖所示的示例性實施例的方式描述電子裝置及它們的制造模式，其中：

圖1展現(xiàn)了穿過電子裝置的截面；

圖2展現(xiàn)了從圖1的電子裝置之上的視圖；

圖3以截面圖展現(xiàn)了圖1的電子裝置的制造步驟；

圖4以截面圖展現(xiàn)了圖1的電子裝置的另一制造步驟；

圖5以截面圖展現(xiàn)了圖1的電子裝置的另一制造步驟；

圖6以截面圖展現(xiàn)了圖1的電子裝置的另一制造步驟；

圖7展現(xiàn)了穿過另一電子裝置的截面圖；以及

圖8展現(xiàn)了穿過另一電子裝置的截面圖。

具體實施方式

如圖1和圖2中所示，根據(jù)示例性實施例，最終的電子裝置1包括支撐板2，安裝在支撐板2的正安裝面5上的集成電路芯片4，以及封裝塊6，支撐板2包括電連接網(wǎng)絡(luò)3，在封裝塊6中嵌入芯片4，并且封裝塊6在支撐板2的安裝面5上的芯片4周圍、在芯片4之上延伸。以此方式，電子裝置1獲得了平行六面體的形式。

根據(jù)所展現(xiàn)的一個變形實施例，集成電路芯片4借由電連接元件7(諸如連接球)的方式而安裝在支撐板2的安裝面5上，電連接元件選擇性地連接芯片4和電連接網(wǎng)絡(luò)3。根據(jù)另一變形實施例，芯片4可以粘合在支撐板2的安裝面5上并且由嵌入在封裝塊6中的電連接引線而連接至電連接網(wǎng)絡(luò)3。

根據(jù)所展現(xiàn)的一個變形實施例，封裝塊6展現(xiàn)了穿通孔8，穿通孔8從該塊的正面9、平行于支撐板2而成型，直至暴露成型在接觸板的安裝面5上的電連接網(wǎng)絡(luò)的電接觸10。穿通孔8被定位成遠(yuǎn)離芯片4的周圍并且遠(yuǎn)離主封裝塊6的周圍以及在它們之間。

在封裝塊6的正面9中成型狹長的溝槽11，其在孔8中形成。例如，溝槽11可以越過芯片4并且遠(yuǎn)離芯片4。

封裝塊6裝備具有由導(dǎo)電材料制成的層12，其延伸在其正面9的區(qū)域之上并且近似地填充了穿通孔8以便于連接至該孔中的電接觸10。

更確切地，導(dǎo)電層12延伸在溝槽11中以便于近似填充該溝槽11。層12由粘附效應(yīng)被保持在封裝塊6上。

導(dǎo)電層12可以由包括導(dǎo)電金屬顆粒的硬化樹脂制成。

此外，電子裝置1可以裝備具有用于外部電連接3a的元件，諸如連接球，其被布置在成型于支撐板2的與安裝面5相反的面2a上的電連接網(wǎng)絡(luò)3的電接觸3b上，這些電接觸3b選擇性地連接至支撐板2的電連接網(wǎng)絡(luò)3。

最終的電子裝置1可以以以下方式制造。

如圖3中所示，使用預(yù)制造的主電子裝置13，其包括支撐板2，如上所述安裝的芯片4以及封裝塊6，封裝塊6展現(xiàn)了完全平坦的正面9。

如圖4中所示，產(chǎn)生孔8和狹長的溝槽11。

接著，根據(jù)圖5中所示變形實施例，由液體或膏狀材料(也即能夠蠕動或流動)制成的導(dǎo)電層12借由噴射器14而沉積在孔8和溝槽11中，所沉積的材料的量能夠近似地填充孔8和溝槽11，溝槽11構(gòu)成了對材料蠕動的阻擋層。

或者，根據(jù)圖6中所示的另一變形實施例，沉積大幅度填充了孔8和溝槽11的導(dǎo)電材料15的量，并且通過在封裝塊6的正面9之上移動刮刀16來借由刮刀16而進(jìn)行該沉積材料15的刮削，以便于僅留下導(dǎo)電層12。

接著，例如在輻射的作用下進(jìn)行沉積層12的硬化。

如圖7中所示，根據(jù)另一示例性實施例，最終的電子裝置17不同于之前所述的電子裝置1之處在于：這次，導(dǎo)電層12直接地連接至被提供在芯片4的正面19上的特殊電接觸18。特殊電接觸18可以通過形成穿過集成電路芯片4的襯底的電連接而得到，已知名為TSV(“穿硅通孔”)。

在該示例性實施例中，等價于參照圖4所述的制造步驟在于：在位于芯片4之上的位置中穿過封裝塊6制造孔20，以便于暴露電接觸18，并且制造暴露在該孔20中形成的溝槽21。制造導(dǎo)電層12的以下步驟等價于參照圖5和圖6所述的那些。

剛剛已經(jīng)描述了的電子裝置可以從在共用支撐平板上的集體制造而得到。封裝塊和額外的封裝塊可以通過散布液體材料(例如環(huán)氧樹脂)并隨后硬化該材料而獲得。

剛剛已經(jīng)描述的電子裝置可以從在共用支撐平板上集體制造而得到，如微電子領(lǐng)域中所已知的那樣。

當(dāng)然，導(dǎo)電層12可以展現(xiàn)任何所需的拓?fù)湫螤睢?/p>

剛剛已經(jīng)描述的電子裝置的導(dǎo)電層12可以有利地構(gòu)成用于在非常高頻率(達(dá)到吉赫茲或大于吉赫茲，或?qū)嶋H上數(shù)百吉赫茲)下發(fā)送/接收射頻信號的電磁天線，經(jīng)由支撐板2的電連接網(wǎng)絡(luò)(圖1－圖2)或直接地(圖7)由電短路連接路徑而連接至芯片4。

但是，根據(jù)圖8中所示變形實施例，例如以條帶形式制造的導(dǎo)電層12可以構(gòu)成額外的無源電子部件，諸如電阻或扼流圈，其終端可以經(jīng)由電連接網(wǎng)絡(luò)3和/或直接地連接至芯片4，由此構(gòu)成了電橋。因此，該導(dǎo)電層12的終端可以經(jīng)由以等價于之前所述的方式從其正面穿過封裝塊6而成型的兩個孔22和23而連接至成型在支撐板2的正面上、或在芯片4的正面上、或者一個在支撐板2的正面上而另一個在芯片的正面上的電接觸24和25。