本實用新型涉及太陽能電池生產(chǎn)技術領域，尤其涉及一種適用于管式PECVD沉積工藝的鍍膜陪片。

背景技術：

在管式PECVD實驗過程中，通常會用到大量的假片作為實驗的陪片，而陪片則是用于將空缺位用填滿的廢硅片，由于這個空缺位的硅片擴散出來的方阻不理想，所以用陪片填補，因而該位置的硅片不用于生產(chǎn)正常片。

為了減少成本，通常這些陪片在連續(xù)使用5次后，會全部取出來進行返工處理，返工處理后進行重復使用。然而，現(xiàn)有技術中應用于管式PECVD實驗過程中的陪片，由于其經(jīng)管式PECVD沉積工藝之后，沉積的氮化硅膜層酸洗難度較大，容易造成陪片的浪費。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提出一種適用于管式PECVD沉積工藝的鍍膜陪片，能夠?qū)苁絇ECVD工藝中沉積的氮化硅膜層快速去除并且去除效果好，從而利于重復利用。

為達此目的，本實用新型采用以下技術方案：

一種適用于管式PECVD沉積工藝的鍍膜陪片，包括硅片，所述硅片的表面設置有絨面，所述絨面的表面預先沉積有二氧化硅膜層，

在管式PECVD沉積工藝中，待沉積膜沉積于所述二氧化硅膜層的表面。

其中，所述二氧化硅膜層的厚度為5～40nm。

其中，所述硅片的厚度不小于180um。

其中，所述待沉積膜為氮化硅膜層、氧化鋁膜層、二氧化鈦膜層或氮氧化硅膜層。

本實用新型的有益效果為：

本實用新型的適用于管式PECVD沉積工藝的鍍膜陪片，通過在硅片表面先制作絨面，然后在絨面的表面預先沉積有二氧化硅膜層，因而在鍍膜陪片進行返工清洗過程中，由于待沉積膜的底層有一層相對疏松的二氧化硅膜層，使得酸洗時就會大大提升去除待沉積膜的時間和效果，因此，其能夠?qū)苁絇ECVD工藝中沉積的氮化硅膜層快速去除并且去除效果好，從而利于重復利用。

附圖說明

圖1是本實用新型的鍍膜陪片的結構示意圖。

圖中：1-硅片；2-絨面；3-待沉積層；4-二氧化硅膜層。

具體實施方式

下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本實用新型的技術方案。

如圖1所示，一種適用于管式PECVD沉積工藝的鍍膜陪片，包括硅片1，所述硅片1的表面設置有絨面2，所述絨面2的表面預先沉積有二氧化硅膜層4。該鍍膜陪片在管式PECVD沉積工藝中，待沉積膜3沉積于所述二氧化硅膜層4的表面。其中，所述待沉積膜3為氮化硅膜層、氧化鋁膜層、二氧化鈦膜層或氮氧化硅膜層。具體根據(jù)實際需要而定。

優(yōu)選的，所述二氧化硅膜層4的厚度為5～40nm，如厚度可以為5nm、7nm、10nm、12nm、15nm、17nm、19nm、23nm、25nm、28nm、30nm、32nm、34nm、36nm、37nm、38nm、39nm、40nm，這樣在后續(xù)返工處理時，由于待沉積膜3如氮化硅等的底層有一層相對疏松的二氧化硅膜層4，因而在酸洗時就會大大的提升去除氮化硅膜層的時間和效果。

進一步地，所述硅片1的厚度不小于180um，如厚度可以為180um、188um、192um、195um、200um等，從而可以避免硅片破碎。

特別地，在本實施例中，由于其鍍膜陪片是用于管式PECVD沉積實驗，因而鍍膜陪片需要在硅片的表面先制絨，使硅片的表面形成絨面，而且鍍膜陪片的絨面的大小需要和實驗時的真片的表面絨面保持一致，例如，鍍膜陪片和真片的表面絨面坑洞大小的差異要保持在10％以內(nèi)；正是由于管式PECVD的鍍膜方式是屬于直接式的，硅片是電極的一部分，是直接參與反應鍍膜的，因而硅片表面不同的絨面會導致薄膜沉積的速率不同，因而如果鍍膜陪片的表面的絨面和真片差異較大，就會影響到真片的鍍膜效果，從而影響實驗結果。

綜上所述，本實用新型的鍍膜陪片，在管式PECVD沉積工藝中使用，可以將其設置于電池片的一些空缺位置，用于遮擋該空缺位置；并在硅片的表面做絨面，然后在絨面的表面預先沉積一層二氧化硅膜層的襯底，使得在后續(xù)的沉積工藝中待沉積膜直接沉積在該二氧化硅膜層的表面，利用二氧化硅膜層的疏松特性，利于酸洗時去除之前沉積的待沉積膜，便于重復利用。

以上結合具體實施例描述了本實用新型的技術原理。這些描述只是為了解釋本實用新型的原理，而不能以任何方式解釋為對本實用新型保護范圍的限制?；诖颂幍慕忉?，本領域的技術人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動即可聯(lián)想到本實用新型的其它具體實施方式，這些方式都將落入本實用新型的保護范圍之內(nèi)。