本實(shí)用新型涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

太陽能電池性能的提升是光伏領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展的重要標(biāo)志。其中太陽能電池的開路電壓，短路電流，填充因子是太陽能電池的基本性能指標(biāo)。提升其中任何一個(gè)指標(biāo)都會(huì)提升太陽能電池的發(fā)電量。

叉指背接觸（IBC)結(jié)構(gòu)太陽能電池，由于將正面柵線全部移到背面，因此大大減少了正面柵線帶來的遮擋損失，提升了短路電流；另外，在背面形成了叉指形狀的電池結(jié)構(gòu)，即第一導(dǎo)電類型(如N型)背場和第二導(dǎo)電類型(如P型)發(fā)射極形成交叉排列的指狀結(jié)構(gòu)，如圖1所示，由于這種結(jié)構(gòu)縮短了載流子輸運(yùn)的路程和金屬化的面積，也同時(shí)提升了填充因子和開路電壓。因此，IBC結(jié)構(gòu)太陽能電池具有很高的能量轉(zhuǎn)換效率。

對(duì)于異質(zhì)結(jié)電池而言，如果采用IBC結(jié)構(gòu)，上下表面使用含氫非晶硅（a-Si:H(i)）作為鈍化層，含氫非晶硅(a-Si:H(n+)、a-Si:H(p+))薄膜作為摻雜層，正面為減反射薄膜，背面為透明導(dǎo)電氧化物薄膜（TCO）如摻錫氧化銦，摻鎢氧化銦，摻鋁氧化鋅等和金屬電極。

由于非晶硅帶隙較窄受到限制限制，正面的鈍化層和前場摻雜層會(huì)對(duì)入射的太陽光進(jìn)行吸收，從而降低了入射光的利用率，限制了短路電流的提升。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種太陽能電池片及太陽能電池組件，結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，提高了入射光的利用率，提高了太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是：包括襯底、襯底上下表面的鈍化層、位于上表面鈍化層上的前場摻雜層、位于前場摻雜層上的減反射層、位于下表面鈍化層下的叉指結(jié)構(gòu)、TCO薄膜和金屬電極，鈍化層為氫化非晶氧化硅薄膜。

作為優(yōu)選，氫化非晶氧化硅薄膜厚度為1-6nm。

作為優(yōu)選，前場摻雜層采用含氫微晶硅。

作為優(yōu)選，前場摻雜層的含氫微晶硅厚度為5-20nm。

作為優(yōu)選，叉指結(jié)構(gòu)采用含氫微晶硅。

作為優(yōu)選，叉指結(jié)構(gòu)的含氫微晶硅厚度為5-20nm。

作為優(yōu)選，減反射層采用摻氫氮化硅薄膜。

進(jìn)一步的，一種太陽能電池組件，包括鋼化玻璃、EVA薄膜、背板和鋁合金邊框，其特征在于還包括以上任一項(xiàng)所述的太陽能電池片。

采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于：本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，氫化非晶氧化硅具有更高的氫含量和優(yōu)良的鈍化效果，可獲得較高的開路電壓，提高入射光的利用率，增加光子利用率，鈍化層和前場摻雜層有較寬的帶隙，減少鈍化層和前場摻雜層對(duì)入射光子的吸收，提高了太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換工作效率。

附圖說明

圖1是已有技術(shù)IBC結(jié)構(gòu)背面圖；

圖2是本實(shí)用新型太陽能電池片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本實(shí)用新型太陽能電池組件示意圖；

圖4是圖3的A向視圖。

圖中：1、負(fù)極區(qū)；2、正極區(qū)；3、減反射層；4、前場摻雜層；5、鈍化層；6、襯底；7、叉指結(jié)構(gòu)；8、TCO薄膜；9、金屬電極；10、鋁合金邊框；11、太陽能電池片；12、背板；13、EVA薄膜；14、鋼化玻璃。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

如圖1所示IBC結(jié)構(gòu)背面圖，現(xiàn)有技術(shù)中負(fù)極區(qū)1和正極區(qū)2穿插設(shè)置。

如圖2所示，為本實(shí)用新型一種太陽能電池片的一個(gè)實(shí)施例，包括襯底6、襯底6上下表面的鈍化層5、位于上表面鈍化層5上的前場摻雜層4、位于前場摻雜層4上的減反射層3、位于下表面鈍化層5下的叉指結(jié)構(gòu)7、TCO薄膜8和金屬電極9，鈍化層5為氫化非晶氧化硅薄膜；選用N型襯底，鈍化層5為超薄氫化非晶氧化硅薄膜（a-SiOx:H），厚度范圍為1-6nm；a-SiOx:H 具有更高的H含量和優(yōu)良的鈍化效果，可獲得較高的開路電壓；另外a-SiOx:H具有較寬的帶隙，可以減少鈍化層對(duì)入射光的吸收，增加光子利用率；帶隙的大小可根據(jù)工藝條件控制在1.7-2.4eV，最佳選擇為2.2eV；叉指結(jié)構(gòu)7包括N型指區(qū)和P型指區(qū)，N型指區(qū)可采用摻雜的uc-Si:H(n+)或a-Si:H(n+), P型指區(qū)可采用摻雜的uc-Si:H(p+)或a-Si:H(p+)；N型指區(qū)和P型指區(qū)的非晶硅下為TCO薄膜8，TCO薄膜8下緊鄰的為金屬電極9。

前場摻雜層4采用含氫微晶硅（uc-Si:H），含氫微晶硅厚度為5-20nm；uc-Si:H具有較寬的帶隙2-2.4eV, 可以減少窗口層對(duì)入射光的吸收，增加光子利用率。

叉指結(jié)構(gòu)采用含氫微晶硅，叉指結(jié)構(gòu)的含氫微晶硅厚度為5-20nm。

減反射層3采用摻氫氮化硅（SiNx:H）薄膜，折射率調(diào)節(jié)范圍廣。

如圖3和圖4所示，為本實(shí)用新型一種太陽能電池組件的一個(gè)實(shí)施例，包括鋼化玻璃14、EVA（乙烯-醋酸乙烯共聚物）薄膜13、背板12和鋁合金邊框10，還包括太陽能電池片11。

使用過程：

將太陽能電池片11封裝在EVA中間，EVA外分別為鋼化玻璃14和背板12，并將上述安裝好的組件外安裝鋁合金邊框10。

采用上述技術(shù)方案后，使用方便，氫化非晶氧化硅具有更高的氫含量和優(yōu)良的鈍化效果，可獲得較高的開路電壓，采用帶隙較寬的材料作為鈍化層和前場摻雜層，克服了現(xiàn)有技術(shù)中正面非晶硅對(duì)太陽光的吸收，增加了入射光的利用率，拓寬了電池對(duì)太陽能光譜的吸收范圍，提升了電池的短路電流；使用超薄的a-SiOx:H作為鈍化層，由于厚度很薄，不影響電子的傳輸，而a-SiOx:H具有更高的H含量和更加優(yōu)良的鈍化效果，對(duì)IBC太陽能電池性能的提升具有有利的效果。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。