本實用新型涉及太陽能電池制造
技術領域：
，尤其涉及一種飽和用管式PECVD石墨舟。
背景技術：
：隨著抗PID技術的發(fā)展，臭氧技術、笑氣技術以及PECVD無預清洗工藝都可以作為抗PID方式，因而導致提高氮化硅折射率不再是唯一的抗PID方式；然而，隨著使用臭氧技術、笑氣技術以及PECVD無預清洗工藝，可以降低硅片折射率RI，由于RI的降低可以帶來短流及效率的增益，但同時由于Si/N的比例也會降低，這又導致導電性變?nèi)?，氮化硅均勻性越來越差，會出現(xiàn)色差片的困擾，且影響轉(zhuǎn)換效率。如圖1、2所示，現(xiàn)有技術中的飽和用管式PECVD石墨舟，其包括石墨舟片1，所述石墨舟片1上設置有用于固定硅片外圈的多個銷釘2。當清洗完成后的空舟進行飽和時，參與導電的銷釘2的外表面會沉積氮化硅，從而影響氮化硅的均勻性，造成色差片，在低折射率工藝下情況更為嚴重。技術實現(xiàn)要素：本實用新型的目的在于提出一種飽和用管式PECVD石墨舟，能夠有效保護銷釘不被沉積氮化硅，從而極大改善電池片鍍膜均勻性。為達此目的，本實用新型采用以下技術方案：一種飽和用管式PECVD石墨舟，包括若干個石墨舟片，每個所述石墨舟片上用于固定硅片的外圈設置有多個銷釘，相鄰兩個所述石墨舟片中，對應位置處的所述銷釘之間設置有陶瓷環(huán)，所述陶瓷環(huán)套設于所述銷釘上。優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)的長度為8mm～15mm。進一步優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)的長度為11mm。優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)的內(nèi)徑為5mm～12mm。進一步優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)的內(nèi)徑為8mm。優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)的外徑為7.5mm～12mm。進一步優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)的外徑為10mm。其中，所述銷釘包括中間環(huán)，對稱設置于所述中間環(huán)的兩端部的燕尾結構，所述中間環(huán)與所述石墨舟片配合，所述陶瓷環(huán)套設于所述燕尾結構上。進一步地，所述燕尾結構的大端面的徑向尺寸略小于所述陶瓷環(huán)的內(nèi)徑。進一步地，所述燕尾結構的大端面的徑向尺寸為7mm。本實用新型的有益效果為：本實用新型的飽和用管式PECVD石墨舟，包括若干個石墨舟片，每個所述石墨舟片上用于固定硅片的外圈設置有多個銷釘，相鄰兩個所述石墨舟片中，對應位置處的所述銷釘之間設置有陶瓷環(huán)，所述陶瓷環(huán)套設于所述銷釘上；其通過在銷釘上套設陶瓷環(huán)，從而利用陶瓷環(huán)很好地保護了銷釘，避免其被沉積氮化硅，從而極大改善電池片鍍膜均勻性。附圖說明圖1是現(xiàn)有技術中的飽和用管式PECVD石墨舟的主視結構示意圖。圖2是圖1中的飽和用管式PECVD石墨舟的俯視結構示意圖。圖3是本實用新型的飽和用管式PECVD石墨舟的主視結構示意圖。圖4是圖3中的飽和用管式PECVD石墨舟的俯視結構示意圖。圖5是圖4中的銷釘與陶瓷環(huán)裝配后的主視結構示意圖。圖6是圖5中的銷釘與陶瓷環(huán)裝配后的俯視結構示意圖。圖中：1-石墨舟片；2-銷釘；3-陶瓷環(huán)；21-中間環(huán)；22-燕尾結構。具體實施方式下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本實用新型的技術方案。如圖3至6所示，一種飽和用管式PECVD石墨舟，包括若干個石墨舟片1，每個所述石墨舟片1上用于固定硅片的外圈設置有多個銷釘2，相鄰兩個所述石墨舟片1中，對應位置處的所述銷釘2之間設置有陶瓷環(huán)3，所述陶瓷環(huán)3套設于所述銷釘2上。其通過在銷釘2上套設陶瓷環(huán)3，從而利用陶瓷環(huán)3很好地保護了銷釘2，避免其被沉積氮化硅，從而極大改善電池片鍍膜均勻性。而且，一個陶瓷環(huán)3可以同時套設在相鄰兩片石墨舟片的同一高度位置處的兩個銷釘2上，從而也可以起到相鄰兩個石墨舟片的支撐定位，也能節(jié)省成本，使得安裝的穩(wěn)定性更好。優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)3的長度為8mm～15mm，具體可以為8mm、8.5mm、9mm、9.5mm、10mm、10.5mm、11mm、11.5mm、12mm、12.5mm、13mm、13.5mm、14mm、15mm。進一步優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)3的長度為11mm。優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)3的內(nèi)徑為5mm～12mm，具體可以為5mm、5.5mm、6mm、6.5mm、7mm、7.5mm、8mm、8.5mm、9mm、9.5mm、10mm、10.5mm、11mm、11.5mm、12mm、12.5mm、13mm、13.5mm、14mm、14.5mm、15mm。進一步優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)3的內(nèi)徑為8mm。優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)的外徑為7.5mm～12mm，具體可以為7.5mm、8mm、8.5mm、9mm、9.5mm、10mm、10.5mm、11mm、11.5mm、12mm。進一步優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)的外徑為10mm。如圖5、6所示，所述銷釘2包括中間環(huán)21，對稱設置于所述中間環(huán)21的兩端部的燕尾結構22，所述中間環(huán)21與所述石墨舟片1配合，所述陶瓷環(huán)3套設于所述燕尾結構22上。為了能夠使得陶瓷環(huán)很好地套設于燕尾結構22上，所述燕尾結構22的小端面與中間環(huán)21的端面連接，且燕尾結構22的小端面和大端面均平行于中間環(huán)21的端面，所述燕尾結構22的大端面的徑向尺寸略小于所述陶瓷環(huán)3的內(nèi)徑。具體地，所述燕尾結構22的大端面的徑向尺寸為7mm?？罩埏柡瓦^程中，銷釘2沉積氮化硅是導致PECVD鍍膜均勻性較差的關鍵因素。本實用新型通過重新設計石墨舟飽和時的結構，增加陶瓷環(huán)3保護住銷釘2，因而等離子體被陶瓷環(huán)3阻擋，無法進入銷釘區(qū)域，也就沒有氮化硅在銷釘2上沉積，而這又不影響石墨舟片1的飽和，從而在進行鍍膜工藝時，極大改善電池片鍍膜均勻性，且提高多晶轉(zhuǎn)換效率0.04％。對于未使用陶瓷環(huán)和使用陶瓷環(huán)的結構，做了對比，在對比測試中，將未使用陶瓷環(huán)記為改善前，使用陶瓷環(huán)記為改善后；具體對比內(nèi)容為氮化硅的厚度非均勻性以及效率，對比結果如表1所示：表1組別氮化硅的厚度非均勻性效率改善前3.2％18.50％改善后1.6％18.54％根據(jù)表1可知，對于每片硅片來說，增加了陶瓷環(huán)用于保護銷釘之后，其非均勻性極大降低，也就是說，均勻性極大地提高，轉(zhuǎn)化效率也相應得到提升。以上結合具體實施例描述了本實用新型的技術原理。這些描述只是為了解釋本實用新型的原理，而不能以任何方式解釋為對本實用新型保護范圍的限制?；诖颂幍慕忉專绢I域的技術人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動即可聯(lián)想到本實用新型的其它具體實施方式，這些方式都將落入本實用新型的保護范圍之內(nèi)。當前第1頁1 2 3