本實(shí)用新型屬于太陽(yáng)能電池制造領(lǐng)域，具體地說(shuō)，涉及一種上鍍膜設(shè)備中的石墨框。

背景技術(shù)：

隨著全球能源日益緊張，太陽(yáng)能作為新興的可再生能源得到了廣泛的重視和大力的發(fā)展。太陽(yáng)能電池是一種利用太陽(yáng)光直接發(fā)電的光電半導(dǎo)體薄片，它可以通過(guò)光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能。只要被滿(mǎn)足一定照度條件的光照到，太陽(yáng)能電池瞬間就可輸出電壓及在有回路的情況下產(chǎn)生電流。

為了提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，研究人員正在對(duì)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)進(jìn)行研發(fā)。在太陽(yáng)能電池生產(chǎn)過(guò)程中，需要對(duì)硅片進(jìn)行鍍膜操作。目前常用的鍍膜方法分為上鍍膜和下鍍膜。

采用上鍍膜設(shè)備進(jìn)行太陽(yáng)能電池生產(chǎn)時(shí)，需要通過(guò)接觸硅片表面，將硅片從上料端移載到石墨框托盤(pán)中進(jìn)行成膜操作。由于工藝限制，在鍍膜前和鍍膜后只能采用特殊的硬材質(zhì)對(duì)硅片的移載才能取得較好的效果，因此目前常用移載方法是采用正壓吸盤(pán)吸附硅片，并在距離石墨框托盤(pán)一定高度時(shí)進(jìn)行放片。

由于上鍍膜工藝的特殊性，石墨框托盤(pán)的片槽是非鏤空的，這樣會(huì)存在氣墊效應(yīng)進(jìn)而導(dǎo)致將硅片放置在片槽上時(shí)產(chǎn)生偏移。在將硅片從上料端移載到石墨框托盤(pán)中時(shí)，如果硅片位置不正，需要手動(dòng)調(diào)整硅片位置，將其擺正。不但浪費(fèi)人力，而且手工操作誤差大。而且如果硅片位置沒(méi)有調(diào)整到位，會(huì)產(chǎn)生碎片，導(dǎo)致返工率上升，提高了生產(chǎn)成本。鍍膜后，將硅片從石墨框托盤(pán)移載至下料端時(shí)，由于石墨框片槽底部氣流對(duì)硅片有吸附力，且硅片容易刮到片槽邊緣，也會(huì)使硅片的碎片率上升。

因此，急需一種能夠降低硅片碎片率，節(jié)約人力成本和生產(chǎn)生本的用于上鍍膜設(shè)備中的石墨框。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中，上鍍膜設(shè)備中的石墨框所存在的缺陷，本實(shí)用新型提供了一種上鍍膜設(shè)備中的石墨框。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供一種上鍍膜設(shè)備中的石墨框，所述石墨框包括：片槽和片間檔條；

所述片槽設(shè)置于所述石墨框上，用于承載硅片；

所述片間檔條設(shè)置于所述片槽四周，用于隔擋放置于所述片槽上的硅片；

所述片間檔條的隔擋硅片側(cè)設(shè)置有倒角區(qū)。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施方式，所述倒角區(qū)的斜邊與水平線所呈角度在20°～60°之間。

根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)具體實(shí)施方式，所述倒角區(qū)的斜邊與水平線所呈角度為30°。

根據(jù)本實(shí)用新型的又一個(gè)具體實(shí)施方式，所述倒角區(qū)在水平方向的投影長(zhǎng)度不超過(guò)其所在的所述片間檔條的寬度的25％。

根據(jù)本實(shí)用新型的又一個(gè)具體實(shí)施方式，所述倒角區(qū)在水平方向的投影長(zhǎng)度為其所在的所述片間檔條的寬度的20％。

根據(jù)本實(shí)用新型的又一個(gè)具體實(shí)施方式，所述片槽的尺寸大于所述硅片。

本實(shí)用新型通過(guò)在片間擋條的隔擋硅片側(cè)設(shè)置倒角區(qū)，實(shí)現(xiàn)對(duì)上料時(shí)產(chǎn)生的氣墊效應(yīng)進(jìn)行排氣，并取得了良好的排氣效果；同時(shí)，倒角區(qū)的設(shè)置還能夠解除對(duì)下料時(shí)片槽和硅片之間的吸附力，并取得良好的解除效果。在上鍍膜設(shè)備中采用本實(shí)用新型提供的石墨框能夠在保障工藝流程的前提下改善硅片傳輸?shù)臏?zhǔn)確性，減少因硅片放置不準(zhǔn)導(dǎo)致碎片和返工，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：

圖1所示為根據(jù)本實(shí)用新型提供的一種上鍍膜設(shè)備中的石墨框的一個(gè)具體實(shí)施方式的俯視圖；

圖2所示為根據(jù)本實(shí)用新型提供的一種上鍍膜設(shè)備中的石墨框的一個(gè)具體實(shí)施方式的截面圖。

附圖中相同或相似的附圖標(biāo)記代表相同或相似的部件。

具體實(shí)施方式

下文的公開(kāi)提供了許多不同的實(shí)施例或例子用來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的不同結(jié)構(gòu)。為了簡(jiǎn)化本實(shí)用新型的公開(kāi)，下文中對(duì)特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。此外，本實(shí)用新型可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)注意，在附圖中所圖示的部件不一定按比例繪制。本實(shí)用新型省略了對(duì)公知組件和處理技術(shù)及工藝的描述以避免不必要地限制本實(shí)用新型。

參考圖1，圖1所示為根據(jù)本實(shí)用新型提供的一種上鍍膜設(shè)備中的石墨框1的一個(gè)具體實(shí)施方式的俯視圖。該石墨框1包括：片槽2和片間檔條3。所述片槽2設(shè)置于所述石墨框1上，用于承載硅片。為了更好的承載硅片，優(yōu)選的，所述片槽2的尺寸大于所述硅片。所述片間檔條3設(shè)置于所述片槽2四周，用于隔擋放置于所述片槽2上的硅片。圖1所示的石墨框1上，片槽2規(guī)則設(shè)置，橫向設(shè)置的片間檔條3和縱向設(shè)置的片間檔條3相互垂直。

在上料時(shí)，需要用正壓吸盤(pán)將硅片吸附起來(lái)，并移載到片槽2上，硅片和片槽2之間會(huì)產(chǎn)生氣墊效應(yīng)，氣墊效應(yīng)會(huì)影響硅片的放置角度，使硅片發(fā)生偏移。而在下料時(shí)，片槽2的底部氣流又會(huì)對(duì)硅片產(chǎn)生吸附力，吸附力的存在容易造成硅片的破碎。

為了克服現(xiàn)有的上鍍膜設(shè)備中的石墨框1在上料和下料時(shí)存在的缺陷，在所述片間檔條3的隔擋硅片側(cè)設(shè)置有倒角區(qū)，如圖2所示。所述倒角區(qū)的斜邊與水平線所呈角度在20°～60°之間，在上述角度區(qū)間設(shè)置的倒角區(qū)可以使更好實(shí)現(xiàn)排氣以緩解氣墊效應(yīng)的影響，對(duì)吸附力也會(huì)有很好的解除效果。更為優(yōu)選的，在反復(fù)研究試驗(yàn)后發(fā)現(xiàn)，當(dāng)所述倒角區(qū)的斜邊與水平線所呈角度為30°時(shí)，對(duì)氣墊效應(yīng)的緩解和對(duì)吸附力的解除效果最佳。

在對(duì)角度進(jìn)行限定的同時(shí)，還需要對(duì)倒角區(qū)的其他尺寸進(jìn)行限定，從而達(dá)到對(duì)硅片傳輸準(zhǔn)確性的提高。優(yōu)選的，所述倒角區(qū)在水平方向的投影長(zhǎng)度不超過(guò)其所在的所述片間檔條3的寬度的25％。更為優(yōu)選的，所述倒角區(qū)在水平方向的投影長(zhǎng)度為其所在的所述片間檔條3的寬度的20％。

本實(shí)用新型通過(guò)在片間檔條3上設(shè)置倒角區(qū)，能夠使上料時(shí)產(chǎn)生的氣墊效應(yīng)得到緩解；使下料時(shí)產(chǎn)生的吸附力得到有效解除；在不影響鍍膜工藝的前提下改善了硅片傳輸?shù)臏?zhǔn)確性，減少了因硅片放置不準(zhǔn)而導(dǎo)致的碎片率和返工率；提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。

雖然關(guān)于示例實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)詳細(xì)說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解在不脫離本實(shí)用新型的精神和所附權(quán)利要求限定的保護(hù)范圍的情況下，可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行各種變化、替換和修改。對(duì)于其他例子，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)容易理解在保持本實(shí)用新型保護(hù)范圍內(nèi)的同時(shí)，工藝步驟的次序可以變化。