技術(shù)總結(jié)
一種高導(dǎo)電率的溝槽式肖特基芯片，屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。其特征在于：其特征在于：包括外延層（4），在外延層（4）的表面設(shè)置有多個溝槽，在溝槽的側(cè)壁下部以及溝槽的底部設(shè)置有溝槽底部氧化層（3），在溝槽底部氧化層（3）內(nèi)部填充有多晶硅（2），在外延層（4）的上表面、溝槽側(cè)壁上部以及多晶硅（2）的上表面上設(shè)置有肖特基界面（1）。通過本高導(dǎo)電率的溝槽式肖特基芯片，在相同芯片面積的前提下，兼顧了芯片的耐壓能力以及正向壓降，同時提高了肖特基芯片的導(dǎo)電面積。

技術(shù)研發(fā)人員：關(guān)仕漢
受保護的技術(shù)使用者：淄博漢林半導(dǎo)體有限公司
文檔號碼：201620604016
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.20
技術(shù)公布日：2016.12.14