本實(shí)用新型涉及晶體三極管技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種硅基大倍數(shù)紅外光敏三極管。

背景技術(shù)：

三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。光敏三極管和普通三極管相似，也有電流放大作用，只是它的集電極電流不只是受基極電路和電流控制，同時(shí)也受光輻射的控制。光敏三極管常用于測(cè)光亮度、實(shí)現(xiàn)光電隔離、制作光耦合器等，這些場(chǎng)合對(duì)于光敏三極管的靈敏度和放大倍數(shù)都有很高的要求，尤其是靈敏度對(duì)一些重要的元件至關(guān)重要，如果不能達(dá)到規(guī)定要求將帶來很多麻煩。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)以上問題，本實(shí)用新型提供了一種硅基大倍數(shù)紅外光敏三極管，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，靈敏度高，放大倍數(shù)高，可以有效解決背景技術(shù)中的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種硅基大倍數(shù)紅外光敏三極管，包括底座，包括襯板，所述襯板的上表面固定安裝有外殼，所述襯板的中間有凸臺(tái)，所述凸臺(tái)上鑲嵌有管芯，所述襯板的下端粘接有絕緣層，所述管芯的底端焊接有引腳；所述外殼上對(duì)應(yīng)管芯的位置安裝有玻璃凸鏡；所述管芯包括襯底，襯底的上端為集電區(qū)，集電區(qū)的上表面為基區(qū)，基區(qū)的上層為發(fā)射區(qū)，所述管芯的最上層為二氧化硅絕緣層。

作為本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述發(fā)射區(qū)的中心頂端引出有發(fā)射極，襯底中心底部引出集電極，所述基區(qū)與發(fā)射區(qū)之間為集電結(jié)，發(fā)射區(qū)與集電區(qū)之間為集電結(jié)。

作為本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述集電區(qū)和發(fā)射區(qū)均采用N型晶單硅制成，基區(qū)采用注入了硼雙電荷的P型晶單硅制成。

作為本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述襯板的上表面還安裝有卡扣，且卡扣的另一端安裝在外殼上。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：該硅基大倍數(shù)紅外光敏三極管，通過設(shè)置注入了硼雙電荷的P型晶單硅制成的基區(qū)，提高了電流放大倍數(shù)；設(shè)置玻璃凸鏡，將光進(jìn)行匯聚，提高了管芯的靈敏度；設(shè)置卡扣，使外殼安裝拆卸更加方便，便于進(jìn)行維修；本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，管子靈敏度高，電流放大倍數(shù)大大提高，適用于對(duì)放大倍數(shù)和靈敏度要求較高的場(chǎng)合。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為管芯剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1-襯板；2-外殼；3-凸臺(tái)；4-管芯；5-絕緣層；6-引腳；7-玻璃凸鏡；8-襯底；9-集電區(qū)；10-基區(qū)；11-發(fā)射區(qū)；12-二氧化硅絕緣層；13-發(fā)射極；14-發(fā)射結(jié)；15-集電結(jié)；16-集電極；17-卡扣。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

實(shí)施例：

請(qǐng)參閱圖1和圖2，本實(shí)用新型提供一種技術(shù)方案：一種硅基大倍數(shù)紅外光敏三極管，包括襯板1，所述襯板1的上表面固定安裝有外殼2，所述襯板1的中間有凸臺(tái)3，所述凸臺(tái)3上鑲嵌有管芯4，所述襯板1的下端粘接有絕緣層5，所述管芯4的底端焊接有引腳6，且引腳6穿過絕緣層5伸出；所述外殼2上對(duì)應(yīng)管芯4的位置安裝有玻璃凸鏡7；所述管芯4包括襯底8，襯底8的上端為集電區(qū)9，集電區(qū)9的上表面為基區(qū)10，基區(qū)10的上層為發(fā)射區(qū)11，所述管芯4的最上層為二氧化硅絕緣層12；

所述發(fā)射區(qū)11的中心頂端引出有發(fā)射極13，襯底8中心底部引出集電極16，所述基區(qū)10與發(fā)射區(qū)11之間為發(fā)射結(jié)14，發(fā)射區(qū)11與集電區(qū)9之間為集電結(jié)15；所述集電區(qū)9和發(fā)射區(qū)11均采用N型晶單硅制成，基區(qū)10采用注入了硼雙電荷的P型晶單硅制成；所述襯板1的上表面還安裝有卡扣17，且卡扣17的另一端安裝在外殼2上。

本實(shí)用新型的工作原理：所述襯板1用于安裝管芯承載外殼，且襯板1采用鋁合金制作，減輕了整個(gè)管子重量同時(shí)還降低了銅耗，節(jié)省了制作成本；所述外殼2用于將內(nèi)部芯片與外界隔開，保護(hù)芯片延長(zhǎng)使用壽命；所述凸臺(tái)3用于焊接安裝管芯4，所述管芯4的集電極16接正電位，其發(fā)射極13接負(fù)電位，當(dāng)無光照射時(shí)，流過光敏三極管的電流，就是正常情況下光敏三極管集電極與發(fā)射極之間的穿透電流為暗電流；當(dāng)有光照時(shí)，光透過玻璃凸鏡7，經(jīng)過玻璃凸鏡7的匯聚放大照射到二氧化硅絕緣層12，并穿過二氧化硅絕緣層12，激發(fā)基區(qū)10產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)，增加了少數(shù)載流子的濃度，使集電結(jié)15反向飽和電流大大增加，在集電結(jié)15生成光生電流，光生電流注入發(fā)射結(jié)14進(jìn)行放大，成為光敏三極管集電極16與發(fā)射極13間電流，即為光電流，實(shí)現(xiàn)了電流放大，所述玻璃凸鏡7提高了三極管的靈敏度；所述基區(qū)10采用注入了硼雙電荷的P型晶單硅制成，提高了離子濃度，從而提高基區(qū)10了放大倍數(shù)，所述引腳6將電極引出，便于進(jìn)行焊接和外接電路，在引腳6外面套接絕緣層5防止引腳6之間碰在一起，提高裝置的穩(wěn)定性；所述卡扣17用于將整個(gè)外殼2安裝在襯板1上，且能夠方便地打開進(jìn)行管芯更換，便于檢查維修。

該硅基大倍數(shù)紅外光敏三極管，通過設(shè)置注入了硼雙電荷的P型晶單硅制成的基區(qū)，提高了電流放大倍數(shù)；設(shè)置玻璃凸鏡，將光進(jìn)行匯聚，提高了管芯的靈敏度；設(shè)置卡扣，使外殼安裝拆卸更加方便，便于進(jìn)行維修；本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，管子靈敏度高，電流放大倍數(shù)大大提高，適用于對(duì)放大倍數(shù)和靈敏度要求較高的場(chǎng)合。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。