本實用新型涉及集成電路設(shè)計領(lǐng)域，尤其涉及圓片流片和圓片切割的芯片結(jié)構(gòu)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

當(dāng)前芯片的結(jié)構(gòu)，如圖1所示，為現(xiàn)有的輪刀切割芯片結(jié)構(gòu)剖面圖，該芯片結(jié)構(gòu)中，110為普通焊盤，120為芯片金屬層（Chip Metal Layer），130為密封環(huán)，140為劃片槽結(jié)構(gòu)，150為芯片鈍化層， 160為硅襯底。如圖2所示，為現(xiàn)有的輪刀切割芯片劃片槽結(jié)構(gòu)示意圖；該劃片槽140結(jié)構(gòu)中，包括鈍化層141、通孔層143、金屬層142和絕緣層144，密封環(huán)130包裹在劃片槽外。

如圖3所示，為現(xiàn)有的輪刀切割芯片鈍化層結(jié)構(gòu)剖面圖，該芯片鈍化層150由外向內(nèi)依次排列氮化硅層151和氧化硅層152?，F(xiàn)有的輪刀切割芯片結(jié)構(gòu)中，劃片槽寬度一般在60微米以上，劃片槽中分布著測試焊盤，由于測試焊盤有最小尺寸要求，傳統(tǒng)的輪刀切割要求劃片槽寬度最小在50微米以上，鐳射切割要求劃片槽寬度最小在30微米以上，密封環(huán)設(shè)計寬度基本在5微米及以上，所以目前劃片槽寬度以傳統(tǒng)的流片及切割模式已經(jīng)到達一個技術(shù)極限，無法再縮減。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)采用劃片槽結(jié)構(gòu)以傳統(tǒng)的流片及切割模式的不足，本實用新型的目的是提供一種用于等離子刻蝕切割的芯片結(jié)構(gòu)。

為了達到上述技術(shù)目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是：

一種用于等離子刻蝕切割的芯片結(jié)構(gòu)，包括芯片鈍化層、劃片槽、芯片金屬層和硅襯底，其中，

芯片鈍化層由外向內(nèi)依次設(shè)置氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層；

劃片槽內(nèi)部由氮化硅填充，外部無密封環(huán)包裹，以確?？涛g精度可控。

本實用新型的有益效果在于，該芯片結(jié)構(gòu)中芯片鈍化層采用由外向內(nèi)依次設(shè)置氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層三層設(shè)計，劃片槽內(nèi)部由氮化硅填充，外部無密封環(huán)包裹，適用于等離子刻蝕切割芯片，具有縮短產(chǎn)品加工周期，增加芯片數(shù)量，降低成本，并提高芯片良品率。

下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本實用新型做進一步說明。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的輪刀切割芯片結(jié)構(gòu)剖面圖。

圖2為現(xiàn)有的輪刀切割芯片劃片槽結(jié)構(gòu)剖視圖。

圖3為現(xiàn)有的輪刀切割芯片鈍化層結(jié)構(gòu)剖面圖。

圖4為本實用新型具體實施例的等離子蝕刻切割芯片結(jié)構(gòu)剖面圖。

圖5為本實用新型具體實施例的等離子蝕刻切割芯片劃片槽結(jié)構(gòu)剖視圖。

圖6為本實用新型具體實施例的等離子蝕刻切割芯片鈍化層剖面圖。

具體實施方式

如圖4所示，為本實用新型具體實施例的等離子蝕刻切割芯片結(jié)構(gòu)剖面圖。在該等離子蝕刻切割芯片結(jié)構(gòu)中，410為焊盤，420為芯片金屬層（Chip Metal Layer），430為由氮化硅431填充的劃片槽，440為由外向內(nèi)依次設(shè)置氧化硅層441、氮化硅層442和氧化硅層441的芯片鈍化層，450為硅襯底。

如圖5所示，為本實用新型具體實施例的等離子蝕刻切割芯片劃片槽結(jié)構(gòu)剖視圖。劃片槽內(nèi)部由氮化硅431填充，底部為絕緣層144，外部無密封環(huán)包裹，以確?？涛g精度可控。

如圖6所示，為本實用新型具體實施例的等離子蝕刻切割芯片鈍化層剖面圖。芯片鈍化層由外向內(nèi)依次設(shè)置氧化硅層441、氮化硅層442和氧化硅層441，替代現(xiàn)有芯片鈍化層的氧化硅層441和氮化硅層442兩層結(jié)構(gòu)，以提高后續(xù)劃片槽的刻蝕選擇比。

采用本實用新型的等離子刻蝕切割方式，可以做到蝕刻寬度5微米以內(nèi)，并且沒有崩齒的影響，幾乎沒有熱損傷，幾乎沒有機械應(yīng)力損傷，可以刻蝕的寬度為5微米，無需設(shè)計密封環(huán)；刻蝕一片12英寸的圓片時間與激光切割的時間比約為1：5；與輪刀切割的時間比約為 1：9；芯片由于采用無密封環(huán)設(shè)計及細劃片槽設(shè)計，芯片數(shù)量可以增加17%及以上，為芯片制造降低極大成本。

上述僅為本實用新型的具體實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不脫離本實用新型技術(shù)思路的基礎(chǔ)上能有許多變形和變化，這些顯而易見形成的技術(shù)方案也包含在本實用新型保護的技術(shù)范圍內(nèi)。