本實用新型涉及半導體封裝和應用領域，尤其涉及封裝LED所使用的單層或多層陶瓷印刷電路板及其制造方法，特別是涉及內(nèi)設光反射層的陶瓷印刷電路板及其制造方法。

背景技術：

現(xiàn)有技術以陶瓷為載具的印刷電路板，其基底陶瓷材料的物理化學穩(wěn)定性，具有高耐熱性、高絕緣強度和低熱膨脹系數(shù)等等優(yōu)點，令業(yè)界矚目。陶瓷基板的出現(xiàn)克服了樹脂印刷電路基板難以克服的缺點，在LED應用領域廣泛被用于制作陶瓷印刷電路板。

在LED的應用中不僅僅需要基板具有很好的導熱和散熱功能，還需要有好的光學特性使得焊接或固定了LED芯片之后其整體光學特性表現(xiàn)優(yōu)異。

如圖7所示的現(xiàn)有技術的LED封裝用陶瓷印刷電路板中，某些陶瓷材質如三氧化二鋁或藍寶石類材質，具有透光的特性，LED發(fā)出的光會從陶瓷基板透射到非出光方向，有少部分也會被基板所吸收，從而增加光損耗，為了克服這樣的問題，現(xiàn)有技術中也有在陶瓷電路板焊接或固定LED的一面設置有反射層，將照射到陶瓷電路板上的光從出光方向反射出去降低整體的光損耗。

現(xiàn)有技術中在陶瓷電路板焊接或固定LED的一面設置有反射層，這些反射層通常為金屬鍍層；這些金屬鍍層一方面由于光照或和空氣直接接觸或封裝金屬反射鍍層的硅膠也可以透過氧，因此這些金屬鍍層非常容易氧化和硫化導致反射效率變低而影響整個LED封裝器件的光輸出特性。

現(xiàn)有技術中在陶瓷電路板焊接或固定LED的一面設置的金屬反射層不僅需要與陶瓷電路板的基板和電路直接具有很好的機械聯(lián)接特性也需要有好的電氣特性，如需要和陶瓷電路板中的電路部分絕緣；但是帶有金屬反射鍍層的陶瓷電路板還需要經(jīng)過焊接LED芯片等過程，使得金屬反射層非常容易和陶瓷電路板中的電路部分短路或達不到安全規(guī)范的要求，需要設置特別的絕緣層或者相關的工藝措施防止其短路并改善絕緣特性；工藝上實現(xiàn)非常困難，難度高，效率低。

名詞解釋：

氮化硅：其英文是Silicon nitride ；Si₃N₄ 陶瓷是一種共價鍵化合物，基本結構單元為[ SiN₄ ]四面體，硅原子位于四面體的中心，在其周圍有四個氮原子，分別位于四面體的四個頂點，然后以每三個四面體共用一個原子的形式，在三維空間形成連續(xù)而又堅固的網(wǎng)格結構。氮化硅的很多性能都歸結于此結構。Si₃N₄ 熱膨脹系數(shù)低、導熱率高，故其耐熱沖擊性極佳。

氮化鋁：其英文是Aluminum nitride，縮寫為AIN；共價鍵化合物，屬于六方晶系，鉛鋅礦型的晶體結構，呈白色或灰白色。氮化鋁是原子晶體，屬類金剛石氮化物，最高可穩(wěn)定到2200℃。室溫強度高，且強度隨溫度的升高下降較慢、導熱性好，熱膨脹系數(shù)小，是良好的耐熱沖擊材料。抗熔融金屬侵蝕的能力強，氮化鋁還是電絕緣體，介電性能良好，是陶瓷電路板載板的優(yōu)選材料之一。

三氧化二鋁：也就是氧化鋁，化學符號：，純凈氧化鋁是白色無定形粉末，俗稱礬土，密度3.9-4.0g/cm³，熔點2050℃、沸點2980℃，不溶于水，為兩性氧化物，能溶于無機酸和堿性溶液中，主要有α型和γ型兩種變體，工業(yè)上可從鋁土礦中提取。在α型氧化鋁的晶格中，氧離子為六方緊密堆積，鋁離子對稱地分布在氧離子圍成的八面體配位中心，晶格能很大，故熔點、沸點很高。α型氧化鋁不溶于水和酸，工業(yè)上也稱鋁氧，是制金屬鋁的基本原料；也用于制各種耐火磚、耐火坩堝、耐火管、耐高溫實驗儀器；還可作研磨劑、阻燃劑、填充料等；高純的α型氧化鋁還是生產(chǎn)人造剛玉、人造紅寶石和藍寶石的原料；還用于生產(chǎn)現(xiàn)代大規(guī)模集成電路的板基。

LED為英文Light Emitting Diode的縮寫，中文含義為發(fā)光二極管。

COB為英文Chip On Board的縮寫,中文含義為板上芯片；板上芯片封裝是裸芯片貼裝技術之一，半導體芯片交接貼裝在印刷電路板上，芯片與基板的電聯(lián)接用引線縫合方法實現(xiàn)，并用樹脂覆蓋以確?？煽啃?。

COB光源：通過COB封裝LED平面光源或集成光源又稱COB光源；目前COB光源主要運用在室內(nèi)外燈具照明中，如室內(nèi)的射燈、筒燈、天花燈、吸頂燈、日光燈和燈帶，室外的路燈、工礦燈、泛光燈及目前城市夜景的洗墻燈、發(fā)光字等。

OSP是為英文Organic Solderability Preservatives的縮寫，中文含義為有機保焊膜，又稱護銅劑，英文亦稱之Preflux。OSP在本專利申請中指的是印刷電路板(PCB)銅箔表面處理的符合RoHS指令要求的一種工藝。簡單地說，OSP就是在潔凈的裸銅表面上，以化學的方法長出一層有機皮膜。這層膜具有防氧化，耐熱沖擊，耐濕性，用以保護銅表面于常態(tài)環(huán)境中不再繼續(xù)生銹，氧化或硫化等;但在后續(xù)的焊接高溫中，此種保護膜又必須很容易被助焊劑所迅速清除，如此方可使露出的干凈銅表面得以在極短的時間內(nèi)與熔融焊錫立即結合成為牢固的焊點。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型要解決的技術問題在于避免現(xiàn)有技術LED封裝用陶瓷印刷電路板的陶瓷基板透光，在LED芯片焊接面上加鍍反射層工藝復雜且容易氧化導致反射效率降低的不足之處而提出一種在非LED芯片焊接面上設置有反射層的LED封裝用陶瓷印刷電路板。

本實用新型為解決所述技術問題采用的技術方案是一種內(nèi)設光反射層、用于LED封裝的陶瓷印刷電路板(100)，包括用于電絕緣和/或用于導熱/散熱的陶瓷基底層，將該陶瓷基底層相互在總體上平行相對的兩側表面分別稱作基底A面和基底B面；所述基底A面上設置有用于固定或焊接LED芯片的區(qū)域以及與芯片電連接的電子線路和/或用于導熱、散熱的覆銅；所述基底B面上設置有光反射層，光反射層用于將基底A面上各LED往非出光方向射出并透過所述陶瓷基底層泄漏的光，往出光方向反射回去，從而提高總的發(fā)光效率。

所述光反射層由金屬材料布覆構成，為鋁Al、金Au、銀Ag、銠Rh和銅Cu這些金屬中的任意一種或兩種及兩種以上組合構成。

所述光反射層的一面緊密覆于所述陶瓷基底層的基底B面上，該光反射層的另一面上則設置有保護層。

所述保護層的厚度大于等于100納米。

所述保護層的材質為銅Cu或鎳Ni或二氧化硅SiO₂。

所述保護層為銅Cu時，在其與外部接觸的一面上須鍍覆抗氧化薄膜，該抗氧化薄膜的材質為鎳Ni和/或金Au。

所述保護層為銅Cu時，在該保護層與外部接觸的一面上做OPS，即覆上一層有機保焊膜。

所述光反射層的厚度為50納米至0.300毫米。

所述光反射層的厚度為100納米至500納米。

所述陶瓷基底層的厚度為0.100毫米至1.000毫米。

所述陶瓷基底層的厚度為0.100毫米至0.635毫米。

所述光反射層和所述保護層之間還設置有過渡層150。

所述過渡層的材質包括鈦Ti、鎢W、鉻Cr和鉬Mo這些金屬中的任意一種或兩種及兩種以上的組合。

所述過渡層的材質包括鈦Ti、鎢W、鉻Cr和鉬Mo這些金屬分別與金屬銅Cu組成Ti-Cu鈦銅合金、W-Cu鎢銅合金和/或Cr-Cu鉻銅合金、Mo-Cu合金中的任意一種或兩種及兩種以上的組合。

所述過渡層的材質還包括非金屬的二氧化硅SiO₂。

所述過渡層的厚度為10納米至600納米。

本實用新型為解決所述技術問題采用的技術方案還可以是一種內(nèi)設光反射層、用于LED封裝的陶瓷印刷電路板的制作方法包括以下步驟：A1. 在一塊薄片形、用于電絕緣和/或用于導熱/散熱的陶瓷基底層上，將其相互在總體上平行相對的兩側表面分別稱作基底A面和基底B面；所述基底A面上設置有用于固定或焊接LED芯片的區(qū)域以及與芯片電連接的電子線路和/或用于導熱、散熱的覆銅；而在所述基底B面上則真空鍍覆一層厚度在60納米至200納米的光反射層，用于將基底A面上各LED往非出光方向射出并透過所述陶瓷基底層泄漏的光，往出光方向反射回去，從而提高總的發(fā)光效率；所述光反射層的材質為鋁Al、金Au、銅Cu、銠Rh和/或銀Ag這些金屬中的任意一種或兩種及兩種以上的組合。

所述陶瓷印刷電路板的制作方法，還包括步驟：A3：所述光反射層的一面緊密覆于所述陶瓷基底層的基底B面上，該光反射層的另一面上則真空鍍覆一層厚度在400納米至600納米的保護層；所述保護層的材質為銅Cu或鎳Ni或二氧化硅SiO₂。

所述陶瓷印刷電路板的制作方法，在實施上述步驟A1之后、A3步驟中鍍覆所述保護層之前，還包括步驟A2：所述光反射層緊密覆于所述陶瓷基底層的基底B面上，在所述光反射層的另一面上，先真空鍍覆一層厚度在400納米至600納米的過渡層；所述過渡層的材質包括金屬鈦Ti、鎢w、鉻Cr和鉬Mo這些金屬中的任意一種或兩種以上的組合；或者是該過渡層的材質包括金屬鈦Ti、鎢W、鉻Cr和鉬Mo分別與金屬Cu組成的Ti-Cu鈦銅合金、W-Cu鎢銅合金或Cr-Cu鉻銅合金、鉬銅Mo-Cu合金中的任意一種或兩種以上的組合；并且所述過渡層的材質還包括非金屬的二氧化硅SiO₂；在步驟A2之后才實施上述步驟A3，使得所述過渡層設置在所述光反射層和保護層之間。

本實用新型的技術效果是：1.由于該光反射層的一面直接與基底B面聯(lián)接，不會與空氣直接接觸，防止了反射面的氧化或其他物理化學變化，氧化，可以讓反射面長期維持良好的反射特性；該光反射層的另一面若不鍍覆其他層，在空氣中也會鈍化，在表面生成性質非常穩(wěn)定的三氧化二鋁層，本身具很好的保護作用。2.保護層可以避免反射層的物理化學變化帶來的光衰；另一方面當保護層是高導熱金屬時，達到一定厚度還可以大大提高封裝基板的復合導熱系數(shù)和結構強度；3.過渡層一方面增加保護層和反射層之間的結合力，另外一方面也一定程度上提高了封裝基板的復合導熱系數(shù)和結構強度。

附圖說明

圖1是本實用新型"內(nèi)設光反射層、用于LED封裝的陶瓷印刷電路板"各優(yōu)選實施例的光路示意圖；圖中箭頭方向為光的方向；

圖2是所述優(yōu)選實施例之一的軸測投影分解狀態(tài)示意圖；

圖3是所述優(yōu)選實施例之一的正投影側視剖視示意圖；

圖4是圖3中A部分的局部放大示意圖；

圖5是本實用新型優(yōu)選實施例之二的正投影側視剖視示意圖；

圖6是圖5中B部分的局部放大示意圖；

圖7是現(xiàn)有技術LED封裝用陶瓷印刷電路板的光路示意圖，圖中箭頭方向為光的方向；

在圖1和7中在陶瓷基底的上方固定LED芯片的那面上覆蓋有透光的硅膠，即在圖1中用于固定或焊接LED芯片的電子線路和/或用于導熱、散熱的覆銅的所述基底A面112的LED芯片上還設置有透光的部件，這些透光的部件包括覆蓋在LED芯片上的透光硅膠，若做白色光的LED產(chǎn)品，則硅膠中還可能混有熒光粉；若做紫色光的LED產(chǎn)品，則會使用石英玻璃或可透過紫色波段的透鏡罩住LED芯片而不用硅膠覆蓋；

在圖3中的基底A面112用于固定或焊接LED芯片的電子線路和/或用于導熱、散熱的覆銅，該基底A面112也可稱作LED芯片固定面；在圖3中保護層160的一面與過渡層150聯(lián)接，保護層160的另一面用于LED封裝用陶瓷印刷電路板100整體的固定安裝，也可稱作安裝固定面。

具體實施方式

下面結合各附圖對本實用新型的內(nèi)容進一步詳述。

如圖1至4所示的設置有反射層的LED封裝用陶瓷印刷電路板100的一個實施例中，該LED封裝用陶瓷印刷電路板100包括用于電絕緣和/或用于導熱/散熱的陶瓷基底層110，將所述陶瓷基底層110相互在總體上平行的相對的兩側表面分別稱作基底A面112和基底B面114；所述基底A面112這一側設置有用于固定或焊接LED芯片的電子線路和/或用于導熱、散熱的覆銅；所述基底B面114這一側設置有光反射層130，該光反射層130用于反射LED發(fā)光體發(fā)出的并且透過陶瓷基底層的光。所述光反射層130的一面同所述陶瓷基底層110的基底B面114聯(lián)接，所述光反射層130的另一面上還設置有保護層160。所述光反射層130和所述保護層160之間還設置有過渡層150。

用于制造該種陶瓷印刷電路板的方法包括以下步驟，C1：在陶瓷基底層110的基底B面114一側真空鍍覆一層厚度在60納米至100納米的光反射層130；所述光反射層130設置在陶瓷基底層110的基底B面114上；所述光反射層130為金屬材質的反射層，所述金屬材質為鋁、金、銀、銅和銠這五種金屬中的任意一種或兩種以上的組合；C2：所述光反射層130的一面同所述陶瓷基底層110的基底B面114聯(lián)接；在所述光反射層130的另一面上真空鍍覆一層厚度在400納米至600納米的過渡層150；所述過渡層150的材質包括金屬材質鈦Ti、鎢w、鉻Cr、鉬Mo中這四種金屬中的任意一種或兩種以上的組合；或所述過渡層150的材質包括金屬鈦Ti、鎢w、鉻Cr、鉬Mo分別與金屬Cu組成的Ti-Cu鈦銅合金、W-Cu鎢銅合金或Cr-Cu鉻銅合金中或鉬銅Mo-Cu合金的任意一種或兩種以上的組合；或所述過渡層150的材質還包括非金屬材質二氧化硅SiO2；C2：所述過渡層150的一面同所述所述光反射層130的聯(lián)接；在所述所述過渡層150的另一面上真空鍍覆一層厚度在400納米至600納米的保護層160；所述保護層160的材質為金屬銅。

如圖3所示用于固定或焊接LED芯片的基底A面112上還覆蓋有硅膠。即在圖3中用于固定或焊接LED芯片的電子線路和/或用于導熱、散熱的覆銅的所述基底A面112的LED芯片上還設置有透光的部件，這些透光的部件包括覆蓋在LED芯片上的透光硅膠，若做白色光的LED產(chǎn)品，則硅膠中還可能混有熒光粉；若做紫色光的LED產(chǎn)品，則會使用石英玻璃或可透過紫色波段的透鏡罩住LED芯片而不用硅膠覆蓋。

如圖5至6所示實施例中，只設置有光反射層130，并未設置保護層160和過渡層150。用于制造只有光反射層130的所述陶瓷印刷電路板的方法包括以下步驟，A1：在陶瓷基底層110的基底B面114一側真空鍍覆一層光反射層130；所述光反射層130設置在陶瓷基底層110的基底B面114上；所述光反射層130為金屬材質的反射層，所述金屬材質為鋁。所述光反射層130的一面同所述陶瓷基底層110的基底B面114聯(lián)接，所述光反射層130的另一面上鋁與外部空氣接觸鈍化成三氧化二鋁從而形成一層鈍化保護層。當然也可以通過鈍化工藝在鋁或其他金屬表面進行鈍化處理形成鈍化保護膜層。當反射層需要和外部空氣直接接觸時候，通常會選用鋁材質的反射層。當然反射層的材料以及材料厚度選擇可以根據(jù)實際需要以及綜合成本進行選擇設置。

還有一些未在附圖中示出的實施例中，可以只設置光反射層130和保護層160，用于制造該種陶瓷印刷電路板的方法包括以下步驟，B1：在陶瓷基底層110的基底B面114一側真空鍍覆一層厚度在60納米至100納米的光反射層130；所述光反射層130設置在陶瓷基底層110的基底B面114上；所述光反射層130為金屬材質的反射層，所述金屬材質為鋁、金、銀、銅和銠這五種金屬中的任意一種或兩種以上的組合；B2：所述光反射層130的一面同所述陶瓷基底層110的基底B面114聯(lián)接；在所述光反射層130的另一面上真空鍍覆一層厚度在400納米至600納米的保護層160；所述保護層160的材質為金屬銅。

在上述各方法中，在鍍覆上光反射層130之前，所述陶瓷基PCB板100的基底A面112上可以是已經(jīng)設置好了用于固定或焊接LED芯片的電子線路層120；當然也可以沒有設置電子線路層120。鍍覆反射層可以在設置電子線路層120之前也可以之后，也可以同時，也就是說，在所述陶瓷基PCB板100的基底A面112上可設置電子線路層120的同時鍍覆上反射層。

所述光反射層130為金屬材質的反射層，所述金屬材質為鋁、金、銀、銅和銠這五種金屬中的任意一種或兩種以上的組合。所述光反射層130的厚度為10納米至1000納米。所述光反射層130的厚度為20納米至500納米。所述光反射層130的厚度為60納米至100納米。

所述光反射層130的厚度可以是50納米至300微米，所述光反射層130的厚度還可以是60納米至200納米，甚至還可以是10納米、20納米、100納米、500納米、1000納米、2微米、20微米、100微米、300微米或500微米。

所述陶瓷基底層110的厚度為1.00毫米至0.10毫米。進一步地所述陶瓷基底層110的厚度還可以是為0.100毫米至0.635毫米，常用的厚度包括1.00毫米、0.500毫米0.635毫米、0.380毫米、0.254毫米、0.100毫米?？梢愿鶕?jù)實際散熱、絕緣和透光的需求選擇不同厚度的陶瓷基底材料層。

所述保護層160的材質為金屬銅。所述保護層160的厚度大于等于100納米，以是納米級的厚度如200納米、300納米或400納米；所述保護層160也可以是微米級的厚度如200微米、300微米或400微米。

所述過渡層150的材質包括金屬材質鈦Ti、鎢w、鉻Cr、鉬Mo中這四種金屬中的任意一種或兩種以上的組合?；蛩鲞^渡層150的材質包括金屬鈦Ti、鎢w、鉻Cr、鉬Mo分別與金屬Cu組成的Ti-Cu鈦銅合金、W-Cu鎢銅合金或Cr-Cu鉻銅合金或鉬銅Mo-Cu合金中的任意一種或兩種以上的組合。所述過渡層150的材質還包括非金屬材質二氧化硅SiO2。所述過渡層150的厚度為10納米至600納米，也可以是400納米、500納米或600納米。

設置有反射層的LED封裝用陶瓷印刷電路板100，所述陶瓷基底層110相互在總體上平行的相對的兩側表面分別稱作基底A面112和基底B面114；所述基底A面112這一側設置有用于固定或焊接LED芯片的電子線路和/或用于導熱、散熱的覆銅；所述基底B面114這一側設置有光反射層130，該光反射層130用于反射LED發(fā)光體發(fā)出的并且透過陶瓷基底層的光。光反射層130提升了LED封裝用陶瓷印刷電路板整體的反射率，并且由于該光反射層130的一面直接與基底B面114聯(lián)接，不會與空氣直接接觸，防止了反射面的氧化或其他物理化學變化，氧化，可以讓反射面長期維持良好的反射特性；該光反射層130的另一面若不鍍覆其他層，在空氣中也會鈍化，在表面生成性質非常穩(wěn)定的三氧化二鋁層，本身具很好的保護作用，背鍍單一材料金屬鋁已經(jīng)滿足功能要求。光反射層130選用對于全波段光波長優(yōu)選的高反射率材料，這些材料最優(yōu)選的是金屬鋁Al，次優(yōu)選擇為銀Ag或銅Cu或金Au。

本技術適合厚度1毫米及1毫米以下厚度的陶瓷基板；優(yōu)選的反射層鍍膜厚度是60納米至200納米，但若為了復合導熱系數(shù)或提高基板結構強度的需要，射層鍍膜厚度可以設置在50納米至300微米之間，厚度越厚其復合導熱系數(shù)和機械強度越大。如果為增加復合導熱系數(shù)或提高基板結構強度的需要，反射層鍍膜可以大于1微米甚至是300微米。所述光反射層130的一面同所述陶瓷基底層110的基底B面114聯(lián)接，所述光反射層130的另一面上還設置有保護層160。一方面保護層160可以避免反射層的物理化學變化帶來的光衰；另一方面當保護層是高導熱金屬時，達到一定厚度還可以大大提高封裝基板的復合導熱系數(shù)和結構強度；同時保護層的設置通常是為了滿足LED芯片安裝到LED封裝用陶瓷印刷電路板上時回流焊的需要，保護反射層在回流焊的工藝過程中不受到影響。在保護層所用材料為銅時，由于銅也易氧化，通常還需要對銅層做表面處理，如抗氧化薄膜，鍍鎳Ni金Au等，即所述保護層160與外部接觸的一面上還鍍有材質為鎳Ni和或金Au的抗氧化薄膜。

在鍍保護層之前，為了增加保護層和反射層之間的結合力，可以加鍍一個過渡層，即所述光反射層130和所述保護層160之間還設置有過渡層150。該過渡層的優(yōu)選是Ti鈦，w鎢，鉻Cr等金屬，也可以是SiO2等非金屬，也可以是保護層材料與前述材料的混合鍍層例如鈦銅合金或鎢銅合金。

上述工藝過程中鍍上反射層、保護層和過渡層，優(yōu)選的鍍膜方式為PVD，如磁控濺射。當然從經(jīng)濟角度考慮，當鍍膜厚度需要加厚時候，也可以采用電鍍方法加厚膜層。電鍍加厚銅至300微米或以上。上述工藝過程開始之前還可以先預處理清洗，保持待鍍面的清潔；上述工藝過程結束后會再進行清洗、烘干和防氧化處理之后再進行包裝。

本實用新型在LED封裝應用領域，尤其是高功率密度LED應用領域具有顯著的優(yōu)勢，通常厚度為0.254毫米的三氧化二鋁陶瓷基底是半透明的，用作LED封裝基板會有很大的光損，尤其LED封裝產(chǎn)品在通過熱界面材料安裝在散熱體上后光損會更大，相較于同樣材質的1毫米厚陶瓷封裝基板約損失超過60%的光。按照本實用新型的方案，1毫米厚陶瓷封裝基板的非LED芯片焊接面上設置反射層之后，同樣封裝工藝的LED封裝產(chǎn)品，光損可以減小到10%。

同時本實用新型的設置有反射層的LED封裝用陶瓷印刷電路板高反射率高導熱率陶瓷基板，不計正面即LED封裝面的銅厚，當陶瓷基底厚度為0.254毫米，反射層為銅且厚度為0.300毫米是，其理論計算的復合導熱系數(shù)>52W/m.k，遠優(yōu)于業(yè)界用的最多的1毫米厚的陶瓷印刷電路板板，保護層加厚到0.3毫米的厚銅也大大增加了陶瓷的結構強度同時還大大提高了導熱性能，特別適合于高可靠，高功率密度，高絕緣的LED應用做封裝基板。

本實用新型所述的設置有反射層的LED封裝用陶瓷印刷電路板應為設置有反射層，該反射層用于反射LED發(fā)光體發(fā)出的并且透過陶瓷基底層的光；反射層的一面同所述陶瓷基底層的基底B面聯(lián)接，反射層的另一面直接裸露或設置有保護層。反射層裸露面自身發(fā)生鈍化反應使反射層得到保護或上覆護層不與空氣直接接觸防止了氧化，可長期維持良好的反射特性；保護層可避免反射層的物理化學變化帶來的光衰，且可以通過增加保護層金屬的厚度來大大提高封裝基板的復合導熱系數(shù)和結構強度。

本實用新型中，所述“聯(lián)接”一詞在現(xiàn)有技術中的其他文獻中有時也用作“連接”，但是本申請文件中的“聯(lián)接”的含義范圍不僅僅指“連接”，部分場合還有“聯(lián)合”的意思。

以上所述僅為本實用新型的實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用實用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內(nèi)。