1.一種抗PID效應(yīng)的太陽能電池組件，包括從下至上依次疊放的背板層(1)、第一封裝材料層(2)、由至少一個(gè)電池片串聯(lián)而成的電池片層(3)、第二封裝材料層(4)及玻璃層(5)，其中，所述電池片包括硅襯底層(31)，形成在硅襯底層表面的發(fā)射極層(32)及形成在所述發(fā)射極層(32)上的減反射膜層(33)，其特征在于，所述減反射膜層(33)與所述第二封裝材料層(4)之間設(shè)置有透明導(dǎo)電薄膜層(7)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池組件，其特征在于，所述電池片還包括設(shè)置于所述減反射膜層(33)的表面的柵線層，所述透明導(dǎo)電薄膜層(7)設(shè)置于所述柵線層與所述減反射膜層(33)之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池組件，其特征在于，所述電池片還包括設(shè)置于所述減反射膜層(33)的表面的柵線層，所述透明導(dǎo)電薄膜層(7)設(shè)置于所述柵線層與所述第二封裝材料層(4)之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的太陽能電池組件，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜層(7)為整面沉積形成的薄膜層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的太陽能電池組件，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜層(7)為部分沉積形成的薄膜層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的太陽能電池組件，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜層(7)的厚度為1nm～100nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池組件，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜層(7)的厚度為1nm～10nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的太陽能電池組件，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜層(7)為錫摻雜三氧化銦或鋁摻雜氧化鋅材質(zhì)的薄膜層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的太陽能電池組件，其特征在于，所述第一封裝材料層(2)與所述第二封裝材料層(4)均為EVA材質(zhì)的材料層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的太陽能電池組件，其特征在于，所述減反射膜層(33)為氮化硅薄膜層。