本實(shí)用新型屬于集成電路封裝領(lǐng)域，具體提供一種封裝管殼的引線連接結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

為了方便芯片的運(yùn)輸、保管、焊接和使用，芯片往往需要進(jìn)行密封封裝。為了實(shí)現(xiàn)芯片與封裝結(jié)構(gòu)外部電路的連接、信息交流，需要在芯片的封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)置通信連接部件，通常以金屬化陶瓷作為通信連接部件。通過貫穿陶瓷體的金屬層連接封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的芯片引腳和管殼引腳，進(jìn)而將管殼引腳連接至電路中，完成芯片與封裝結(jié)構(gòu)外部電路的連接與信息交流。但是，現(xiàn)有技術(shù)中的金屬化陶瓷所能通過的通訊頻率較低，回波損耗和插入損耗偏高，不利于芯片與外部電路的信息交流。

相應(yīng)地，本領(lǐng)域需要一種新的引線連接結(jié)構(gòu)來解決上述問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題，即為了解決現(xiàn)有技術(shù)中芯片封裝結(jié)構(gòu)上的金屬化陶瓷的通訊頻率較低的問題，本實(shí)用新型提供了一種封裝管殼的引線連接結(jié)構(gòu)，該引線連接結(jié)構(gòu)包括陶瓷體和貫穿陶瓷體的金屬層，所述金屬層的一端與芯片引腳連接，所述金屬層的另一端與管殼引腳連接；所述金屬層的至少一端是凸耳結(jié)構(gòu)。

在上述金屬化陶瓷的優(yōu)選技術(shù)方案中，所述金屬層的所述至少一端設(shè)置有從兩側(cè)伸出的兩個凸耳。

在上述金屬化陶瓷的優(yōu)選技術(shù)方案中，所述金屬層包括中間段，所述中間段具有等寬的條狀結(jié)構(gòu)。

在上述金屬化陶瓷的優(yōu)選技術(shù)方案中，所述至少一端包括第一連接端和第二連接端，所述第一連接端與所述中間段一體連接，所述第二連接端與所述芯片引腳或所述管殼引腳連接。

在上述金屬化陶瓷的優(yōu)選技術(shù)方案中，所述兩個凸耳設(shè)置在所述第二連接端并且垂直于所述第二連接端的主體部分。

在上述金屬化陶瓷的優(yōu)選技術(shù)方案中，所述第一連接端與所述中間段等寬，并且所述第一連接端與所述第二連接端的主體部分寬度相同。

本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，在本實(shí)用新型的優(yōu)選技術(shù)方案中，通過將金屬化陶瓷的金屬化層兩端設(shè)置成凸耳結(jié)構(gòu)，使得通信頻率大大提高，從而提高了金屬化陶瓷的通信效率。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的金屬化陶瓷與芯片封裝結(jié)構(gòu)的連接位置關(guān)系的等軸側(cè)視示意圖；

圖2是本實(shí)用新型的金屬化陶瓷與芯片封裝結(jié)構(gòu)的連接位置關(guān)系的俯視示意圖；

圖3是本實(shí)用新型的金屬化陶瓷的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是現(xiàn)有技術(shù)中金屬化陶瓷的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本實(shí)用新型的金屬化陶瓷與現(xiàn)有技術(shù)中金屬化陶瓷相比的通信回波損耗；

圖6是本實(shí)用新型的金屬化陶瓷與現(xiàn)有技術(shù)中金屬化陶瓷相比的通信插入損耗。

具體實(shí)施方式

下面參照附圖來描述本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，這些實(shí)施方式僅僅用于解釋本實(shí)用新型的技術(shù)原理，并非旨在限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。例如，雖然附圖中的各部件及各部件之間的位置關(guān)系是按一定比例繪制的，但這種比例關(guān)系非一成不變，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要對其作出調(diào)整，以便適應(yīng)具體的應(yīng)用場合。

需要說明的是，在本實(shí)用新型的描述中，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方向或位置關(guān)系的術(shù)語是基于附圖所示的方向或位置關(guān)系，這僅僅是為了便于描述，而不是指示或暗示所述裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本實(shí)用新型的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。

此外，還需要說明的是，在本實(shí)用新型的描述中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，可根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本實(shí)用新型中的具體含義。

如圖1和圖2所示，金屬化陶瓷3安裝在封裝腔體1和固定底板2之間。金屬化陶瓷3包括陶瓷體31和金屬層32，金屬層32貫穿陶瓷體31，并且金屬層32的一端與放置在封裝腔體1內(nèi)的芯片引腳6連接，芯片引腳6通過內(nèi)部基板5固定，金屬層32的另一端與封裝管殼的管殼引腳7連接，管殼引腳7通過外部基板4固定。設(shè)置在封裝腔體1內(nèi)的芯片通過依次電連接的芯片引腳6、金屬層32和管殼管殼引腳7與外部電路連接，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)通訊。

如圖3所示，金屬層32又包括位于陶瓷體31內(nèi)部的中間段(圖中未標(biāo)示)和與中間段連接為一體的兩端(圖3中陶瓷體31的上下兩側(cè)的金屬層)。中間段是一個等寬的條狀結(jié)構(gòu)，或者本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要或者加工手段將中間端設(shè)置成其他形狀。

如圖1至圖3所示，金屬層32的兩端均是凸耳結(jié)構(gòu)，包括第一連接端321和第二連接端322，第一連接端321與金屬層32的中間段固定連接，第二連接端322與芯片引腳6或管殼引腳7連接。并且，第一連接端321的主體寬度等于第二連接端322的寬度，但是，第二連接端322包括從兩側(cè)伸出的兩個凸耳。優(yōu)選地，所述兩個凸耳沿著垂直于金屬層32的主體的方向延伸(在圖3中是橫向延伸)。與圖3的結(jié)構(gòu)相比，圖4所示的現(xiàn)有技術(shù)中的金屬化陶瓷結(jié)構(gòu)的金屬層32的兩個連接端均是等寬的平直結(jié)構(gòu)。

如圖5和6所示，現(xiàn)有技術(shù)中的金屬化陶瓷的通信頻率在10GHz左右，回波損耗S1和插入損耗S2都比較高；而本實(shí)用新型的金屬化陶瓷3通過改變金屬層32兩個連接端的結(jié)構(gòu)，使得通訊頻率能夠達(dá)到18GHz，并且回波損耗S11和插入損耗S21都有所降低，有效地提高了金屬化陶瓷的通訊能力，減少了通訊損失。

本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，本實(shí)用新型的金屬化陶瓷中的金屬層32的中間段寬度與現(xiàn)有技術(shù)中同等型號芯片封裝管殼上的陶瓷金屬化層寬度相同。并且，金屬層32兩端的凸耳結(jié)構(gòu)并非一成不變。例如，可以將第一連接端321和第二連接端322分別做成寬度不相同的等寬的條狀結(jié)構(gòu)，使得金屬層32的兩端呈臺階狀，只要第二連接端322設(shè)置有從兩側(cè)伸出的凸耳即可。

本領(lǐng)域技術(shù)人員還能夠理解的是，如果芯片與外部電路之間是單相通訊，可以只將金屬層的一端設(shè)置成凸耳結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還能夠理解的是，本實(shí)用新型的金屬化陶瓷可以適用于任何芯片的封裝管殼。

至此，已經(jīng)結(jié)合附圖所示的優(yōu)選實(shí)施方式描述了本實(shí)用新型的技術(shù)方案，但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解的是，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍顯然不局限于這些具體實(shí)施方式。在不偏離本實(shí)用新型的原理的前提下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對相關(guān)技術(shù)特征作出等同的更改或替換，這些更改或替換之后的技術(shù)方案都將落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。