本實用新型是有關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置。

相關(guān)申請案的交互參照/納入作為參考

此申請案是相關(guān)于2013年1月29日申請且名稱為"半導(dǎo)體裝置以及制造半導(dǎo)體裝置的方法"的美國專利申請案序號13/753,120；2013年4月16日申請且名稱為"半導(dǎo)體裝置以及制造其的方法"的美國專利申請案序號13/863,457；2013年11月19日申請且名稱為"具有直通硅穿孔-較不深的井的半導(dǎo)體裝置"的美國專利申請案序號14/083,779；2014年3月18日申請且名稱為"半導(dǎo)體裝置以及制造其的方法"的美國專利申請案序號14/218,265；2014年6月24日申請且名稱為"半導(dǎo)體裝置以及制造其的方法"的美國專利申請案序號14/313,724；2014年7月28日申請且名稱為"具有薄的重新分布層的半導(dǎo)體裝置"美國專利申請案序號14/444,450；2014年10月27日申請且名稱為"具有降低的厚度的半導(dǎo)體裝置"的美國專利申請案序號14/524,443；2014年11月4日申請且名稱為"中介體、其的制造方法、利用其的半導(dǎo)體封裝、以及用于制造該半導(dǎo)體封裝的方法"的美國專利申請案序號14/532,532；2014年11月18日申請且名稱為"具有降低的翹曲的半導(dǎo)體裝置"的美國專利申請案序號14/546,484；以及2015年3月27日申請且名稱為"半導(dǎo)體裝置以及制造其的方法"的美國專利申請案序號14/671,095；該些美國專利申請案的每一個的內(nèi)容茲在此以其整體納入作為參考。

背景技術(shù)：

目前的半導(dǎo)體封裝以及用于形成半導(dǎo)體封裝的方法是不足的，其例如是產(chǎn)生超額的成本、較低的可靠度、或是過大的封裝尺寸。透過現(xiàn)有及傳統(tǒng)的方式與如同在本申請案的參考圖式的其余部分中所闡述的本

技術(shù)實現(xiàn)要素：
的比較，此種現(xiàn)有及傳統(tǒng)的方式的進(jìn)一步的限制及缺點對于具有此項技術(shù)的技能者而言將會變成是明顯的。

實用新型內(nèi)容

此實用新型內(nèi)容的各種特點是提供一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，作為非限制性的例子，此實用新型內(nèi)容的各種特點是提供各種的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其是包括一薄的細(xì)微間距的重新分布(redistribution)結(jié)構(gòu)。

本實用新型的一態(tài)樣為一種半導(dǎo)體裝置，其是包括：一重新分布結(jié)構(gòu)，其包括：一第一重新分布層，其包括：一第一介電層，其包括一第一介電材料；以及一第一導(dǎo)電的線路；以及一第二重新分布層，其包括：一第二介電層，其包括一不同于該第一介電材料的第二介電材料；以及一第二導(dǎo)電的線路，其電耦接至該第一導(dǎo)電的線路；一第一半導(dǎo)體晶粒，其是附接至該第一重新分布層；一第二半導(dǎo)體晶粒，其是附接至該第一重新分布層；以及導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)，其是附接至該第二重新分布層。

其中所述第一重新分布層是在一晶圓制程中被形成，并且所述第二重新分布層是在一后晶圓的制程中被形成。

其中所述第一介電材料是一種無機(jī)材料，并且所述第二介電材料是一種有機(jī)材料。

其中所述重新分布結(jié)構(gòu)包括在所述第一介電層與所述第二介電層之間的氧化物層。

半導(dǎo)體裝置，其包括：模制材料，其覆蓋所述重新分布結(jié)構(gòu)的至少一上表面以及所述第一及第二半導(dǎo)體晶粒的每一個的個別的橫向側(cè)表面；以及導(dǎo)電的貫孔，其從所述重新分布結(jié)構(gòu)穿過所述模制材料而延伸到所述模制材料的一上表面。

半導(dǎo)體裝置，其包括在所述模制材料的所述上表面上以及在所述第一及第二半導(dǎo)體晶粒之上的第三重新分布層，所述第三重新分布層電連接至所述導(dǎo)電的貫孔。

半導(dǎo)體裝置，其包括附接至所述導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)的封裝基板。

半導(dǎo)體裝置，其包括電耦接至所述封裝基板的第三晶粒。

本實用新型的另一態(tài)樣為一種半導(dǎo)體裝置，其是包括：一重新分布結(jié)構(gòu)，其包括：一上方的重新分布層，其包括：一第一介電層，其包括一第一介電材料；以及一第一導(dǎo)電的線路；以及一下方的重新分布層，其包括：一第二介電層，其包括一第二介電材料；以及一第二導(dǎo)電的線路，其是電耦接至該第一導(dǎo)電的線路；一第一半導(dǎo)體晶粒，其是附接至該重新分布結(jié)構(gòu)的一上方側(cè)；一第二半導(dǎo)體晶粒，其是附接至該重新分布結(jié)構(gòu)的該上方側(cè)；一第一模制材料，其是覆蓋該重新分布結(jié)構(gòu)的至少該上方側(cè)以及該第一及第二半導(dǎo)體晶粒的每一個的一個別的橫向側(cè)；一基板，其是包括一附接至該重新分布結(jié)構(gòu)的一下方側(cè)的上方的基板側(cè)；以及一第二模制材料，其是至少覆蓋該上方的基板側(cè)、該第一模制材料的一橫向側(cè)、以及該重新分布結(jié)構(gòu)的一橫向側(cè)。

其中所述第一模制材料以及所述第二模制材料是不同的材料。

其中所述第一模制材料的外表面包括黏著強(qiáng)化的特點，其強(qiáng)化在所述第一模制材料與所述第二模制材料之間的黏著。

半導(dǎo)體裝置，其中：所述第一模制材料包括第一模制頂表面；以及所述第二模制材料包括與所述第一模制頂表面共平面的第二模制頂表面。

半導(dǎo)體裝置，其包括：第一底膠填充材料，其在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第一半導(dǎo)體晶粒之間、以及在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第二半導(dǎo)體晶粒之間；以及第二底膠填充材料，其在所述基板與所述重新分布結(jié)構(gòu)之間，其中所述第一及第二底膠填充材料是不同的材料。

半導(dǎo)體裝置，其包括：第一底膠填充材料，其在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第一半導(dǎo)體晶粒之間、以及在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第二半導(dǎo)體晶粒之間；以及第二底膠填充材料，其在所述基板與所述重新分布結(jié)構(gòu)之間，其中所述第二底膠填充材料直接接觸所述第一底膠填充材料。

半導(dǎo)體裝置，其包括一種底膠填充材料，其在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第一半導(dǎo)體晶粒之間、以及在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第二半導(dǎo)體晶粒之間，其中所述底膠填充材料包括與所述重新分布結(jié)構(gòu)的所述上方側(cè)成正交的橫向側(cè)。

半導(dǎo)體裝置，其包括一種底膠填充材料，其在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第一半導(dǎo)體晶粒之間、以及在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第二半導(dǎo)體晶粒之間，其中所述底膠填充材料包括與所述第一模制材料的所述橫向側(cè)以及所述重新分布結(jié)構(gòu)的所述橫向側(cè)共平面的橫向側(cè)。

本實用新型的另一態(tài)樣為一種半導(dǎo)體裝置，其包括：重新分布結(jié)構(gòu)，其包括：上方的重新分布層，其包括：第一介電層，其包括第一介電材料；以及第一導(dǎo)電的線路；下方的重新分布層，其包括：第二介電層，其包括一第二介電材料；以及第二導(dǎo)電的線路，其電耦接至所述第一導(dǎo)電的線路；以及多個導(dǎo)電柱，其從所述下方的重新分布層延伸并且附接至所述第二導(dǎo)電的線路；第一半導(dǎo)體晶粒，其附接至所述重新分布結(jié)構(gòu)的一上方側(cè)；以及第二半導(dǎo)體晶粒，其附接至所述重新分布結(jié)構(gòu)的所述上方側(cè)。

半導(dǎo)體裝置，其包括附接至所述導(dǎo)電柱的基板。

半導(dǎo)體裝置，其包括：第一底膠填充材料，其在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第一半導(dǎo)體晶粒之間、以及在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第二半導(dǎo)體晶粒之間；以及第二底膠填充材料，其在所述基板與所述重新分布結(jié)構(gòu)之間，其中所述第一及第二底膠填充材料是不同的材料。

其中所述第二介電材料以及所述第一介電材料是不同的材料。

附圖說明

所附的圖式是被包括在內(nèi)以提供本實用新型內(nèi)容的進(jìn)一步的理解，并且被納入在此說明書中而且構(gòu)成說明書的一部分。該圖式是描繪本實用新型內(nèi)容的例子，并且和說明一起用以解說本實用新型內(nèi)容的各種原理。在圖式中：

圖1A-1J是展示描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體封裝以及一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法的橫截面圖。

圖2是根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法的流程圖。

圖3A-3B是展示描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體封裝以及一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法的橫截面圖。

圖4A-4D是展示描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體封裝以及一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法的橫截面圖。

圖5A-5F是展示描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體封裝以及一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法的橫截面圖。

圖6A-6D是展示描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體封裝以及一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法的橫截面圖。

圖7A-7L是展示描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體封裝以及一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法的橫截面圖。

圖8是根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法的流程圖。

圖9是展示描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體封裝以及一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法的橫截面圖。

圖10A-10B是展示描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體封裝以及一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法的橫截面圖。

圖11A-11D是展示描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體封裝以及一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法的橫截面圖。

圖12A-12B是展示描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體封裝以及一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法的橫截面圖。

圖13是展示描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體封裝以及一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法的橫截面圖。

圖14是展示描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體封裝以及一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法的橫截面圖。

圖15是展示描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體封裝以及一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法的橫截面圖。

圖16是展示描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體封裝以及一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法的橫截面圖。

具體實施方式

為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實施例對本實用新型進(jìn)行詳細(xì)描述。

以下的討論是借由提供本實用新型內(nèi)容的各種特點的各種例子來呈現(xiàn)該些特點。此種例子并非限制性的，并且因此本實用新型內(nèi)容的各種特點的范疇不應(yīng)該是必然受限于所提供的例子的任何特定的特征。在以下的討論中，該措辭"例如"、"譬如"以及"范例的"并非限制性的，并且大致與"舉例且非限制性的"、"例如且非限制性的"、及類似者為同義的。

如同在此所利用的，"及/或"是表示在表列中借由"及/或"所加入的項目中的任一個或多個。舉例而言，"x及/或y"是表示該三個元素的集合{(x)、(y)、(x,y)}中的任一元素。換言之，"x及/或y"是表示"x及y中的一或兩者"。作為另一例子的是，"x、y及/或z"是表示該七個元素的集合{(x)、(y)、(z)、(x,y)、(x,z)、(y,z)、(x,y,z)}中的任一元素。換言之，"x、y及/或z"是表示"x、y及z中的一或多個"。

在此所用的術(shù)語只是為了描述特定例子的目的而已，因而并不欲限制本實用新型內(nèi)容。如同在此所用的，單數(shù)形是欲亦包含多個形，除非上下文另有清楚相反的指出。進(jìn)一步將會理解到的是，當(dāng)該些術(shù)語"包括"、"包含"、"具有"、與類似者用在此說明書時，其是指明所述特點、整數(shù)、步驟、操作、組件及/或構(gòu)件的存在，但是并不排除一或多個其它特點、整數(shù)、步驟、操作、組件、構(gòu)件及/或其的群組的存在或是添加。

將會了解到的是，盡管該些術(shù)語第一、第二、等等可被使用在此以描述各種的組件，但是這些組件不應(yīng)該受限于這些術(shù)語。這些術(shù)語只是被用來區(qū)別一組件與另一組件而已。因此，例如在以下論述的一第一組件、一第一構(gòu)件或是一第一區(qū)段可被稱為一第二組件、一第二構(gòu)件或是一第二區(qū)段，而不脫離本實用新型內(nèi)容的教示。類似地，各種例如是"上方"、"下方"、"側(cè)邊"與類似者的空間的術(shù)語可以用一種相對的方式而被用在區(qū)別一組件與另一組件。然而，應(yīng)該了解的是構(gòu)件可以用不同的方式加以定向，例如一半導(dǎo)體裝置可被轉(zhuǎn)向側(cè)邊，因而其"頂"表面是水平朝向的，并且其"側(cè)"表面是垂直朝向的，而不脫離本實用新型內(nèi)容的教示。

本實用新型內(nèi)容的各種特點是提供一種半導(dǎo)體裝置或封裝以及其的一種制造(或制作)方法，其可以減少成本、增進(jìn)可靠度、及/或增進(jìn)該半導(dǎo)體裝置的可制造性。

本實用新型內(nèi)容的以上的特點以及其它特點將會在以下各種范例的實施方式的說明中加以描述、或是從該說明而明顯得知。本實用新型內(nèi)容的各種特點現(xiàn)在將會參考所附的圖式來加以呈現(xiàn)，使得熟習(xí)此項技術(shù)者可以輕易地實施該各種的特點。

圖1A-1J是展示描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體封裝以及一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法的橫截面圖。在圖1A-1J中所展示的結(jié)構(gòu)可以和在圖3A-3B、4A-4D、5A-5F、6A-6D、7A-7L、9、10A-10B、11A-11D、12A-12B、13、14、15及16中所示的類似的結(jié)構(gòu)共享任一或是所有的特征。圖2是根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法200的流程圖。圖1A-1J例如可以描繪在圖2的方法200的各種的步驟(或區(qū)塊)的一范例的半導(dǎo)體封裝。圖1A-1J以及圖2現(xiàn)在將會一起加以論述。應(yīng)注意到的是，該方法200的范例的區(qū)塊的順序可以變化，而不脫離此實用新型內(nèi)容的范疇。

該范例的方法200在區(qū)塊205可以包括制備一用于處理(例如，用于封裝)的邏輯晶圓。區(qū)塊205可包括用各種方式的任一種來制備一用于處理的邏輯晶圓，其的非限制性的方式是在此加以呈現(xiàn)。

例如，區(qū)塊205可包括例如是從供貨商運送、從在一制造位置的一上游制程、等等來接收一邏輯晶圓。該邏輯晶圓例如可以包括一半導(dǎo)體晶圓，其是包括多個主動的半導(dǎo)體晶粒。該半導(dǎo)體晶粒例如可以包括一處理器晶粒、內(nèi)存晶粒、可程序化的邏輯晶粒、特殊應(yīng)用集成電路晶粒、一般的邏輯晶粒、等等。

區(qū)塊205例如可以包括在該邏輯晶圓上形成導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)。此種導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)例如可以包括導(dǎo)電的墊、平面(land)、凸塊或球、導(dǎo)電柱、等等。該形成例如可以包括附接預(yù)先形成的互連結(jié)構(gòu)至該邏輯晶圓、在該邏輯晶圓上電鍍互連結(jié)構(gòu)、等等。

在一范例的實施方式中，該些導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)可包括導(dǎo)電柱(其是包括銅及/或鎳)、并且可包括一焊料蓋(例如，其是包括錫及/或銀)。例如，包括導(dǎo)電柱的導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)可包括：(a)一凸塊底部金屬化("UBM")結(jié)構(gòu)，其是包含(i)一借由濺鍍所形成的鈦-鎢(TiW)層(其可被稱為一"晶種層")、以及(ii)一在該鈦-鎢層上借由濺鍍所形成的銅(Cu)層；(b)一在該UBM上借由電鍍所形成的銅柱；以及(c)一被形成在該銅柱上的焊料層、或是一被形成在該銅柱上的鎳層以及一被形成在該鎳層上的焊料層。

再者，在一范例的實施方式中，該些導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)可包括一種鉛及/或無鉛的晶圓凸塊。例如，無鉛的晶圓凸塊(或是互連結(jié)構(gòu))可以至少部分是借由以下來加以形成的：(a)形成一凸塊底部金屬化(UBM)結(jié)構(gòu)，其是借由以下的(i)借由濺鍍以形成一鈦(Ti)或是鈦-鎢(TiW)層、(ii)在該鈦或是鈦-鎢層上借由濺鍍以形成一銅(Cu)層、(iii)以及在該銅層上借由電鍍以形成一鎳(Ni)層；以及(b)在該UBM結(jié)構(gòu)的鎳層上借由電鍍以形成一無鉛的焊料材料，其中該無鉛的焊料材料是具有一按重量計的1％到4％銀(Ag)的成分，并且該按重量計的成分的其余部分是錫(Sn)。

區(qū)塊205例如可以包括執(zhí)行該邏輯晶圓的部分或是全面的薄化(例如，研磨、蝕刻、等等)。區(qū)塊205例如也可以包括切割該邏輯晶圓成為個別的晶?；蚴蔷Я＝M，以用于后續(xù)的安裝。區(qū)塊205亦可包括從在一制造設(shè)施的一相鄰或是上游的制造站、從另一地理位置、等等接收該邏輯晶圓。接收到的邏輯晶圓例如可以是已經(jīng)制備的、或是額外的制備步驟可加以執(zhí)行。

一般而言，區(qū)塊205可包括制備一用于處理(例如，用于封裝)的邏輯晶圓。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于特定類型的邏輯晶圓及/或晶粒處理的特征。

該范例的方法200在區(qū)塊210可以包括制備一載體、基板、或是晶圓。所制備的(或是接收到的)晶圓可被稱為一重新分布結(jié)構(gòu)晶圓或是RD晶圓。區(qū)塊210可包括用各種方式的任一種來制備一用于處理的RD晶圓，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。

該RD晶圓例如可以包括一中介體晶圓、封裝基板的晶圓、等等。該RD晶圓例如可以包括一種形成(例如，以逐一晶粒的方式)在一半導(dǎo)體(例如，硅)晶圓上的重新分布結(jié)構(gòu)。該RD晶圓例如可以只包括電性路徑，而不包括電子裝置(例如，半導(dǎo)體裝置)。該RD晶圓例如亦可以包括被動的電子裝置，但是不包括主動的半導(dǎo)體裝置。例如，該RD晶圓可包括一或多個導(dǎo)電層或線路，其是被形成在一基板或載體上(例如，直接或間接在其上)、或是耦接至一基板或載體。該載體或基板的例子可包含一半導(dǎo)體(例如，硅)晶圓或是一玻璃基板。在一半導(dǎo)體晶圓上被用來形成導(dǎo)電層(例如，銅、鋁、鎢、等等)的制程的例子是包含利用半導(dǎo)體晶圓制程，其在此亦可以被稱為后段制程(BEOL)。在一范例的實施方式中，該些導(dǎo)電層可以利用一濺鍍及/或電鍍制程來沉積在一基板上面或是之上。該些導(dǎo)電層可被稱為重新分布層。該些重新分布層可被用來在兩個或多個電聯(lián)機(jī)之間繞線一電性信號、及/或?qū)⒁浑娐?lián)機(jī)繞線成為一較寬或是較窄的間距。

在一范例的實施方式中，該重新分布結(jié)構(gòu)(例如，可以附接至電子裝置的互連結(jié)構(gòu)(例如，平面、線路、等等))的各種部分可被形成具有一個次微米的間距(或是中心至中心的間隔)及/或小于一個2微米的間距。在各種的其它實施方式中，一個2-5微米的間距可被利用。

在一范例的實施方式中，該重新分布結(jié)構(gòu)被形成于其上的一硅晶圓可包括比可被充分利用來形成最終附接至該重新分布結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶粒較低等級的硅。在另一范例的實施方式中，該硅晶圓可以是來自一失敗的半導(dǎo)體裝置晶圓制造的一回收的硅晶圓。在另一范例的實施方式中，該硅晶圓可包括比可被充分利用來形成最終附接至該重新分布結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶粒較薄的一硅層。區(qū)塊210亦可包括從在一制造設(shè)施的一相鄰或是上游的制造站、從另一地理位置、等等來接收該RD晶圓。接收到的RD晶圓例如可以是已經(jīng)制備的、或是額外的制備步驟可加以執(zhí)行。

圖1A是提供區(qū)塊210的各種特點的一范例的圖標(biāo)。參照圖1A，該RD晶圓100A例如可以包括一支撐層105(例如，一硅或其它半導(dǎo)體層、一玻璃層、等等)。一重新分布(RD)結(jié)構(gòu)110可被形成在該支撐層105上。該RD結(jié)構(gòu)110例如可以包括一基底介電層111、一第一介電層113、第一導(dǎo)電線路112、一第二介電層116、第二導(dǎo)電線路115、以及互連結(jié)構(gòu)117。

該基底介電層111例如可以是在該支撐層105上。該基底介電層111例如可以包括一氧化物層、一氮化物層、等等。該基底介電層111例如可以是按照規(guī)格被形成的，且/或可以是自然的。介電層111可被稱為一保護(hù)層。例如，介電層111可以是一利用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)制程所形成的二氧化硅層、或者是包括該二氧化硅層。

該RD晶圓100A例如也可以包括第一導(dǎo)電線路112以及一第一介電層113。該些第一導(dǎo)電線路112例如可以包括沉積的導(dǎo)電金屬(例如，銅、鋁、鎢、等等)。導(dǎo)電線路112可以借由濺鍍及/或電鍍來加以形成。該些導(dǎo)電線路112例如可以是在一個次微米或是次兩微米的間距(或是中心至中心的間隔)下加以形成。該第一介電層113例如可以包括一種無機(jī)介電材料(例如，硅氧化物、硅氮化物、等等)。注意到的是，在各種的實施方式中，該介電層113可在第一導(dǎo)電線路112之前被形成，其例如是被形成有孔洞，該些孔洞是接著被填入第一導(dǎo)電線路112或是其的一部分。在一例如包括銅導(dǎo)電線路的范例的實施方式中，一種雙鑲嵌(dual damascene)制程可被利用來沉積該些線路。

在一替代的組件中，該第一介電層113可包括一種有機(jī)介電材料。例如，該第一介電層113可包括雙順丁烯二酸酰亞胺/三氮阱(bismaleimidetriazine，BT)、酚樹脂(phenolic resin)、聚酰亞胺(PI)、苯環(huán)丁烯(benzo cyclo butene，BCB)、聚苯并惡唑(poly benz oxazole，PBO)、環(huán)氧樹脂以及其等同物及其化合物，但是本實用新型內(nèi)容的特點并不限于此。該有機(jī)介電材料可以用各種方式的任一種(例如是化學(xué)氣相沉積，CVD)來加以形成。在此種替代的組件中，該些第一導(dǎo)電線路112例如可以是在一個2-5微米的間距(或是中心至中心的間隔)。

該RD晶圓100A例如也可以包括第二導(dǎo)電線路115以及一第二介電層116。該些第二導(dǎo)電線路115例如可以包括沉積的導(dǎo)電金屬(例如，銅、等等)。該些第二導(dǎo)電線路115例如可以透過個別的導(dǎo)電貫孔114(例如，在該第一介電層113中)以連接至個別的第一導(dǎo)電線路112。該第二介電層116例如可以包括一種無機(jī)介電材料(例如，硅氧化物、硅氮化物、等等)。在一替代的組件中，該第二介電層116可包括一種有機(jī)介電材料。例如，該第二介電層116可包括雙順丁烯二酸酰亞胺/三氮阱(BT)、酚樹脂、聚酰亞胺(PI)、苯環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)、環(huán)氧樹脂以及其等同物及其化合物，但是本實用新型內(nèi)容的特點并不限于此。該第二介電層116例如可以利用一CVD制程來加以形成，但是此實用新型內(nèi)容的范疇并不限于此。

盡管兩組的介電層及導(dǎo)電線路被描繪在圖1A中，但應(yīng)了解的是該RD晶圓100A的RD結(jié)構(gòu)110可包括任意數(shù)量的此種層及線路。例如，該RD結(jié)構(gòu)110可以只包括一介電層及/或多組的導(dǎo)電線路、三組的介電層及/或?qū)щ娋€路、等等。

如同在區(qū)塊205的邏輯晶圓制備，區(qū)塊210可包括在該RD結(jié)構(gòu)110的一表面上形成互連結(jié)構(gòu)(例如，導(dǎo)電凸塊、導(dǎo)電球、導(dǎo)電柱、導(dǎo)電平面或墊、等等)。此種互連結(jié)構(gòu)117的例子是被展示在圖1A中，其中該RD結(jié)構(gòu)110是包括互連結(jié)構(gòu)117，其是被展示為形成在該RD結(jié)構(gòu)110的正面(或頂端)側(cè)上，并且透過在該第二介電層116中的導(dǎo)電貫孔來電連接至個別的第二導(dǎo)電線路115。此種互連結(jié)構(gòu)117例如可被利用以將該RD結(jié)構(gòu)110耦接至各種的電子構(gòu)件(例如，主動的半導(dǎo)體構(gòu)件或晶粒、被動的構(gòu)件、等等)。

該些互連結(jié)構(gòu)117例如可以包括各種導(dǎo)電材料的任一種(例如，銅、鎳、金、等等的任一種或是一組合)。該些互連結(jié)構(gòu)117例如也可以包括焊料。

一般而言，區(qū)塊210可包括制備一重新分布結(jié)構(gòu)晶圓(RD晶圓)。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于執(zhí)行此種制備的任何特定方式的特征。

該范例的方法200在區(qū)塊215可以包括在該RD晶圓上形成互連結(jié)構(gòu)(例如，通?？?TMV)互連結(jié)構(gòu))。區(qū)塊215可包括用各種方式的任一種來形成此種互連結(jié)構(gòu)。

該些互連結(jié)構(gòu)可包括各種特征的任一種。例如，該些互連結(jié)構(gòu)可包括焊料球或凸塊、多球體的焊料柱、細(xì)長的焊料球、在一金屬核心之上具有一焊料層的金屬(例如，銅)核心球、電鍍的柱結(jié)構(gòu)(例如，銅柱、等等)、導(dǎo)線結(jié)構(gòu)(例如，引線接合的線)、等等。

該些互連結(jié)構(gòu)可包括各種尺寸的任一種。例如，該些互連結(jié)構(gòu)可以從該RD晶圓延伸到一高度是小于耦接至該RD晶圓的電子構(gòu)件(例如，在區(qū)塊220)的高度。同樣例如的是，該些互連結(jié)構(gòu)可以從該RD晶圓延伸到一高度是大于或等于耦接至該RD晶圓的電子構(gòu)件的高度。此種相對的高度的重要性于在此的討論中將會變成是明顯的(例如，在模制薄化、封裝堆棧、頂端基板附接、頂端重新分布結(jié)構(gòu)的形成等等的討論中)。該些互連結(jié)構(gòu)例如也可以在各種的間距下(或是中心至中心的間隔)加以形成。例如，該些互連結(jié)構(gòu)(例如，導(dǎo)電柱或柱體)可以在一個150-250微米或是更小的間距之下加以電鍍及/或接合的。同樣例如的是，該些互連結(jié)構(gòu)(例如，細(xì)長及/或填入金屬的焊料結(jié)構(gòu))可以在一個250-350微米或是更小的間距之下加以附接。同樣例如的是，該些互連結(jié)構(gòu)(例如，焊料球)可以在一個350-450微米或是更小的間距之下加以附接。

區(qū)塊215可包括用各種方式的任一種來附接該些互連結(jié)構(gòu)。例如，區(qū)塊215可包括在該RD晶圓上回焊附接互連結(jié)構(gòu)、在該RD晶圓上電鍍互連結(jié)構(gòu)、在該RD晶圓上引線接合互連結(jié)構(gòu)、利用導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂以將預(yù)先形成的互連結(jié)構(gòu)附接至該RD晶圓、等等。

圖1B是提供區(qū)塊215的各種特點(例如，互連結(jié)構(gòu)形成的特點)的一范例的圖標(biāo)。在范例的組件100B中，互連結(jié)構(gòu)121(例如，焊料球)是被附接(例如，回焊附接、利用一焊料的球式滴落制程來附接、等等)至該RD晶圓100A的RD結(jié)構(gòu)110。

盡管兩列的互連結(jié)構(gòu)121被展示，但是各種的實施方式可包括單一列、三列、或是任意數(shù)量的列。如同將會在此論述的，各種范例的實施方式可以不具有此種互連結(jié)構(gòu)121，并且因此區(qū)塊215可內(nèi)含在范例的方法200中。

注意到的是，盡管在該范例的方法200中，該區(qū)塊215是在區(qū)塊230的晶圓模制操作之前被執(zhí)行，但是該些互連結(jié)構(gòu)可以替代地在該晶圓模制操作之后加以形成(例如，在該模制材料中形成貫孔并且接著以導(dǎo)電材料來填充此種孔)。同樣注意到的是，如同在圖2中所示，區(qū)塊215例如可以在區(qū)塊220的晶粒附接操作之后加以執(zhí)行，而不是在晶粒附接之前。

一般而言，區(qū)塊215可包括在該RD晶圓上形成互連結(jié)構(gòu)。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于特定類型的互連結(jié)構(gòu)的特征、或是受限于形成此種互連結(jié)構(gòu)的任何特定方式的特征。

該范例的方法200在區(qū)塊220可以包括附接一或多個半導(dǎo)體晶粒至該RD結(jié)構(gòu)(例如，該RD晶圓的RD結(jié)構(gòu))。區(qū)塊220可包括用各種方式的任一種來附接該晶粒至該RD結(jié)構(gòu)，其的非限制性的例子是在此加以提供。

該半導(dǎo)體晶?？砂ǜ鞣N類型的半導(dǎo)體晶粒的任一種的特征。例如，該半導(dǎo)體晶?？砂ㄒ惶幚砥骶Я！⒁粌?nèi)存晶粒、一特殊應(yīng)用集成電路晶粒、一般的邏輯晶粒、主動的半導(dǎo)體構(gòu)件、等等)。注意到的是，被動的構(gòu)件亦可以在區(qū)塊220加以附接。

區(qū)塊220可包括用各種方式的任一種來附接該半導(dǎo)體晶粒(例如，如同在區(qū)塊205所制備者)。例如，區(qū)塊220可包括利用批量回焊(mass reflow)、熱壓接合(TCB)、導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂、等等來附接該半導(dǎo)體晶粒。

圖1B是提供區(qū)塊220的各種特點(例如是晶粒附接特點)的一范例的圖標(biāo)。例如，第一晶粒125(例如，其可以是已經(jīng)從一在區(qū)塊205制備的邏輯晶圓切割而來的)是電性且機(jī)械式地附接至該重新分布結(jié)構(gòu)110。類似地，第二晶粒126(例如，其可以是已經(jīng)從一在區(qū)塊205制備的邏輯晶圓切割而來的)是電性且機(jī)械式地附接至該重新分布結(jié)構(gòu)110。例如，如同在區(qū)塊205所解說的，該邏輯晶圓(或是其的晶粒)可以已經(jīng)被制備具有各種被形成在其上的互連結(jié)構(gòu)(例如，導(dǎo)電的墊、平面、凸塊、球、晶圓凸塊、導(dǎo)電柱、等等)。此種結(jié)構(gòu)是在圖1B中被大致展示為項目119。區(qū)塊220例如可以包括利用各種的附接制程(例如，批量回焊、熱壓接合(TCB)、導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂、等等)的任一種，以電性且機(jī)械式地附接此種互連結(jié)構(gòu)至該重新分布結(jié)構(gòu)110。

該第一晶粒125以及第二晶粒126可包括各種晶粒特征的任一種。在一范例情節(jié)中，該第一晶粒125可包括一處理器晶粒，并且該第二晶粒126可包括一內(nèi)存晶粒。在另一范例情節(jié)中，該第一晶粒125可包括一處理器晶粒，并且該第二晶粒126可包括一協(xié)同處理器晶粒。在另一范例情節(jié)中，該第一晶粒125可包括一傳感器晶粒，并且該第二晶粒126可包括一傳感器處理晶粒。盡管在圖1B的組件100B是被展示為具有兩個晶粒125、126，但是其可以有任意數(shù)量的晶粒。例如，其可以只有一晶粒、三個晶粒、四個晶粒、或是超過四個晶粒。

此外，盡管該第一晶粒125以及第二晶粒126系被展示為相對于彼此橫向地附接至該重新分布結(jié)構(gòu)110，但是它們亦可以用一垂直的組件來加以配置。此種結(jié)構(gòu)的各種非限制性的例子是在此被展示及論述(例如，晶粒在晶粒上的堆棧、晶粒附接到相對的基板側(cè)、等等)。再者，盡管該第一晶粒125以及第二晶粒126是被展示為具有大致類似的尺寸，但是此種晶粒125、126可包括不同的個別的特征(例如，晶粒高度、覆蓋區(qū)、連接間距、等等)。

該第一晶粒125以及第二晶粒126是被描繪為具有大致一致的間距，但是此并不必要是如此。例如，該第一晶粒125在第一晶粒覆蓋區(qū)的緊鄰該第二晶粒126的一區(qū)域中的大部分或全部的接點119及/或該第二晶粒126在第二晶粒覆蓋區(qū)的緊鄰該第一晶粒125的一區(qū)域中的大部分的接點119可以具有比其它大部分或全部的接點119實質(zhì)更細(xì)的間距。例如，該第一晶粒125最靠近第二晶粒126(及/或該第二晶粒126最靠近第一晶粒125)的前面5、10或是n列的接點119可以具有一30微米的間距，而其它的接點119大致可以具有一80微米及/或200微米的間距。該RD結(jié)構(gòu)110因此可以具有在該對應(yīng)的間距下的對應(yīng)的接觸結(jié)構(gòu)及/或線路。

一般而言，區(qū)塊220是包括附接一或多個半導(dǎo)體晶粒至該重新分布結(jié)構(gòu)(例如，一重新分布晶圓的重新分布結(jié)構(gòu))。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定的晶粒的特征、或是受限于任何特定的多晶粒的布局的特征、或是受限于附接此種晶粒的任何特定方式的特征、等等。

該范例的方法200在區(qū)塊225可以包括底膠填充(underfilling)在區(qū)塊220附接至該RD結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶粒及/或其它構(gòu)件。區(qū)塊225可包括用各種方式的任一種來執(zhí)行此種底膠填充，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。

例如，在區(qū)塊220的晶粒附接之后，區(qū)塊225可包括利用一種毛細(xì)管底膠填充來底膠填充該半導(dǎo)體晶粒。例如，該底膠填充可包括一種足夠黏的強(qiáng)化聚合材料，其是在一毛細(xì)管作用中流動在該附接晶粒與RD晶圓之間。

同樣例如的是，區(qū)塊225可包括在該晶粒于區(qū)塊220正被附接(例如，利用一熱壓接合制程)時，利用一種非導(dǎo)電膏(NCP)及/或一種非導(dǎo)電膜(NCF)或帶來底膠填充該半導(dǎo)體晶粒。例如，此種底膠填充材料可以在附接該半導(dǎo)體晶粒之前先加以沉積(例如，印刷、噴涂、等等)。

如同在該范例的方法200中所描繪的所有的區(qū)塊，只要在該晶粒與重新分布結(jié)構(gòu)之間的空間是可接達(dá)的，區(qū)塊225就可以在該方法200的流程中的任何位置加以執(zhí)行。

該底膠填充亦可以發(fā)生在該范例的方法200的一不同的區(qū)塊處。例如，該底膠填充可以作為該晶圓模制區(qū)塊230的部分(例如，利用一種模制底膠填充)來加以執(zhí)行。

圖1B是提供區(qū)塊225的各種特點(例如，該底膠填充的特點)的一范例的圖標(biāo)。該底膠填充128是被設(shè)置在該第一半導(dǎo)體晶粒125與重新分布結(jié)構(gòu)110之間、以及在該第二半導(dǎo)體晶粒126與重新分布結(jié)構(gòu)110之間，其例如是圍繞該些接點119。

盡管該底膠填充128是大致被描繪為平坦的，但是該底膠填充可以升起并且在該半導(dǎo)體晶粒及/或其它構(gòu)件的側(cè)邊上形成圓角(fillet)。在一范例情節(jié)中，該些晶粒側(cè)表面的至少四分之一或是至少一半可以被覆蓋該底膠填充材料。在另一范例情節(jié)中，該些整個側(cè)表面的一或多個或是全部可以被覆蓋該底膠填充材料。同樣例如的是，直接在該些半導(dǎo)體晶粒之間、在該半導(dǎo)體晶粒與其它構(gòu)件之間、及/或在其它構(gòu)件之間的空間的一實質(zhì)的部分可以被填入該底膠填充材料。例如，在橫向相鄰的半導(dǎo)體晶粒之間、在該晶粒與其它構(gòu)件之間、及/或在其它構(gòu)件之間的至少一半的空間或是全部的空間可以被填入該底膠填充材料。在一范例的實施方式中，該底膠填充128可以覆蓋該RD晶圓的整個重新分布結(jié)構(gòu)110。在此種范例實施方式中，當(dāng)該RD晶圓之后被切割時，此種切割亦可切穿過該底膠填充128。

一般而言，區(qū)塊225可包括底膠填充在區(qū)塊220附接至該RD結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶粒及/或其它構(gòu)件。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定類型的底膠填充或是執(zhí)行此種底膠填充的任何特定方式的特征。

該范例的方法200在區(qū)塊230可以包括模制該RD晶圓(例如，或是一RD結(jié)構(gòu))。區(qū)塊230可包括用各種方式的任一種來模制該RD晶圓，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。

例如，區(qū)塊230可包括模制在該RD晶圓的頂表面之上、在區(qū)塊220附接的晶粒及/或其它構(gòu)件之上、在區(qū)塊215所形成的互連結(jié)構(gòu)(例如，導(dǎo)電球、橢圓體、柱或柱體(例如，電鍍的柱、線或是接合線等等)、等等)之上、在區(qū)塊225所形成的底膠填充之上、等等。

區(qū)塊230例如可以包括利用壓縮模制(例如，其是利用液體、粉末及/或膜)、或是真空模制。同樣例如的是，區(qū)塊230可包括利用一轉(zhuǎn)移模制制程(例如，一晶圓級轉(zhuǎn)移模制制程)。

該模制材料例如可以包括各種特征的任一種。例如，該模制材料(例如，環(huán)氧模制化合物(EMC)、環(huán)氧樹脂模制化合物、等等)可包括一相對高的模數(shù)，例如用以在一后續(xù)的制程中提供晶圓支撐。同樣例如的是，該模制材料可包括一相對低的模數(shù)，以在一后續(xù)的制程中提供晶圓彈性。

如同在此所解說的，例如有關(guān)于區(qū)塊225，區(qū)塊230的模制制程可以在該晶粒與該RD晶圓之間提供底膠填充。在此種例子中，在該模制的底膠填充材料與囊封該半導(dǎo)體晶粒的模制材料之間可以有均勻的材料。

圖1C是提供區(qū)塊230的各種特點(例如，模制特點)的一范例的圖標(biāo)。例如，模制組件100C是被展示為其中模制材料130覆蓋該些互連結(jié)構(gòu)121、第一半導(dǎo)體晶粒125、第二半導(dǎo)體晶粒126、底膠填充128、以及重新分布結(jié)構(gòu)110的頂表面。盡管該模制材料130(其在此亦可被稱為囊封材料)是被展示為完全覆蓋該第一半導(dǎo)體晶粒125以及第二半導(dǎo)體晶粒126的側(cè)邊以及頂端，但是此并不必要是如此的。例如，區(qū)塊230可包括利用一膜輔助或是晶粒密封的模制技術(shù)，以保持晶粒的頂端沒有模制材料。

一般而言，該模制材料130例如可以直接接觸并且覆蓋該些晶粒125、126的未被該底膠填充128覆蓋的部分。例如，在一其中該些晶粒125、126的側(cè)邊的至少一第一部分是被底膠填充128覆蓋的情節(jié)中，該模制材料130可以直接接觸并且覆蓋晶粒125、126的側(cè)邊的一第二部分。該模制材料130例如也可以填入在晶粒125、126之間的空間(例如，尚未被填入底膠填充128的空間的至少一部分)。

一般而言，區(qū)塊230可包括模制該RD晶圓。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定的模制材料、結(jié)構(gòu)及/或技術(shù)的特征。

該范例的方法200在區(qū)塊235可以包括研磨(或者是薄化)在區(qū)塊230所施加的模制材料。區(qū)塊235可包括用各種方式的任一種來研磨(或薄化)該模制材料，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。

區(qū)塊235例如可以包括機(jī)械式研磨該模制材料，以薄化該模制材料。此種薄化例如可以將該晶粒及/或互連結(jié)構(gòu)保留為包覆模制的、或是此種薄化可以露出一或多個晶粒及/或一或多個互連結(jié)構(gòu)。

區(qū)塊235例如可以包括研磨除了該模制化合物之外的其它構(gòu)件。例如，區(qū)塊235可包括研磨在區(qū)塊220所附接的晶粒的頂端側(cè)(例如，背側(cè)或是非主動側(cè))。區(qū)塊235例如也可以包括研磨在區(qū)塊215所形成的互連結(jié)構(gòu)。此外，在一其中在區(qū)塊225或區(qū)塊230所施加的底膠填充是向上足夠的延伸的情節(jié)中，區(qū)塊235亦可包括研磨此種底膠填充材料。此種研磨例如可以在該被研磨的材料的頂端產(chǎn)生一平坦的平面表面。

區(qū)塊235例如可以是在一其中該模制材料的高度原先就被形成在一所要的厚度的情節(jié)中被跳過。

圖1D是提供區(qū)塊235的各種特點(例如，該模制研磨特點)的一范例的圖標(biāo)。組件100D是被描繪為其中該模制材料130(例如，相對于在圖1C所描繪的模制材料130)被薄化，以露出晶粒125、126的頂表面。在此種例子中，該晶粒125、126亦可以是已經(jīng)被研磨(或者是被薄化)。

盡管如同在圖1D中所繪，該模制材料的頂表面是在該些互連結(jié)構(gòu)121之上，并且因此互連結(jié)構(gòu)121并未被研磨，但是該些互連結(jié)構(gòu)121也可以被研磨。此種范例實施方式例如可以在此階段產(chǎn)生一頂表面是包含晶粒125、126的一頂表面、模制材料130的一頂表面、以及互連結(jié)構(gòu)121的一頂表面，所有的頂表面都在一共同的平面上。

如同在此所解說的，該模制材料130在一包覆成型(overmold)配置中可以被保留以覆蓋該晶粒125、126。例如，該模制材料130可以不被研磨、或是該模制材料130可以被研磨，但是不到一露出該晶粒125、126的高度。

一般而言，區(qū)塊235可包括研磨(或者是薄化)在區(qū)塊230所施加的模制材料。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定的研磨(或薄化)的量或是類型的特征。

該范例的方法200在區(qū)塊240可以包括剝蝕在區(qū)塊230所施加的模制材料。區(qū)塊240可包括用各種方式的任一種來剝蝕該模制材料，其的非限制性的例子是在此加以提供。

如同在此論述的，該模制材料可以覆蓋在區(qū)塊215所形成的互連結(jié)構(gòu)。若該模制材料覆蓋互連結(jié)構(gòu)，并且該些互連結(jié)構(gòu)需要被露出(例如，用于后續(xù)的封裝附接、頂端側(cè)的重新分布層形成、頂端側(cè)的積層基板附接、電連接、散熱器連接、電磁屏蔽的連接、等等)，則區(qū)塊240可包括剝蝕該模制材料以露出該些連接結(jié)構(gòu)。

區(qū)塊240例如可以包括利用雷射剝蝕，穿過該模制材料來露出該些互連結(jié)構(gòu)。同樣例如的是，區(qū)塊240可包括利用軟性射束鉆孔、機(jī)械式鉆孔、化學(xué)鉆孔、等等。

圖1D是提供區(qū)塊240的各種特點(例如，該剝蝕特點)的一范例的圖標(biāo)。例如，該組件100D是被展示包括穿過該模制材料130而延伸至互連結(jié)構(gòu)121的剝蝕的貫孔140。盡管該些剝蝕的貫孔140是被展示為具有垂直的側(cè)壁，但應(yīng)了解的是貫孔140可包括各種形狀的任一種。例如，該些側(cè)壁可以是傾斜的(例如，在該模制材料130的頂表面具有比在互連結(jié)構(gòu)121較大的開口)。

盡管區(qū)塊240在圖2中是被描繪為緊接在區(qū)塊230的晶圓模制以及在區(qū)塊235的模制研磨之后，但是區(qū)塊240可以在該方法200中之后的任何點來加以執(zhí)行。例如，區(qū)塊240可以在該晶圓支撐結(jié)構(gòu)(例如，在區(qū)塊245所附接的)被移除之后加以執(zhí)行。

一般而言，區(qū)塊240可包括剝蝕在區(qū)塊230所施加的模制材料(例如，用以露出在區(qū)塊215所形成的互連結(jié)構(gòu))。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于執(zhí)行此種剝蝕的任何特定方式的特征、或是受限于任何特定的剝蝕的貫孔結(jié)構(gòu)的特征。

該范例的方法200在區(qū)塊245可以包括將該模制RD晶圓(例如，其頂端或模制側(cè))附接至一晶圓支撐結(jié)構(gòu)。區(qū)塊245可包括用各種方式的任一種來將該模制RD晶圓附接至該晶圓支撐結(jié)構(gòu)，其的非限制性的例子是在此加以提供。

該晶圓支撐結(jié)構(gòu)例如可以包括由硅、玻璃、或是各種其它的材料(例如，介電材料)所形成的一晶圓或固定裝置。區(qū)塊245例如可以包括利用一黏著劑、一真空固定裝置、等等以將該模制RD晶圓附接至該晶圓支撐結(jié)構(gòu)。注意到的是，如同在此所描繪及解說的，一重新分布結(jié)構(gòu)可以在該晶圓支撐件附接之前被形成在該晶粒以及模制材料的頂端側(cè)(或是背面)上。

圖1E是提供區(qū)塊245的各種特點(例如，晶圓支撐件附接特點)的一范例的圖標(biāo)。晶圓支撐結(jié)構(gòu)150是被附接至該模制材料130以及晶粒125、126的頂端側(cè)。該晶圓支撐結(jié)構(gòu)150例如可以是利用一黏著劑來加以附接，并且此種黏著劑亦可被形成在該些貫孔140中而且接觸該些互連結(jié)構(gòu)121。在另一范例的組件中，該黏著劑并未進(jìn)入貫孔140且/或并未接觸互連結(jié)構(gòu)121。注意到的是，在一其中該晶粒125、126的頂端被覆蓋模制材料130的組件中，該晶圓支撐結(jié)構(gòu)150可能只有直接耦接至該模制材料130的頂端。

一般而言，區(qū)塊245可包括將該模制RD晶圓(例如，其頂端或模制側(cè))附接至一晶圓支撐結(jié)構(gòu)。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定類型的晶圓支撐結(jié)構(gòu)的特征、或是受限于附接一晶圓支撐結(jié)構(gòu)的任何特定方式的特征。

該范例的方法200在區(qū)塊250可以包括從該RD晶圓移除一支撐層。區(qū)塊250可包括用各種方式的任一種來移除該支撐層，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。

如同在此論述的，該RD晶圓可包括一RD結(jié)構(gòu)被形成及/或承載于其上的一支撐層。該支撐層例如可以包括一種半導(dǎo)體材料(例如，硅)。在一其中該支撐層包括一硅晶圓層的范例情節(jié)中，區(qū)塊250可包括移除該硅(例如，從該RD晶圓移除該硅的全部、從該RD晶圓移除該硅的幾乎全部(例如是至少90％或95％)、等等)。例如，區(qū)塊250可包括機(jī)械式研磨該硅的幾乎全部，接著是一干式或濕式化學(xué)蝕刻以移除剩余部分(或是該剩余部分的幾乎全部)。在一其中該支撐層是松弛地附接至被形成(或承載)于其上的RD結(jié)構(gòu)的范例情節(jié)中，區(qū)塊250可包括拉開或是剝離以分開該支撐層與該RD結(jié)構(gòu)。

圖1F是提供區(qū)塊250的各種特點(例如，支撐層移除特點)的一范例的圖標(biāo)。例如，該支撐層105(在圖1E中所示)是從該RD結(jié)構(gòu)110被移除。在該舉例說明的例子中，該RD結(jié)構(gòu)110仍然可以包括一如同在此論述的基底介電層111(例如，一氧化物、氮化物、等等)。

一般而言，區(qū)塊250可包括從該RD晶圓移除一支撐層。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定類型的晶圓材料的特征、或是受限于晶圓材料移除的任何特定方式的特征。

該范例的方法200在區(qū)塊255可以包括形成及圖案化一第一重新分布層(RDL)的介電層，以用于蝕刻該RD結(jié)構(gòu)的一氧化物層。區(qū)塊255可包括用各種方式的任一種來形成及圖案化該第一RDL介電層，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。

在大致于此論述的例子中，該RD晶圓的RD結(jié)構(gòu)大致是被形成在一氧化物層(或是氮化物或其它介電質(zhì))上。為了致能金屬到金屬的附接至該RD結(jié)構(gòu)，該氧化物層的覆蓋該RD結(jié)構(gòu)的線路(或是墊或平面)的部分可以例如是借由蝕刻而被移除。注意到的是，該氧化物層并不一定需要被移除或是完全被移除，只要其具有可接受的導(dǎo)電度即可。

該第一RDL介電層例如可以包括一聚酰亞胺或是一聚苯并惡唑(PBO)材料。該第一RDL介電層例如可以包括一迭層的膜或是其它材料。該第一RDL介電層例如可以大致包括一種有機(jī)材料。然而，在各種的范例實施方式中，該第一RDL介電層可包括一種無機(jī)材料。

在一范例的實施方式中，該第一RDL介電層可包括一種被形成在該RD結(jié)構(gòu)的基底介電層的一第一側(cè)上的有機(jī)材料(例如，聚酰亞胺、PBO、等等)，該基底介電層可包括一氧化物或氮化物或是其它的介電材料。

該第一RDL介電層例如可被利用作為一用于蝕刻例如是一氧化物或氮化物層的基底介電層的屏蔽(例如，在區(qū)塊260)。同樣例如的是，在蝕刻之后，該第一RDL介電層可以保留，例如是被利用于其上形成導(dǎo)電的RDL線路。

在一替代的范例情節(jié)中(未顯示)，一臨時的屏蔽層(例如，一臨時的光阻層)可被利用。例如，在蝕刻之后，該臨時的屏蔽層可被移除，并且由一永久的RDL介電層所取代。

圖1G是提供區(qū)塊255的各種特點的一范例的圖標(biāo)。例如，該第一RDL介電層171是在該基底介電層111上被形成及圖案化。該圖案化的第一RDL介電層171例如可以包括穿過該第一RDL介電層171的貫孔172，而該基底介電層111例如可以透過貫孔172而被蝕刻(例如，在區(qū)塊260)，并且第一線路(或是其的部分)可被形成在貫孔172中(例如，在區(qū)塊265)。

一般而言，區(qū)塊255可包括例如是在該基底介電層上形成及圖案化一第一介電層(例如，一第一RDL介電層)。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于一特定的介電層的特征、或是受限于形成一介電層的一特定方式的特征。

該范例的方法200在區(qū)塊260可以包括從該RD結(jié)構(gòu)蝕刻該基底介電層(例如，氧化物層、氮化物層、等等)，例如是其的未被屏蔽的部分。區(qū)塊260可包括用各種方式的任一種來執(zhí)行該蝕刻，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。

例如，區(qū)塊260可包括執(zhí)行一干式蝕刻制程(或者是一濕式蝕刻制程)以蝕刻穿過該基底介電層(例如，氧化物、氮化物、等等)的借由穿過該第一介電層的貫孔所露出部分，該第一介電層是作用為一用于該蝕刻的屏蔽。

圖1G是提供區(qū)塊260的各種特點(例如，介電質(zhì)蝕刻特點)的一范例的圖標(biāo)。例如，該基底介電層111的在圖1F中被展示是在該第一導(dǎo)電線路112之下的部分是自圖1G被移除。此例如是致能在該第一導(dǎo)電線路112與在區(qū)塊265所形成的第一RDL線路之間的一金屬到金屬的接觸。

一般而言，區(qū)塊260例如可以包括蝕刻該基底介電層。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于執(zhí)行此種蝕刻的任何特定的方式。

該范例的方法200在區(qū)塊265可以包括形成第一重新分布層(RDL)線路。區(qū)塊265可包括用各種方式的任一種來形成該第一RDL線路，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。

如同在此論述的，該第一RDL介電層(例如，在區(qū)塊255所形成的)可被利用于蝕刻(例如，在區(qū)塊260)并且接著保留以用于該些第一RDL線路的形成。或者是，該第一RDL介電層可以在該蝕刻制程之后加以形成及圖案化。在此論述的又一替代的實施方式中，該用于基底介電層的蝕刻制程可被跳過，例如是在一其中該基底介電層(例如，一薄的氧化物或氮化物層)是足夠?qū)щ姷摹⒁猿浞值刈鳛橐辉诮饘倬€路之間的導(dǎo)電路徑的實施方式中。

區(qū)塊265可包括形成該第一RDL線路以附接至該RD結(jié)構(gòu)的透過該圖案化的第一RDL介電層所露出的第一導(dǎo)電線路。該第一RDL線路亦可被形成在該第一RDL介電層上。區(qū)塊265可包括用各種方式的任一種(例如是借由電鍍)來形成該第一RDL線路，但是此實用新型內(nèi)容的范疇并不限于形成此種線路的任何特定方式的特征。

該些第一RDL線路可包括各種材料(例如，銅、金、鎳、等等)的任一種。該第一RDL線路例如可以包括各種尺寸的特征的任一種。例如，一用于該第一RDL線路的典型的間距例如可以是5微米。在一范例的實施方式中，該些第一RDL線路例如可以在一中心至中心間距是大約或至少一數(shù)量級大于該RD晶圓的RD結(jié)構(gòu)的各種線路被形成所在的一間距(例如，在一個次微米的間距、大約0.5微米的間距、等等)來加以形成。

圖1G及1H是提供區(qū)塊265的各種特點(例如，RDL線路形成特點)的一范例的圖標(biāo)。例如，第一RDL線路的一第一部分181可被形成在該第一RDL介電層171的貫孔172中并且接觸該RD結(jié)構(gòu)110的借由此種貫孔172所露出的第一導(dǎo)電線路112。同樣例如的是，第一RDL線路的一第二部分182可被形成在該第一RDL介電層171上。

一般而言，區(qū)塊265可包括形成第一重新分布層(RDL)線路。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定的RDL線路的特征、或是受限于形成此種RDL線路的任何特定方式的特征。

該范例的方法200在區(qū)塊270可以包括在該些第一RDL線路(例如，在區(qū)塊265所形成的)以及該第一RDL介電層(例如，在區(qū)塊255所形成的)之上形成及圖案化一第二RDL介電層。區(qū)塊270可包括用各種方式的任一種來形成及圖案化該第二介電層，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。

例如，區(qū)塊270可以與區(qū)塊255共享任一或是所有的特征。該第二RDL介電層例如可以是利用一種和在區(qū)塊255所形成的第一RDL介電層相同的材料來加以形成。

該第二RDL介電層例如可以包括一聚酰亞胺或是一聚苯并惡唑(PBO)材料。該第二RDL介電層例如可以大致包括一種有機(jī)材料。然而，在各種的范例實施方式中，該第一RDL介電層可包括一種無機(jī)材料。

圖1H是提供區(qū)塊270的各種特點的一范例的圖標(biāo)。例如，該第二RDL介電層183是被形成在該些第一RDL線路181、182上、以及在該第一RDL介電層171上。如同在圖1H中所示，貫孔184是被形成在該第二RDL層183中，而可以透過貫孔184來做成導(dǎo)電的接觸到借由此種貫孔184所露出的第一RDL線路182。

一般而言，區(qū)塊270可包括形成及/或圖案化一第二RDL介電層。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定的介電層的特征、或是受限于形成一介電層的任何特定方式的特征。

該范例的方法200在區(qū)塊275可以包括形成第二重新分布層(RDL)線路。區(qū)塊275可包括用各種方式的任一種來形成該第二RDL線路，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。區(qū)塊275例如可以與區(qū)塊265共享任一或是所有的特征。

區(qū)塊275可包括形成附接到第一RDL線路(例如，在區(qū)塊265所形成的)的第二RDL線路，而該些第一RDL線路是透過在該圖案化的第二RDL介電層(例如，在區(qū)塊270所形成的)中的貫孔而被露出。該些第二RDL線路亦可被形成在該第二RDL介電層上。區(qū)塊275可包括用各種方式的任一種(例如是借由電鍍)來形成該些第二RDL線路，但是此實用新型內(nèi)容的范疇并不限于任何特定的方式的特征。

如同第一RDL線路，該些第二RDL線路可包括各種材料(例如，銅、等等)的任一種。此外，該第二RDL線路例如可以包括各種尺寸的特征的任一種。

圖1H及1I是提供區(qū)塊275的各種特點的一范例的圖標(biāo)。例如，該些第二RDL線路191可被形成在第二RDL介電層183中的貫孔184內(nèi)，以接觸透過此種貫孔184所露出的第一RDL線路181。此外，該第二RDL線路191可被形成在該第二RDL介電層183上。

一般而言，區(qū)塊275可包括形成第二重新分布層(RDL)線路。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定的RDL線路的特征、或是受限于形成此種RDL線路的任何特定方式的特征。

該范例的方法200在區(qū)塊280可以包括在第二RDL線路(例如，在區(qū)塊275所形成的)以及第二RDL介電層(例如，在區(qū)塊270所形成的)之上形成及圖案化一第三RDL介電層。區(qū)塊280可包括用各種方式的任一種來形成及圖案化該第三介電層，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。

例如，區(qū)塊280可以與區(qū)塊270及255共享任一或是所有的特征。該第三RDL介電層例如可以是利用一和在區(qū)塊255(及/或在區(qū)塊260的蝕刻以及剝除一臨時的屏蔽層之后)所形成的第一RDL介電層相同的材料、及/或利用一和在區(qū)塊270所形成的第二RDL介電層相同的材料來加以形成。

該第三RDL介電層例如可以包括一聚酰亞胺或是一聚苯并惡唑(PBO)材料。該第三RDL介電層例如可以大致包括一種有機(jī)材料。然而，在各種的范例實施方式中，該第三RDL介電層可包括一種無機(jī)材料。

圖1I是提供區(qū)塊280的各種特點的一范例的圖標(biāo)。例如，該第三RDL層185可被形成在該些第二RDL線路191上以及在該第二RDL層183上。如同在圖1I中所示，貫孔是被形成在該第三RDL層185中，而可以透過該些貫孔來做成導(dǎo)電的接觸到借由此種貫孔所露出的第二RDL線路191。

一般而言，區(qū)塊280可包括形成及/或圖案化一第三RDL介電層。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定的介電層的特征、或是受限于形成一介電層的任何特定方式的特征。

該范例的方法200在區(qū)塊285可以包括在該些第二RDL線路上、及/或在該第三RDL介電層上形成互連結(jié)構(gòu)。區(qū)塊285可包括用各種方式的任一種來形成該些互連結(jié)構(gòu)，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。

區(qū)塊285例如可以包括在透過在該第三介電層中的貫孔所露出的第二RDL線路的部分上形成一凸塊底部(underbump)金屬。區(qū)塊285接著例如可以包括將導(dǎo)電凸塊或球附接至該凸塊底部金屬。其它的互連結(jié)構(gòu)也可以被利用，其例子是在此加以呈現(xiàn)(例如，導(dǎo)電柱或柱體、焊料球、焊料凸塊、等等)。

圖1I是提供區(qū)塊285的各種特點(例如，互連結(jié)構(gòu)形成的特點)的一范例的圖標(biāo)。例如，互連結(jié)構(gòu)192是透過在該第三RDL介電層185中所形成的貫孔而被附接至該些第二RDL線路191。注意到的是，盡管該些互連結(jié)構(gòu)192被描繪為小于互連結(jié)構(gòu)121，但是此實用新型內(nèi)容并未如此受限的。例如，該些互連結(jié)構(gòu)192可以是和互連結(jié)構(gòu)121相同的尺寸、或是大于互連結(jié)構(gòu)121。此外，該些互連結(jié)構(gòu)192可以是和互連結(jié)構(gòu)121相同類型的互連結(jié)構(gòu)、或者可以是一不同的類型。

盡管在區(qū)塊255-285所形成的重新分布層(其亦可被稱為正面重新分布層(RDL))在圖1A-1J中是大致以一種扇出組件(例如，延伸到晶粒125、126的覆蓋區(qū)之外)來加以描繪，但是它們亦可以用一種扇入組件來加以形成，例如其中互連結(jié)構(gòu)192大致并未延伸到晶粒125、126的覆蓋區(qū)之外。此種組件的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。

一般而言，區(qū)塊285例如可包括在該些第二RDL線路上及/或在該第三RDL介電層上形成互連結(jié)構(gòu)。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定的互連結(jié)構(gòu)的特征、或是受限于形成互連結(jié)構(gòu)的任何特定的方式。

該范例的方法200在區(qū)塊290可以包括脫黏(或分離)在區(qū)塊245所附接的晶圓支撐件。區(qū)塊290可包括用各種方式的任一種來執(zhí)行此種脫黏，其的非限制性的特點是在此加以呈現(xiàn)。

例如，在一其中該晶圓支撐件是黏附地附接的范例情節(jié)中，該黏著劑可被釋放(例如，利用熱及/或力)。同樣例如的是，化學(xué)脫模劑可被利用。在另一其中該晶圓支撐件是利用一真空力附接的范例情節(jié)中，該真空力可被釋放。注意到的是，在一涉及黏著劑或是其它物質(zhì)以助于該晶圓支撐件的安裝的情節(jié)中，區(qū)塊285可包括在該脫黏之后，從該電性組件及/或從該晶圓支撐件清除殘留物。

圖1I及1J是提供區(qū)塊290的各種特點的一范例的圖標(biāo)。例如，在圖1I 中描繪的晶圓支撐件150是在圖1J中被移除。

一般而言，區(qū)塊290可包括脫黏該晶圓支撐件。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定類型的晶圓支撐件的特征、或是受限于脫黏一晶圓支撐件的任何特定的方式。

該范例的方法200在區(qū)塊295可以包括切割該晶圓。區(qū)塊295可包括用各種方式的任一種來切割該晶圓，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。

在此的討論大致已經(jīng)聚焦在該RD晶圓的單一晶粒的處理。此種聚焦在該RD晶圓的單一晶粒只是為了清楚的舉例說明而已。應(yīng)了解的是，在此論述的所有制程步驟都可以在一整個晶圓上被執(zhí)行。例如，在圖1A-1J以及在此的其它圖所提出的每一個圖示都可以在單一晶圓上被復(fù)制數(shù)十或是數(shù)百次。例如，在切割之前，在該晶圓的所舉例說明的組件中的一組件與一相鄰的組件之間可以是不分開的。

區(qū)塊295例如可以包括從該晶圓切割出(例如，機(jī)械沖壓切割、機(jī)械鋸切割、雷射切割、軟性射束切割、電漿切割、等等)個別的封裝。此種切割的最終結(jié)果例如可以是在圖1J中所示的封裝。例如，該切割可以形成該封裝的側(cè)表面是包括該封裝的多個構(gòu)件的共面的側(cè)表面。例如，該模制材料130、RD結(jié)構(gòu)110的介電層、各種的RDL介電層、底膠填充128、等等的任一個或是全部的側(cè)表面可以是共面的。

一般而言，區(qū)塊295可包括切割該晶圓。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于切割一晶圓的任何特定方式的特征。

圖1A-1J及2是提出各種范例的方法的特點以及其的變化。其它范例的方法的特點現(xiàn)在將會參考另外的圖來加以提出。

如同在此論述的，在圖1A-1J及2的討論中，區(qū)塊235可包括研磨(或者是薄化)該模制材料130，以露出晶粒125、126中的一或多個。一例子是在圖1D被提供。

亦如同所論述的，在區(qū)塊235的模制研磨(或薄化)并不需要加以執(zhí)行、或是可加以執(zhí)行到一范圍是仍然讓晶粒125、126的頂端被覆蓋模制材料130。一例子是在圖3被提供。如同在圖3A中所示，該模制材料130是覆蓋半導(dǎo)體晶粒125、126的頂端。注意到的是，該些互連結(jié)構(gòu)121可以是比晶粒125、126較矮或是較高的。繼續(xù)該比較，并非是出現(xiàn)如同在圖1J中展示的所產(chǎn)生的封裝100J，而是所產(chǎn)生的封裝300B可以出現(xiàn)如同在圖3B中所示者。

再者，如同在此所論述的，在圖1A-1J及2的討論中，形成TMV互連結(jié)構(gòu)的區(qū)塊215以及TMV模制剝蝕的區(qū)塊240可被跳過。一個例子是在圖4被提供。如同在圖4A中所示，相對于區(qū)塊215及圖1B，其并沒有形成TMV互連結(jié)構(gòu)121。如同在圖4B中所示，相對于區(qū)塊230及圖1C，該模制材料130并未覆蓋互連結(jié)構(gòu)。

繼續(xù)該比較，如同在此所解說的，在區(qū)塊235的模制研磨(或薄化)可加以執(zhí)行到一范圍是從該模制材料130露出晶粒125、126的頂端中的一或多個。圖4C是提供此種處理的一范例的圖標(biāo)。一般而言，圖4C的組件400C是類似于圖1J的組件100J，再減去互連結(jié)構(gòu)121以及穿過模制材料130來露出該些互連結(jié)構(gòu)的剝蝕的貫孔。

同樣例如的是，如同在此所解說的，在區(qū)塊235的模制研磨(或薄化)可被跳過、或是被執(zhí)行到一范圍是讓晶粒125、126的頂端被覆蓋模制材料130。圖4D是提供此種處理的一范例的圖標(biāo)。一般而言，圖4D的組件400D是類似于圖1J的組件100J，再減去互連結(jié)構(gòu)121以及穿過模制材料130來露出該些互連結(jié)構(gòu)的剝蝕的貫孔，并且其中模制材料130是覆蓋晶粒125、126。

在另一例子中，如同在此所解說的，在區(qū)塊215的討論中，該些TMV互連可包括各種結(jié)構(gòu)的任一種，例如一導(dǎo)電柱(例如，電鍍的柱或柱體、垂直的導(dǎo)線、等等)。圖5A是提供附接至該RD結(jié)構(gòu)110的導(dǎo)電柱521的一范例的圖標(biāo)。該些導(dǎo)電柱521例如可以是電鍍在該RD結(jié)構(gòu)110上。該些導(dǎo)電柱521例如也可以包括附接(例如，引線接合的附接、焊接、等等)至該RD結(jié)構(gòu)110并且垂直地延伸的線(例如，引線接合的線)。該些導(dǎo)電柱521例如可以從該RD結(jié)構(gòu)110延伸到一高度是大于晶粒125、126的一高度、等于晶粒125、126中的一或多個的高度、小于晶粒125、126的一高度、等等。在一范例的實施方式中，該些柱可以具有一大于或等于200微米的高度，而且在一個100-150微米的中心至中心的間距下。注意到的是，任意數(shù)量的列的柱521可被形成。一般而言，圖5A的組件500A是類似于圖1B的組件100B，其中導(dǎo)電柱521是作為互連結(jié)構(gòu)，而不是導(dǎo)電球121。

繼續(xù)該例子，圖5B是描繪被覆蓋模制材料130的RD結(jié)構(gòu)110、導(dǎo)電柱521、半導(dǎo)體晶粒125、126、以及底膠填充128。該模制例如可以根據(jù)該范例的方法200的區(qū)塊230來加以執(zhí)行。一般而言，圖5B的組件500B是類似于圖1C的組件100C，其中導(dǎo)電柱521是作為互連結(jié)構(gòu)，而不是導(dǎo)電球121。

仍然繼續(xù)該例子，圖5C是描繪該模制材料130已經(jīng)被薄化(例如，被研磨)到一所要的厚度。該薄化例如可以根據(jù)該范例的方法200的區(qū)塊235來加以執(zhí)行。例如，注意到的是，該些導(dǎo)電柱521及/或半導(dǎo)體晶粒125、126亦可被薄化。一般而言，圖5D的組件500D是類似于圖1D的組件100D，其中導(dǎo)電柱521是作為互連結(jié)構(gòu)，而不是導(dǎo)電球121，并且亦不具有圖1D的剝蝕的貫孔140。例如，該模制材料130的薄化可以露出導(dǎo)電柱521的頂端。然而，若該模制材料130的薄化并不露出導(dǎo)電柱521的頂端，則一模制剝蝕操作(例如，根據(jù)區(qū)塊240)可加以執(zhí)行。注意到的是，盡管該組件是被展示為半導(dǎo)體晶粒125、126的頂端被露出，但是該些頂端并不必要被露出。例如，該些柱521可以是高于半導(dǎo)體晶粒125、126。此種范例的配置例如可以容許該些柱521能夠從該模制材料130露出且/或從該模制材料130突出，同時該模制材料130是持續(xù)覆蓋半導(dǎo)體晶粒125、126的背表面，其例如可以提供保護(hù)給半導(dǎo)體晶粒125、126，避免或降低翹曲、等等。

在一其中該些柱521是被形成具有一高度是小于晶粒125、126的范例的實施方式中，該薄化可包括首先研磨該模制材料130，接著是研磨該模制材料130以及晶粒125、126的背面(或非主動)側(cè)，直到該些柱521被露出為止。在此時點，該薄化可被停止、或者可以繼續(xù)，例如是研磨該模制材料130、晶粒125、126以及柱521。

繼續(xù)該例子，在圖5C中所示的組件500C可以進(jìn)一步借由在該模制材料130以及晶粒125、126之上形成一重新分布層(RDL)532來加以處理。圖5D是展示此種處理的一個例子。該重新分布層532在此亦可被稱為背面重新分布(RDL)層532。盡管此種背面RDL的形成并未明確地展示在該范例的方法200的任一區(qū)塊中，但是此種操作可以在該些區(qū)塊的任一個中被執(zhí)行，例如是在區(qū)塊235的模制研磨操作之后而且在區(qū)塊245的晶圓支撐件附接之前(例如，在區(qū)塊235、在區(qū)塊240、在區(qū)塊245、或是在此些區(qū)塊的任一個之間)。

如同在圖5D中所示，一第一背面介電層533可以在該模制材料130以及晶粒125、126上加以形成及圖案化。該第一背面介電層533例如可以是用一種和在區(qū)塊260所形成的第一RDL介電層171相同或類似的方式而被形成及圖案化，盡管第一RDL介電層171是在一不同的表面上。例如，該第一背面介電層533可被形成在該模制材料130上以及在該半導(dǎo)體晶粒125、126上(例如，在晶粒125、126的露出的背表面的正上方、在覆蓋晶粒125、126的背表面的模制材料130上、等等)，并且貫孔534可以在該第一背面介電層533中被形成(例如是借由蝕刻、剝蝕、等等)，以至少露出該些導(dǎo)電柱521的頂端。注意到的是，在一其中該模制材料130覆蓋半導(dǎo)體晶粒125、126的背表面的范例的配置中，該第一背面介電層533仍然可被形成，但是其并不必要是如此的(例如，在以下論述的背面線路535可以直接被形成在該模制材料130上，而不是在該第一背面介電層533上)。

背面線路535可被形成在該第一背面介電層533上、以及在該第一背面介電層533的貫孔534中。該些背面線路535因此可以電連接至導(dǎo)電柱521。該些背面線路535例如可以是用一種和在區(qū)塊265所形成的第一RDL線路相同或類似的方式來加以形成。該些背面線路535的至少某些個(若非全部的話)例如可以從導(dǎo)電柱521水平地延伸到在半導(dǎo)體晶粒125、126的正上方的位置處。該些背面線路535的至少某些個例如也可以從導(dǎo)電柱521延伸到并非在半導(dǎo)體晶粒125、126的正上方的位置處。

一第二背面介電層536可以在該第一背面介電層533以及背面線路535上加以形成及圖案化。該第二背面介電層536例如可以是用一種和在區(qū)塊270所形成的第二RDL介電層183相同或類似的方式而被形成及圖案化，盡管該第二RDL介電層183是在一不同的表面上。例如，該第二背面介電層536可被形成在該第一背面介電層533之上以及在該些背面線路535之上，并且貫孔537可以在該第二背面介電層536中被形成(例如，借由蝕刻、剝蝕、等等)，以露出該些背面線路535的接觸區(qū)域。

背面互連墊538(例如，球體接觸墊)可被形成在該第二背面介電層536上且/或在該第二背面介電層536的貫孔537中。該些背面互連墊538因此可以電連接至背面線路535。該些背面互連墊538例如可以是用一種和在區(qū)塊275 所形成的第二RDL線路相同或類似的方式而被形成。該些背面互連墊538例如可以是借由形成金屬接觸墊及/或形成凸塊底部金屬化來加以形成(例如，用以強(qiáng)化后續(xù)借由互連結(jié)構(gòu)的附接至背面線路535)。

盡管該背面RDL層532是被展示為具有兩個背面介電層533、536以及一層的背面線路535，但應(yīng)了解的是任意數(shù)量的介電層及/或線路層都可被形成。

如同例如在圖5E中所展示的，在該背面RDL層532被形成之后，一晶圓支撐結(jié)構(gòu)150可以附接至該背面RDL層532(例如，直接、利用一介于中間的黏著層、利用真空力、等等)。該晶圓支撐件150例如可以是用一種和在區(qū)塊245所附接的晶圓支撐件150相同或類似的方式來加以附接。例如，圖5E是展示該晶圓支撐件150的以一種類似于圖1E的附接的方式的附接，盡管其中是附接至該RDL層532，而不是附接至該模制層130以及半導(dǎo)體晶粒125、126。

如同例如在圖5F中所描繪的，該支撐層105(在圖5E中所示)可以從該RD晶圓被移除，一正面重新分布層可被形成在該RD結(jié)構(gòu)110的一與晶粒125、126相對的側(cè)邊上，互連結(jié)構(gòu)192可被形成，并且該晶圓支撐件150可被移除。

例如，該支撐層105可以用一種和在此相關(guān)區(qū)塊250以及圖1E-1F所論述的相同或類似的方式來加以移除。同樣例如的是，一正面重新分布層可以用一種和在此相關(guān)區(qū)塊255-280以及圖1G-1H所論述的相同或類似的方式來加以形成。此外例如的是，互連結(jié)構(gòu)192可以用一種和在此相關(guān)區(qū)塊285以及圖1I所論述的相同或類似的方式而被形成。又例如的是，該晶圓支撐件150可以用一種和在此相關(guān)區(qū)塊290以及圖1J所論述的相同或類似的方式而被移除。

在另一范例的實施方式中，一基板(例如，一積層基板、封裝基板、等等)可以附接在半導(dǎo)體晶粒125、126之上，其例如是在此相關(guān)圖5所論述的背面RDL的替代或額外的。例如，如同在圖6A中所繪，互連結(jié)構(gòu)621可被形成在一高度是將會延伸到晶粒125、126的高度。注意到的是，此高度并不一定存在，例如在一其中該背面基板是具有其本身的互連結(jié)構(gòu)、或是其中額外的互連結(jié)構(gòu)是被利用在該些互連結(jié)構(gòu)621與背面基板之間的情節(jié)中。該些互連結(jié)構(gòu)621例如可以是用一種和在此相關(guān)區(qū)塊215以及圖1B所論述的相同或類似的方式來加以附接。

繼續(xù)該例子，如同在圖6B中所繪，該組件600B可加以模制，并且若必要的話，該模制物可被薄化。此種模制及/或薄化例如可以是用一種和在此相關(guān)區(qū)塊230及235以及圖1C及1D所論述的相同或類似的方式來加以執(zhí)行。

如同在圖6C中所示，一晶圓支撐件150可加以附接，支撐層105可被移除，并且一正面?zhèn)萊DL可被形成。例如，一晶圓支撐件150可以用一種和在此相關(guān)區(qū)塊245以及圖1E所論述的相同或類似的方式來加以附接。同樣例如的是，支撐層105可以用一種和在此相關(guān)區(qū)塊250以及圖1F所論述的相同或類似的方式來加以移除。同樣例如的是，一正面RDL可以用一種和在此相關(guān)區(qū)塊255-280以及圖1G-1H所論述的相同或類似的方式來加以形成。

如同在圖6D中所繪，互連結(jié)構(gòu)192可加以附接，該晶圓支撐件150可被移除，并且背面基板632可加以附接。例如，該互連結(jié)構(gòu)192可以用一種和在此相關(guān)區(qū)塊285以及圖1I所論述的相同或類似的方式來加以附接。同樣例如的是，該晶圓支撐件150可以用一種和在此相關(guān)區(qū)塊290以及圖1J所論述的相同或類似的方式來加以移除。又例如的是，該背面基板632可以電性附接至互連結(jié)構(gòu)621、及/或機(jī)械式附接至模制材料130及/或晶粒125、126。該背面基板632例如可以是用晶圓(或面板)形式及/或單一封裝形式來加以附接，并且例如可以在切割(例如，如同在區(qū)塊295論述的)之前或是之后附接。

在圖1A-7L中所示并且在此論述的范例的方法及組件只是非限制性的例子而已，其是被呈現(xiàn)以描繪此實用新型內(nèi)容的各種特點。此種方法及組件亦可以和在以下的共同申請的美國專利申請案中所展示及論述的方法及組件共享任一或是所有的特征：2013年1月29日申請且名稱為"半導(dǎo)體裝置以及制造半導(dǎo)體裝置的方法"的美國專利申請案序號13/753,120；2013年4月16日申請且名稱為"半導(dǎo)體裝置以及制造其的方法"的美國專利申請案序號13/863,457；2013年11月19日申請且名稱為"具有直通硅穿孔-較不深的井的半導(dǎo)體裝置"的美國專利申請案序號14/083,779；2014年3月18日申請且名稱為"半導(dǎo)體裝置以及制造其的方法"的美國專利申請案序號14/218,265；2014年6月24日申請且名稱為"半導(dǎo)體裝置以及制造其的方法"的美國專利申請案序號14/313,724；2014年7月28日申請且名稱為"具有薄的重新分布層的半導(dǎo)體裝置"的美國專利申請案序號14/444,450；2014年10月27日申請且名稱為"具有降低的厚度的半導(dǎo)體裝置"的美國專利申請案序號14/524,443；2014年11月4日申請且名稱為"中介體、其的制造方法、利用其的半導(dǎo)體封裝、以及用于制造該半導(dǎo)體封裝的方法"的美國專利申請案序號14/532,532；2014年11月18日申請且名稱為"具有降低的翹曲的半導(dǎo)體裝置"的美國專利申請案序號14/546,484；以及2015年3月27日申請且名稱為"半導(dǎo)體裝置以及制造其的方法"的美國專利申請案序號14/671,095；該些美國專利申請案的每一個的內(nèi)容茲在此以其整體納入作為參考。

應(yīng)注意到的是，在此論述的半導(dǎo)體封裝的任一個或是全部都可以(但是并不必要)附接至一封裝基板。此種半導(dǎo)體裝置封裝以及制造其的方法的各種非限制性的例子現(xiàn)在將會加以論述。

圖7A-7L是展示描繪根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種范例的半導(dǎo)體封裝以及一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法的橫截面圖。在圖7A-7L中所展示的結(jié)構(gòu)例如可以和在圖1A-1J、3A-3B、4A-4D、5A-5F、6A-6D、9、10A-10B、11A-11D、12A-12B、13及14中所示的類似的結(jié)構(gòu)共享任一或是所有的特征。圖8是根據(jù)本實用新型內(nèi)容的各種特點的一種制造一半導(dǎo)體封裝的范例的方法800的流程圖。該范例的方法800例如可以和在圖2中所描繪而且在此論述的范例的方法200以及和任何在此論述的方法共享任一或是所有的特征。圖7A-7L例如可以描繪在圖8的制造方法800的各種步驟(或區(qū)塊)的范例的半導(dǎo)體封裝。圖7A-7L以及圖8現(xiàn)在將會一起加以論述。

該范例的方法800在區(qū)塊805可以包括制備一用于處理(例如，用于封裝)的邏輯晶圓。區(qū)塊805可包括用各種方式的任一種來制備一用于處理的邏輯晶圓，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。區(qū)塊805例如可以和在圖2中所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊205共享任一或是所有的特征。

該范例的方法800在區(qū)塊810可以包括制備一重新分布結(jié)構(gòu)晶圓(RD晶圓)。區(qū)塊810可包括用各種方式的任一種來制備一用于處理的RD晶圓，其的非限制性的例子是在此加以提供。區(qū)塊810例如可以和在圖2中所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊210共享任一或是所有的特征。

圖7A是提供區(qū)塊810的各種特點的一范例的圖標(biāo)。參照圖7A，該RD晶圓700A例如可以包括一支撐層705(例如，一硅層)。一重新分布(RD)結(jié)構(gòu)710 可被形成在該支撐層705上。該RD結(jié)構(gòu)710例如可以包括一基底介電層711、一第一介電層713、第一導(dǎo)電線路712、一第二介電層716、第二導(dǎo)電線路715、以及互連結(jié)構(gòu)717。

該基底介電層711例如可以是在該支撐層705上。該基底介電層711例如可以包括一氧化物層、一氮化物層、等等。該基底介電層711例如可以是按照規(guī)格被形成的，且/或可以是自然的。

該RD晶圓700A例如也可以包括第一導(dǎo)電線路712以及一第一介電層713。該些第一導(dǎo)電線路712例如可以包括沉積的導(dǎo)電金屬(例如，銅、等等)。該第一介電層713例如可以包括一種無機(jī)介電材料(例如，硅氧化物、硅氮化物、等等)。在一替代的組件中，該第一介電層713可包括一種有機(jī)介電材料。

該RD晶圓700A例如也可以包括第二導(dǎo)電線路715以及一第二介電層716。該第二導(dǎo)電線路715例如可以包括沉積的導(dǎo)電金屬(例如，銅、等等)。該第二導(dǎo)電線路715例如可以透過個別的導(dǎo)電貫孔714(例如，在該第一介電層713中)來連接至個別的第一導(dǎo)電線路712。該第二介電層716例如可以包括一種無機(jī)介電材料(例如，硅氧化物、硅氮化物、等等)。在一替代的組件中，該第二介電層716可包括一種有機(jī)介電材料。

盡管兩組的介電層以及導(dǎo)電線路是被描繪在圖7A中，但應(yīng)了解的是該RD晶圓700A的RD結(jié)構(gòu)710可包括任意數(shù)量的此種層及線路。例如，該RD結(jié)構(gòu)710可以只包括一介電層及/或一組的導(dǎo)電線路、三組的介電層及/或?qū)щ娋€路、等等。

如同在區(qū)塊805的邏輯晶圓制備，區(qū)塊810可包括在該RD結(jié)構(gòu)710的一表面上形成互連結(jié)構(gòu)(例如，導(dǎo)電凸塊、導(dǎo)電球、導(dǎo)電柱、導(dǎo)電的平面或墊、等等)。此種互連結(jié)構(gòu)717的例子是被展示在圖7A中，其中該RD結(jié)構(gòu)710是包括互連結(jié)構(gòu)717，其是被展示為被形成在該RD結(jié)構(gòu)710的正面(或頂端)側(cè)上，并且透過在該第二介電層716中的導(dǎo)電貫孔來電連接至個別的第二導(dǎo)電線路715。此種互連結(jié)構(gòu)717例如可被利用以耦接該RD結(jié)構(gòu)710至各種的電子構(gòu)件(例如，主動的半導(dǎo)體構(gòu)件或晶粒、被動的構(gòu)件、等等)。

該些互連結(jié)構(gòu)717例如可以包括各種導(dǎo)電材料的任一種(例如，銅、鎳、金、等等的任一個或是一組合)。該些互連結(jié)構(gòu)717例如也可以包括焊料。

一般而言，區(qū)塊810可包括制備一重新分布結(jié)構(gòu)晶圓(RD晶圓)。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于執(zhí)行此種制備的任何特定方式的特征。

該范例的方法800在區(qū)塊820可以包括附接一或多個半導(dǎo)體晶粒至該RD結(jié)構(gòu)(例如，該RD晶圓的RD結(jié)構(gòu))。區(qū)塊820可包括用各種方式的任一種來附接該晶粒至該RD結(jié)構(gòu)，其的非限制性的例子是在此加以提供。區(qū)塊820例如可以和在圖2中所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊220共享任一或是所有的特征。

圖7B是提供區(qū)塊820的各種特點(例如，該晶粒附接)的一范例的圖標(biāo)。例如，第一晶粒725(例如，其可以是已經(jīng)從一在區(qū)塊805所制備的邏輯晶圓被切割出)是電性且機(jī)械式地附接至該重新分布結(jié)構(gòu)710。類似地，該第二晶粒726(例如，其可以是已經(jīng)從一在區(qū)塊805所制備的邏輯晶圓被切割出)是電性且機(jī)械式地附接至該重新分布結(jié)構(gòu)710。

該第一晶粒725以及第二晶粒726可包括各種晶粒特征的任一種。在一范例情節(jié)中，該第一晶粒725可包括一處理器晶粒，并且該第二晶粒726可包括一內(nèi)存晶粒。在另一范例情節(jié)中，該第一晶粒725可包括一處理器晶粒，并且該第二晶粒726可包括一協(xié)同處理器晶粒。在另一范例情節(jié)中，該第一晶粒725可包括一傳感器晶粒，并且該第二晶粒726可包括一傳感器處理晶粒。盡管在圖7B的組件700B是被展示為具有兩個晶粒725、726，但是其可以有任意數(shù)量的晶粒。例如，其可以只有一晶粒、三個晶粒、四個晶粒、或是超過四個晶粒。

此外，盡管該第一晶粒725以及第二晶粒726是被展示為相對于彼此橫向地附接至該重新分布結(jié)構(gòu)710，但是它們亦可以被配置在一垂直的組件中。此種結(jié)構(gòu)的各種非限制性的范例的組件是在此被展示及論述(例如，晶粒在晶粒上的堆棧、晶粒附接到相對的基板側(cè)、等等)。再者，盡管該第一晶粒725以及第二晶粒726是被展示為具有大致類似的尺寸，但是此種晶粒725、726可包括不同的個別的特征(例如，晶粒高度、覆蓋區(qū)、連接間距、等等)。

該第一晶粒725以及第二晶粒726是被描繪為具有大致一致的間距，但是此并不必要是如此。例如，該第一晶粒725在第一晶粒覆蓋區(qū)的緊鄰該第二晶粒726的一區(qū)域中的大部分或全部的接點及/或該第二晶粒126在第二晶粒覆蓋區(qū)的緊鄰該第一晶粒725的一區(qū)域中的大部分的接點可以具有比其它大部分或全部的接點實質(zhì)更細(xì)的間距。例如，該第一晶粒725最靠近第二晶粒726(及/或該第二晶粒726最靠近第一晶粒725)的前面5、10或是n列的接點可以具有一30微米的間距，而其它的接點大致可以具有一80微米及/或200微米的間距。該RD結(jié)構(gòu)710因此可以具有在該對應(yīng)的間距下的對應(yīng)的接觸結(jié)構(gòu)及/或線路。

一般而言，區(qū)塊820是包括將一或多個半導(dǎo)體晶粒附接至該重新分布結(jié)構(gòu)(例如，一重新分布晶圓的重新分布結(jié)構(gòu))。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定的晶粒的特征、或是受限于任何特定的多晶粒的布局的特征、或是受限于附接此種晶粒的任何特定方式的特征、等等。

該范例的方法800在區(qū)塊825可以包括底膠填充在區(qū)塊820所附接至該RD結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶粒及/或其它構(gòu)件。區(qū)塊825可包括用各種方式的任一種來執(zhí)行此種底膠填充，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。區(qū)塊825例如可以和在圖2中所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊225共享任一或是所有的特征。

圖7B是提供區(qū)塊825的各種特點(例如，該底膠填充)的一范例的圖標(biāo)。該底膠填充728是被設(shè)置在該第一半導(dǎo)體晶粒725與重新分布結(jié)構(gòu)710之間、以及在該第二半導(dǎo)體晶粒726與重新分布結(jié)構(gòu)710之間。

盡管該底膠填充728是大致被描繪為平坦的，但是該底膠填充可以升起并且在該半導(dǎo)體晶粒及/或其它構(gòu)件的側(cè)邊上形成圓角。在一范例情節(jié)中，該些晶粒側(cè)表面的至少四分之一或是至少一半可以被覆蓋該底膠填充材料。在另一范例情節(jié)中，該些整個側(cè)表面的一或多個或是全部可以被覆蓋該底膠填充材料。同樣例如的是，直接在該些半導(dǎo)體晶粒之間、在該半導(dǎo)體晶粒與其它構(gòu)件之間、及/或在其它構(gòu)件之間的空間的一實質(zhì)的部分可以被填入該底膠填充材料。例如，在橫向相鄰的半導(dǎo)體晶粒之間、在該半導(dǎo)體晶粒與其它構(gòu)件之間、及/或在其它構(gòu)件之間的至少一半的空間或是全部的空間可以被填入該底膠填充材料。在一范例的實施方式中，該底膠填充728可以覆蓋該RD晶圓的整個重新分布結(jié)構(gòu)710。在此種范例實施方式中，當(dāng)該RD晶圓之后被切割時，此種切割亦可切穿過該底膠填充728。

一般而言，區(qū)塊825可包括底膠填充在區(qū)塊820附接至該RD結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶粒及/或其它構(gòu)件。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定類型的底膠填充、或是執(zhí)行此種底膠填充的任何特定方式的特征。

該范例的方法800在區(qū)塊830可以包括模制該RD晶圓(或是RD結(jié)構(gòu))。區(qū)塊830可包括用各種方式的任一種來模制該RD晶圓，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。區(qū)塊830例如可以和在圖2中所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊230共享任一或是所有的特征。

圖7C是提供區(qū)塊830的各種特點(例如，模制特點)的一范例的圖標(biāo)。例如，該模制組件700C是被展示為其中該模制材料730覆蓋該第一半導(dǎo)體晶粒725、第二半導(dǎo)體晶粒726、底膠填充728、以及該重新分布結(jié)構(gòu)710的頂表面。盡管該模制材料730(其在此亦可被稱為囊封材料)是被展示為完全覆蓋該第一半導(dǎo)體晶粒725以及第二半導(dǎo)體晶粒726的側(cè)邊及頂端，但是此并不必要是如此。例如，區(qū)塊830可包括利用一膜輔助或是晶粒密封的模制技術(shù)，以保持晶粒的頂端沒有模制材料。

一般而言，該模制材料730例如可以直接接觸并且覆蓋晶粒725、726的未被該底膠填充728覆蓋的部分。例如，在一其中該些晶粒725、726的側(cè)邊的至少一第一部分是被底膠填充728覆蓋的情節(jié)中，該模制材料730可以直接接觸并且覆蓋晶粒725、726的側(cè)邊的一第二部分。該模制材料730例如也可以填入在晶粒725、726之間的空間(例如，尚未被填入底膠填充728的空間的至少一部分)。

一般而言，區(qū)塊830可包括模制該RD晶圓。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定的模制材料、結(jié)構(gòu)及/或技術(shù)的特征。

該范例的方法800在區(qū)塊835可以包括研磨(或者是薄化)在區(qū)塊830所施加的模制材料。區(qū)塊835可包括用各種方式的任一種來研磨(或薄化)該模制材料，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。區(qū)塊835例如可以和在圖2中所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊235共享任一或是所有的特征。

圖7D是提供區(qū)塊835的各種特點(例如，該模制研磨特點)的一范例的圖標(biāo)。該組件700D是被描繪為該模制材料730(例如，相對于在圖7C描繪的模制材料730)被薄化，以露出晶粒725、726的頂表面。在此種例子中，該晶粒725、726也可以是已經(jīng)被研磨(或者是被薄化)。

如同在此所解說的，該模制材料730在一包覆成型組件中可以被保留以覆蓋晶粒725、726。例如，該模制材料730可以是未被研磨的、或是該模制材料730可以被研磨，但是并未到一露出晶粒725、726的高度。

一般而言，區(qū)塊835可包括研磨(或者是薄化)在區(qū)塊830所施加的模制材料。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于研磨(或薄化)的任何特定的量或類型的特征。

該范例的方法800在區(qū)塊845可以包括將該模制的RD晶圓(例如，其頂端或是模制側(cè))附接至一晶圓支撐結(jié)構(gòu)。區(qū)塊845可包括用各種方式的任一種來將該模制的RD晶圓附接至該晶圓支撐結(jié)構(gòu)，其的非限制性的例子是在此加以提供。區(qū)塊845例如可以和在圖2中所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊245共享任一或是所有的特征。

圖7E是提供區(qū)塊845的各種特點(例如，晶圓支撐件附接的特點)的一范例的圖標(biāo)。該晶圓支撐結(jié)構(gòu)750是被附接至該模制材料730以及晶粒725、726的頂端側(cè)。該晶圓支撐結(jié)構(gòu)750例如可以是利用一黏著劑來加以附接。注意到的是，在一其中該些晶粒725、726的頂端被覆蓋該模制材料730的組件中，該晶圓支撐結(jié)構(gòu)750可以只有直接耦接至該模制材料730的頂端。

一般而言，區(qū)塊845可包括將該模制的RD晶圓(例如，其頂端或是模制側(cè))附接至一晶圓支撐結(jié)構(gòu)。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定類型的晶圓支撐結(jié)構(gòu)的特征、或是受限于附接一晶圓支撐結(jié)構(gòu)的任何特定方式的特征。

該范例的方法200在區(qū)塊850可以包括從該RD晶圓移除一支撐層。區(qū)塊850可包括用各種方式的任一種來移除該支撐層，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。區(qū)塊850例如可以和在圖2中所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊250共享任一或是所有的特征。

如同在此論述的，該RD晶圓可包括一RD結(jié)構(gòu)被形成及/或承載于其上的一支撐層。該支撐層例如可以包括一種半導(dǎo)體材料(例如，硅)。在一其中該支撐層包括一硅晶圓層的范例情節(jié)中，區(qū)塊850可包括移除該硅(例如，從該RD晶圓移除該硅的全部、從該RD晶圓移除該硅的幾乎全部(例如是至少90％或95％)、等等)。例如，區(qū)塊850可包括機(jī)械式研磨該硅的幾乎全部，接著是一干式或濕式化學(xué)蝕刻以移除剩余部分(或是該剩余部分的幾乎全部)。在一其中該支撐層是松弛地附接至被形成(或承載)于其上的RD結(jié)構(gòu)的范例情節(jié)中，區(qū)塊850可包括拉開或是剝離以分開該支撐層與該RD結(jié)構(gòu)。

圖7F是提供區(qū)塊850的各種特點(例如，支撐層移除特點)的一范例的圖標(biāo)。例如，該支撐層705(在圖7E中所示)是從該RD結(jié)構(gòu)710被移除。在該舉例說明的例子中，該RD結(jié)構(gòu)710仍然可以包括一如同在此論述的基底介電層711(例如，一氧化物、氮化物、等等)。

一般而言，區(qū)塊850可包括從該RD晶圓移除一支撐層。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定類型的晶圓材料的特征、或是受限于晶圓材料移除的任何特定方式的特征。

該范例的方法800在區(qū)塊855可以包括形成及圖案化一重新分布層(RDL)介電層，以用于蝕刻該RD結(jié)構(gòu)的一氧化物層。區(qū)塊855可包括用各種方式的任一種來形成及圖案化該RDL介電層，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。區(qū)塊855例如可以和在圖2中所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊255共享任一或是所有的特征。

圖7G是提供區(qū)塊855的各種特點的一范例的圖標(biāo)。例如，該RDL介電層771是在該基底介電層711上被形成及圖案化。該圖案化的RDL介電層771例如可以包括穿過RDL介電層771的貫孔772，例如該基底介電層711可以透過貫孔772而被蝕刻(例如，在區(qū)塊860)，并且導(dǎo)電線路(或是其的部分)可被形成(例如，在區(qū)塊865)在貫孔772中。

一般而言，區(qū)塊855可包括例如是在該基底介電層上形成及圖案化一介電層(例如，一RDL介電層)。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于一特定的介電層的特征、或是受限于形成一介電層的一特定方式的特征。

該范例的方法800在區(qū)塊860可以包括從該RD結(jié)構(gòu)蝕刻該基底介電層(例如，氧化物層、氮化物層、等等)，例如是其的未被屏蔽的部分。區(qū)塊860可包括用各種方式的任一種來執(zhí)行該蝕刻，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。區(qū)塊860例如可以和在圖2中所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊260共享任一或是所有的特征。

圖7G是提供區(qū)塊860的各種特點的一范例的圖標(biāo)。例如，該基底介電層711的被展示在圖7F中的第一導(dǎo)電線路712之下的部分是從圖7G被移除。例如，此是致能在該些第一導(dǎo)電線路712與在區(qū)塊865所形成的RDL線路之間的金屬到金屬的接觸。

一般而言，區(qū)塊860例如可以包括蝕刻該基底介電層。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于執(zhí)行此種蝕刻的任何特定的方式。

該范例的方法800在區(qū)塊865可以包括形成重新分布層(RDL)線路。區(qū)塊865可包括用各種方式的任一種來形成該RDL線路，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。區(qū)塊865例如可以和在圖2中所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊265共享任一或是所有的特征。

圖7G及7H是提供區(qū)塊865的各種特點(例如，RDL線路形成的特點)的一范例的圖標(biāo)。例如，該些RDL線路的一第一部分781可被形成在該RDL介電層771的貫孔772中，并且接觸該RD結(jié)構(gòu)710的借由此種貫孔772所露出的第一導(dǎo)電線路712。同樣例如的是，該第一RDL線路的一第二部分782可被形成在該第一RDL介電層77l上。

一般而言，區(qū)塊865可包括形成重新分布層(RDL)線路。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定的RDL線路的特征、或是受限于形成此種RDL線路的任何特定方式的特征。

注意到的是，盡管該范例的方法800是在區(qū)塊855之處只有展示一RDL介電層、并且在區(qū)塊865之處只有展示一RDL線路，但是此類的區(qū)塊可以依所要地被重復(fù)多次。

該范例的方法800在區(qū)塊885可以在RDL線路上形成互連結(jié)構(gòu)。區(qū)塊885可包括用各種方式的任一種來形成該些互連結(jié)構(gòu)，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。例如，區(qū)塊885可以和在圖2中所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊285共享任一或是所有的特征。

區(qū)塊885例如可以在RDL線路上形成導(dǎo)電柱(例如，金屬柱、銅柱、焊料封頂?shù)闹?、等?及/或?qū)щ娡箟K(例如，焊料、等等)。例如，區(qū)塊885可以包括電鍍導(dǎo)電柱、設(shè)置或涂覆導(dǎo)電凸塊、等等。

圖7I是提供區(qū)塊885的各種特點(例如，凸塊形成的特點)的一范例的圖標(biāo)。例如，互連結(jié)構(gòu)792(例如，其是被展示為焊料封頂?shù)闹?，例如是銅柱)是被附接至該些RDL線路782。

盡管在區(qū)塊855-885所形成的重新分布層(其亦可被稱為正面重新分布層(RDL))在圖7A-7L中是大致以一種扇入組件(例如，大致內(nèi)含在晶粒725、726的覆蓋區(qū)之內(nèi))來加以描繪，但是它們亦可以用一種扇出組件來加以形成，例如其中互連結(jié)構(gòu)792的至少一部份是大致延伸到晶粒725、726的覆蓋區(qū)之外。此種組件的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。

一般而言，區(qū)塊885可包括例如在該些RDL線路上及/或在該RDL介電層上形成互連結(jié)構(gòu)。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定的互連結(jié)構(gòu)的特征、或是受限于形成互連結(jié)構(gòu)的任何特定的方式。

該范例的方法800在區(qū)塊890可以包括脫黏(或分離)在區(qū)塊845所附接的晶圓支撐件。區(qū)塊890可包括用各種方式的任一種來執(zhí)行此種脫黏，其的非限制性的特點是在此加以呈現(xiàn)。例如，區(qū)塊890可以和在圖2中所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊290共享任一或是所有的特征。

圖7H及7I是提供區(qū)塊890的各種特點的一范例的圖標(biāo)。例如，在圖7H中描繪的晶圓支撐件750是在圖7I中被移除。

一般而言，區(qū)塊890可包括脫黏該晶圓支撐件。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定類型的晶圓支撐件的特征、或是受限于脫黏一晶圓支撐件的任何特定的方式。

該范例的方法800在區(qū)塊895可以包括切割該晶圓。區(qū)塊895可包括用各種方式的任一種來切割該晶圓，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。區(qū)塊895例如可以和在圖2所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊295共享任一或是所有的特征。

在此的討論大致已經(jīng)聚焦在討論該RD晶圓的單一晶粒的處理。此種聚焦在該RD晶圓的單一晶粒只是為了清楚的舉例說明而已。應(yīng)了解的是，在此論述的所有制程步驟(或區(qū)塊)都可以在一整個晶圓上被執(zhí)行。例如，在圖7A-7L以及在此的其它圖所提出的每一個圖示都可以在單一晶圓上被復(fù)制數(shù)十或是數(shù)百次。例如，在切割之前，在該晶圓的所舉例說明的裝置組件中的一組件與一相鄰的裝置組件之間可以是不分開的。

區(qū)塊895例如可以包括從該晶圓切割出(例如，機(jī)械沖壓切割、機(jī)械鋸切割、雷射切割、軟性射束切割、電漿切割、等等)個別的封裝。此種切割的最終結(jié)果例如可以是在圖7I中所示的封裝。例如，該切割可以形成該封裝的側(cè)表面是包括該封裝的多個構(gòu)件的共面的側(cè)表面。例如，該模制材料730、RD結(jié)構(gòu)710的介電層、RDL介電層771、底膠填充728、等等的任一個或是全部的側(cè)表面可以是共面的。

一般而言，區(qū)塊895可包括切割該晶圓。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于切割一晶圓的任何特定方式的特征。

該范例的方法800在區(qū)塊896可以包括制備一基板、或是其的晶圓或面板，以用于該組件700I至其的附接。區(qū)塊896可包括用各種方式的任一種來制備一基板，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。區(qū)塊896例如可以和在圖2中所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊205及210共享任一個或是所有的特點。

該基板例如可以包括各種基板的任一種的特征。例如，該基板可包括一封裝基板、主板基板、積層基板、模制基板、半導(dǎo)體基板、玻璃基板、等等)。區(qū)塊896例如可以包括制備該基板的正表面及/或背表面，以用于電性及/或機(jī)械式的附接。區(qū)塊896例如在此階段可以讓一面板的基板保留在一面板形式而在之后切開個別的封裝、或是可以在此階段從一面板切開個別的基板。

區(qū)塊896亦可包括從在一制造設(shè)施的一相鄰或是上游的制造站、從另一地理位置、等等來接收該基板。該接收到的基板例如可以是已經(jīng)制備的、或是額外的制備步驟可加以執(zhí)行。

圖7J是提供區(qū)塊896的各種特點的一范例的圖標(biāo)。例如，該組件700J是包含一被制備用于附接的范例的基板793。

一般而言，區(qū)塊896可包括制備一基板、或是其的晶圓或面板，以用于該組件700I至其的附接。于是，此實用新型內(nèi)容的各種特點的范疇不應(yīng)該受限于特定的基板的特征、或是受限于制備一基板的任何特定方式的特征。

該范例的方法800在區(qū)塊897可以包括將一組件附接至該基板。區(qū)塊897可包括用各種方式的任一種來附接一組件(例如，一在圖7I所例示的組件700I或是其它組件)，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。區(qū)塊897例如可以和在圖2中所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊220共享任一或是所有的特征。

該組件可包括各種組件的任一種的特征，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)，例如是在所有的圖及/或在此相關(guān)的討論中。區(qū)塊897可包括用各種方式的任一種來附接該組件。例如，區(qū)塊897可包括利用批量回焊、熱壓接合(TCB)、導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂、等等以將該組件附接至該基板。

圖7J是提供區(qū)塊897的各種特點(例如，組件附接特點)的一范例的圖標(biāo)。例如，在圖7I所展示的組件700I是被附接至該基板793。

盡管未顯示在圖7J中，在各種的范例實施方式中(例如，如同在圖7K及7L中所示)，例如是穿?；ミB結(jié)構(gòu)的互連結(jié)構(gòu)可被形成在該基板793上。在此種范例實施方式中，區(qū)塊897可以和在圖2中所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊215共享任一或是所有的特征，盡管是有關(guān)于在該基板793上形成該些互連結(jié)構(gòu)。注意到的是，此種互連結(jié)構(gòu)可以在該組件附接之前或是之后被執(zhí)行、或是亦可以在區(qū)塊898的底膠填充之前或是之后被執(zhí)行。

一般而言，區(qū)塊897是包括將一組件附接至該基板。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定的組件、基板、或是附接一組件至一基板的方式的特征。

該范例的方法800在區(qū)塊898可以包括底膠填充在該基板上的組件。區(qū)塊898可包括各種方式的底膠填充的任一種，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。區(qū)塊898例如可以和區(qū)塊825及/或在圖2中所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊225共享任一或是所有的特征。

例如，在區(qū)塊897的組件附接之后，區(qū)塊898可包括利用一毛細(xì)管底膠填充來底膠填充該附接組件。例如，該底膠填充可包括一種足夠黏的強(qiáng)化的聚合材料，以在一毛細(xì)管作用中流動在該組件與該基板之間。

同樣例如的是，區(qū)塊897可包括在該組件于區(qū)塊897正被附接(例如，利用一熱壓接合制程)時，利用一種非導(dǎo)電膏(NCP)及/或一種非導(dǎo)電膜(NCF)或帶以底膠填充該半導(dǎo)體晶粒。例如，此種底膠填充材料可以在附接該組件之前加以沉積(例如，印刷、噴涂、等等)。

如同在該范例的方法800中所描繪的所有區(qū)塊，區(qū)塊898可以在該方法800的流程中的任何位置處被執(zhí)行，只要在該組件與該基板之間的空間是可接達(dá)的即可。

該底膠填充亦可以發(fā)生在該范例的方法800的一不同的區(qū)塊處。例如，該底膠填充可以被執(zhí)行為基板模制區(qū)塊899的部分(例如，利用一模制底膠填充)。

圖7K是提供區(qū)塊898的各種特點(例如，該底膠填充特點)的一范例的圖標(biāo)。該底膠填充794是被設(shè)置在該組件700I與基板793之間。

盡管該底膠填充794是大致被描繪為平坦的，但是該底膠填充可以升起并且在該組件700I及/或其它構(gòu)件的側(cè)邊上形成圓角。在一范例情節(jié)中，該組件700I的側(cè)表面的至少四分之一或是至少一半可以被覆蓋該底膠填充材料。在另一范例情節(jié)中，該組件700I的整個側(cè)表面的一或多個或是全部可以被覆蓋該底膠填充材料。同樣例如的是，直接在該組件700I與其它構(gòu)件之間、及/或在其它構(gòu)件(在各種的圖中所展示的)之間的空間的一實質(zhì)的部分可以被填入該底膠填充材料794。例如，在該組件700I與一橫向相鄰的構(gòu)件之間的至少一半的空間或是全部的空間可以被填入該底膠填充材料。

如同在圖7J中所示，該組件700J可包括一在該晶粒725、726與該RD結(jié)構(gòu)710之間的第一底膠填充728、以及一在該RD結(jié)構(gòu)710與該基板793之間的第二底膠填充794。此種底膠填充728、794例如可以是不同的。例如，在一其中在該晶粒725、726與該RD結(jié)構(gòu)710之間的距離小于在該RD結(jié)構(gòu)710與該基板793之間的距離的范例情節(jié)中，該第一底膠填充728相較于該第二底膠填充794可以大致包括一較小的填充物尺寸(或是具有較高的黏度)。換言之，該第二底膠填充794可以是比該第一底膠填充728便宜的。

再者，在區(qū)塊898及825所執(zhí)行的個別的底膠填充制程可以是不同的。例如，區(qū)塊825可包括利用一毛細(xì)管底膠填充程序，而區(qū)塊898可包括利用一非導(dǎo)電膏(NCP)底膠填充程序。

在另一例子中，區(qū)塊825及898可包括同時在一相同的底膠填充制程中被執(zhí)行，例如是在區(qū)塊897之后。此外，如同在此論述的，一模制的底膠填充亦可被利用。在此種范例的情節(jié)中，區(qū)塊899可包括在該基板模制制程期間執(zhí)行區(qū)塊825及/或898的任一或是兩者的底膠填充。例如，區(qū)塊825可包括執(zhí)行一毛細(xì)管底膠填充，而區(qū)塊898是在區(qū)塊899被執(zhí)行為一模制底膠填充制程。

一般而言，區(qū)塊898可包括底膠填充在區(qū)塊897所附接至該基板的組件及/或其它構(gòu)件。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定類型的底膠填充、或是執(zhí)行底膠填充的任何特定的方式的特征。

該范例的方法800在區(qū)塊899可以包括模制該基板。區(qū)塊899可包括用各種方式的任一種來執(zhí)行此種模制，其的非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。區(qū)塊899例如可以和區(qū)塊830及/或在圖2中所示以及在此論述的范例的方法200的區(qū)塊230共享任一或是所有的特征。

例如，區(qū)塊899可包括模制在該基板的頂表面之上、在區(qū)塊897附接的組件之上、在TMV互連結(jié)構(gòu)(若其被形成在該基板上的話，例如是導(dǎo)電球、橢圓體、柱或柱體(例如，電鍍的柱、線或是接合線等等)、等等)之上。

區(qū)塊899例如可以包括利用轉(zhuǎn)移模制、壓縮模制、等等。區(qū)塊899例如可以包括利用一面板模制的制程，其中多個基板被連接在一面板中并且一起模制、或是區(qū)塊899可包括個別地模制基板。在一面板模制的情節(jié)中，在該面板模制之后，區(qū)塊899可包括執(zhí)行一切開制程，其中個別的基板是和該基板面板分開。

該模制材料例如可以包括各種特征的任一種。例如，該模制材料(例如，環(huán)氧模制化合物(EMC)、環(huán)氧樹脂模制化合物、等等)可包括一相對高的模數(shù)，例如以在一后續(xù)的制程中提供封裝支撐。同樣例如的是，該模制材料可包括一相對低的模數(shù)，以在一后續(xù)的制程中提供封裝彈性。

區(qū)塊899例如可以包括利用一種模制材料是不同于在區(qū)塊830所利用的模制材料。例如，區(qū)塊899可以利用一種具有比在區(qū)塊830所利用的模制材料較低的模數(shù)的模制材料。在此種情節(jié)中，該組件的中央?yún)^(qū)域相較于該組件的周邊區(qū)域可以是相對較堅硬的，此是在該組件的較強(qiáng)健的區(qū)域中提供各種力的吸收。

在一其中該組件700K的模制材料735以及該組件700I的模制材料730是不同的，且/或在不同的階段被形成，且/或利用不同類型的制程被形成的范例情節(jié)中，區(qū)塊899(或是另一區(qū)塊)可包括制備該模制材料730以用于黏著至該模制材料735。例如，該模制材料730可以被物理性或化學(xué)性蝕刻。該模制材料730例如可以被電漿蝕刻。同樣例如的是，溝槽、凹口、突出部、或是其它物理特點可被形成在該模制材料730上。又例如的是，一黏著劑可被設(shè)置在該模制材料730上。

區(qū)塊899例如可以利用一與在區(qū)塊830所利用者為不同類型的模制制程。在一范例情節(jié)中，區(qū)塊830可以利用一壓縮模制制程，而區(qū)塊899是利用一轉(zhuǎn)移模制制程。在此種范例情節(jié)中，區(qū)塊830可以利用一種特定適配于壓縮模制的模制材料，并且區(qū)塊899可以利用一種特定適配于轉(zhuǎn)移模制的模制材料。此種模制材料例如可以具有明顯不同的材料特征(例如，流動特征、固化特征、硬度特征、粒子尺寸特征、化學(xué)化合物特征、等等)。

如同在此所解說的，例如是關(guān)于區(qū)塊898，區(qū)塊899的模制制程可以提供在該組件700I與該基板793之間底膠填充，且/或可以提供在該晶粒725、726與該RD結(jié)構(gòu)710之間底膠填充。在此種例子中，在該模制底膠填充材料與囊封基板793及組件700I的模制材料及/或囊封RD結(jié)構(gòu)710及半導(dǎo)體晶粒725、726的模制材料之間可以有材料的均勻性。

圖7K是提供區(qū)塊899的各種特點(例如，該些模制特點)的一范例的圖標(biāo)。例如，該模制組件700K是被展示為其中該模制材料735覆蓋互連結(jié)構(gòu)795以及組件700I。盡管該模制材料735(其在此亦可被稱為囊封材料)是被展示為讓組件700I的頂端被露出，但是此并不必要是如此。例如，區(qū)塊899可以完全覆蓋該組件700I，而且并不需要接著是一薄化(或研磨)操作來露出該組件700I的頂端。

一般而言，該模制材料735例如可以直接接觸且覆蓋組件700I的未被該底膠填充794覆蓋的部分。例如，在一其中該組件700I的側(cè)邊的至少一第一部分被覆蓋底膠填充794的情節(jié)中，該模制材料735可以直接接觸且覆蓋組件700I的側(cè)邊的一第二部分。再者，該模制材料735可以橫向地延伸至該基板793的邊緣，并且因此構(gòu)成一與該基板793共平面的側(cè)表面。此種組件例如可以是利用面板模制而被形成的，接著是個別的封裝從該面板的單粒化。

一般而言，區(qū)塊899可包括模制該基板。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于任何特定的模制材料、結(jié)構(gòu)及/或技術(shù)的特征。

該范例的方法800在區(qū)塊886可以包括在該基板上形成互連結(jié)構(gòu)，例如是在該基板的相對該組件在區(qū)塊897被附接到的側(cè)邊的側(cè)邊上。該些互連結(jié)構(gòu)可包括各種類型的互連結(jié)構(gòu)的任一種的特征，例如是可被利用以連接一半導(dǎo)體封裝至另一封裝或是一主板的結(jié)構(gòu)。例如，該些互連結(jié)構(gòu)可包括導(dǎo)電球(例如，焊料球)或是凸塊、導(dǎo)電柱、等等。

圖7K是提供區(qū)塊886的各種特點(例如，該形成互連的特點)的一范例的圖標(biāo)。例如，該些互連結(jié)構(gòu)792是被描繪為附接至該基板793的平面791。

一般而言，區(qū)塊886可包括在該基板上形成互連結(jié)構(gòu)。于是，此實用新型內(nèi)容的范疇不應(yīng)該受限于特定的互連結(jié)構(gòu)的特征、或是受限于形成此種結(jié)構(gòu)的任何特定的方式。

如同在此論述的，該底膠填充728可以覆蓋晶粒725、726的側(cè)邊的至少一部分，且/或該底膠填充794可以覆蓋組件700I的側(cè)邊的至少一部分。圖7L是提供此種覆蓋的一舉例說明的的例子。例如，該組件700I是被展示為其中該底膠填充728是接觸晶粒725、726的側(cè)邊的一部分。如同在此論述的，在一切割制程期間，該底膠填充728亦可被切割，此是產(chǎn)生一包括一平的側(cè)表面的組件700I，該側(cè)表面是包含該RD結(jié)構(gòu)710的一側(cè)表面、該模制材料730的一側(cè)表面、以及該底膠填充728的一側(cè)表面。

該組件700L(其亦可被稱為一封裝)是被展示為其中底膠填充794接觸該組件700I的側(cè)邊的一部分(例如，該RD結(jié)構(gòu)710的側(cè)邊、該底膠填充728的側(cè)邊、以及該模制材料730的側(cè)邊)。注意到的是，如同在此論述的，在各種的范例實施方式中，該底膠填充794可以包括模制的底膠填充，其是和該模制材料735相同的材料。該模制材料735是被展示為囊封基板793、互連結(jié)構(gòu)795、底膠填充794、以及組件700I。盡管在該范例的圖標(biāo)中，組件700I以及互連結(jié)構(gòu)795的頂端是從該模制材料735被露出，但是此并不必要是如此。

圖7A-7L及8是呈現(xiàn)各種的范例的方法特點以及其的變化。其它范例的方法特點現(xiàn)在將會參考額外的圖來加以呈現(xiàn)。

如同在此論述的，在圖7A-7L及8的討論中，區(qū)塊835可包括研磨(或者是薄化)該模制材料730，以露出晶粒725、726中的一或多個。一個例子是在圖7D被提供。

亦如同所論述的，在區(qū)塊835的模制研磨(或薄化)并不需要加以執(zhí)行、或是可以被執(zhí)行到一范圍是仍然讓晶粒725、726的頂端被覆蓋模制材料730。一個例子是在圖9被提供，其中該模制材料735是覆蓋該組件700I的晶粒725、726的頂端。

亦如同在此論述的，例如是相關(guān)于區(qū)塊897以及圖7K及7L，在各種的范例實施方式中，互連結(jié)構(gòu)可被形成在該基板上。一個例子是在圖9被提供。例如，盡管該些晶?；ミB結(jié)構(gòu)795的頂端最初是被覆蓋該模制材料735，貫孔940是在該模制材料735中被剝蝕，以露出互連結(jié)構(gòu)795。

再者，如同在此的圖7A-7L及8的討論中所論述的，在各種的范例實施方式中，TMV互連結(jié)構(gòu)并不需要被形成在該基板上。一個例子是在圖10A被提供。如同在圖10A中所示，相對于圖7K，其并沒有TMV互連結(jié)構(gòu)795被形成。同樣如同在圖10A中所示，相對于圖7K，該模制材料735并未覆蓋互連結(jié)構(gòu)。

同樣例如的是，如同在此所解說的，在區(qū)塊899的模制研磨(或薄化)可被跳過、或是可被執(zhí)行到一范圍是讓該組件700I及/或晶粒725、726中的至少一個的頂端被覆蓋模制材料735。圖10A是提供此種處理的一范例的圖標(biāo)。一般而言，圖10A的組件1000A是類似于圖7K的組件700K再減去互連結(jié)構(gòu)795，并且其中模制材料735是覆蓋該組件700I。

此外，如同在此所解說的，在區(qū)塊899的模制研磨(或薄化)可加以執(zhí)行到一范圍是從該模制材料735(及/或模制材料730)露出該組件700I及/或晶粒725、726中的一或多個的頂端。圖10B是提供此種處理的一范例的圖標(biāo)。一般而言，圖10B的組件1000B是類似于圖7K的組件700K，再減去互連結(jié)構(gòu)795。

在另一例子中，如同在此所解說的，在區(qū)塊897的討論中，該些TMV互連可包括各種結(jié)構(gòu)的任一種，例如是一導(dǎo)電柱(例如，電鍍的柱或柱體、垂直的導(dǎo)線、等等)。圖11A是提供附接至該基板793的導(dǎo)電柱1121的一范例的圖標(biāo)。該些導(dǎo)電柱1121例如可以是被電鍍在該基板793上。該些導(dǎo)電柱1121例如也可以包括附接(例如，引線接合的附接、焊接、等等)至該基板793并且垂直地延伸的導(dǎo)線(例如，引線接合的導(dǎo)線)。該些導(dǎo)電柱1121例如可以從該基板793延伸到一高度是大于晶粒725、726的一高度、等于晶粒725、726中的一或多個的高度、小于晶粒725、726的一高度、等等。注意到的是，任意數(shù)量列的柱1121都可被形成。一般而言，圖11A的組件1100A是類似于圖7K的組件700K(再減去該模制化合物735)，其具有導(dǎo)電柱1121作為互連結(jié)構(gòu)，而不是細(xì)長的導(dǎo)電球795。

繼續(xù)該例子，圖11B是描繪被覆蓋模制材料735的基板793、導(dǎo)電柱1121、組件700I(例如，半導(dǎo)體晶粒725、726)、以及底膠填充794。該模制例如可以根據(jù)該范例的方法800的區(qū)塊899來加以執(zhí)行。一般而言，圖11B的組件1100B是類似于圖7K的組件700K，其具有導(dǎo)電柱1121作為互連結(jié)構(gòu)，而不是細(xì)長的導(dǎo)電球795，并且具有尚未被薄化或是尚未被足夠的薄化以露出組件700I的模制材料735。

仍然繼續(xù)該例子，圖11C是描繪該模制材料735已經(jīng)被薄化(例如，被研磨)到一所要的厚度。該薄化例如可以根據(jù)該范例的方法800的區(qū)塊899來加以執(zhí)行。例如，注意到的是，該些導(dǎo)電柱1121及/或組件700I(例如，包含模制材料730及/或半導(dǎo)體晶粒725、726)亦可被薄化。例如，該模制材料735的薄化可以露出導(dǎo)電柱1121的頂端。然而，若該模制材料735的薄化反而并未露出導(dǎo)電柱1121的頂端的話，則一模制剝蝕操作可加以執(zhí)行。注意到的是，盡管該組件1100C是被展示為組件700I的半導(dǎo)體晶粒725、726的頂端被露出，但是該些頂端并不必要被露出。

一般而言，圖11C的組件1100C是類似于圖7K的組件700K，其具有導(dǎo)電柱1121作為互連結(jié)構(gòu)，而不是細(xì)長的導(dǎo)電球795。

繼續(xù)該例子，在圖11C中所示的組件1100C可以借由在該模制材料735以及組件700I(例如，包含該模制材料730及/或其的半導(dǎo)體晶粒725、726)之上形成一重新分布層(RDL)1132而進(jìn)一步被處理。圖11D是展示此種處理的一個例子。該重新分布層1132在此亦可被稱為背面重新分布(RDL)層1132。盡管此種背面RDL的形成并未明確地展示在該范例的方法800的區(qū)塊中之一，但是此種操作可以在該些區(qū)塊的任一個中加以執(zhí)行，例如是在該區(qū)塊899的模制研磨操作(若被執(zhí)行的話)之后加以執(zhí)行。

如同在圖11D中所示，一第一背面介電層1133可以在該模制材料735以及組件700I(例如，包含該模制材料730及/或其的半導(dǎo)體晶粒725、726)上被形成及圖案化。該第一背面介電層1133例如可以是用一種和在區(qū)塊855所形成的RDL介電層771相同或類似的方式而被形成及圖案化，盡管是在一不同的表面上。例如，該第一背面介電層1133可被形成在該模制材料735上、及/或在該組件700I(例如，包含該模制材料730及/或其的半導(dǎo)體晶粒725、726)上，例如是直接被形成在晶粒725、726的露出的背表面上、在覆蓋晶粒725、726的背表面的模制材料730及/或735上、等等，并且貫孔1134可以在該第一背面介電層1133中被形成(例如，借由蝕刻、剝蝕、等等)，以至少露出導(dǎo)電柱1121的頂端。

背面線路1135可被形成在該第一背面介電層1133上、以及在該第一背面介電層1133的貫孔1134中。該些背面線路1135因此可以電連接至導(dǎo)電柱1121。該些背面線路1135例如可以是用一種和在區(qū)塊865所形成的RDL線路782相同或類似的方式而被形成。該些背面線路1135的至少某些個(若非全部的話)例如可以從導(dǎo)電柱1121延伸到在該組件700I(例如，包含該模制材料730及/或其的半導(dǎo)體晶粒725、726)的正上方的位置處。該些背面線路1135的至少某些個例如也可以從該導(dǎo)電柱1121延伸到并非在該組件700I(例如，包含該模制材料730及/或其的半導(dǎo)體晶粒725、726)的正上方的位置處。

一第二背面介電層1136可以在該第一背面介電層1133以及背面線路1135上被形成及圖案化。該第二背面介電層1136例如可以用一種和在區(qū)塊855所形成的RDL介電層771相同或類似的方式而被形成及圖案化，盡管是在一不同的表面上。例如，該第二背面介電層1136可被形成在該第一背面介電層1133之上以及在該些背面線路1135之上，并且貫孔1137可以在該第二背面介電層1136中被形成(例如，借由蝕刻，剝蝕、等等)，以露出背面線路1135的接觸區(qū)域。

背面互連墊1138(例如，球體接觸墊、平面、端子、等等)可被形成在該第二背面介電層1136上、及/或在該第二背面介電層1136的貫孔1137中。該些背面互連墊1138因此可以電連接至背面線路1135。該些背面互連墊1138例如可以是用一種和在區(qū)塊865所形成的RDL線路相同或類似的方式而被形成。該些背面互連墊1138例如可以是借由形成金屬接觸墊及/或形成凸塊底部金屬化而被形成(例如，用以強(qiáng)化后續(xù)借由其它互連結(jié)構(gòu)的附接至背面線路1135)。

盡管該背面RDL層1132是被展示為具有兩個背面介電層1133、1136以及一層背面線路1135，但應(yīng)了解的是任意數(shù)量的介電質(zhì)及/或線路層都可被形成。

盡管未顯示在圖11D中，互連結(jié)構(gòu)可被形成在該基板793上，例如是在該基板793的一相對該組件700I以及模制材料735的側(cè)邊上，如同在此例如相關(guān)于區(qū)塊886及圖7K所論述者。

在另一范例的實施方式中，一基板(例如，一積層基板、封裝基板、等等)可以被附接在該組件700I(例如，包含該半導(dǎo)體晶粒725、726以及模制材料730)以及該模制材料735之上，例如是作為在此相關(guān)圖11A-11D所論述的背面RDL替代或是額外的。

例如，如同在圖12A中所繪，該些互連結(jié)構(gòu)795可被形成在一高度是將會至少延伸到該組件700I的高度。注意到的是，此高度并不一定存在，例如是在一其中該背面基板具有其本身的互連結(jié)構(gòu)、或是其中額外的互連結(jié)構(gòu)被利用在該些互連結(jié)構(gòu)795與背面基板之間的情節(jié)中。該些互連結(jié)構(gòu)795例如可以是用一種和在此相關(guān)區(qū)塊897以及圖7K所論述的相同或類似的方式來加以附接。

繼續(xù)該例子，如同在圖12A中所繪，該組件1200A可以利用一模制材料735來加以模制，并且若必要的話，該模制材料735可被薄化。此種模制及/或薄化例如可以是用一種和在此相關(guān)區(qū)塊899以及圖7K所論述的相同或類似的方式來加以執(zhí)行。

如同在圖12B中所示，一背面基板1232可加以附接。例如，該背面基板1232可以電連接至互連結(jié)構(gòu)795且/或機(jī)械式附接至模制材料735及/或組件700I(例如，模制材料730及/或半導(dǎo)體晶粒725、726)。該背面基板1232例如可以是用面板形式及/或單一封裝形式來加以附接，并且例如可以在單?；盎蚴侵蠹右愿浇印?/p>

如同在此論述的，在該組件700I被附接至基板793之后，該基板793及/或組件700I可以被覆蓋一種模制材料。替代或額外的是，該基板793及/或組件700I可以被覆蓋一蓋子或是加固構(gòu)件(stiffener)。圖13是提供一舉例說明的例子。圖13大致是展示圖7J的組件700J，其中增加一蓋子1310(或是加固構(gòu)件)。

該蓋子1310例如可以包括金屬，并且提供電磁屏蔽及/或散熱。例如，該蓋子1310可以電耦接至一在該基板793上的接地線路，以提供屏蔽。該蓋子1310例如可以利用焊料及/或?qū)щ姷沫h(huán)氧樹脂來耦接至該基板793。盡管未被展示，但是熱接口材料可被形成在該組件700I與該蓋子1310之間的一間隙1315中。

盡管大多數(shù)在此展示及論述的例子都大致只有展示該組件700I附接至該基板793，但是其它構(gòu)件(例如，主動及/或被動的構(gòu)件)亦可以附接至該基板793。例如，如同在圖14中所示，一半導(dǎo)體晶粒1427可以附接(例如，覆晶接合、引線接合、等等)至該基板793。該半導(dǎo)體晶粒1427是以一種橫向相鄰該組件700I的方式而被附接至該基板793。在此種附接之后，在此論述的封裝結(jié)構(gòu)(例如，互連結(jié)構(gòu)、模制、蓋子、等等)的任一種接著可被形成。

在另一范例的實施方式中，其它構(gòu)件可以在一垂直堆棧的組件中耦接至組件700I的頂端側(cè)。圖15是展示此種組件1500C的一個例子。一第三晶粒1527以及一第四晶粒1528(例如，其非主動側(cè))可以附接至該組件700I的頂端。此種附接例如可以利用黏著劑來加以執(zhí)行。在該第三晶粒1527以及第四晶粒1528的主動側(cè)上的接合墊接著可以被引線接合至該基板793。注意到的是，在一個其中一RDL及/或基板被附接在該組件700I之上的情節(jié)中，該第三晶粒1527及/或第四晶粒1528可以被覆晶接合到此種RDL及/或基板。在此種附接之后，在此論述的封裝結(jié)構(gòu)(例如，互連結(jié)構(gòu)、模制、蓋子、等等)的任一種接著可被形成。

在又一范例實施方式中，另一構(gòu)件可以耦接至該基板的底部側(cè)。圖16是展示此種組件的一個例子。一第三晶粒1699是被附接至該基板793的底部側(cè)，例如是在該基板793的底部側(cè)上的互連結(jié)構(gòu)之間的一間隙中。在此種附接之后，在此論述的封裝結(jié)構(gòu)(例如，互連結(jié)構(gòu)、模制、蓋子、等等)的任一種接著可被形成。

在圖8-16中所示并且在此論述的范例的方法及組件只是非限制性的例子而已，其是被呈現(xiàn)以描繪此實用新型內(nèi)容的各種特點。此種方法及組件亦可以和在以下的共同申請的美國專利申請案中所展示及論述的方法及組件共享任一或是所有的特征：2013年1月29日申請且名稱為"半導(dǎo)體裝置以及制造半導(dǎo)體裝置的方法"的美國專利申請案序號13/753,120；2013年4月16日申請且名稱為"半導(dǎo)體裝置以及制造其的方法"的美國專利申請案序號13/863,457；2013年11月19日申請且名稱為"具有直通硅穿孔-較不深的井的半導(dǎo)體裝置"的美國專利申請案序號14/083,779；2014年3月18日申請且名稱為"半導(dǎo)體裝置以及制造其的方法"的美國專利申請案序號14/218,265；2014年6月24日申請且名稱為"半導(dǎo)體裝置以及制造其的方法"的美國專利申請案序號14/313,724；2014年7月28日申請且名稱為"具有薄的重新分布層的半導(dǎo)體裝置"的美國專利申請案序號14/444,450；2014年10月27日申請且名稱為"具有降低的厚度的半導(dǎo)體裝置"的美國專利申請案序號14/524,443；2014年11月4日申請且名稱為"中介體、其的制造方法、利用其的半導(dǎo)體封裝、以及用于制造該半導(dǎo)體封裝的方法"的美國專利申請案序號14/532,532；2014年11月18日申請且名稱為"具有降低的翹曲的半導(dǎo)體裝置"的美國專利申請案序號14/546,484；以及2015年3月27日申請且名稱為"半導(dǎo)體裝置以及制造其的方法"的美國專利申請案序號14/671,095；該些美國專利申請案的每一個的內(nèi)容茲在此以其整體納入作為參考。

在此的討論是包含許多的舉例說明的圖，其是展示一半導(dǎo)體封裝組件的各種部分。為了清楚的舉例說明，這些圖并未展示每個范例的組件的所有特點。在此呈現(xiàn)的范例的組件的任一個都可以和其它在此呈現(xiàn)的組件的任一個或是全部共享任一或是所有的特征。例如且非限制性的，相關(guān)于圖1A-7L所展示及論述的范例的組件的任一個或是其的部分都可以被納入相關(guān)于圖8-16所論述的范例的組件的任一個。相反地，相關(guān)于圖8-16所展示及論述的組件的任一個都可以被納入相關(guān)于圖1A-7L所展示及論述的組件。

總之，此實用新型內(nèi)容的各種特點是提供一種半導(dǎo)體裝置或封裝結(jié)構(gòu)以及一種用于制造其的方法。盡管先前的內(nèi)容已經(jīng)參考某些特點及例子來加以敘述，但是將會被熟習(xí)此項技術(shù)者理解到可以做成各種的改變，并且等同物可加以取代，而不脫離本實用新型內(nèi)容的范疇。此外，可以做成許多修改以將一特定的情況或材料調(diào)適至本實用新型內(nèi)容的教示，而不脫離其范疇。因此，所欲的是本實用新型內(nèi)容不受限于所揭露的特定的例子，而是本實用新型內(nèi)容將會包含落入所附的權(quán)利要求的范疇內(nèi)的所有的例子。