本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光二極管，尤其涉及一種空封型貼片式發(fā)光二極管。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，發(fā)光二極管普遍采用的封裝方式為：LED芯片采用銀漿粘接在基座或支架上，再用有機(jī)硅膠或者環(huán)氧樹脂灌封；這種封裝形式具有操作簡(jiǎn)單、成本較低的優(yōu)點(diǎn)，但長(zhǎng)時(shí)間工作后，銀漿粘接的方式就會(huì)因?yàn)闊嶙杼蠖鴮?dǎo)致發(fā)光二極管性能下降；另外這類發(fā)光二極管長(zhǎng)期工作在高溫環(huán)境下，銀漿的粘接強(qiáng)度會(huì)下降，并且硅膠或環(huán)氧樹脂等封裝材料也會(huì)老化、變質(zhì)，影響封裝效果和光電性能，導(dǎo)致可靠性降低；最后，這種封裝形式的發(fā)光二極管，由于采用有機(jī)硅膠或者環(huán)氧樹脂灌封，其出光表面比較脆弱，易受到損壞，在使用過(guò)程中，整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)也會(huì)因熱膨脹系數(shù)不匹配而存在安全隱患。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)背景技術(shù)中的內(nèi)容，本實(shí)用新型提出了一種空封型貼片式發(fā)光二極管，其結(jié)構(gòu)為：所述空封型貼片式發(fā)光二極管由LED芯片、光窗玻璃片和基座組成；所述基座上端面上設(shè)置有內(nèi)凹的安裝槽，安裝槽槽底的中部設(shè)置有芯片焊接區(qū)，芯片焊接區(qū)兩側(cè)的安裝槽槽底表面各設(shè)置有一引線焊接區(qū)，基座底部設(shè)置有與引線焊接區(qū)匹配的連接孔，芯片焊接區(qū)和引線焊接區(qū)的表面覆蓋有金層；所述LED芯片的下端面通過(guò)金錫焊料層與芯片焊接區(qū)表面的金層連接，LED芯片的兩個(gè)電極分別通過(guò)兩根引線引出至兩個(gè)引線焊接區(qū)，引線外端與引線焊接區(qū)表面的金層通過(guò)金絲球焊連接；所述光窗玻璃片設(shè)置在基座的上端面上，光窗玻璃片將安裝槽的開口部覆蓋，光窗玻璃片上與基座接觸的區(qū)域記為連接區(qū)，連接區(qū)表面覆蓋有金屬化層，金屬化層表面覆蓋有金層，基座上端面通過(guò)SAC305焊料層與金屬化層表面的金層連接；所述金屬化層采用鉻金或鈦鎳金；所述光窗玻璃片和基座所圍成的腔體內(nèi)填充有惰性氣體。

采用本實(shí)用新型后，不僅解決了用銀漿粘接的弊端，并且采用惰性氣體空封代替了有機(jī)硅膠或者環(huán)氧樹脂灌封，具有密封性能穩(wěn)定可靠、密封腔體不易出現(xiàn)多余物和水汽、零應(yīng)力、出光面強(qiáng)度高不易損壞等優(yōu)點(diǎn)。

本實(shí)用新型的有益技術(shù)效果是：提供了一種空封型貼片式發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管可在高溫環(huán)境下長(zhǎng)期正常工作，性能較好。

附圖說(shuō)明

圖1、本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)斷面示意圖；

圖中各個(gè)標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的名稱分別為：LED芯片1、金錫焊料層1-2、光窗玻璃片2、金屬化層2-1、基座3、金層3-1、SAC305焊料層3-2。

具體實(shí)施方式

一種空封型貼片式發(fā)光二極管，其結(jié)構(gòu)為：所述貼片式發(fā)光二極管由LED芯片1、光窗玻璃片2和基座3組成；所述基座3上端面上設(shè)置有內(nèi)凹的安裝槽，安裝槽槽底的中部設(shè)置有芯片焊接區(qū)，芯片焊接區(qū)兩側(cè)的安裝槽槽底表面各設(shè)置有一引線焊接區(qū)，基座3底部設(shè)置有與引線焊接區(qū)匹配的連接孔，芯片焊接區(qū)和引線焊接區(qū)的表面覆蓋有金層3-1；所述LED芯片1的下端面通過(guò)金錫焊料層1-2與芯片焊接區(qū)表面的金層3-1連接，LED芯片1的兩個(gè)電極分別通過(guò)兩根引線引出至兩個(gè)引線焊接區(qū)，引線外端與引線焊接區(qū)表面的金層3-1通過(guò)金絲球焊連接；所述光窗玻璃片2設(shè)置在基座3的上端面上，光窗玻璃片2將安裝槽的開口部覆蓋，光窗玻璃片2上與基座3接觸的區(qū)域記為連接區(qū)，連接區(qū)表面覆蓋有金屬化層2-1，金屬化層2-1表面覆蓋有金層，基座3上端面通過(guò)SAC305焊料層3-2與金屬化層2-1表面的金層連接；所述金屬化層2-1采用鉻金或鈦鎳金；所述光窗玻璃片2和基座3所圍成的腔體內(nèi)填充有惰性氣體。