技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種紫外LED倒裝芯片，包括襯底，所述襯底上依次設(shè)置有N型GaN層、量子阱有源區(qū)、P型GaN層，所述P型GaN層上設(shè)置有透明電極層，所述透明電極層為ITO，所述透明電極層上開(kāi)設(shè)有多個(gè)微孔。本實(shí)用新型提供的紫外LED倒裝芯片在ITO層上開(kāi)設(shè)有多個(gè)微孔，紫外光可通過(guò)微孔透射出去，減少I(mǎi)TO對(duì)紫外光的吸收，使利用紫外光的LED芯片能有效發(fā)揮作用。

技術(shù)研發(fā)人員：易翰翔;羅長(zhǎng)得;武杰;郝銳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東德力光電有限公司
文檔號(hào)碼：201620959821
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.26
技術(shù)公布日：2017.09.05