本實(shí)用新型涉及一種集成電流采樣的新型整流橋，功能為將交流變成直流并集成線路電流的采樣。

背景技術(shù)：

目前，整流橋因其工作可靠，安裝方便而廣泛應(yīng)用于電子電器產(chǎn)品中。康銅絲因具有較低的電阻溫度系數(shù)，較寬的使用溫度范圍（480℃以下），加工性能良好，具有良好的焊接性能等優(yōu)點(diǎn)，常常被用于制作儀器儀表，電子以及工業(yè)設(shè)備中的電流取樣元件。

隨著產(chǎn)品技術(shù)的進(jìn)步，考慮到節(jié)能、環(huán)保、可控性和效率，各種電子電器設(shè)備都開(kāi)始采用低功耗電子器件，降低能源消耗，并通過(guò)對(duì)線路電流的高精度取樣，實(shí)現(xiàn)工作電流的精準(zhǔn)控制，提升節(jié)能等級(jí)的技術(shù)革新和產(chǎn)品升級(jí)。目前各種電子電器在電流取樣和實(shí)現(xiàn)節(jié)能等級(jí)提升上面臨很多現(xiàn)實(shí)問(wèn)題。

現(xiàn)有的整流橋，仍存在以下不足之處：（1）常規(guī)整流橋工作時(shí)，工作功耗偏高，對(duì)實(shí)現(xiàn)節(jié)能等級(jí)的提升造成困難；（2）每個(gè)廠家對(duì)于每個(gè)線路板需要的取樣電阻值不一樣，各線路板之間沒(méi)有通用性，對(duì)生產(chǎn)、設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)造成困難；（3）常規(guī)線路工藝使用普通取樣電阻絲的阻值精度在5%~10%之間，且電阻溫度系數(shù)較高，造成了取樣不準(zhǔn)等困難。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在之不足，而提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、合理，散熱效果好、使用壽命長(zhǎng)，且集成電流采樣的新型整流橋。

本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種集成電流采樣的新型整流橋，包括絕緣塑封外殼、五個(gè)引線腳、四個(gè)單向?qū)щ娦酒鸵粋€(gè)康銅絲，各引線腳的一端伸入絕緣封裝外殼內(nèi)，并分別與一銅基板連接，銅基板和單向?qū)щ娦酒?、康銅絲封裝在絕緣封裝外殼內(nèi)，各銅基板之間相互隔開(kāi)；其特征在于：所述四個(gè)單向?qū)щ娦酒鶠椴Ａрg化低功耗二極管芯片，玻璃鈍化低功耗二極管芯片的上下兩端為電極，其下端電極表面積大于上端電極表面積，玻璃鈍化低功耗二極管芯片通過(guò)其下端面與銅基板連接；銅基板設(shè)置有五個(gè)，絕緣封裝外殼內(nèi)分別對(duì)應(yīng)五個(gè)銅基板設(shè)置有五個(gè)獨(dú)立的腔室，其中，第一銅基板位于絕緣封裝外殼左側(cè)位置，第二銅基板和第三銅基板分別位于絕緣封裝外殼中間下方和上方位置，第四銅基板位于第二銅基板右側(cè)位置，第五銅基板位于第四銅基板右側(cè)位置；五個(gè)引線腳從左到右分別為第一直流輸出引線腳、第一交流輸入引線腳，第二交流輸入引線腳，第二直流輸出引線腳，第一電流取樣引線腳；第一、第二直流輸出引線腳分別與第一銅基板和第四銅基板連接，第一、第二交流輸入引線腳分別與第二銅基板和第三銅基板連接，第一電流取樣引線腳與第五銅基板連接；第一玻璃鈍化低功耗二極管芯片和第二玻璃鈍化低功耗二極管芯片通過(guò)其下端面連接在第一銅基板兩端，且第一、第二玻璃鈍化低功耗二極管芯片的上端面分別通過(guò)連接片與第二、第三銅基板電性連接；第三玻璃鈍化低功耗二極管芯片和第四玻璃鈍化低功耗二極管芯片通過(guò)其下端面分別連接在第二、第三銅基板上，且第三、第四玻璃鈍化低功耗二極管芯片的上端面分別通過(guò)連接片與第四銅基板電性連接；康銅絲兩端分別連接第四銅基板和第五銅基板。

本實(shí)用新型的目的還可以采用以下技術(shù)措施解決。

作為更具體的方案，所述絕緣塑封外殼呈長(zhǎng)方體狀，其長(zhǎng)度a為29.7mm~30.3mm，寬度b為19.7mm~20.3mm，厚度h2為3.4mm~3.8mm。

所述各引線腳呈直線排列設(shè)置在絕緣外殼一側(cè)，相鄰兩引線腳中心距離為c1為9.8mm~10.2mmmm，c2為4.8mm~5.2mm，引線腳伸出絕緣外殼外的長(zhǎng)度d為17mm~18mm。

本實(shí)用新型的有益效果如下。

（1）本實(shí)用新型集成電流采樣的新型整流橋，芯片分布合理，四個(gè)芯片的大臺(tái)面都與散熱銅基板連接，有效增加焊接面積和散熱面積，有利于芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱量迅速散發(fā)到銅基板上，從而有效降低芯片工作溫度，提高產(chǎn)品可靠性，延長(zhǎng)整流橋的工作壽命。

（2）再有，連接片尺寸一致，而且芯片極性朝向一致（大臺(tái)面向下），便于裝配和焊接，有利于提高裝配效率。

（3）該結(jié)構(gòu)最大限度利用了有效的銅基板面積，有利于降低芯片P/N結(jié)溫度；降低整流橋的工作功耗，減少工作時(shí)候的能量損失，提高能量轉(zhuǎn)換效率；目前，普通整流橋使用的芯片正向電壓一般在1.0V~1.10V之間，整流橋工作功耗為20~22瓦；本實(shí)用新型的這款新型整流橋，采用的是低功耗二極管芯片，其正向電壓在0.9V~0.92V之間，工作功耗為18~18.5瓦，比正常情況降低10%，提升節(jié)能等級(jí)，增強(qiáng)產(chǎn)品可靠性。

（4）可根據(jù)不同客戶要求，選擇不同阻值的康銅絲（錳銅絲）進(jìn)行密封封裝，避免長(zhǎng)期暴露在空氣中導(dǎo)致氧化，影響取樣電阻值精度。目前，常規(guī)線路工藝使用普通取樣電阻絲的阻值精度在5%~10%之間，而該款新型整流橋通過(guò)新工藝的改造，取樣電阻值精度在0.1%~4%之間，提高線路板中的取樣電阻精度。

（5）根據(jù)不同客戶要求，選擇不同阻值的康銅絲（錳銅絲）進(jìn)行密封封裝，整流橋引腳間距不變，方便客戶在選擇不同取樣標(biāo)準(zhǔn)時(shí)線路板不用重新設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)線路板的通用性。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型集成電流采樣的新型整流橋的主視結(jié)構(gòu)圖。

圖2為圖1的左視結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。

如圖1和圖2所示，本集成電流采樣的新型整流橋，包括絕緣塑封外殼1，五個(gè)引線腳和四個(gè)單向?qū)щ娦酒饕€腳的一端伸入絕緣塑封外殼1內(nèi)，并分別與一銅基板連接，銅基板和單向?qū)щ娦酒庋b在絕緣塑封外殼1內(nèi)，各銅基板之間相互隔開(kāi)。

所述四個(gè)單向?qū)щ娦酒鶠椴Ａрg化低功耗二極管芯片，玻璃鈍化低功耗二極管芯片的上下兩端為電極，其下端電極表面積大于上端電極表面積，玻璃鈍化低功耗二極管芯片通過(guò)其下端面與銅基板連接。

所述銅基板共設(shè)置有五個(gè)，絕緣塑封外殼1內(nèi)分別對(duì)應(yīng)五個(gè)銅基板設(shè)置有五個(gè)獨(dú)立的腔室。其中，第一銅基板41位于絕緣封裝外殼1左側(cè)位置，第二銅基板42和第三銅基板43分別位于絕緣封裝外殼1中間下方和上方位置，第四銅基板44位于第二銅基板42右側(cè)位置，第五銅基板45位于第四銅基板44右側(cè)位置。

所述五個(gè)引線腳從左到右分別為第一直流輸出引線腳51、第一交流輸入引線腳52，第二交流輸入引線腳53，第二直流輸出引線腳54，第一電流取樣引線腳55；第一、第二直流輸出引線腳51、52分別與第一銅基板41和第四銅基板44連接，第一、第二交流輸入引線腳51、52分別與第二銅基板42和第三銅基板42連接，第一電流取樣引線腳51與第五銅基板45連接；

第一玻璃鈍化低功耗二極管芯片21和第二玻璃鈍化低功耗二極管芯片22通過(guò)其下端面連接在第一銅基板41兩端，且第一、第二玻璃鈍化低功耗二極管芯片21、22的上端面分別通過(guò)連接片31、32與第二、第三銅基板42、43電性連接；第三玻璃鈍化低功耗二極管芯片23和第四玻璃鈍化低功耗二極管芯片24通過(guò)其下端面分別連接在第二、第三銅基板42、43上，且第三、第四玻璃鈍化低功耗二極管芯片23、24的上端面分別通過(guò)連接片33、34與第四銅基板44電性連接；康銅絲（錳銅絲）6兩端分別連接第四銅基板44和第五銅基板45。

所述絕緣塑封外殼1呈長(zhǎng)方體狀，其長(zhǎng)度a為29.7mm~30.3mm，寬度b為19.7mm~20.3mm，厚度h2為3.4mm~3.8mm。

所述各引線腳呈直線排列設(shè)置在絕緣外殼一側(cè)，相鄰兩引線腳中心距離為c1為9.8mm~10.2mmmm，c2為4.8mm~5.2mm，引線腳伸出絕緣外殼外的長(zhǎng)度d為17mm~18mm。

需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“縱向”、“橫向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為便于描述本實(shí)用新型和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗指所指的裝置或元件必須具有特定的方位、為特定的方位構(gòu)造和操作，因而不能理解為對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)內(nèi)容的限制。

以上的具體實(shí)施方式僅為本創(chuàng)作的較佳實(shí)施例，并不用以限制本創(chuàng)作，凡在本創(chuàng)作的精神及原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本創(chuàng)作的保護(hù)范圍之內(nèi)。