本實用新型涉及一種具有高導熱金屬形變消減和補償連結面散熱機構的具有高散熱性能的新型功率半導體器件。

背景技術：

在電力電子技術領域當中，常利用功率半導體器件對交、直流電源加以轉換與控制，以達到各種需求，功率半導體器件從整體結構上說基本由以硅（或鍺）為本質材料所制成的晶體層為主體，并由晶體層向外延伸必要的電氣引腳，利用電氣引腳構成整體功率半導體器件與電氣電路的連接。

當功率半導體器件實際運作時會產生高溫，進而影響功率半導體器件的運作效能，因此一般功率半導體器件多會在底部設置散熱片，以供使用者依照電路設計的需要加裝外散熱器，從而達到降低功率半導體器件溫度的目的。

當在工作狀態(tài)下，功率半導體器件由緊定螺釘鎖緊，在高溫的作用下塑膠體和連接底座板等會發(fā)生膨脹，導致半導體芯片受力增加或其他變形應力增加，大大影響了功率半導體器件的使用壽命。

進一步的，目前的功率型半導體封裝由于自身功率較大發(fā)熱量大，而散熱性能一般，導致壽命受到影響。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種具有高散熱性能的新型功率半導體器件，該產品可有效解決由于熱變形和機械變形而導致的芯片和底座散熱板散熱失效的問題。

本實用新型的技術方案在于：一種具有高效散熱結構的功率半導體器件，包括為銅或其他高導熱材料的芯片連接座板，所述芯片連接座板上側設置有粘結料和包覆在芯片及連接座板兩側端的塑膠體，其特征在于：所述芯片連接座板為銅或其他高導熱材料，芯片連接座板上側形成凹凸連結面，用以形成熱或機械應力引起的形變消減和補償面。

本實施例中，所述塑膠體上設有引腳伸出端。

本實施例中，所述芯片連接板與塑膠體之間設置有密封層，所述半導體芯片位于密封層內。

本實用新型的優(yōu)點在于：結構簡單，易于加工制造，通過將芯片連接座板上側加工成凹凸連結面，形成熱或機械應力引起的形變消減和補償面，增加了芯片通過粘結料與連接座板的連結面積和連結緊密度，提高了器件工作時的散熱效果和器件可靠性。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

本實用新型包括芯片連接座板1，所述芯片連接座板上側設置有包覆在芯片2和連接座板1上側的粘結料3及連接座板兩側端的塑膠體4，其特征在于：所述芯片連接座板上側形成凹凸連結面5，用以形成熱或機械應力引起的形變消減和補償面，所述塑膠體上設有引腳伸出端。

當功率半導體器件在工作時，芯片溫度將升高和下降，會發(fā)生熱脹冷縮效應，引起塑膠體膨脹和收縮，因緊定螺釘?shù)南拗坪退苣z體內包覆的各材料之間相互作用，導致半導體芯片受力增加或其他變形應力增加，大大影響了功率半導體器件的使用壽命。由于芯片連接座板上側形成凹凸連結面，因此形成了熱或機械應力引起的形變消減和補償，提高了散熱效果。

本實施例中，所述塑膠體上設有引腳伸出端。

本實施例中，所述芯片連接板與塑膠體之間設置有密封層，所述半導體芯片和粘結料位于密封層內。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，凡依本實用新型申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應屬本實用新型的涵蓋范圍。