本實(shí)用新型涉及襯底結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種LED藍(lán)寶石片襯底。

背景技術(shù)：

隨著人們生活的不斷提升，人們生活中不斷的出現(xiàn)LED的一些發(fā)光體，如指示燈和顯示屏等，此發(fā)光體使用壽命長、光效高、無輻射，因此LED燈具非常受消費(fèi)者的青睞，因此LED藍(lán)寶石片襯底在我們的生活中也是普遍存在的，但是一些傳統(tǒng)的LED藍(lán)寶石片襯底不具有高效反射的效果，也是不具有高效的穩(wěn)固性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種LED藍(lán)寶石片襯底，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種LED藍(lán)寶石片襯底，包括金屬底座和藍(lán)寶石，所述金屬底座的上表面設(shè)有凹槽，且金屬底座的上端設(shè)有襯底層，所述襯底層的下端設(shè)有凸塊，且凸塊卡接凹槽內(nèi)，所述襯底層的上端設(shè)有若干焊接柱，且焊接柱的上端連接有可焊金屬層，所述藍(lán)寶石的底端設(shè)有N型GaN層，所述N型GaN層的下端一側(cè)設(shè)有GaN基量子阱，另一側(cè)設(shè)有N型電極，所述GaN基量子阱的下端設(shè)有P型GaN層，所述P型GaN層的下端粘接有P型電極和可焊金屬層，所述N型電極通過可焊金屬層和焊接柱連接襯底層。

優(yōu)選的，所述金屬底座和襯底層兩者之間為無縫卡接，且在兩者的粘接面處設(shè)有粘膠層。

優(yōu)選的，所述P型GaN層的上表面和GaN基量子阱的下表面完全接觸。

優(yōu)選的，所述GaN基量子阱的下端表面積大于藍(lán)寶石下端表面積的一半，且其小于藍(lán)寶石下端的表面積。

優(yōu)選的，所述凹槽的數(shù)目為6個(gè)，且等距離規(guī)則排列在金屬底座的上表面。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：此LED藍(lán)寶石片襯底結(jié)構(gòu)簡單，通過加入金屬底座的凹槽，襯底層的凸塊，實(shí)現(xiàn)兩者的無縫卡接，減少兩者的相對偏移，而使得LED襯底結(jié)構(gòu)的具有高效的穩(wěn)固性，利用藍(lán)寶石在上，GaN基量子阱進(jìn)行反射光，通過藍(lán)寶石折射，實(shí)現(xiàn)最大的光源折射，進(jìn)而保證光的高效通過率。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1、金屬底座，11、凹槽，2、襯底層，21、凸塊，3、藍(lán)寶石，4、N型GaN層，5、GaN基量子阱，6、P型GaN層，7、可焊金屬層，8、焊接柱，9、N型電極，10 、P型電極。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請參閱圖1，本實(shí)用新型提供一種技術(shù)方案：一種LED藍(lán)寶石片襯底，包括金屬底座1和藍(lán)寶石3，金屬底座1的上表面設(shè)有凹槽11，凹槽11的數(shù)目為6個(gè)，且等距離規(guī)則排列在金屬底座1的上表面，且金屬底座1的上端設(shè)有襯底層2，襯底層2的下端設(shè)有凸塊21，且凸塊21卡接凹槽11內(nèi)，通過加入金屬底座1的凹槽11，襯底層2的凸塊21，實(shí)現(xiàn)兩者的無縫卡接，減少兩者的相對偏移，而使得LED襯底結(jié)構(gòu)的具有高效的穩(wěn)固性，金屬底座1和襯底層2兩者之間為無縫卡接，且在兩者的粘接面處設(shè)有粘膠層，襯底層2的上端設(shè)有若干焊接柱8，且焊接柱8的上端連接有可焊金屬層7，藍(lán)寶石3的底端設(shè)有N型GaN層4，N型GaN層4的下端一側(cè)設(shè)有GaN基量子阱5，GaN基量子阱5的下端表面積大于藍(lán)寶石3下端表面積的一半，且其小于藍(lán)寶石3下端的表面積，利用藍(lán)寶石在上，GaN基量子阱進(jìn)行反射光，通過藍(lán)寶石折射，實(shí)現(xiàn)最大的光源折射，進(jìn)而保證光的高效通過率，另一側(cè)設(shè)有N型電極9，GaN基量子阱5的下端設(shè)有P型GaN層6，P型GaN層6的上表面和GaN基量子阱5的下表面完全接觸，P型GaN層6的下端粘接有P型電極10和可焊金屬層7，通過在N型電極9和P型電極10之間進(jìn)行通電，P型GaN層6和N型GaN層4兩者之間形成電壓差，產(chǎn)生光子，光子在GaN基量子阱5中反射給藍(lán)寶石3，藍(lán)寶石3進(jìn)行折射，產(chǎn)生光源，N型電極9通過可焊金屬層7和焊接柱8連接襯底層2。

盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。