本實(shí)用新型屬于電子器件領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一種超薄低熱阻的全波整流橋新結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

隨著電子行業(yè)的不斷發(fā)展，整流橋器件的應(yīng)用也不斷擴(kuò)展。但現(xiàn)有技術(shù)中要求電子產(chǎn)品不斷小型化，因此同樣要求構(gòu)成電子器件的各種模塊也不斷小型化。而現(xiàn)有技術(shù)中的整流橋封裝結(jié)構(gòu)大多采用上下兩層的結(jié)構(gòu)，其中每層分別兩顆二極管芯片，導(dǎo)致最終封裝厚度較大，占用線路板空間，不易小型化封裝，散熱欠佳。

為了克服上述的缺陷，現(xiàn)有技術(shù)對(duì)整流橋的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行了改進(jìn)，如圖1所示：包括有第一至第四二極管芯片四個(gè)芯片與位于同一平面內(nèi)的第一至第四引線框架四個(gè)引線框架，其中第一二極管芯片、第二二極管芯片分設(shè)于第一、第二引線框架上，另外第三、第四二極管芯片共同設(shè)于第四引線框架上，第一二極管芯片、第二二極管芯片的焊盤(pán)分別通過(guò)導(dǎo)線連接第三引線框架，第三二極管芯片通過(guò)導(dǎo)線連接第一引線框架，第四二極管芯片通過(guò)導(dǎo)線連接第二引線框架。這樣的設(shè)置方式令整體的整流橋相對(duì)上下兩層結(jié)構(gòu)的整流橋體積更小，厚度也更薄，但此種封裝結(jié)構(gòu)的整流橋還存在以下的缺陷：

四個(gè)芯片分設(shè)在三個(gè)引線框架上，布局仍然不夠緊湊；

此外，現(xiàn)有技術(shù)中整流橋的焊接工藝均為一面焊接，使得四顆二極管芯片構(gòu)成的整流橋結(jié)構(gòu)在空間上不得不堆疊，造成整體的整流橋體積大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題，是提供一種超薄低熱阻的全波整流橋新結(jié)構(gòu)，所述的一種超薄低熱阻的全波整流橋新結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)更緊湊，所占用的體積更小。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是：

一種超薄低熱阻的全波整流橋新結(jié)構(gòu)，它包括塑封體，所述封裝體內(nèi)封裝有處于同一平面內(nèi)的第一引線框架、第二引線框架、第三引線框架、第四引線框架；

所述第一引線框架與第三引線框架固設(shè)于同一載體上，作為交流引腳，第二引線框架與第四引線框架固設(shè)于同一載體上，作為正、負(fù)極引腳；

所述第二引線框架上固定設(shè)有兩個(gè)二極管芯片，頂面均為P型，分別通過(guò)導(dǎo)線連接第一引線框架、第三引線框架；

所述第四引線框架上固定設(shè)有兩個(gè)二極管芯片，頂面均為N型，分別通過(guò)導(dǎo)線連接第一引線框架、第三引線框架。

作為限定：所述第一引線框架與第三引線框架的載體全部封裝于塑封體內(nèi)，第二引線框架與第四引線框架的載體的上半部分封裝于塑封體內(nèi)、而載體下半部分外露于塑封體。

第二種限定：所述第二引線框架與第四引線框架上的二極管芯片均通過(guò)二極管底面設(shè)置的粘接料固定設(shè)于相應(yīng)的引線框架上，且二極管芯片分別與所在的引線框架電連接，所述粘接料為導(dǎo)電膠或軟焊料。

第三種限定：所述導(dǎo)線均為銅線，在二極管芯片以及第一、第三引線框架上分別設(shè)有焊盤(pán)，所述銅線的一端連接二極管芯片上的焊盤(pán)，另一端連接引線框架上的焊盤(pán)。

作為對(duì)本實(shí)用新型中二極管芯片的限定：所述所有二極管芯片均為GPP二極管芯片。

作為對(duì)本實(shí)用新型中塑封體的限定：所述塑封體為環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的具有空腔的殼體。

由于采用了上述的技術(shù)方案,本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，所取得的技術(shù)進(jìn)步在于：

（1）本實(shí)用新型的所有二極管芯片和引線框架均位于同一平面上，令整體整流橋結(jié)構(gòu)的封裝厚度更小，體積也更小，布局更加緊湊；

（2）本實(shí)用新型的同一引線框架上的兩顆二極管芯片極性朝向一致，方便生產(chǎn)；

（3）本實(shí)用新型作為正、負(fù)極的第二引線框架和第四引線框架架的載體下半部分外露于塑封體，在安裝時(shí)直接與PCB板接觸，增強(qiáng)導(dǎo)熱，且簡(jiǎn)化了安裝流程；

（4）本實(shí)用新型的塑封體采用環(huán)氧樹(shù)脂制成，散熱性強(qiáng)，對(duì)整個(gè)整流橋結(jié)構(gòu)的散熱具有促進(jìn)作用。

綜上所述，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)緊湊、體積小，使用安裝方便。

本實(shí)用新型適用于任意PCB電路板。

本實(shí)用新型下面將結(jié)合具體實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中Mini整流橋的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的俯視圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例的主視圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例的左視圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例的仰視圖。

圖中：1-1、第一引線框架，1-2、第二引線框架，1-3、第三引線框架，1-4、第四引線框架，2-1、第一二極管芯片，2-2、第二二極管芯片，2-3、第三二極管芯片，2-4、第四二極管芯片，3粘接料，4、導(dǎo)線，5、焊盤(pán)，6、塑封體。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例 一種超薄低熱阻的全波整流橋新結(jié)構(gòu)

本實(shí)施例提供了一種超薄低熱阻的全波整流橋新結(jié)構(gòu)，如圖2、3、4、5所示，它包括：

塑封體6，所述封裝體6為環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的具有空腔的殼體，在塑封體6的空腔內(nèi)封裝有第一引線框架1-1、第二引線框架1-2、第三引線框架1-3、第四引線框架1-4，且所有的引線框架均處于同一平面內(nèi)。為了令本實(shí)施例的引線框架具有安裝基礎(chǔ)，所述第一引線框架1-1與第三引線框架1-3作為交流引腳固設(shè)于同一載體上，第二引線框架1-2與第四引線框架1-4作為正、負(fù)極引腳固設(shè)于同一載體上，而第一引線框架1-1與第三引線框架1-3的載體全部封裝于塑封體6的空腔內(nèi)，第二引線框架1-2與第四引線框架1-4載體的上半部封裝于塑封體6空腔內(nèi)、而載體下半部分外露于塑封體6設(shè)置。

本實(shí)施例作為核心的二極管芯片采用GPP二極管芯片，分別固設(shè)于第二引線框架1-2與第四引線框架1-4上，且第二引線框架1-2與第四引線框架1-4上分別固定設(shè)有兩個(gè)二極管芯片，其中固設(shè)于第二引線框架1-2上的二極管芯片頂面為P型，固設(shè)于第四引線框架1-4上的二極管芯片頂面為N型。具體設(shè)置為：第二引線框架1-2上通過(guò)粘接料3固定設(shè)置有第一二極管芯片2-1與第二二極管芯片2-2，第四引線框架1-4上通過(guò)粘接料3固定設(shè)置有第三二極管芯片2-3與第四二極管芯片2-4，且第一二極管芯片2-1、第二二極管芯片2-2與第二引線框架1-2電連接，第三二極管芯片2-3、第四二極管芯片2-4與第四引線框架1-4電連接，為了實(shí)現(xiàn)各個(gè)芯片與相應(yīng)引線框架的電連接關(guān)系，本實(shí)施例中的粘接料3采用現(xiàn)有技術(shù)中的導(dǎo)電膠或軟焊料。

而為了令各個(gè)芯片與第一引線框架1-1以及第三引線框架1-3連接形成連接關(guān)系，本實(shí)施例中的第一二極管芯片2-1、第二二極管芯片2-2分別通過(guò)導(dǎo)線4與第一引線框架1-1、第三引線框架1-3相連，而第三二極管芯片2-3與第四二極管芯片2-4則通過(guò)導(dǎo)線4分別與第一引線框架1-1、第三引線框架1-3相連，且本實(shí)施例中的導(dǎo)線采用導(dǎo)電性能極佳的銅線，同時(shí)在二極管芯片以及第一引線框架1-1、第三引線框架1-3上分別設(shè)有焊盤(pán)5，所述銅線的一端連接二極管芯片上的焊盤(pán)5，另一端連接引線框架上的焊盤(pán)5。

可以按照以下工藝步驟做出上述一種超薄低熱阻的全波整流橋新結(jié)構(gòu)：

1）對(duì)整片硅片進(jìn)行好壞的測(cè)試，并將檢測(cè)出的壞片進(jìn)行標(biāo)記；

本步驟中對(duì)壞片進(jìn)行標(biāo)記時(shí)可以用磁性墨水對(duì)壞片進(jìn)行標(biāo)記，也可以利用計(jì)算機(jī)建立一張芯片位置和測(cè)試結(jié)構(gòu)的計(jì)算機(jī)圖形，利用計(jì)算機(jī)將壞的芯片在計(jì)算機(jī)圖形的坐標(biāo)上進(jìn)行標(biāo)記；

2）將硅片底面貼于藍(lán)膜上，劃成一個(gè)個(gè)小塊，并將正面標(biāo)記的壞芯片挑出；

如果步驟1）中采用的是直接對(duì)壞片用磁性墨水進(jìn)行標(biāo)記，則本步驟中劃片時(shí)將硅片完全劃穿；而如果步驟1）中利用計(jì)算機(jī)對(duì)芯片進(jìn)行的標(biāo)記，則本步驟中采用劃片深度四分之一到三分之一的劃片工藝，這樣不完全劃穿可以提高翻膜時(shí)的可靠性；

3）將步驟2）中好的芯片的頂面貼上藍(lán)膜，并將芯片上下顛倒，去掉之前底面上的藍(lán)膜；

如果步驟1）中利用計(jì)算機(jī)對(duì)芯片進(jìn)行的標(biāo)記，那么本步驟中需要將壞的芯片利用磁性墨水打點(diǎn)標(biāo)記，然后裂片，并用機(jī)器取出壞的芯片，得到頂面能夠焊接的、且好的GPP二極管芯片；

4）利用機(jī)器抓取步驟3）中的芯片，并直接將芯片的底面焊接到底座上；

本步驟中需要頂針從藍(lán)膜下面將好的芯片往上頂，同時(shí)機(jī)器的真空吸嘴將芯片往上吸，抓取步驟3）頂面焊接的二極管芯片，然后將芯片的頂面焊接在引線框架的底座上；

5）引線鍵合用銅線將引線框架的引腳和芯片的焊盤(pán)連接起來(lái)；

6）用環(huán)氧樹(shù)脂將二極管芯片及用于承載芯片的引線框架一起塑封起來(lái)，保護(hù)芯片，之后激光打字；

7）將步驟6）中銀漿之間的引腳切開(kāi)，然后進(jìn)行引腳成型，得到一種超薄低熱阻的全波整流橋新結(jié)構(gòu)；

8）最終對(duì)步驟7）中的一種超薄低熱阻的全波整流橋新結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試，并將好的產(chǎn)品編袋。