本申請要求由Francis J.CARNEY和Michael J.SEDDON發(fā)明的、提交于2015年9月17日的名稱為“SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS”(半導(dǎo)體封裝件及制造方法)的美國臨時(shí)申請No.62/219,666的權(quán)益，該申請以引用方式并入本文，并且據(jù)此要求該申請的共同主題的優(yōu)先權(quán)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型總體涉及半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中很常見。半導(dǎo)體器件在電子部件的數(shù)量和密度方面各有不同。半導(dǎo)體器件可執(zhí)行各種各樣的功能，諸如模擬和數(shù)字信號處理、傳感器、電磁信號的傳輸和接收、電子器件控制、功率管理以及視頻/音頻信號處理。分立半導(dǎo)體器件通常包含某一類型的電子部件，例如，發(fā)光二極管(LED)、小信號晶體管、電阻器、電容器、電感器、二極管、整流器、晶閘管以及功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。集成半導(dǎo)體器件通常包含數(shù)百至數(shù)百萬電子部件。集成半導(dǎo)體器件的例子包括微控制器、專用集成電路(ASIC)、標(biāo)準(zhǔn)邏輯、放大器、時(shí)鐘管理、存儲器、接口電路以及其他信號處理電路。

在半導(dǎo)體行業(yè)中，需要更小的封裝尺寸，以減小最終產(chǎn)品諸如手機(jī)、計(jì)算機(jī)和手表的尺寸和重量。超微封裝和多芯片封裝要求精確的管芯對準(zhǔn)公差。管芯貼裝精度依賴于晶圓切割導(dǎo)致的管芯尺寸變化、拾放操作期間的貼裝精度、回流期間的移動以及管芯基座在微封裝內(nèi)的偏移或滑動。對準(zhǔn)公差增加了總封裝尺寸和間距限制。

常見微封裝依賴于將半導(dǎo)體管芯僅部分地放置在管芯焊盤的平坦表面上，以便滿足客戶對占有面積的要求，也就是說，半導(dǎo)體管芯懸出于管芯焊盤之上。圖1a示出部分地放置在管芯焊盤52的平坦表面上的半導(dǎo)體管芯50，其中半導(dǎo)體管芯的平坦背表面53的一部分懸出于管芯焊盤之上。半導(dǎo)體管芯50通過粘合劑接合至管芯焊盤52，并且有源表面54通過接合線58耦接至接合線焊盤56。管芯焊盤52和接合線焊盤56是引線框的整體部件。密封劑60覆蓋半導(dǎo)體管芯50、接合線焊盤56以及接合線58。

由于半導(dǎo)體管芯50的平坦背表面53相對于管芯焊盤52的平坦表面懸出，半導(dǎo)體管芯50在制造過程中很容易在管芯焊盤52上發(fā)生傾斜、旋轉(zhuǎn)、滑動或其他不利移動。當(dāng)出現(xiàn)不當(dāng)對準(zhǔn)，或者粘合劑失效并且接合線58張緊時(shí)，半導(dǎo)體管芯50的平坦背表面53可脫離管芯焊盤52或以其他方式相對于管芯焊盤發(fā)生位置偏移，如圖1b所示。將半導(dǎo)體管芯50保持在精確對準(zhǔn)公差內(nèi)很難，并且可能導(dǎo)致接合線沖彎、接合線斷開或者接合線短路。由于管芯焊盤52必須保持較小外形以滿足客戶對占有面積的要求，為使管芯懸出部分相對較小，以免半導(dǎo)體管芯50易滑動、傾斜、旋轉(zhuǎn)或脫離管芯焊盤，于是管芯尺寸受到限制。較大半導(dǎo)體管芯50相對于較小管芯焊盤52的移動會造成制造缺陷并降低產(chǎn)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

管芯貼裝精度依賴于晶圓切割導(dǎo)致的管芯尺寸變化、拾放操作期間的貼裝精度、回流期間的移動以及管芯基座在微封裝內(nèi)的偏移或滑動。對準(zhǔn)公差增加了總封裝尺寸和間距限制。將半導(dǎo)體管芯保持在精確對準(zhǔn)公差內(nèi)很難，并且可能導(dǎo)致接合線沖彎、接合線斷開或者接合線短路。由于管芯焊盤必須保持較小外形以滿足客戶對占有面積的要求，為使管芯懸出部分相對較小，以免半導(dǎo)體管芯易滑動、傾斜、旋轉(zhuǎn)或脫離管芯焊盤，于是管芯尺寸受到限制。較大半導(dǎo)體管芯相對于較小管芯焊盤的移動會造成制造缺陷并降低產(chǎn)量。至少針對上述的至少一個(gè)問題，提供了本實(shí)用新型。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：半導(dǎo)體管芯，所述半導(dǎo)體管芯包括襯底材料；以及對準(zhǔn)凹槽或?qū)?zhǔn)凸起，所述對準(zhǔn)凹槽或?qū)?zhǔn)凸起穿過所述半導(dǎo)體管芯的表面形成在所述襯底材料中。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件還包括第二襯底，其中所述半導(dǎo)體管芯設(shè)置在所述第二襯底上方，并且所述第二襯底的第一部分在所述對準(zhǔn)凹槽內(nèi)。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述第二襯底的所述第一部分包括管芯焊盤。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述第二襯底的所述第一部分部分地設(shè)置在所述襯底材料的所述對準(zhǔn)凹槽內(nèi)。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件還包括接合線，所述接合線耦接在所述半導(dǎo)體管芯與所述第二襯底的第二部分之間。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件還包括第二襯底，其中所述半導(dǎo)體管芯設(shè)置在所述第二襯底上方，并且所述對準(zhǔn)凸起的一部分在所述第二襯底的凹槽內(nèi)。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述對準(zhǔn)凹槽或?qū)?zhǔn)凸起延伸所述襯底材料的長度。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件還包括金屬層，所述金屬層形成在所述襯底材料的所述對準(zhǔn)凹槽中。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件還包括形成在所述襯底材料的所述表面中的多個(gè)對準(zhǔn)凹槽或?qū)?zhǔn)凸起。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體管芯，所述半導(dǎo)體管芯包括襯底材料，所述襯底材料包括第一表面和用于對準(zhǔn)的不均勻第二表面。

根據(jù)本公開的實(shí)施例，可以改善管芯貼裝精度，減小或者消除對管芯尺寸的限制，降低封裝尺寸，減少制造缺陷，和/或提高產(chǎn)量。

附圖說明

圖1a-1b示出較大半導(dǎo)體管芯與較小管芯焊盤之間的常見安裝方式；

圖2a-2c示出具有由鋸道分開的多個(gè)半導(dǎo)體管芯的半導(dǎo)體晶圓；

圖3a-3e示出一種在半導(dǎo)體管芯的背表面形成對準(zhǔn)凹口的工藝；

圖4示出一種半導(dǎo)體封裝件，其中半導(dǎo)體管芯安裝至位于背側(cè)對準(zhǔn)凹口內(nèi)的管芯焊盤上；

圖5示出另一種半導(dǎo)體封裝件，其中半導(dǎo)體管芯安裝至部分位于背側(cè)對準(zhǔn)凹口內(nèi)的管芯焊盤上；

圖6示出另一種半導(dǎo)體封裝件，其中半導(dǎo)體管芯安裝至部分位于背側(cè)對準(zhǔn)凹口內(nèi)的管芯焊盤上；

圖7a-7g示出另一種形成具有背側(cè)金屬的對準(zhǔn)凹口的工藝；

圖8示出另一種半導(dǎo)體封裝件，其中半導(dǎo)體管芯安裝至位于背側(cè)金屬對準(zhǔn)凹口內(nèi)的管芯焊盤上；

圖9示出另一種半導(dǎo)體封裝件，其中半導(dǎo)體管芯安裝至部分位于背側(cè)金屬對準(zhǔn)凹口內(nèi)的管芯焊盤上；

圖10a-10c示出半導(dǎo)體管芯，其中細(xì)長對準(zhǔn)凹口匹配至形成在襯底上方的凸起；

圖11a-11c示出半導(dǎo)體管芯，其中十字形對準(zhǔn)凹口匹配至形成在襯底上方的十字形凸起；

圖12a-12c示出半導(dǎo)體管芯，其中細(xì)長對準(zhǔn)凸起匹配至形成在襯底中的凹槽；

圖13a-13c示出半導(dǎo)體管芯，其中十字形對準(zhǔn)凸起匹配至形成在襯底中的十字形凹槽；

圖14a-14b示出半導(dǎo)體管芯，其中對準(zhǔn)凹槽或凸起匹配至形成在PCB中的對應(yīng)結(jié)構(gòu)；以及

圖15a-15c示出半導(dǎo)體管芯，其中對準(zhǔn)凸起插入到穿過襯底而形成的匹配開口中。

具體實(shí)施方式

以下參考附圖描述一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案，其中同樣的數(shù)字代表相同或類似的元件。雖然按照實(shí)現(xiàn)某些目標(biāo)的最佳模式描述了附圖，但描述旨在涵蓋可包括在本公開的精神和范圍內(nèi)的替代形式、修改形式和等同形式。如本文使用的術(shù)語“半導(dǎo)體管芯”兼指該詞語的單數(shù)形式和復(fù)數(shù)形式，并且相應(yīng)地，可同時(shí)指稱單個(gè)半導(dǎo)體器件和多個(gè)半導(dǎo)體器件。

半導(dǎo)體器件一般采用兩種復(fù)雜的制造工藝制造：前端制造和后端制造。前端制造涉及在半導(dǎo)體晶圓的表面上形成多個(gè)管芯。晶圓上的每個(gè)管芯可包含有源電子部件、無源電子部件以及光學(xué)器件，它們電連接以形成功能電路。有源電子部件諸如晶體管和二極管具有控制電流流動的能力。無源電子部件諸如電容器、電感器和電阻器形成執(zhí)行電路功能所必需的電壓與電流之間的關(guān)系。光學(xué)器件通過將光波或電磁輻射的可變衰減轉(zhuǎn)換成電信號來檢測和記錄圖像。

后端制造是指將成品晶圓切割或單切成單獨(dú)的半導(dǎo)體管芯，并封裝半導(dǎo)體管芯以實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)支撐、電互連和環(huán)境隔離。使用等離子蝕刻、激光切割工具或鋸片沿晶圓的非功能區(qū)(稱為鋸道(saw street)或鋸痕)對晶圓進(jìn)行單切。在單切后，單獨(dú)半導(dǎo)體管芯被安裝至封裝襯底，該封裝襯底包括用于與其他系統(tǒng)部件互連的引腳或接觸焊盤。然后將形成在半導(dǎo)體管芯上方的接觸焊盤連接至封裝件內(nèi)的接觸焊盤。電連接可利用導(dǎo)電層、凸塊、柱狀凸塊、導(dǎo)電膏或接合線形成。將密封劑或其他模制材料沉積在封裝件上方，以提供物理支撐和電絕緣隔離。然后，將成品封裝件插入到電系統(tǒng)中，半導(dǎo)體器件的功能便可提供給其他系統(tǒng)部件使用。

圖2a示出具有基極襯底材料102(諸如硅、鍺、磷化鋁、砷化鋁、砷化鎵、氮化鎵、磷化銦、碳化硅或其他基體半導(dǎo)體材料)以提供結(jié)構(gòu)支撐的半導(dǎo)體晶圓100。多個(gè)半導(dǎo)體管芯104形成在晶圓100上，通過非有源的管芯間晶圓區(qū)域或者說鋸道106分開，如上所述。鋸道106提供用以將半導(dǎo)體晶圓100單切成單獨(dú)半導(dǎo)體管芯104的切割區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施方案中，半導(dǎo)體晶圓100的寬度或直徑為100-450毫米(mm)，厚度為50-100微米(μm)或15-250μm。

圖2b示出半導(dǎo)體晶圓100的一部分的剖面圖。每個(gè)半導(dǎo)體管芯104具有背面或者說非有源表面108以及有源表面或區(qū)域110，該有源表面或區(qū)域包含模擬或數(shù)字電路，該模擬或數(shù)字電路實(shí)施為形成在管芯內(nèi)并根據(jù)管芯的電學(xué)設(shè)計(jì)和功能電互連的有源器件、無源器件、導(dǎo)電層以及介電層。例如，電路可包括一個(gè)或多個(gè)晶體管、二極管以及其他電路元件，這些元件形成在有源表面或區(qū)域110內(nèi)以實(shí)現(xiàn)模擬電路或數(shù)字電路，諸如數(shù)字信號處理器(DSP)、微控制器、ASIC、標(biāo)準(zhǔn)邏輯、放大器、時(shí)鐘管理、存儲器、接口電路以及其他信號處理電路。半導(dǎo)體管芯104還可包含用于RF信號處理的集成無源器件(IPD)，諸如電感器、電容器和電阻器。有源表面110可包含圖像傳感器區(qū)域，該圖像傳感器區(qū)域?qū)嵤榛パa(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)或N型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)技術(shù)中的半導(dǎo)體電荷耦合器件(CCD)和有效像素傳感器?；蛘撸雽?dǎo)體管芯104可為光學(xué)透鏡、檢測器、垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)、波導(dǎo)、堆疊管芯、電磁(EM)濾波器或多芯片模塊。

使用PVD、CVD、電解電鍍、化學(xué)電鍍工藝或其他合適的金屬沉積工藝在有源表面110上方形成導(dǎo)電層112。導(dǎo)電層112包括一層或多層鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)、鎳(Ni)、金(Au)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鈦鎢(TiW)或其他合適的導(dǎo)電材料。導(dǎo)電層112用作與有源表面110上的電路電連接的接觸焊盤。導(dǎo)電層112可形成為沿半導(dǎo)體管芯104的邊緣并排設(shè)置的接觸焊盤，如圖2b所示?；蛘?，導(dǎo)電層112可形成為在多個(gè)行中偏置的接觸焊盤，使得第一行接觸焊盤被設(shè)置成與管芯邊緣相距第一距離，而與第一行交替的第二行接觸焊盤被設(shè)置成與管芯邊緣相距第二距離。

半導(dǎo)體晶圓100經(jīng)過電測試和檢驗(yàn)，作為質(zhì)量控制過程的一部分。人工目視檢驗(yàn)和自動光學(xué)系統(tǒng)用于對半導(dǎo)體晶圓100執(zhí)行檢驗(yàn)?？墒褂密浖Π雽?dǎo)體晶圓100進(jìn)行自動光學(xué)分析。目視檢驗(yàn)方法可采用諸如掃描電子顯微鏡、高強(qiáng)度光或紫外線或者金相顯微鏡之類的設(shè)備。檢驗(yàn)半導(dǎo)體晶圓100的結(jié)構(gòu)特性，包括翹曲、厚度變化、表面顆粒、不規(guī)則處、開裂、分層和變色。

半導(dǎo)體管芯104內(nèi)的有源部件和無源部件經(jīng)受對電性能和電路功能的晶圓級測試。使用包括多個(gè)探針或測試引線118的測試探頭116或者其他測試設(shè)備測試每個(gè)半導(dǎo)體管芯104的功能和電參數(shù)，如圖2c所示。探針118用于與每個(gè)半導(dǎo)體管芯104上的節(jié)點(diǎn)或?qū)щ妼?12形成電接觸，并且向接觸焊盤112提供電刺激。半導(dǎo)體管芯104響應(yīng)電刺激，該響應(yīng)由計(jì)算機(jī)測試系統(tǒng)119測量并與預(yù)期響應(yīng)進(jìn)行比較，以測試半導(dǎo)體管芯的功能。電測試內(nèi)容可包括電路功能、引線完整性、電阻率、連續(xù)性、可靠性、結(jié)深、ESD、RF性能、驅(qū)動電流、閾值電流、泄漏電流以及部件類型的特定操作參數(shù)。對半導(dǎo)體晶圓100的檢驗(yàn)和電測試使檢測合格的半導(dǎo)體管芯104能夠被指定為已知合格管芯(KGD)，用于半導(dǎo)體封裝。

圖3a-3e示出一種在半導(dǎo)體管芯104的背表面108上形成對準(zhǔn)凹口的工藝。在圖3a中，背表面108的一部分在背面研磨操作中被研磨機(jī)120去除。背面研磨操作使基極襯底材料102的厚度減小，形成基極襯底材料的表面122。在一個(gè)實(shí)施方案中，半導(dǎo)體晶圓100的研磨后厚度為100μm。

在圖3b中，將半導(dǎo)體晶圓100倒置，并將掩模層126設(shè)置在基極襯底材料102的表面122上方。掩模層126可實(shí)施為光刻膠層或氧化物層，并具有延伸至表面122的開口128。

在圖3c中，當(dāng)晶圓處于圖2a的形式時(shí)，穿過掩模層126中的開口128對表面122進(jìn)行等離子蝕刻，以在基極襯底材料102中形成對準(zhǔn)凹口或鑰孔凹槽130。或者，可通過激光直接燒蝕(LDA)或者其他濕法或干法化學(xué)蝕刻工藝在基極襯底材料102中形成對準(zhǔn)凹口或鑰孔凹槽130。

在圖3d中，掩模層126被去除。半導(dǎo)體管芯104示為在基極襯底材料102中具有對準(zhǔn)凹口或鑰孔凹槽130，該對準(zhǔn)凹口或鑰孔凹槽具有側(cè)表面132和背表面134。對準(zhǔn)凹口130使基極襯底材料102的厚度或表面不均勻。

在圖3e中，半導(dǎo)體晶圓100設(shè)置在膜框架或背帶136上方，其中表面122和對準(zhǔn)凹口130朝向膜框架定向。采用等離子蝕刻將半導(dǎo)體晶圓100沿鋸道106單切成單獨(dú)半導(dǎo)體管芯104。等離子蝕刻的優(yōu)點(diǎn)在于將基極襯底102去除以形成精密表面，同時(shí)保持該基極襯底材料的結(jié)構(gòu)和完整性?；蛘?，使用鋸片或激光切割工具137沿鋸道106將半導(dǎo)體晶圓100單切成單獨(dú)半導(dǎo)體管芯104?？蓪为?dú)半導(dǎo)體管芯104進(jìn)行檢驗(yàn)和電測試，以鑒定為切單后KGD(已知合格管芯)。

圖4示出包含半導(dǎo)體管芯104的半導(dǎo)體封裝件138，其中形成在基極襯底材料102中的對準(zhǔn)凹口或鑰孔凹槽130被設(shè)置在管芯焊盤140上方。具體地講，凹口130的表面132和134提供對準(zhǔn)，以將半導(dǎo)體管芯104安裝到管芯焊盤140上。在一個(gè)實(shí)施方案中，管芯焊盤140的厚度為30-40μm，半導(dǎo)體管芯104的厚度為50-100μm。半導(dǎo)體管芯104大于管芯焊盤140，導(dǎo)致基極襯底材料102顯著延伸超出管芯焊盤。管芯焊盤140完全地被對準(zhǔn)凹口130容納，從而使半導(dǎo)體管芯104牢固地夾持在管芯焊盤上。較小管芯焊盤140使半導(dǎo)體封裝尺寸和封裝占有面積縮小，從而滿足行業(yè)需求。由于管芯焊盤140的表面設(shè)置在凹口130內(nèi)，即使采用較小管芯焊盤，半導(dǎo)體管芯104也具有防止相對于管芯焊盤側(cè)滑、傾斜、偏移或脫離的穩(wěn)健性。通過使用對準(zhǔn)凹口130，半導(dǎo)體管芯104可顯著大于管芯焊盤140，同時(shí)避免圖1a-1b中的制造滑動、傾斜、旋轉(zhuǎn)或脫離缺陷。

接合線144被連接在有源表面110上的導(dǎo)電層或接觸焊盤112與接合線焊盤146之間。管芯焊盤140和接合線焊盤146表示引線框、襯底、插入器或半導(dǎo)體管芯的一部分。任選的絕緣層148通過PCV、CVD、印刷、旋涂、噴涂、燒結(jié)或熱氧化被形成在半導(dǎo)體管芯104的表面122上方。絕 緣層148包含具有類似絕緣特性和結(jié)構(gòu)特性的一層或多層SiO₂、Si₃N₄、SiON、Ta₂O₅、Al₂O₃或其他材料。絕緣層148從半導(dǎo)體封裝件138中暴露出來。密封劑或模制化合物150通過壓縮模制、傳遞模制、液體密封劑模制、真空層壓或其他合適的涂覆器被沉積在半導(dǎo)體管芯104、接合線144和接合線焊盤146上方。密封劑150可為聚合物復(fù)合材料，諸如環(huán)氧樹脂與填料、環(huán)氧丙烯酸酯與填料，或者聚合物與合適填料。密封劑150不導(dǎo)電，提供物理支撐，并在環(huán)境中保護(hù)半導(dǎo)體器件免受外部元件和污染物影響。

圖5示出包含半導(dǎo)體管芯104的半導(dǎo)體封裝件160，類似于圖4，其中形成在基極襯底材料102中的較淺對準(zhǔn)凹口或鑰孔凹槽130被設(shè)置在管芯焊盤162上方。具體地講，凹口130的表面132和134提供對準(zhǔn)，以將半導(dǎo)體管芯104安裝到管芯焊盤162上。半導(dǎo)體管芯104大于管芯焊盤162，導(dǎo)致基極襯底材料102顯著延伸或懸出到管芯焊盤之外。管芯焊盤162部分地被對準(zhǔn)凹口130容納，從而使半導(dǎo)體管芯104牢固地夾持在管芯焊盤上。管芯焊盤162的一部分縱向延伸到對準(zhǔn)凹口130外部。較小管芯焊盤162使半導(dǎo)體封裝尺寸和封裝占有面積縮小，從而滿足行業(yè)需求。由于管芯焊盤162的表面至少部分地設(shè)置在凹口130內(nèi)，即使采用較小管芯焊盤，半導(dǎo)體管芯104也具有防止相對于管芯焊盤側(cè)滑、傾斜、偏移或脫離的穩(wěn)健性。通過使用對準(zhǔn)凹口130，半導(dǎo)體管芯104可顯著大于管芯焊盤162，同時(shí)避免圖1a-1b中的制造滑動、傾斜、旋轉(zhuǎn)或脫離缺陷。

接合線164被連接在有源表面110上的導(dǎo)電層或接觸焊盤112與接合線焊盤166之間。管芯焊盤162和接合線焊盤166表示引線框、襯底、插入器或半導(dǎo)體管芯的一部分。密封劑或模制化合物170通過壓縮模制、傳遞模制、液體密封劑模制、真空層壓或其他合適的涂覆器被沉積在半導(dǎo)體管芯104、接合線164和接合線焊盤166上方。密封劑170可為聚合物復(fù)合材料，諸如環(huán)氧樹脂與填料、環(huán)氧丙烯酸酯與填料，或者聚合物與合適填料。密封劑170不導(dǎo)電，提供物理支撐，并在環(huán)境中保護(hù)半導(dǎo)體器件免受外部元件和污染物影響。

圖6示出包含半導(dǎo)體管芯104的半導(dǎo)體封裝件180，類似于圖5，其中形成在基極襯底材料102中的較淺對準(zhǔn)凹口或鑰孔凹槽130被設(shè)置在管芯焊盤182上方。具體地講，凹口130的表面132和134提供對準(zhǔn)，以將 半導(dǎo)體管芯104安裝到管芯焊盤182上。半導(dǎo)體管芯104大于管芯焊盤182，導(dǎo)致基極襯底材料102顯著延伸或懸出到管芯焊盤之外。管芯焊盤182部分地被對準(zhǔn)凹口130容納，從而使半導(dǎo)體管芯104牢固地夾持在管芯焊盤上。管芯焊盤182的一部分縱向延伸到對準(zhǔn)凹口130外部。較小管芯焊盤182使半導(dǎo)體封裝尺寸和封裝占有面積縮小，從而滿足行業(yè)需求。半導(dǎo)體管芯104利用對準(zhǔn)凹口130與管芯焊盤182的對準(zhǔn)可偏移，以進(jìn)行可靠且可重復(fù)的接合線接合。

接合線184被連接在有源表面110上的導(dǎo)電層或接觸焊盤112與接合線焊盤186之間。管芯焊盤182和接合線焊盤186表示引線框、襯底、插入器或半導(dǎo)體管芯的一部分。密封劑或模制化合物190通過壓縮模制、傳遞模制、液體密封劑模制、真空層壓或其他合適的涂覆器被沉積在半導(dǎo)體管芯104、接合線184和接合線焊盤186上方。密封劑190可為聚合物復(fù)合材料，諸如環(huán)氧樹脂與填料、環(huán)氧丙烯酸酯與填料，或者聚合物與合適填料。密封劑190不導(dǎo)電，提供物理支撐，并在環(huán)境中保護(hù)半導(dǎo)體器件免受外部元件和污染物影響。

一般來說，對準(zhǔn)凹口130可為單側(cè)、雙側(cè)、三側(cè)或四側(cè)側(cè)壁結(jié)構(gòu)，以部分地或完全地容納管芯焊盤。凹口130在將半導(dǎo)體管芯104安裝至管芯焊盤的過程中提供對準(zhǔn)，并為半導(dǎo)體管芯提供剛度和穩(wěn)定性。由于管芯焊盤的表面至少部分地設(shè)置在凹口130內(nèi)，半導(dǎo)體管芯104具有防止相對于管芯焊盤側(cè)滑、傾斜、偏移或脫離的穩(wěn)健性。對準(zhǔn)凹口130使半導(dǎo)體管芯104能夠更薄，以適應(yīng)更薄的半導(dǎo)體封裝件中對接合線的高度要求，同時(shí)避免制造滑動、傾斜、旋轉(zhuǎn)或脫離缺陷。

圖7a-7g示出另一種在半導(dǎo)體管芯104的背表面108上形成對準(zhǔn)凹口的工藝，其中凹口內(nèi)有背側(cè)金屬。承接圖2c，背表面108的一部分在背面研磨操作中被研磨機(jī)200去除。背面研磨操作減小基極襯底材料102的厚度，并使基極襯底材料的表面202暴露。圖7b示出背面研磨操作后的半導(dǎo)體晶圓100。

在圖7c中，將半導(dǎo)體晶圓100倒置，并將掩模層206設(shè)置在基極襯底材料102的表面202上方。掩模層206可實(shí)施為光刻膠層或氧化物層，并具有延伸至表面202的開口208。

在圖7d中，當(dāng)晶圓處于圖2a的形式時(shí)，穿過掩模層206中的開口208對表面202進(jìn)行等離子蝕刻，以在基極襯底材料102中形成對準(zhǔn)凹口或鑰孔凹槽210?；蛘撸赏ㄟ^LDA或者其他濕法或干法化學(xué)蝕刻工藝在基極襯底材料102中形成對準(zhǔn)凹口或鑰孔凹槽210。對準(zhǔn)凹口210具有側(cè)表面212和背表面214。對準(zhǔn)凹口210使基極襯底材料102的厚度或表面不均勻。

在圖7e中，使用PVD、CVD、電解電鍍、化學(xué)電鍍工藝或其他合適的金屬沉積工藝在掩模層206上方以及對準(zhǔn)凹口或鑰孔凹槽210內(nèi)形成導(dǎo)電層216。導(dǎo)電層216包括一層或多層Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag、Ti、TiW或其他合適的導(dǎo)電材料或者它們的組合。導(dǎo)電層216作為基極襯底材料102的對準(zhǔn)凹口210中的背側(cè)金屬用于電互連或熱耗散。

在圖7f中，掩模層206連同在掩模層上方形成的導(dǎo)電層216部分一起被去除。半導(dǎo)體管芯104示為在基極襯底材料102中具有對準(zhǔn)凹口或鑰孔凹槽210，該對準(zhǔn)凹口或鑰孔凹槽具有側(cè)表面212和背表面214。對準(zhǔn)凹口210內(nèi)的導(dǎo)電層216仍保留。

在圖7g中，半導(dǎo)體晶圓100設(shè)置在膜框架或背帶218上方，其中表面202和對準(zhǔn)凹口210朝向膜框架定向。采用等離子蝕刻將半導(dǎo)體晶圓100沿鋸道106單切成單獨(dú)半導(dǎo)體管芯104。等離子蝕刻的優(yōu)點(diǎn)在于將基極襯底材料102去除以形成精密表面，同時(shí)保持該基極襯底材料的結(jié)構(gòu)和完整性。或者，使用鋸片或激光切割工具220沿鋸道106將半導(dǎo)體晶圓100單切成單獨(dú)半導(dǎo)體管芯104?？蓪为?dú)半導(dǎo)體管芯104進(jìn)行檢驗(yàn)和電測試，以鑒定為單切后已知合格管芯?；蛘?，半導(dǎo)體晶圓100的有源表面110可朝向膜框架218定向，同時(shí)使用前述方法中的任一種對晶圓進(jìn)行單切。

圖8示出包含半導(dǎo)體管芯104的半導(dǎo)體封裝件230，其中形成在基極襯底材料102中的對準(zhǔn)凹口或鑰孔凹槽210被設(shè)置在管芯焊盤232上方，該對準(zhǔn)凹口或鑰孔凹槽包含背側(cè)金屬導(dǎo)電層216。具體地講，凹口210的表面212和214提供對準(zhǔn)，以將半導(dǎo)體管芯104安裝到管芯焊盤232上。半導(dǎo)體管芯104大于管芯焊盤232，導(dǎo)致基極襯底材料102顯著延伸超出管芯焊盤。管芯焊盤232完全地被對準(zhǔn)凹口210容納，從而使半導(dǎo)體管芯104牢固地夾持在管芯焊盤上。較小管芯焊盤232使半導(dǎo)體封裝尺寸和封裝占有面積縮小，從而滿足行業(yè)需求。背側(cè)金屬導(dǎo)電層216提供電互連或熱耗散。由于管芯焊盤232的表面設(shè)置在凹口210內(nèi)，即使采用較小管芯焊盤， 半導(dǎo)體管芯104也具有防止相對于管芯焊盤側(cè)滑、傾斜、偏移或脫離的穩(wěn)健性。通過使用包含背側(cè)金屬導(dǎo)電層216的對準(zhǔn)凹口210，半導(dǎo)體管芯104可顯著地大于管芯焊盤232，同時(shí)避免圖1a-1b中的制造滑動、傾斜、旋轉(zhuǎn)或脫離缺陷。

接合線234被連接在有源表面110上的導(dǎo)電層112與接合線焊盤236之間。管芯焊盤232和接合線焊盤236表示引線框、襯底、插入器或半導(dǎo)體管芯的一部分。密封劑或模制化合物240通過壓縮模制、傳遞模制、液體密封劑模制、真空層壓或其他合適的涂覆器被沉積在半導(dǎo)體管芯104、接合線234和接合線焊盤236上方。密封劑240可為聚合物復(fù)合材料，諸如環(huán)氧樹脂與填料、環(huán)氧丙烯酸酯與填料，或者聚合物與合適填料。密封劑240不導(dǎo)電，提供物理支撐，并在環(huán)境中保護(hù)半導(dǎo)體器件免受外部元件和污染物影響。

圖9示出包含半導(dǎo)體管芯104的半導(dǎo)體封裝件250，類似于圖8，其中形成在基極襯底材料102中并包含背側(cè)金屬導(dǎo)電層216的較淺對準(zhǔn)凹口或鑰孔凹槽210設(shè)置在管芯焊盤252上方。具體地講，凹口210的表面212和214提供對準(zhǔn)，以將半導(dǎo)體管芯104安裝到管芯焊盤252上。半導(dǎo)體管芯104大于管芯焊盤252，導(dǎo)致基極襯底材料102顯著延伸或懸出到管芯焊盤之外。管芯焊盤252部分地被對準(zhǔn)凹口210容納，從而使半導(dǎo)體管芯104牢固地夾持在管芯焊盤上。管芯焊盤252的一部分縱向延伸到凹口210外部。較小管芯焊盤252使半導(dǎo)體封裝尺寸和封裝占有面積縮小，從而滿足行業(yè)需求。背側(cè)金屬導(dǎo)電層216提供電互連或熱耗散。由于管芯焊盤252的表面設(shè)置在凹口210內(nèi)，即使采用較小管芯焊盤，半導(dǎo)體管芯104也具有防止相對于管芯焊盤側(cè)滑、傾斜、偏移或脫離的穩(wěn)健性。通過使用對準(zhǔn)凹口210，半導(dǎo)體管芯104可顯著大于管芯焊盤252，同時(shí)避免圖1a-1b中的制造滑動、傾斜、旋轉(zhuǎn)或脫離缺陷。

接合線254被連接在有源表面110上的導(dǎo)電層112與接合線焊盤256之間。管芯焊盤252和接合線焊盤256表示引線框、襯底、插入器或半導(dǎo)體管芯的一部分。密封劑或模制化合物260通過壓縮模制、傳遞模制、液體密封劑模制、真空層壓或其他合適的涂覆器被沉積在半導(dǎo)體管芯104、接合線254和接合線焊盤256上方。密封劑260可為聚合物復(fù)合材料，諸如環(huán)氧樹脂與填料、環(huán)氧丙烯酸酯與填料，或者聚合物與合適填料。密封 劑260不導(dǎo)電，提供物理支撐，并在環(huán)境中保護(hù)半導(dǎo)體器件免受外部元件和污染物影響。

圖10a-10c示出半導(dǎo)體管芯，其中細(xì)長對準(zhǔn)凹口形成在管芯的背表面中，并安裝至形成在襯底上方的匹配凸起。圖10a是半導(dǎo)體管芯270的正交視圖，所述半導(dǎo)體管芯包括細(xì)長對準(zhǔn)凹口272，所述細(xì)長對準(zhǔn)凹口通過等離子蝕刻、濕法蝕刻、銑削、激光或干法蝕刻形成在背表面274中，介于半導(dǎo)體管芯的側(cè)表面276之間。同樣，半導(dǎo)體管芯278包括細(xì)長對準(zhǔn)凹口279，所述細(xì)長對準(zhǔn)凹口通過等離子蝕刻、濕法蝕刻、銑削、激光或干法蝕刻形成在背表面280中，介于半導(dǎo)體管芯的側(cè)表面281之間。半導(dǎo)體管芯270和278可為矩形、圓形、橢圓形或其他幾何形狀。半導(dǎo)體管芯270和278可為ASIC、傳感器、光學(xué)器件、檢測器、VCSEL、波導(dǎo)和多芯片模塊。半導(dǎo)體管芯270和278被定位在具有對準(zhǔn)凸起283的襯底282上方。襯底282可為印刷電路板(PCB)、柔性線束、陶瓷板或玻璃襯底。襯底282還可為引線框、插入器或半導(dǎo)體管芯。凹口272和279與襯底凸起283對準(zhǔn)。

圖10b是半導(dǎo)體管芯270和半導(dǎo)體管芯278的仰視圖，其中：前者具有形成在背表面274中介于半導(dǎo)體管芯的側(cè)表面276之間的對準(zhǔn)凹口272；后者具有形成在背表面280中介于半導(dǎo)體管芯的側(cè)表面281之間的對準(zhǔn)凹口279。

在圖10c中，當(dāng)襯底凸起283插入到凹口272和279中時(shí)，半導(dǎo)體管芯270和278以精確對準(zhǔn)方式安裝至襯底282。對準(zhǔn)凹口272和279以及襯底凸起283提供鑰孔凹槽，以將半導(dǎo)體管芯270和278輕松地放置在襯底282上并精確地對準(zhǔn)，從而在y-z方向上將半導(dǎo)體管芯鎖定在襯底上的適當(dāng)位置。

圖11a-11c示出半導(dǎo)體管芯，其中十字形對準(zhǔn)凹口形成在管芯的背表面中，并安裝至形成在襯底上方的匹配十字形凸起。圖11a是半導(dǎo)體管芯284的正交視圖，所述半導(dǎo)體管芯包括十字形對準(zhǔn)凹口285，所述十字形對準(zhǔn)凹口通過等離子蝕刻、濕法蝕刻、銑削、激光或干法蝕刻形成在背表面286中，介于半導(dǎo)體管芯的側(cè)表面287之間。同樣，半導(dǎo)體管芯288包括十字形對準(zhǔn)凹口290，所述十字形對準(zhǔn)凹口通過等離子蝕刻、濕法蝕刻、銑削、激光或干法蝕刻形成在背表面292中，介于半導(dǎo)體管芯的側(cè)表面294 之間。半導(dǎo)體管芯284和288可為矩形、圓形、橢圓形或其他幾何形狀。半導(dǎo)體管芯284和288可為ASIC、傳感器、光學(xué)器件、檢測器、VCSEL、波導(dǎo)和多芯片模塊。半導(dǎo)體管芯284和288被定位在具有十字形對準(zhǔn)凸起298的襯底296上方。襯底296可為PCB、柔性線束、陶瓷板或玻璃襯底。襯底296還可為引線框、插入器或半導(dǎo)體管芯。十字形凹口285和290與十字形襯底凸起298對準(zhǔn)。

圖11b是半導(dǎo)體管芯284和半導(dǎo)體管芯288的仰視圖，其中：前者具有形成在背表面286中介于半導(dǎo)體管芯的側(cè)表面287之間的十字形對準(zhǔn)凹口285；后者具有形成在背表面292中介于半導(dǎo)體管芯的側(cè)表面294之間的十字形對準(zhǔn)凹口290。

在圖11c中，當(dāng)十字形襯底凸起298插入到十字形凹口285和290中時(shí)，半導(dǎo)體管芯284和288以精確對準(zhǔn)方式安裝至襯底296。十字形對準(zhǔn)凹口285和290以及十字形襯底凸起298提供鑰孔凹槽，以將半導(dǎo)體管芯284和288輕松地放置在襯底296上并精確地對準(zhǔn)。插入十字形襯底凸起298的十字形凹口285和290在x-y-z方向上將半導(dǎo)體管芯284和288鎖定在襯底296上的適當(dāng)位置。

圖12a-12c示出半導(dǎo)體管芯，其中細(xì)長對準(zhǔn)凸起形成在管芯的背表面中，并安裝至形成在襯底中的匹配凹槽。圖12a是半導(dǎo)體管芯300的正交視圖，所述半導(dǎo)體管芯包括細(xì)長對準(zhǔn)凸起302，所述細(xì)長對準(zhǔn)凸起通過等離子蝕刻、濕法蝕刻、銑削、激光或干法蝕刻形成在背表面304上方，介于半導(dǎo)體管芯的側(cè)表面306之間。同樣，半導(dǎo)體管芯308包括細(xì)長對準(zhǔn)凸起309，所述細(xì)長對準(zhǔn)凸起通過等離子蝕刻、濕法蝕刻、銑削、激光或干法蝕刻形成在背表面310上方，介于半導(dǎo)體管芯的側(cè)表面311之間。半導(dǎo)體管芯300和308可為矩形、圓形、橢圓形或其他幾何形狀。半導(dǎo)體管芯300和308可為ASIC、傳感器、光學(xué)器件、檢測器、VCSEL、波導(dǎo)和多芯片模塊。半導(dǎo)體管芯300和308被定位在具有對準(zhǔn)凹口313的襯底312上方。襯底282可為PCB、柔性線束、陶瓷板或玻璃襯底。襯底312還可為引線框、插入器或半導(dǎo)體管芯。凸起302和309與襯底凹口313對準(zhǔn)。

圖12b是半導(dǎo)體管芯300和半導(dǎo)體管芯308的仰視圖，其中：前者具有形成在背表面304上方介于半導(dǎo)體管芯的側(cè)表面306之間的對準(zhǔn)凸起302； 后者具有形成在背表面310上方介于半導(dǎo)體管芯的側(cè)表面311之間的對準(zhǔn)凸起309。

在圖12c中，當(dāng)凸起302和309插入到襯底凹口313中時(shí)，半導(dǎo)體管芯300和308以精確對準(zhǔn)方式安裝至襯底312。形成在半導(dǎo)體管芯300和308的背表面304和310中的對準(zhǔn)凸起302和309提供鑰孔凹槽，以將半導(dǎo)體管芯輕松地放置在襯底312上并精確地對準(zhǔn)，從而在y-z方向上將半導(dǎo)體管芯鎖定在襯底上的適當(dāng)位置。

圖13a-13c示出半導(dǎo)體管芯，其中十字形對準(zhǔn)凸起形成在管芯的背表面中，并安裝至形成在襯底中的匹配十字形凹槽。圖13a是半導(dǎo)體管芯314的正交視圖，所述半導(dǎo)體管芯包括十字形對準(zhǔn)凸起315，所述十字形對準(zhǔn)凸起通過等離子蝕刻、濕法蝕刻、銑削、激光或干法蝕刻形成在背表面316上方，介于半導(dǎo)體管芯的側(cè)表面317之間。同樣，半導(dǎo)體管芯318包括十字形對準(zhǔn)凸起320，所述十字形對準(zhǔn)凸起通過等離子蝕刻、濕法蝕刻、銑削、激光或干法蝕刻形成在背表面322上方，介于半導(dǎo)體管芯的側(cè)表面324之間。半導(dǎo)體管芯314和318可為矩形、圓形、橢圓形或其他幾何形狀。半導(dǎo)體管芯314和318可為ASIC、傳感器、光學(xué)器件、檢測器、VCSEL、波導(dǎo)和多芯片模塊。半導(dǎo)體管芯314和318被定位在具有十字形對準(zhǔn)凹口328的襯底326上方。襯底326可為PCB、柔性線束、陶瓷板或玻璃襯底。襯底326還可為引線框、插入器或半導(dǎo)體管芯。十字形凸起315和320與十字形襯底凹口328對準(zhǔn)。

圖13b是半導(dǎo)體管芯314和半導(dǎo)體管芯318的仰視圖，其中：前者具有形成在背表面316上方介于半導(dǎo)體管芯的側(cè)表面317之間的十字形對準(zhǔn)凸起315；后者具有形成在背表面322上方介于半導(dǎo)體管芯的側(cè)表面324之間的十字形對準(zhǔn)凸起320。

在圖13c中，當(dāng)十字形凸起315和320插入到十字形襯底凹口328中時(shí)，半導(dǎo)體管芯314和318以精確對準(zhǔn)方式安裝至襯底326。十字形對準(zhǔn)凸起315和320以及十字形襯底凹口328提供鑰孔凹槽，以將半導(dǎo)體管芯314和318輕松地放置在襯底326上并精確地對準(zhǔn)。插入十字形襯底凹口328中的十字形凸起315和320在x-y-z方向上將半導(dǎo)體管芯314和318鎖定在襯底326上的適當(dāng)位置。

圖14a-14b示出半導(dǎo)體管芯，其中對準(zhǔn)凹槽(或凸起)形成在管芯的背表面中并安裝至形成在PCB中的匹配結(jié)構(gòu)。在圖14a中，半導(dǎo)體管芯330和332被定位在PCB 340上方，其中對應(yīng)對準(zhǔn)凸起(或凹槽)342和344通過等離子蝕刻、濕法蝕刻、銑削、激光或干法蝕刻形成。半導(dǎo)體管芯330和332中的凹槽346和348也通過等離子蝕刻、濕法蝕刻、銑削、激光或干法蝕刻形成。半導(dǎo)體管芯330中的凹槽346與PCB凸起342對準(zhǔn)，并且半導(dǎo)體管芯332中的凹槽348與PCB凸起344對準(zhǔn)。在圖14b中，當(dāng)凹槽346和348分別被PCB凸起342和344插入時(shí)，半導(dǎo)體管芯330和332以精確對準(zhǔn)方式安裝至PCB 340。形成在半導(dǎo)體管芯330和332的背表面中的對準(zhǔn)凹槽346和348提供鑰孔凹槽，以將半導(dǎo)體管芯輕松地放置在PCB 340上并精確地對準(zhǔn)。

圖15a-15c示出半導(dǎo)體管芯350a-350b，其中對準(zhǔn)凸起352通過等離子蝕刻、濕法蝕刻、銑削、激光或干法蝕刻形成在管芯的背表面354中，并插入到穿過襯底360形成的匹配開口358中。圖15a示出定位在襯底360上方的半導(dǎo)體管芯350a-350b，其中對準(zhǔn)凸起352與開口358對準(zhǔn)。襯底360可為PCB、柔性線束、陶瓷板或玻璃襯底。襯底360還可為引線框、插入器或半導(dǎo)體管芯。圖15b是半導(dǎo)體管芯350a-350b的仰視圖，其中對準(zhǔn)凸起352形成在背表面354上方。

在圖15c中，半導(dǎo)體管芯350a-350b安裝于襯底360上，其中對準(zhǔn)凸起352延伸穿過開口358。對準(zhǔn)凸起352以及開口358提供鑰孔匹配結(jié)構(gòu)，以將半導(dǎo)體管芯350a-350b輕松地放置在襯底360上并精確地對準(zhǔn)。緊固件362在襯底360與半導(dǎo)體管芯350相對的背側(cè)上附接至凸起352。緊固件362將半導(dǎo)體管芯350a-350b牢固地固定在襯底360上。圖15a-15c中的對準(zhǔn)布置允許半導(dǎo)體管芯350a-350b定位在襯底360上，使得半導(dǎo)體管芯350a的側(cè)表面364與半導(dǎo)體管芯350b的側(cè)表面364直接物理接觸。緊固件362消除了對管芯附連粘合劑的需要，因此將不會有材料占用半導(dǎo)體管芯350a-350b之間的空間?；蛘?，對準(zhǔn)凸起352延伸到開口358中部分地穿過襯底360。形成與對準(zhǔn)凸起352的電連接，以便在結(jié)構(gòu)上緊固到位、實(shí)現(xiàn)熱連接并且/或者形成電連接。

雖然已詳細(xì)示出并描述了一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案，但技術(shù)人員將認(rèn)識到，在不脫離本公開的范圍的情況下，可對這些實(shí)施方案做出修改和調(diào)整。以下列出多個(gè)示例性實(shí)施方案，但是其他一些實(shí)施方案也屬于本公開的范圍。

在第一實(shí)施方案中，制造半導(dǎo)體器件的方法包括以下步驟：提供包括基極材料的半導(dǎo)體管芯；以及去除基極材料的一部分，以在基極材料的表面形成對準(zhǔn)凹槽或?qū)?zhǔn)凸起。

在第二實(shí)施方案中，第一實(shí)施方案的方法還包括以下步驟：提供襯底；以及將半導(dǎo)體管芯設(shè)置在襯底上方，其中襯底的一部分在對準(zhǔn)凹槽內(nèi)。

在第三實(shí)施方案中，第二實(shí)施方案的襯底包括引線框、插入器或半導(dǎo)體管芯。

在第四實(shí)施方案中，第二實(shí)施方案的襯底的所述部分部分地設(shè)置在基極材料的對準(zhǔn)凹槽內(nèi)。

在第五實(shí)施方案中，第一實(shí)施方案的方法還包括利用等離子蝕刻去除基極材料的所述部分的步驟。

在第六實(shí)施方案中，第一實(shí)施方案的對準(zhǔn)凹槽延伸基極材料的長度。

在第七實(shí)施方案中，半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體管芯，所述半導(dǎo)體管芯包括基極材料，所述基極材料包括第一表面和用于對準(zhǔn)的不均勻第二表面。

在第八實(shí)施方案中，第七實(shí)施方案的不均勻第二表面包括對準(zhǔn)凹槽或?qū)?zhǔn)凸起。

在第九實(shí)施方案中，第八實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件還包括襯底。半導(dǎo)體管芯設(shè)置在襯底上方，其中襯底的一部分在對準(zhǔn)凹槽內(nèi)。

在第十實(shí)施方案中，第九實(shí)施方案的襯底的所述部分包括管芯焊盤。

在第十一實(shí)施方案中，第九實(shí)施方案的襯底的所述部分部分地設(shè)置在基極材料的對準(zhǔn)凹槽內(nèi)。

在第十二實(shí)施方案中，第八實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件還包括金屬層，該金屬層形成在基極材料的對準(zhǔn)凹槽中。

在第十三實(shí)施方案中，第八實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件還包括襯底。半導(dǎo)體管芯設(shè)置在襯底上方，其中對準(zhǔn)凸起的一部分在襯底的凹槽內(nèi)。