本實(shí)用新型涉及片式熱敏電阻，具體涉及一種超穩(wěn)定片式熱敏電阻。

背景技術(shù)：

片式熱敏電阻是一種優(yōu)良的半導(dǎo)體功能電子元器件，廣泛應(yīng)用于穩(wěn)壓元件和過壓保護(hù)元件。但是片式熱敏電阻的電極容易松動、脫落、毀損等，給熱敏電阻本身及應(yīng)用熱敏電阻的的相關(guān)設(shè)備造成巨大損害；此外，隨著集成化程度越來越高，要求片式熱敏電阻的體積越來越小，性能要求越來越高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本實(shí)用新型提供一種超穩(wěn)定片式熱敏電阻，可以有效防止電極松動、脫落，而且體積小，性能穩(wěn)定。

本實(shí)用新型技術(shù)方案是：超穩(wěn)定片式熱敏電阻，包括基底、內(nèi)電極、內(nèi)引腳、漿料層、外電極、外引腳和絕緣鍍層，所述內(nèi)電極由基底引出，所述內(nèi)引腳由內(nèi)電極引出，所述外電極由漿料層引出，所述外引腳由外電極引出，所述絕緣鍍層覆蓋在外電極外層；所述基底兩側(cè)面有穿孔，所述漿料層填充于穿孔內(nèi)。

更優(yōu)地，所述穿孔的中間橫截面大而兩端橫截面小。

更優(yōu)地，所述穿孔內(nèi)側(cè)壁有凸起和/或凹槽。

更優(yōu)地，所述凸起的底部小而頂部大。

更優(yōu)地，所述凹槽的底部小而頂部大。

更優(yōu)地，所述基底為薄片狀陶瓷基底。

實(shí)用新型的超穩(wěn)定片式熱敏電阻，通過穿孔內(nèi)容納漿料層，可以降低電阻側(cè)面的漿料層厚度，從而減小體積；電阻側(cè)面的漿料層通過穿孔連接更穩(wěn)固，而且穿孔兩端端口小而中間橫截面大及穿孔內(nèi)側(cè)壁凹凸不平結(jié)構(gòu)可以有效防止電極的松動、脫落。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的示意圖

其中，1.基底 2.內(nèi)電極 3.內(nèi)引腳 4.內(nèi)引腳電極端 5.外電極 6.外引腳 7.外引腳電極端 8.漿料層 9.絕緣鍍層 10.凹槽 11.凸起 12.穿孔。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

超穩(wěn)定片式熱敏電阻，包括基底1、內(nèi)電極2、內(nèi)引腳3、漿料層8、外電極5、外引腳6和絕緣鍍層9，內(nèi)電極由基底1引出，內(nèi)引腳3由內(nèi)電極2引出，外電極5由漿料層8引出，外引腳6由外電極5引出，絕緣鍍層9覆蓋在外電極5外層；基底1兩側(cè)面有穿孔12，漿料層8填充于穿孔12內(nèi)。

穿孔12的中間橫截面大而兩端橫截面??；穿孔12內(nèi)側(cè)壁有凸起11和/或凹槽10；凸起11的底部小而頂部大；凹槽10的底部小而頂部大。

基底1為薄片狀陶瓷基底，也可為金屬基片或者金屬基片。

漿料填充于于基底1凹槽10內(nèi)并干燥，如此反復(fù)多次后高溫?zé)Y(jié)形成一層漿料層8。漿料層8至少有兩層。漿料層8由導(dǎo)電材料、無機(jī)粘合劑與有機(jī)粘結(jié)材料三者均勻混合燒結(jié)而成，也可以再添加固化劑與導(dǎo)電材料、無機(jī)粘合劑、有機(jī)粘結(jié)材料四者均勻混合燒結(jié)而成。導(dǎo)電材料為導(dǎo)電相即釔鋇銅氧(YBCO)系材料、無機(jī)粘合劑為無機(jī)粘結(jié)相即玻璃粉或Bi氧化物粉或Pb氧化物粉、有機(jī)粘結(jié)材料為松油醇、硝酸纖維素、檸檬酸三丁酯、卵磷脂、皂土等混合物。無機(jī)粘結(jié)相中玻璃粉為SiO2-Bi2O3-Na2O-CaO-Al2O3系玻璃。

本實(shí)用新型的超穩(wěn)定片式熱敏電阻，通過穿孔內(nèi)容納漿料層，可以降低電阻側(cè)面的漿料層厚度，從而減小體積；電阻側(cè)面的漿料層通過穿孔連接更穩(wěn)固，而且穿孔兩端口小而中間橫截面大、穿孔內(nèi)側(cè)壁不是平滑結(jié)構(gòu)而是有凹凸不平的結(jié)構(gòu)（如凹陷、凸起、螺紋等）可以有效防止電極的松動、脫落。

上述實(shí)施例只為說明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此領(lǐng)域技術(shù)的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并加以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾效果相似，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。