本實(shí)用新型關(guān)于一種晶圓結(jié)構(gòu)；特別指一種可增加晶粒數(shù)量及合格率的晶圓結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

隨著時(shí)代的進(jìn)步，對(duì)于集成電路的產(chǎn)品需求量及質(zhì)量的日益提升，推動(dòng)了電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。而電子制造技術(shù)的不斷發(fā)展演進(jìn)，在集成電路(IC)芯片輕、薄、短、小、高功能的要求下，亦使得電子產(chǎn)業(yè)的構(gòu)裝技術(shù)不斷推陳出新，其中晶圓蝕刻技術(shù)隨著材料的不同及薄化，為得到高合格率和維持應(yīng)有的生產(chǎn)效益，因而蝕刻機(jī)制的控制能力實(shí)為質(zhì)量的成功關(guān)鍵因素之一。

一般二極管的制作是先從單芯片作為成長(zhǎng)用的基板，再利用各種的磊晶成長(zhǎng)法做成磊芯片，并把這些磊芯片進(jìn)行平臺(tái)濕式蝕刻后切割磊芯片，最后再將磊芯片切割成單顆晶粒，然而現(xiàn)今濕式蝕刻大都為等向性蝕刻，這種蝕刻線寬會(huì)變大而側(cè)壁 (side wall) 呈弧形，稱額外被蝕刻的部份為切底，會(huì)造成蝕刻溝槽外擴(kuò)側(cè)蝕，如圖6所示，并因此會(huì)進(jìn)一步造成溝寬加大，晶粒的有效面積較大，如圖7所示，然而因晶粒的有效面積變大，所以使同樣面積的晶圓所生產(chǎn)出晶粒數(shù)量較少，如圖8及圖9所示。

此外，濕式蝕刻還有蝕刻均勻性問(wèn)題，因?yàn)槔梦g刻所開(kāi)的溝槽會(huì)有局部溝深較深或是溝深較淺問(wèn)題，使得整體溝槽溝深均勻度較差，進(jìn)而影響產(chǎn)品合格率，另外，濕式蝕刻還有溝深控制問(wèn)題，因?yàn)槔梦g刻所開(kāi)的溝槽溝深越深，其控制越顯困難，容易發(fā)生溝槽溝深過(guò)深問(wèn)題，而影響產(chǎn)品合格率，進(jìn)而對(duì)整個(gè)晶粒的生產(chǎn)會(huì)造成相當(dāng)嚴(yán)重的影響，因此，如何有效改善上述缺點(diǎn)，乃為本技術(shù)領(lǐng)域亟欲解決的問(wèn)題所在。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供一種可增加晶粒數(shù)量及合格率的晶圓結(jié)構(gòu)，包括一N型半導(dǎo)體層和一P型半導(dǎo)體層，P型半導(dǎo)體層貼附于該N型半導(dǎo)體層的一面上，于該N型半導(dǎo)體層的另一面上堆棧一N+型半導(dǎo)體層，其特征在于：所述晶圓結(jié)構(gòu)于該N+型半導(dǎo)體層的表面形成有多個(gè)溝槽，該多個(gè)溝槽貫穿N+型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層，且該多個(gè)溝槽的底部處于P型半導(dǎo)體層中，以形成多個(gè)晶粒。

因此，本實(shí)用新型所提供一種可增加晶粒數(shù)量及合格率的晶圓結(jié)構(gòu)，利用切割刀裝置切割溝槽，得以精準(zhǔn)控制所切下的溝深，因此得以控制溝槽溝深及溝槽均勻性，并可有效改善現(xiàn)有蝕刻所開(kāi)設(shè)溝槽深度控制及均勻性問(wèn)題，因此可有效提升晶粒合格率。此外，利用切割刀裝置切割溝槽，沒(méi)有現(xiàn)有蝕刻溝槽外擴(kuò)側(cè)蝕問(wèn)題，所以會(huì)產(chǎn)生較小的溝寬，而晶粒有效面積較小，因此在同樣面積的晶圓所生產(chǎn)出晶粒數(shù)量較多。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型V型刀具切割晶圓基材的剖面示意圖。

圖2為本實(shí)用新型U型刀具切割晶圓基材的剖面示意圖。

圖3為本實(shí)用新型晶圓所生產(chǎn)出晶粒數(shù)量較多示意圖。

圖4為圖3的局部A部分放大示意圖。

圖5為本實(shí)用新型晶粒有效面積較小的剖面示意圖。

圖6為現(xiàn)有基板造成蝕刻溝槽外擴(kuò)側(cè)蝕的剖面示意圖。

圖7為現(xiàn)有晶粒有效面積較大的剖面示意圖。

圖8為現(xiàn)有晶圓所生產(chǎn)出晶粒數(shù)量較少示意圖。

圖9為圖8的局部A部分放大示意圖。

圖中：

1晶粒；

11N型半導(dǎo)體層；

13P型半導(dǎo)體層；

12N+型半導(dǎo)體層；

14溝槽；

15光阻玻璃；

2切割刀裝置；

10晶圓基材。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本實(shí)用新型并能予以實(shí)施，但所舉實(shí)施例不作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。

由于本實(shí)用新型揭露一種二極管芯片結(jié)構(gòu)，其二極管芯片的制作相關(guān)原理已為相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識(shí)者所能明了，故以下文中的說(shuō)明，不再作完整描述。同時(shí)，以下文中所對(duì)照的圖式為表達(dá)與本實(shí)用新型有關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖，并未亦不需要依據(jù)實(shí)際尺寸完整繪制，合先敘明。

煩請(qǐng)參考圖1及圖2所示，為根據(jù)本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例，為一種可增加晶粒數(shù)量及合格率的晶圓結(jié)構(gòu)，包括：一N型半導(dǎo)體層11，一P型半導(dǎo)體層13，貼附于該N型半導(dǎo)體層11的一面上，于該N型半導(dǎo)體層11的另一面上堆棧一N+型半導(dǎo)體層12，以形成一晶圓基材10，本實(shí)用新型改進(jìn)在于：以一切割刀裝置2于該N+型半導(dǎo)體層12切割超過(guò)N型及P型半導(dǎo)體層交界以形成若干溝槽14，以定義有若干個(gè)晶粒1，并產(chǎn)生較小的溝寬，以縮小晶粒1的有效面積，借此在同樣面積的晶圓10得以增加所生產(chǎn)出晶粒1數(shù)量，此外以切割刀裝置2切割溝槽14控制開(kāi)設(shè)溝槽深度與穩(wěn)定破片率，并得以改善蝕刻均勻性問(wèn)題。在本實(shí)施例中，切割刀裝置2為V型刀具，但并不以V型刀具為限，也可依實(shí)際制程所需而有所不同，例如以U型刀具(如圖2)切割以形成若干溝槽14，在此，僅以一最佳實(shí)施例表現(xiàn)。

值得一提的事，當(dāng)該切割刀裝置2于該N+型半導(dǎo)體層12切割以形成若干溝槽14，以定義出有若干個(gè)晶粒1后，所述該等晶粒1會(huì)施以光阻玻璃15披覆以保護(hù)PN接點(diǎn)后，然后沿著所述溝槽14進(jìn)行切片，以完成若干個(gè)晶粒1結(jié)構(gòu)，如圖5所示。

然而，從圖5比較圖7得知，由于，現(xiàn)有晶粒有效面積較大，因此習(xí)知晶圓所生產(chǎn)出晶粒數(shù)量較少，如圖8及圖9所示，而本實(shí)用新型采用切割刀裝置2于該N+型半導(dǎo)體層12切割以形成若干溝槽14，以定義有若干個(gè)晶粒1，會(huì)產(chǎn)生較小的溝寬，所以本實(shí)用新型晶粒1有效面積較小，而在同樣面積的晶圓所生產(chǎn)出晶粒1數(shù)量較多，如圖3及圖4所示。

此外，本實(shí)用新型因?yàn)槔们懈畹堆b置2來(lái)切割溝槽14，而得以精準(zhǔn)控制所切下的溝深，并因此進(jìn)一步得以控制溝槽14溝深及溝槽14均勻性，而可有效改善現(xiàn)有蝕刻所開(kāi)設(shè)溝槽深度控制及均勻性問(wèn)題，因此可有效提升晶粒合格率。

以上所述實(shí)施例僅是為充分說(shuō)明本實(shí)用新型而所舉的較佳的實(shí)施例，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不限于此。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型基礎(chǔ)上所作的等同替代或變換，均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。本實(shí)用新型的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。