1.一種晶體硅電池的表面結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括受光面(1)，所述受光面(1)包括與電極接觸的接觸區(qū)域(11)和未與電極接觸的非接觸區(qū)域(12)，所述接觸區(qū)域(11)為納米絨面結(jié)構(gòu)(13)，所述非接觸區(qū)域(12)為微米絨面結(jié)構(gòu)(14)或亞微米絨面結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的晶體硅電池的表面結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述納米絨面結(jié)構(gòu)(13)在垂直于受光面(1)的方向上的高度為10nm～500nm，在平行于受光面(1)的方向上的長(zhǎng)度和寬度均為10nm～500nm。
3.如權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的晶體硅電池的表面結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述受光面(1)由單晶硅經(jīng)過(guò)堿制絨形成，所述納米絨面結(jié)構(gòu)(13)為底邊的長(zhǎng)度一致的均勻金字塔絨面結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求3所述的晶體硅電池的表面結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述微米絨面結(jié)構(gòu)(14)在垂直于受光面(1)的方向上的高度為1μm～5μm，在平行于受光面(1)的方向上的長(zhǎng)度和寬度均為1μm～5μm。
5.如權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的晶體硅電池的表面結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述受光面(1)由多晶硅酸制絨形成，所述納米絨面結(jié)構(gòu)(13)為矩形狀的蟲(chóng)孔絨面結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求5所述的晶體硅電池的表面結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述微米絨面結(jié)構(gòu)(14)在垂直于受光面(1)的方向上的高度為0.7μm～5μm，在平行于受光面(1)的方向上的長(zhǎng)度和寬度均為0.7μm～5μm。
7.一種晶體硅電池片，其特征在于，包括權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的晶體硅電池的表面結(jié)構(gòu)。
8.一種太陽(yáng)能電池，其特征在于，包括權(quán)利要求7所述的晶體硅電池片。