本實(shí)用新型涉及一種清洗甩干裝置，尤其涉及一種晶片清洗甩干裝置。

背景技術(shù)：

以砷化鎵（GaAs）為代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料由于其獨(dú)特的電學(xué)性能，在衛(wèi)星通訊、微波器件、激光器及發(fā)光二極管領(lǐng)域有著十分廣泛的應(yīng)用。異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、高電子遷移率晶體管、LED等器件的制作需要再高質(zhì)量的襯底表面用分子束外延或者有機(jī)金屬化合物氣相外延技術(shù)生長外延結(jié)構(gòu)。隨著半導(dǎo)體器件工藝制作的不斷完善，器件尺寸越來越小，利用率也越來越高，半導(dǎo)體襯底的質(zhì)量尤其是晶片表面的質(zhì)量對(duì)器件的可靠性和穩(wěn)定性影響也越來越大。

晶片清洗后甩干也是清洗步驟中很重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，是獲得高質(zhì)量表面不可或缺的步驟。清洗后的晶片都會(huì)用去離子水進(jìn)行沖洗然后甩干，如果晶片表面未被甩干，將會(huì)殘留水跡在晶片表面，從而影響后續(xù)半導(dǎo)體器件的外延生長。隨著半導(dǎo)體器件工藝的提升，對(duì)晶片的表面質(zhì)量要求也越高，為提高利用率，現(xiàn)在要求晶片邊緣部分都要有高質(zhì)量的晶片表面，但是對(duì)于目前的甩干裝置，由于承托柱與晶片接觸，在接觸部分周圍，晶片表面的水跡不易甩干或者是承托柱上殘留有水，可能會(huì)擴(kuò)散到晶片上，從而影響晶片邊緣的表面質(zhì)量，在半導(dǎo)體制備外延工藝顯現(xiàn)為白斑、水印等缺陷。

因此，有必要提供一種新型的清洗甩干裝置解決上述問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型針對(duì)上述問題，提供了一種可有效避免晶片邊緣水跡問題、提高晶片邊緣的表面質(zhì)量、提升晶片利用率的清洗甩干裝置。

為實(shí)現(xiàn)前述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：一種晶片清洗甩干裝置，其包括一旋轉(zhuǎn)盤、嵌入連接在旋轉(zhuǎn)盤上的若干數(shù)量的承托柱、與旋轉(zhuǎn)盤定位連接的一旋轉(zhuǎn)桿、一旋轉(zhuǎn)接頭以及一傳動(dòng)裝置；所述旋轉(zhuǎn)盤包括一旋轉(zhuǎn)盤體、與旋轉(zhuǎn)盤體固定連接的一支撐件，旋轉(zhuǎn)盤體上設(shè)有與承托柱相應(yīng)的嵌入孔，旋轉(zhuǎn)盤體底部中心設(shè)有一氣體過渡室，旋轉(zhuǎn)盤體內(nèi)設(shè)有若干條氣路通道，所述氣路通道兩端分別與嵌入孔底部、氣體過渡室連接，所述支撐件為一空心柱；所述承托柱包括一立柱、固定在立柱上的一承托盤體，立柱底部設(shè)有一中心孔，立柱在與晶片接觸點(diǎn)上設(shè)有一出氣孔，所述出氣孔與立柱中心孔連通；所述旋轉(zhuǎn)桿底部設(shè)有一氣路通道連通旋轉(zhuǎn)桿兩端，所述旋轉(zhuǎn)桿的一端與旋轉(zhuǎn)盤支撐件定位連接，另一端與旋轉(zhuǎn)接頭固定連接；所述旋轉(zhuǎn)接頭固定在操作平臺(tái)上。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述立柱出氣孔由上向下傾斜至承托盤體表面。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述嵌入孔以旋轉(zhuǎn)盤體的軸心為軸心，所述嵌入孔在旋轉(zhuǎn)盤體上呈環(huán)形均勻分布。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述承托盤體上表面為一斜面。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述支撐件可與旋轉(zhuǎn)桿相配合。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述承托柱嵌入嵌入孔的長度小于嵌入孔的深度。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述支撐件和旋轉(zhuǎn)桿側(cè)面均開有定位孔，所述支撐件和旋轉(zhuǎn)桿通過定位孔與螺栓配合連接。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述傳動(dòng)裝置為電機(jī)通過帶動(dòng)皮帶輪，進(jìn)一步帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)桿旋轉(zhuǎn)。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述旋轉(zhuǎn)接頭為單回路旋轉(zhuǎn)接頭。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述旋轉(zhuǎn)接頭一端與旋轉(zhuǎn)桿底部固定連接，所述旋轉(zhuǎn)接頭的另一端為連接座，所述連接座固定在操作平臺(tái)上，氣體從連接座底部進(jìn)入。

本實(shí)用新型通過在裝置內(nèi)增加氣路通道，使氣體通過吹走晶片邊緣與承托柱接觸而殘留的水或溶劑，有效解決晶片邊緣液跡問題，提高晶片邊緣的表面質(zhì)量，提升晶片利用率。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型晶片清洗甩干裝置實(shí)施例的示意圖。

圖2為本實(shí)用新型晶片清洗甩干裝置實(shí)施例的A-A剖面圖。

圖3為本實(shí)用新型晶片清洗甩干裝置實(shí)施例的旋轉(zhuǎn)盤俯視圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例對(duì)技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1至圖3所示，一種晶片清洗甩干裝置100，其包括一旋轉(zhuǎn)盤2、嵌入連接在旋轉(zhuǎn)盤2上的若干數(shù)量的承托柱1，與旋轉(zhuǎn)盤2定位連接的一旋轉(zhuǎn)桿3、一旋轉(zhuǎn)接頭4以及一傳動(dòng)裝置5，本實(shí)施例中承托柱1的數(shù)量為6個(gè)。

旋轉(zhuǎn)盤2包括一旋轉(zhuǎn)盤體21、與旋轉(zhuǎn)盤體21固定連接的一支撐件23；旋轉(zhuǎn)盤體21設(shè)有與承托柱1相應(yīng)的嵌入孔212，以旋轉(zhuǎn)盤體21的軸心為軸心，嵌入孔212在旋轉(zhuǎn)盤體21上呈環(huán)形均勻分布，旋轉(zhuǎn)盤體21底部中心設(shè)有一氣體過渡室213，旋轉(zhuǎn)盤體21內(nèi)設(shè)有若干條氣路通道211，氣路通道211兩端分別與嵌入孔212底部、氣體過渡室213連接，支撐件23為一空心柱，支撐件23側(cè)面設(shè)有一定位孔24。

承托柱1包括一立柱11、一承托盤體12，立柱11底部設(shè)有一中心孔111，所述中心孔111與立柱11頂部未連通，立柱11在與晶片接觸點(diǎn)上設(shè)有一出氣孔112，所述出氣孔112與立柱中心孔111連通，出氣孔112由上向下傾斜至承托盤體12上表面，承托盤體12上表面為一斜面，用于承接晶片；承托盤體12為環(huán)狀盤體，立柱11與承托盤體12為嵌入固定連接。

承托柱1嵌入嵌入孔212的長度小于嵌入孔212的深度，為氣體留有通過的空間。

旋轉(zhuǎn)桿3底部設(shè)有一氣路通道31連通旋轉(zhuǎn)桿3兩端，旋轉(zhuǎn)桿3一端側(cè)面設(shè)有一定位孔32，旋轉(zhuǎn)桿3一端通過螺栓與定位孔32、定位孔24的配合，定位連接支撐件23；旋轉(zhuǎn)桿3另一末端設(shè)有2個(gè)固定孔33。

旋轉(zhuǎn)接頭4為單回路旋轉(zhuǎn)接頭，其一端設(shè)有2個(gè)固定孔42，旋轉(zhuǎn)接頭4通過螺釘與固定孔42、固定孔33的配合，固定連接旋轉(zhuǎn)桿3；旋轉(zhuǎn)接頭4另一端為連接座41，固定在操作平臺(tái)上，氣體從連接座41的底部進(jìn)入。

裝置100的操作過程為：將4英寸的晶片放在承托柱1的承托盤體12上，因承托盤體表面121為斜面，晶片與承托盤體12的接觸面較小，開啟傳動(dòng)裝置5，電機(jī)通過帶動(dòng)皮帶輪51，進(jìn)一步帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)桿3，在離心力的作用下晶片上的液滴被甩干，同時(shí)旋轉(zhuǎn)接頭連接座41處通入高純惰性氣體，氣體通過中心孔31到達(dá)氣體過渡室213，再通過氣路通道211進(jìn)入中心孔111，最后從出氣孔112向下吹出，將立柱11、承托盤體12表面與晶片接觸點(diǎn)上的殘留液體吹走。

當(dāng)清洗、甩干不同尺寸的晶片時(shí)，需用對(duì)應(yīng)尺寸的旋轉(zhuǎn)盤2，承托柱1的數(shù)量應(yīng)以使晶片保持平衡為基礎(chǔ)。

本實(shí)用新型通過在裝置內(nèi)增加氣路通道，使氣體通過吹走晶片邊緣與承托柱接觸而殘留的水或溶劑，有效解決晶片邊緣液跡問題，提高晶片邊緣的表面質(zhì)量，提升晶片利用率。

盡管為示例目的，已經(jīng)公開了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識(shí)到，在不脫離由所附的權(quán)利要求書公開的本實(shí)用新型的范圍和精神的情況下，各種改進(jìn)、增加以及取代是可能的。