本實用新型有關于半導體設備。

背景技術：

現(xiàn)有用于形成半導體封裝的半導體封裝及方法是不足的，其例如是導致過多的成本、降低的可靠度、或是過大的封裝尺寸。習知及傳統(tǒng)的方式的進一步限制及缺點對于具有此項技術的技能者而言，通過此種方式與如同在本申請案的其余部分中參考圖式所闡述的本揭露內容的比較將會變成是明顯的。

技術實現(xiàn)要素：

此揭露內容的各種特點是提供一種用于制造一半導體裝置的方法以及一種藉此所產生的半導體裝置。例如且非限制性的，此揭露內容的各種特點是提供一種用于制造一半導體裝置的方法、以及一種藉此所產生的半導體裝置，其包括一透明的、半透明的、非不透明的、或者是光透射的外表面。

一種設備，其包括：光透射的載體結構；在所述光透射的載體結構上的第一重分布結構；以及包括光學組件的半導體晶粒，其是附接且電耦接至所述第一重分布結構，使得所述半導體晶粒的底表面是面對所述第一重分布結構以及所述光透射的載體結構。如所述設備，其進一步包括在所述半導體晶粒的所述底表面與所述第一重分布結構之間的光透射的底膠填充材料。如所述設備，其進一步包括：在所述半導體晶粒的頂表面之上的第二重分布結構；以及導電的互連結構，其是附接至所述第二重分布結構的導電層以形成所述半導體封裝的外部的連接器。如所述設備，其進一步包括一或多個導電貫孔，其是將所述第二重分布結構電耦接至所述第一重分布結構。如所述設備，其進一步包括另一半導體晶粒，其是附接且電耦接至所述第一重分布結構，使得所述另一半導體晶粒的另一光學組件是面對所述第一重分布結構以及所述光透射的載體結構。如所述設備，其進一步包括在所述半導體晶粒的底表面與所述第一重分布結構之間的光透射的底膠填充材料。如所述設備，其中所述光透射的載體是包括透鏡，其被配置以導引光至所述光學組件、或是從所述光學組件導引光。如所述設備，其中所述光透射的層是提供光抗反射的性質。如所述設備，其中所述光透射的層是提供濾光的性質。如所述設備，其中所述光透射的層是提供光極化的性質。

附圖說明

圖1A至1J是展示描繪根據本揭露內容的各種特點的一種制造一半導體裝置的方法的橫截面圖。

圖2是展示描繪根據本揭露內容的各種特點的一種半導體裝置的橫截面圖。

圖3A至3J是展示描繪根據本揭露內容的各種特點的一種制造一半導體裝置的方法的橫截面圖。

圖4A至4F是展示描繪根據本揭露內容的各種特點的一種制造一半導體裝置的方法的橫截面圖。

圖5是展示描繪根據本揭露內容的各種特點的一種半導體裝置的橫截面圖。

具體實施方式

以下的討論是藉由提供本揭露內容的例子來呈現(xiàn)本揭露內容的各種特點。此種例子并非限制性的，并且因此本揭露內容的各種特點的范疇不應該是必然受限于所提供的例子的任何特定的特征。在以下的討論中，措辭"例如"、"譬如" 以及"范例的"是并非限制性的，并且大致與"舉例且非限制性的"、"例如且非限制性的"、及類似者為同義的。

如同在此所利用的，"及/或"是表示在表列中藉由"及/或"所加入的項目中的任一個或多個。舉例而言，"x及/或y"是表示三個元素的集合{(x)、(y)、(x,y)} 中的任一元素。換言之，"x及/或y"是表示"x及y中的一或兩者"。作為另一例子的是，"x、y及/或z"是表示七個元素的集合{(x)、(y)、(z)、(x,y)、(x,z)、(y,z)、 (x,y,z)}中的任一元素。換言之，"x、y及/或z"是表示"x、y及z中的一或多個"。

在此所用的術語只是為了描述特定例子之目的而已，因而并不欲限制本揭露內容。如同在此所用的，除非上下文另有清楚相反的指出，否則單數形是欲亦包含復數形。進一步將會理解到的是，當術語"包括"、"包含"、"具有"、與類似者用在此說明書時，其指明所述特點、整數、步驟、操作、組件及/或構件的存在，但是并不排除一或多個其它特點、整數、步驟、操作、組件、構件及/或其群組的存在或是添加。

將會了解到的是，盡管術語第一、第二、等等可被使用在此以描述各種的組件，但是這些組件不應該受限于這些術語。這些術語只是被用來區(qū)別一組件與另一組件而已。因此，例如在以下論述的一第一組件、一第一構件或是一第一區(qū)段可被稱為一第二組件、一第二構件或是一第二區(qū)段，而不脫離本揭露內容的教示。類似地，各種例如是"上方"、"下方"、"側邊"與類似者的空間的術語可以用一種相對的方式而被用在區(qū)別一組件與另一組件。然而，應該了解的是構件可以用不同的方式加以定向，例如一半導體裝置可被轉向側邊，因而其"頂" 表面是水平朝向的，并且其"側"表面是垂直朝向的，而不脫離本揭露內容的教示。此外，術語"在…上"在文件中將會被利用來表示"在…上"以及"在…正上方"(例如，其中沒有介于中間的層)。

本揭露內容的各種特點是提供一種半導體裝置，其包括一透明的、半透明的、非不透明的、或者是光透射的外部的載體、晶圓或層、以及其之一種制造方法。如同在此所利用的，術語"光透射的"是指一種材料的一特征，其容許光通過所述材料。再者，除非另有限定，否則術語"光"是被用來指稱在可見光譜，亦即400-790太赫茲(THz)中的電磁輻射、以及在近紅外線光譜，亦即120-400THz、以及近紫外線光譜，亦即790-1000THz中的電磁輻射。

在圖式中，各種的尺寸(例如，層厚度、寬度、等等)可能會為了舉例說明的清楚起見而被夸大。此外，相同的組件符號是在各種例子的討論中指稱相似的組件。

現(xiàn)在討論將會是參照所提供的各種范例的圖標，以強化本揭露內容的各種特點的理解。應了解的是，此揭露內容的范疇并不限于在此所提供及論述的例子的特定特征。

描繪根據本揭露內容的各種特點的一種制造一半導體裝置100的方法的橫截面圖是被展示在圖1A至1J中。所述范例的制造方法例如可以包括提供一具有一第一介電層111的載體110、形成一第一導電層121、形成一第二導電層123 以及一凸塊下金屬125、附接一第一晶圓支撐系統(tǒng)(WSS)1、移除所述載體110、在所述第一介電層111中形成一開口111a、在所述開口111a形成一墊或是微凸塊墊126(在以下稱為墊126)、附接一半導體晶粒130并且利用一模制材料140(例如，一樹脂、密封劑、模制化合物、等等)來模制、分開所述第一WSS 1、附接一光透射的層170(例如，一晶圓、一面板、一晶圓或面板的一經單?；臉嫾⒌鹊?以及一第二晶圓支撐系統(tǒng)(WSS)2、附接一導電的互連結構160、以及分開所述第二WSS 2。

如同在圖1A中所示，一具有一第一介電層111的載體110是被形成或是提供。尤其，所述載體110可以提供一平面的頂表面以及一平面的底表面。所述載體110(或是任何在此論述的載體)可包括各種不同類型的載體材料的任一種。所述載體110例如可以包括一種半導體材料(例如，硅、GaAs、等等)、玻璃、陶瓷(例如，多孔的陶瓷、等等)、金屬、等等。所述載體110亦可包括各種不同類型的配置的任一種。例如，所述載體110可以是具有一種塊形式(例如，一晶圓形式、一矩形面板形式、等等)。同樣例如的是，所述載體110可以是具有一種單獨的形式(例如，從一晶圓或面板被單?；⒃染褪且砸环N單獨的形式形成的、等等)。所述載體110例如可以與任何在此論述的載體共享任一個或是所有的特征。

一例如是一無機介電層(例如，一硅氧化物層、一硅氮化物層、氧化層、氮化層、等等)的第一介電層111可以是(或者可以已經是)被形成在所述載體110 的表面上。例如，所述第一介電層111可以是已經(或者可以是)通過一種氧化制程而被形成。例如，具有一預設厚度的一硅氧化物層及/或硅氮化物層可以藉由在一約900℃或更高的溫度下供應氧氣及/或氮化物氣體至一硅晶圓(例如，一熱氧化制程、等等)來加以形成。所述第一介電層111或是其之一部分亦可包括一在無制程協(xié)助下自然被形成在所述載體110上的原生氧化層。所述第一介電層111在此亦可以被稱為一保護層。所述第一介電層111例如可以是從0.01到 0.8微米厚的。

相較于是一種有機材料的一聚合物層，一無機材料層(例如，一硅氧化物層、一硅氮化物層、等等)可以容許(或是有助于)一光蝕刻制程能夠更精確地加以執(zhí)行，因而具有一相對較細的線/間隔/厚度(例如，線路寬度、在相鄰的線路之間的間隔、及/或線路厚度)的一導電層可被形成在所述無機材料層上。例如，具有一約2/2/2微米(μm)至約10/10/10μm的線/間隔/厚度的一導電層可被形成在一無機材料層上(例如，在一硅氧化物(或是二氧化硅)層、硅氮化物層、氧化層、氮化層、等等上)。本揭露內容的范疇并不限于無機介電材料。例如，在各種的范例實施方式中，所述介電層111可包括一種有機材料。此外，所述載體110并不需要被設置有所述介電層111。

如同在圖1B中所示，一第一導電層121(其在此亦可被稱為一重分布層)可被形成在所述第一介電層111上。在一范例的實施方式中，一第一晶種層(未顯示)可被形成在所述第一介電層111上，并且所述第一導電層121可被形成在所述第一晶種層上。所述第一導電層121接著可以被覆蓋一第二介電層122，其在此亦可以被稱為一鈍化(passivation)層。

所述第一晶種層及/或任何在此論述的晶種層都可以是由各種材料的任一種所形成的，其包含但不限于鎢、鈦、其等同物、其組合、其合金、等等。所述第一晶種層可以利用各種制程的任一種來加以形成。例如，所述第一晶種層可以利用一無電的電鍍制程、一電解的電鍍制程、一濺鍍制程、等等中的一或多種來加以形成。例如，所述第一晶種層可以是由TiW以及一Cu靶材所形成的。所述第一晶種層及/或任何在此論述的晶種層亦可被稱為一導電層。再者，任何在此論述的晶種層都可以利用相同或類似的材料及/或制程來加以形成、或是可以利用不同的個別的材料及/或制程來加以形成。此外，所述第一晶種層及/ 或任何在此論述的晶種層都可包括多個層。舉例而言，所述第一晶種層可包括一第一TiW層以及一第二Cu層。

所述第一導電層121可以是由各種材料的任一種所形成的。例如，所述第一導電層121可以是由銅、鋁、金、銀、鈀、其等同物、其組合、其合金、其它導電材料、等等所形成的。所述第一導電層121例如可以利用各種制程的任一種來加以形成。例如，所述第一導電層121可以利用一無電的電鍍制程、一電解的電鍍制程、一濺鍍制程、等等中的一或多種而被形成。所述第一導電層 121的圖案化或繞線例如可以是利用各種制程的任一種來加以達成。例如，所述第一導電層121可以利用一種使用一光阻、等等的光蝕刻制程而被圖案化或繞線。例如，光阻可以被旋轉涂覆(或是以其它方式來施加，例如一干膜、等等) 在一晶種層上。所述光阻接著例如可以利用一屏蔽及照明制程而被硬化。接著所述光阻的部分可被蝕去，殘留的光阻可以在一去殘渣制程中加以移除，并且干燥(例如，旋轉清洗干燥)可加以執(zhí)行以形成一樣版的光阻。在形成所述第一導電層121之后，所述樣版可被剝除(例如，以化學方式被剝除、等等)，并且從所述第一導電層121露出的第一晶種層可加以蝕刻。

所述第一導電層121及/或任何在此論述的導電層亦可被稱為一重分布層。再者，任何在此論述的導電層都可以利用相同或類似的材料及/或制程來加以形成、或是可以利用不同的個別的材料及/或制程來加以形成。此外，所述第一導電層121、及/或其之形成可以與在此揭露的任何其它導電層及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。

所述第二介電層122可以是由各種材料的任一種所形成的。例如，所述第二介電層122可以是由一種有機材料(例如，例如是聚酰亞胺的聚合物、苯環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)、其等同物、其組合、等等)所形成的。同樣例如的是，所述第二介電層122可以是由一種無機材料所形成的。所述第二介電層122 可以利用各種制程的任一種來加以形成。例如，所述第二介電層122可以利用旋轉涂覆、噴霧涂覆、浸漬涂覆、棒涂覆、其等同物、其組合、等等中的一或多種來加以形成。所述第二介電層122及/或任何在此論述的介電層亦可被稱為一鈍化層。再者，任何在此論述的介電層都可以利用相同或類似的材料及/或制程來加以形成、或是可以利用不同的個別的材料及/或制程來加以形成。此外，所述第二介電層121、及/或其之形成可以與在此揭露的任何其它介電層及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。

如同在此論述的，在一范例的實施方式中，由于所述第一導電層121不論具有或是不具有一下面的晶種層，其都可被形成在所述無機第一介電層111上 (例如，直接被形成在所述無機第一介電層111上)，因此相較于其它可被形成在有機介電層上的導電層，其可被形成、或是更輕易地被形成以具有一更細的線/ 間隔/厚度。

不論具有或是不具有一晶種層的第一導電層121以及所述第二介電層122 的形成都可以利用相同的材料及/或制程、或是不同的個別的材料及/或制程來加以重復任意次數。在圖1B-1J中的范例圖標是展示此種層的兩次形成。就此而論，所述層在圖式中是被提供類似的組件符號(例如，重復所述第一導電層121以及第二介電層122)。

一開口或孔122a可被形成在所述第二介電層122中，并且所述第一導電層 121的一特定的區(qū)域可以通過所述開口122a而被露出至外部。所述開口122a可以用各種方式的任一種來加以形成(例如，機械式及/或雷射剝蝕、化學蝕刻、微影、等等)。所述第二介電層122(或是任何在此論述的介電層)亦可以是例如藉由屏蔽、或是其它選擇性的介電層形成制程，而原先就被形成具有開口122a。

如同在圖1C中所示，至少一層的一第二導電層123以及一凸塊下金屬125 可被形成在所述第一導電層121上及/或在所述第二介電層122上。在一范例的實施方式中，一第二晶種層(未顯示)可被形成在所述開口122a的內部，例如是在被形成于所述第二介電層122中的開口122a的側壁上及/或在藉由所述開口 122a所露出的第一導電層121上。額外或替代的是，所述第二晶種層可被形成在所述開口122a的外部，例如是在所述第二介電層122的頂表面上。如同在此論述的，所述第二晶種層可以利用和被用來形成所述第一晶種層相同的材料及/ 或制程來加以形成、或是可以利用不同的個別的材料及/或制程來加以形成。所述第二晶種層或是任何在此論述的晶種層在此亦可以被稱為一導電層。

繼續(xù)所述范例的實施方式，所述第二導電層123可被形成在所述第二晶種層上。例如，所述第二導電層123可被形成以填入在所述第二介電層122中的開口122a、或是至少覆蓋所述開口122a的側表面。所述第二導電層123可以利用和所述第一導電層121相同的材料及/或制程來加以形成、或是可以利用不同的個別的材料及/或制程來加以形成。所述第二導電層123在此亦可以被稱為一重分布層。

所述第二導電層123接著可以被所述第三介電層124所覆蓋。所述第三介電層124可以是由各種材料的任一種所形成的，且/或利用各種形成介電質的制程的任一種。例如，所述第三介電層124可以利用和被利用以形成所述第二介電層122相同的材料及/或制程來加以形成。

一開口或孔124a可被形成在所述第三介電層124中，并且所述第二導電層 123的一特定的區(qū)域可以通過所述開口124a而被露出至外部。所述開口124a可以用各種方式的任一種來加以形成，例如是機械式及/或雷射剝蝕、化學蝕刻、等等?；蛘呤?，所述第三介電層124可以是原先就被形成具有于其中的開口124a。

一凸塊下晶種層(未顯示)可被形成在所述開口124a的內部，例如是在被形成于所述第三介電層124中的開口124a的側壁上及/或在藉由所述開口124a所露出的第二導電層123上。替代或是額外地，所述凸塊下晶種層可被形成在所述開口124a的外部，例如是在所述開口124a的周圍及/或環(huán)繞開口124a的第三介電層124的頂表面上。如同在此論述的，所述凸塊下晶種層可以利用和被用來形成所述第一晶種層及/或所述第二晶種層相同的材料及/或制程來加以形成、或是可以利用不同的個別的材料及/或制程來加以形成。所述凸塊下晶種層或是任何在此論述的晶種層在此亦可以被稱為一導電層。

一凸塊下金屬125可被形成在所述凸塊下晶種層上。所述凸塊下金屬125 可以是由各種材料的任一種所形成的，其非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。例如，所述凸塊下金屬125可以由鉻、鎳、鈀、金、銀、其合金、其組合、其等同物、等等中的至少一個來加以形成。所述凸塊下金屬125例如可以包括Ni及 Au。于是，凸塊下金屬125例如也可以包括Cu、Ni及Au。所述凸塊下金屬125 亦可以利用各種制程的任一種而被形成，其非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。例如，所述凸塊下金屬125可以利用一無電的電鍍制程、電鍍制程、濺鍍制程、等等中的一或多種來加以形成。所述凸塊下金屬125例如可以避免或禁止一金屬間化合物在所述導電的互連結構160與所述第二導電層123之間的接口處的形成，藉此改進連接至所述導電的互連結構160的可靠度。所述凸塊下金屬125 在此亦可以被稱為一導電層。所述凸塊下金屬125可包括多個層。例如，所述凸塊下金屬125可包括一第一層的Ni以及一第二層的Au。

盡管未描繪在圖1A-1J中，在所述凸塊下金屬125的形成之后，一邊緣修整(或是切削)制程可加以執(zhí)行，例如其中正被處理的晶圓的一邊緣是被修整(或是被切削)。此種修整可以用各種方式來加以執(zhí)行，例如是藉由研磨。此種邊緣修整例如可以在后續(xù)的處理期間保護所述晶圓免于碎屑及削片。

為了在此討論的目的，所述第一導電層121、第二介電層122、第二導電層 123、以及第三介電層124可被視為是一中介體120的構件。再者，在此所述的凸塊下金屬125以及墊126亦可被視為是所述中介體120的構件。所述術語"中介體"在此是被用來指稱一種一般的重分布結構(例如，一種介電質及導體的分層式結構)，其被插置在其它結構之間，并且此揭露內容的范疇不應該被有關中介體組成物的任意概念所限制或是界定。

如同在圖1D中所示，所述第一WSS 1可以附接至所述第三介電層124以及凸塊下金屬125。在此時點，被展示在圖1C的底部的載體110是被重新設置到圖1D的頂端(例如，所述圖是被顛倒或旋轉)。所述第一WSS 1可以用各種方式的任一種來附接至所述第三介電層124及/或附接至所述凸塊下金屬125，其非限制性的例子是在此加以提供。例如，所述第一WSS 1(或是任何在此論述的WSS)可以利用一種暫時的黏著劑來附接至所述第三介電層124及/或附接至所述凸塊下金屬125，所述暫時的黏著劑是在曝露到熱能或光能時、在曝露到特定的化學品時、等等失去其黏性。一或多個額外的釋放層亦可被利用以使得所述第一WSS1的后續(xù)的釋放變得容易。所述附接制程例如可以包括烘烤所述組件(例如，在250下30分鐘、等等)。所述第一WSS 1可以由各種材料的任一種來加以形成。例如，所述第一WSS 1(或是任何在此論述的WSS)可以由一硅晶圓、一玻璃晶圓、一陶瓷晶圓、一金屬晶圓、等等中的一或多個來加以形成。盡管所述第一WSS 1在此大致是以一晶圓的形式而被呈現(xiàn)，但是此揭露內容的范疇并不限于此種形狀。

如同在圖1E中所示，在所述結構的相對所述第一WSS 1的一側邊上的載體110(例如，所述第一介電層111先前被形成在其上的一硅晶圓)可被移除。在一范例的實施方式中，大部分的載體110可以通過一機械式研磨制程而被移除，并且接著其余的載體110可以通過一化學蝕刻制程而被移除。例如，一硅載體可以被研磨到10-30m的厚度，并且接著剩余的部分可以藉由一種除了研磨以外的制程(例如，藉由化學蝕刻、等等)來加以移除。在另一其中所述第一WSS 1 是包括一玻璃晶圓或板的范例情節(jié)中，此種玻璃晶圓或板被移除。因此，以此種方式，只有被形成在所述載體110的表面上的第一介電層111(例如，一硅氧化物層及/或一硅氮化物層)會留下。例如，如同在圖1E中所繪的，只有具有一預設的厚度的第一介電層111維持在所述第一導電層121以及第二介電層122 上。所述載體移除制程亦可以移除所述第一介電層111的一部分(或是全部)；例如，相較于原先被形成在所述載體110上時，所述第一介電層111在所述載體 110的移除之后可以是較薄的。在一范例的實施方式中，所述第一介電層111可以是由一種無機材料所形成的，并且所述第二及第三介電層122及124可以是由一種有機材料所形成的。然而，本揭露內容的范疇并不限于此種范例類型的材料。

如同在圖1F中所示，復數個開口111a(或孔)可以選擇性地被形成在所述第一介電層111中。所述開口111a可以用各種方式的任一種來加以形成(例如，機械式及/或雷射剝蝕、化學蝕刻、微影蝕刻制程、微影屏蔽及蝕刻制程、等等)。所述開口111a的每一個例如可以對應于所述第一導電層121的一藉由所述開口 111a而被露出至外部的個別的特定的區(qū)域。在一范例的實施方式中，一開口111a 是通過所述無機第一介電層111來將所述第一導電層121的一個別的特定的區(qū)域露出至外部。在一其中所述第一導電層121已被形成在一第一晶種層上的范例的實施方式中，所述第一導電層121已被形成在其上的所述第一晶種層的一特定的區(qū)域可以通過所述無機第一介電層111而被露出至外部。在一種其中一介電層或鈍化層屏蔽是在一蝕刻所述開口111a的制程期間被利用的范例情節(jié)中，所述介電層可以在此種蝕刻之后被剝除，但是在某些實施例中亦可以保留作為一鈍化層。

如同在圖1G中所示，微凸塊墊、其它墊、連接墊(land)、附接結構、或是晶粒附接結構126可被形成在所述開口111a中，因而每一個墊126是電連接至所述第一導電層121(例如是直接連接、經由一晶種層來連接、等等)。在一范例的實施方式中，一微凸塊晶種層(未顯示)可被形成在所述開口111a的內部，例如是在被形成于所述第一介電層111中的開口111a的側壁上、及/或在所述第一導電層121上。替代或是額外地，所述微凸塊晶種層可被形成在所述開口111a 的外部，例如是在所述第一介電層111的圍繞所述開口111a的頂表面上。所述微凸塊晶種層可以利用和在此關于其它晶種層或導電層所論述的相同的材料及/ 或制程來加以形成、或是可以利用不同的個別的材料及/或制程來加以形成。所述微凸塊晶種層及/或墊126在此亦可以被稱為一導電層。

所述墊126接著可被形成在所述微凸塊晶種層上。在一范例的實施方式中，所述第一導電層121形成在其上的第一晶種層、以及所述墊126形成在其上的微凸塊晶種層可被插置在所述第一導電層121與所述墊126之間。例如，所述第一晶種層以及微凸塊晶種層可以直接連接至彼此、或是彼此相互面對的。在各種的范例實施方式中，所述微凸塊晶種層的形成可被跳過，并且所述墊126 可被形成在通過所述開口111a而被露出的第一晶種層上。

所述墊126可包括各種材料的任一種，其非限制性的例子是在此加以提供。例如，所述墊126可包括銅、鋁、金、銀、鈀、一般的導電材料、導電材料、其等同物、其組合、其合金、任何在此論述的導電材料、等等。在一范例的實施方式中，所述墊126可包括Ni及Au。在另一范例的實施方式中，所述墊126 可包括Ni、Au及Cu。所述墊126可以利用各種制程的任一種來加以形成，其非限制性的例子是在此加以提供。例如，所述墊126可以利用一無電的電鍍制程、一電解的電鍍制程、一濺鍍制程、等等中的一或多種來加以形成。

所述墊126是在圖1G中被展示延伸超出(或是突出)所述第一介電層111的頂表面，但是此揭露內容的范疇并不限于此。例如，所述墊126可包括一頂表面是與所述第一介電層111的頂表面共平面的、或是可包括一頂表面是低于所述第一介電層111的頂表面。盡管大致被展示為包括一圓柱形的形狀，但是所述墊126可包括各種幾何配置的任一種，其之各種非限制性的例子是在此加以提供。

所述墊126可以替代地在接近圖1A-1J中所示的整體制程的開始時，就被形成在所述第一介電層111中的一孔內。例如，介于圖1A及1B之間，一孔可被形成在所述第一介電層111(若此種層存在的話)中，并且所述墊126可以在所述第一導電層121于載體110上的形成之前，就被形成在此種孔中的載體110 上。

如同在圖1H中所示，所述半導體晶粒130可以電連接至所述墊126，并且可以利用所述模制材料140來加以模制。例如，所述半導體晶粒130的導電的凸塊131(或是其它導電的附接結構，例如是導電柱、等等)是通過所述焊料132 來電連接至所述墊126。在某些實施例中，所述術語"凸塊"可以整體地指稱一導電的凸塊或柱131、以及在所述柱131上的焊料132。所述半導體晶粒130的導電的凸塊131可以用各種方式的任一種來附接至所述墊126，其非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。例如，所述導電的凸塊131可以利用各種焊料附接制程(例如，一質量回焊制程、一熱壓縮制程、一雷射焊接制程、等等)的任一種來焊接至所述墊126。同樣例如的是，所述導電的凸塊131可以利用一導電的黏著劑、膏、等等來耦接至所述墊126。同樣例如的是，所述導電的凸塊131可以利用一種直接的金屬到金屬的(例如，無焊料的)接合來耦接至所述墊126。在一范例情節(jié)中，一焊料膏可以利用一模版及刮漿板而被施加至所述墊126，所述半導體晶粒130 的導電的凸塊131可被設置在所述焊料膏上或是之中(例如是利用一種拾放的制程)，并且所述焊料膏接著可加以回焊。在所述半導體晶粒130的附接之后，所述組件可加以清洗(例如，利用熱的DI水、等等)、遭受到一助焊劑清洗及烘烤制程、遭受到一電漿處理制程、等等。

在一范例的實施方式中，一底膠填充150可被形成在所述半導體晶粒130 與所述第一介電層111之間，例如是圍繞所述導電的凸塊131以及墊126的曝露到所述底膠填充150(并且因此被其封入)的部分。所述底膠填充150可包括各種底膠填充材料的任一種。此外，所述底膠填充150可以利用各種制程的任一種(例如，一毛細管底膠填充制程、利用一預先施加的底膠填充材料、等等)來加以形成。在所述半導體晶粒130與所述中介體120(如同在圖1H中成組說明的各種層)之間的底膠填充150例如可以避免或是降低例如由于在所述半導體晶粒 130與所述中介體120之間的熱膨脹系數的差異所造成的翹曲。

在所述模制(或封入)制程中，所述半導體晶粒130及/或中介體120可以利用一模制材料140(例如，一模制樹脂或是其它的模制材料或密封劑)而被封入，所述模制材料140接著可加以固化。在一范例的實施方式中，所述模制材料140 可以覆蓋所述半導體晶粒130的側表面及頂表面。在另一范例的實施方式中，所述模制材料140可以只覆蓋所述半導體晶粒130的側表面(或是只有其之個別的部分)，因此讓所述半導體晶粒130的頂表面從所述模制材料140露出。所述模制材料140可以用各種方式的任一種(例如，壓縮模制、轉移模制、溢流(flood) 模制、等等)來加以形成。所述模制材料140可包括各種類型的模制材料的任一種。例如，所述模制材料140可包括一樹脂、一環(huán)氧樹脂、一熱固的環(huán)氧樹脂模制化合物、一室溫固化類型、等等。

當所述模制材料140的一填充物(例如，具有無機填充物或是其它粒子構件) 的尺寸是小于(或是顯著小于)在所述中介體120與所述半導體晶粒130之間的一空間或是一間隙的尺寸時，所述底膠填充150可以不被使用，并且所述模制材料140可以替代地填入在所述中介體120與所述半導體晶粒130之間的一空間或是間隙。在此種范例情節(jié)中，所述底膠填充的制程以及所述模制的制程可以利用一模制的底膠填充而被結合成為單一模制的制程。

所述半導體晶粒130例如可包括各種類型的半導體晶粒的任一種，其非限制性的例子是在此加以提供。例如，所述半導體晶粒130可包括一數字信號處理器(DSP)、一微控制器、一微處理器、一網絡處理器、一電源管理處理器、一音頻處理器、一視訊處理器、一RF電路、一無線基頻系統(tǒng)單芯片(SoC)處理器、一傳感器、一特殊應用集成電路、等等。一或多個被動的電性構件亦可被安裝，以作為所述半導體晶粒130的替代及/或額外的。

如同在圖1I中所示，一光透射的層170可以附接至所述半導體晶粒130及 /或模制材料140，并且一第二WSS 2可以附接至所述光透射的層170。所述光透射的層170可包含用以指引、導引、或聚焦光的透鏡；提供光抗反射性質的抗反射層或涂層；提供光極化性質的極化層或涂層；提供彩色濾光性質的彩色濾光片層或涂層；及/或具有不同折射率的材料層，以便于提供所述半導體晶粒 130的一上表面或頂表面133所要的光學性質。例如，所述半導體晶粒130可包括光學傳感器、光學接收器、光學發(fā)送器、或是其它發(fā)送、接收、偵測、及/或感測光的光學組件。所述光透射的層170可以幫助導引、或單純是可以允許光的通過往返于所述半導體130的此種光學組件。

如同進一步在圖1I中所示的，一第二WSS 2可以附接至所述光透射的層 170。例如，所述第二WSS 2可以與所述第一WSS 1共享任一個或是所有的特征。所述第二WSS 2例如可以是用一種類似所述第一WSS 1的方式(例如，利用一暫時的黏著劑、真空、機械式附接機構、等等)來加以附接。

在所述第二WSS 2的附接之后，所述第一WSS 1可以從所述第三介電層 124及/或凸塊下金屬125加以分開。如同在此論述的，所述第一WSS 1可以是已經利用一種暫時的黏著劑來附接至所述第三介電層124及/或附接至所述凸塊下金屬125，所述暫時的黏著劑是在曝露到熱能、雷射(或光)能量、化學試劑、等等時失去其黏性(或是其之一大部分的黏性)。所述第一WSS 1從第三介電層 124及/或凸塊下金屬125的分開例如可以藉由將所述暫時的黏著劑曝露到使得所述黏著劑松脫的能量及/或化學品來加以執(zhí)行。在一種其中一釋放層被利用以附接一玻璃WSS 1的范例情節(jié)中，所述釋放層(例如，介于所述黏著劑與所述第一WSS 1之間)可以通過所述玻璃WSS 1而遭受到雷射(或光)照射，以達成或協(xié)助所述第一WSS 1從所述黏著劑的釋放。其它形式的晶圓支撐系統(tǒng)的附接/分離亦可被利用(例如，真空附接、機械式附接、等等)。若必要的話，被利用以附接所述第一WSS 1的黏著劑例如可以利用一溶劑來加以移除。

所述導電的互連結構160(或是復數個導電的互連結構160)可以電連接至所述露出的凸塊下金屬125(例如，在所述第一WSS 1的移除之后被露出)。在此時點，例如盡管所述光透射的層2被附接至所述半導體晶粒130以及模制材料140，但是所述導電的互連結構160仍然可以電連接至所述凸塊下金屬125。

所述導電的互連結構160可包括各種特征的任一種，其非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。例如，所述導電的互連結構160可以是由一共晶焊料(Sn37Pb)、一高鉛的焊料(Sn95Pb)、一無鉛的焊料(SnAg、SnAu、SnCu、SnZn、SnZnBi、SnAgCu、以及SnAgBi)、其組合、其等同物、等等中之一所形成的。所述導電的互連結構160(及/或任何在此論述的導電的互連結構)例如可以包括一導電球體(例如，一焊料球體、一銅核心的焊料球體、等等)、一導電的凸塊、一導電柱或柱體(例如，一銅柱、一焊料封頂的銅柱、一導線、等等)、等等。

所述導電的互連結構160例如可以利用各種回焊及/或電鍍制程的任一種來連接至所述凸塊下金屬125。例如，揮發(fā)性助焊劑可加以沉積(例如，打點、印刷、等等)在所述凸塊下金屬125上，所述導電的互連結構160可加以沉積(例如，滴落、等等)在所述揮發(fā)性助焊劑上，并且接著一約150℃到約250℃的回焊溫度可加以提供。在此時點，所述揮發(fā)性助焊劑例如可以被揮發(fā)并且完全地被移除。

如同在以上所提及的，所述導電的互連結構160可被稱為一導電的凸塊、一導電球體、一導電柱、一導電柱體、一導電的導線、等等，并且例如可被安裝在一剛性印刷電路板、一撓性印刷電路板、一導線架、等等之上。例如，包含所述中介體120的半導體晶粒130接著可以電連接(例如，具有一覆晶的形式、或是類似于一覆晶的形式、等等)至各種基板(例如，主板基板、封裝基板、導線架基板、等等)的任一種。

如同在圖1J中所示，所述第二WSS 2可以從所述光透射的層170分開。例如，在完成的半導體裝置100中，所述光透射的層170的頂表面153可被露出至外部。再者，所述半導體晶粒130的頂表面133以及所述模制材料140的頂表面143可以通過所述光透射的層170而光學地被露出至外部。以此種方式，所述光透射的層170可以經由透鏡、抗反射涂層、極化涂層、濾光片、及/或構成所述光透射的層170的材料的折射率來改善所述半導體晶粒130的光學特征。

所述中介體120(或是封裝或裝置100)例如可以用一種大量的配置(例如，用一晶圓、面板、條帶、矩陣、等等)來加以形成、或是以單一單元來加以形成。在一個其中所述中介體120(或是封裝或裝置100)是用一種大量的配置來加以形成的情節(jié)中，在所述第二WSS 2的分開之后(或是在此種分開之前)，所述中介體120、模制材料140、及/或光透射的層170可被單粒化或切割(例如，藉由一鉆石刀片或雷射射束來加以鋸開、折斷分開、拉動分開、等等)。在此種情節(jié)中，所述中介體120、模制材料140、及/或光透射的層170的側表面可以藉由此種單?；瞥潭蛔龀墒枪财矫娴?。在一范例情節(jié)中，復數個所述封裝或裝置100 可被置放(例如，模具側向下)在一鋸開帶上，并且接著加以鋸開。所述鋸例如可以切割穿過所述封裝或裝置100，并且部分地穿過所述鋸開帶。在鋸開之后，所述封裝或裝置100可加以烘烤。在單?；螅鰝€別的封裝或裝置100可以個別地被插入托盤中(例如是利用一拾放制程)。

根據在圖1A-1J中所描繪并且在此所論述的例子，本揭露內容是提供一種半導體裝置100(以及其之制造方法)，其包括例如是在無直通硅晶穿孔下的中介體120。例如是在不利用復雜且昂貴的直通硅晶穿孔的制造程序下，此種半導體裝置100例如可以利用一般的凸塊接合設備來加以制造。例如，根據本揭露內容的各種特點，具有一相對細微的線/間隔/厚度的一導電層可以先被形成在所述載體110(例如，一硅晶圓)上，并且接著此種載體110可被移除。

參照圖2，根據本揭露內容的各種特點的半導體裝置201的橫截面圖被展示。為了舉例說明的清楚起見，只有一導電的互連結構260被展示。如同在圖2 中所示，所述范例的半導體裝置201可包括一中介體220、一半導體晶粒230、一模制材料240、一底膠填充250、一導電的互連結構260、以及一光透射的層 270。所述半導體裝置201例如可以與在此所提出的任何或是所有的其它半導體裝置(例如，在圖1A-1J中所示的范例的半導體裝置100、等等)共享任一個或是所有的特征。

所述中介體220或是一般成組的層例如可以包括：在例如是一硅氧化物層及/或一硅氮化物層的一第一介電層211之下的一第一晶種層221a；一在所述第一晶種層221a之下的第一導電層221；一覆蓋所述第一導電層221或是其部分的第二介電層222；一在所述第一導電層221之下的第二晶種層223a；一在所述第二晶種層223a之下的第二導電層223；以及一覆蓋所述第二導電層223或是其部分的第三介電層224。所述第一導電層221的線/間隔/厚度可以是小于所述第二導電層223的線/間隔/厚度。

所述中介體220可包括延伸到所述第一介電層211中且/或通過所述第一介電層211(例如是通過一被形成于其中的開口211a)并且在所述第一晶種層221a 上的微凸塊晶種層、一在所述微凸塊晶種層226a上的墊或微凸塊墊226(在以下稱為墊226)、一在所述第二導電層223之下的凸塊下晶種層225a、以及一在所述凸塊下晶種層225a之下的凸塊下金屬225。在一范例的實施方式中，所述第一晶種層以及微凸塊晶種層是直接而且電連接至彼此。

如同所論述的，所述術語"中介體"在此可以為了討論而被利用來便利地分組各種的層。然而，一中介體或是中介體結構可包括在此論述的各種層的任一種，而且不限于任何特定組的層。

所述導電的凸塊231可以是在所述半導體晶粒230上，并且所述導電的凸塊231可以通過所述焊料232來電連接至所述墊226。所述底膠填充250可以是位于例如在所述半導體晶粒230與所述中介體220之間的第一介電層211上，并且所述模制材料240可以圍繞所述半導體晶粒230以及底膠填充250的側表面。在所舉例說明的例子中，由于所述模制材料240只圍繞所述半導體晶粒230 的側表面，但是并不圍繞或覆蓋所述頂表面233，因此所述半導體晶粒230的頂表面233可以經由所述光透射的層270而光學地被露出至外部。再者，所述半導體晶粒230的頂表面以及所述模制材料240的頂表面243可以是共平面的。

所述導電的互連結構260例如可以是連接至所述凸塊下金屬226，并且亦可被安裝在一如同在此論述的基板之上。

在圖2中所示的標簽(1)、(2)及(3)例如可以展示一迭層及/或形成的順序。例如，相關于所述半導體裝置200，根據本揭露內容的各種特點，所述中介體 220可以在所述方向(1)上加以形成，其是從所述第一介電層211來建構的。接著，所述半導體晶粒230可以在所述方向(2)上連接至所述中介體220，其是從所述中介體220來建構的。所述導電的互連結構260接著可以在所述方向(3)上附接至所述中介體220，其是從所述中介體220來建構的。

再者，相較于相關圖1A-1J所論述的半導體裝置100，所述范例的半導體裝置200是包括一墊226，所述墊226是在一將和所述半導體晶粒230的一導電的凸塊231連接的頂端處比在一延伸穿過所述第一介電層211的底端處較寬的。例如，并不是如同在圖1G-1J中的墊126所示地被圓柱形地成形，而是所述墊 226可以是具有傾斜的柄側壁或是垂直的柄側壁的杯狀或蕈狀。所述墊226亦可被形成具有垂直的蓋側壁。

參照圖3A-3J，描繪根據本揭露內容的各種特點的一種制造一半導體裝置 300的方法的橫截面圖被展示。在圖3A-3J中所描繪的范例的半導體裝置及/或方法可以與其它在此所提出的范例半導體裝置及/或方法的任一個或是全部共享任一個或所有的特征。

制造所述半導體裝置300的范例的方法例如可以包括提供一載體310、形成一凸塊下金屬321、形成一第一導電層323、形成一第二導電層325、形成一附接一半導體晶粒330的墊或微凸塊墊327(在以下稱為墊327)、利用一模制材料 340來模制、附接一光透射的層370(例如，一晶圓、一面板、一晶圓或面板的一單?；臉嫾?、等等)、附接一第一WSS 1、移除所述載體310、連接一導電的互連結構360、以及分開所述第一WSS 1。

如同在圖3A中所示，一載體310可加以提供，其包括一具有一平面的頂表面以及一平面的底表面的硅(或是半導體)晶圓。如同在圖3B中所示，至少一層的一凸塊下金屬321可以直接被形成在所述載體310上。在一范例的實施方式中，所述凸塊下金屬321可以是由各種材料的任一種所形成的，其非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。例如，所述凸塊下金屬321可以是由鉻、鎳、鈀、金、銀、其合金、其組合、其等同物、等等中的至少一種所形成的。所述凸塊下金屬321例如可以包括Ni及Au。所述凸塊下金屬321例如也可以包括Cu、Ni及 Au。所述凸塊下金屬321亦可以利用各種制程的任一種來加以形成，其非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。例如，所述凸塊下金屬321可以利用一無電的電鍍制程、電鍍制程、濺鍍制程、等等中的一或多種來加以形成在所述載體310上。所述凸塊下金屬321例如可以避免或禁止一金屬間化合物在所述導電的互連結構360與所述第一導電層323之間的接口處的形成，藉此改進連接至所述導電的互連結構360的可靠度。所述凸塊下金屬321可包括在所述載體310上的多個層。例如，所述凸塊下金屬321可包括一第一層的Ni以及一第二層的Au。

如同在圖3C中所示，所述凸塊下金屬321接著可以被覆蓋一第一介電層 322，所述第一介電層322例如是一有機層(例如，像是聚酰亞胺的聚合物、苯環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)、其等同物、其組合、等等)，其亦可被稱為一鈍化層。例如，所述第一介電層322可被形成在所述凸塊下金屬321以及所述載體310的頂表面上。所述第一介電層322可以利用旋轉涂覆、噴霧涂覆、浸漬涂覆、棒涂覆、其等同物、其組合、等等中的一或多種來加以形成，但是本揭露內容的范疇并不限于此。舉例而言，所述第一介電層322可以藉由迭層一干膜來加以形成。

一開口322a(或孔)例如可以被形成在所述第一介電層322中，并且所述凸塊下金屬321的一特定的區(qū)域(例如，整個頂表面、所述頂表面的一部分、所述頂表面的一中心區(qū)域、等等)可以通過所述開口322a而被露出至外部。所述開口 322a可以用各種方式的任一種(例如，機械式及/或雷射剝蝕、化學蝕刻、微影、等等)來加以形成。所述第一介電層322(或是任何在此論述的介電層)亦可以例如是藉由屏蔽、或是其它選擇性的介電層形成制程而原先就被形成具有開口322a。

如同在圖3D中所示，所述第一導電層323可被形成在所述凸塊下金屬321 以及所述第一介電層322上。例如，所述第一導電層323可以耦接至所述凸塊下金屬321。在一范例的實施方式中，一類似于圖2的一晶種層的第一晶種層可被形成在所述凸塊下金屬321以及第一介電層322上。所述第一導電層323接著可被形成在所述第一晶種層上。所述第一導電層323及/或其之形成例如可以與在此論述的任何其它導電層及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。

所述第一導電層323接著可以被一第二介電層324所覆蓋。所述第二介電層324亦可被稱為一鈍化層。所述第二介電層324及/或其之形成例如可以與在此論述的任何其它介電層及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。

一開口或孔324a例如可被形成在所述第二介電層324中，并且所述第一導電層323的一特定的區(qū)域可以通過所述開口324a而被露出至外部。所述開口 324a及/或其之形成例如可以與在此論述的任何其它介電層開口及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。

在圖3A-3J所描繪的例子中，由于所述導電的互連結構360是稍后經由所述凸塊下金屬321來連接至所述第一導電層323，因此相較于在以下所論述的第二導電層325的線/間隔/厚度，所述第一導電層323的線/間隔/厚度例如可以被形成為較大的。然而，此揭露內容的范疇并不限于此種相對的尺寸。

如同圖3E所展示的，一第二導電層325可被形成在所述第一導電層323及 /或所述第二介電層324上。在一范例的實施方式中，一類似于圖2的一晶種層的第二晶種層可被形成在所述第二介電層324的一頂表面上及/或在其之一開口或孔324a中(例如，在所述開口324a的側壁上)，所述開口324a是穿過所述第二介電層324而延伸至所述第一導電層323。所述第二晶種層及/或其之形成例如可以與在此論述的任何晶種層及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。所述第二導電層325接著可被形成在所述第二晶種層上。所述第二導電層325及/ 或其之形成例如可以與在此論述的任何導電層及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。所述第二導電層325接著可以被覆蓋一第三介電層326，所述第三介電層326亦可被稱為一鈍化層。所述第三介電層326及/或其之形成例如可以與在此論述的任何介電層及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。再者，一開口326a可被形成在所述第三介電層326中，使得所述第二導電層325的一對應于所述開口326a的特定的區(qū)域被露出至外部。所述開口326a及/或其之形成例如可以與在此論述的任何其它介電層開口及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。

再者，所述第二導電層325(例如，不論具有或是不具有一晶種層)以及所述第三介電層326的形成可以被重復任意次數(例如，其利用相同的材料及/或制程、或是不同的個別的材料及/或制程)。在圖3E中的范例圖標是展示此種層的兩次形成。就此而論，所述層是在圖式中被提供類似的標簽(例如，重復所述第二導電層325以及第三介電層326)。

如同在圖3F中所示，一微凸塊墊、其它墊、連接墊、附接結構、或是晶粒附接結構327可被形成在開口326a中，因而每一個墊327是電連接至所述第二導電層325。再者，導電貫孔328可被形成在沿著所述裝置300的周邊的開口 326a之上。在一范例的實施方式中，一類似于圖2的一晶種層的晶種層可被形成在所述開口326a的內部(例如，在藉由所述開口326a而被露出的第二導電層 325上及/或在所述開口326a的側壁上)、及/或在所述開口326a的外部(例如，沿著所述第三介電層326的頂表面)。所述晶種層及/或其之形成可以與在此論述的任何其它晶種層(例如，微凸塊晶種層、等等)及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。

所述墊327以及導電貫孔328接著可被形成在所述晶種層上。如圖所示，所述導電貫孔328在某些實施例中可包括導電柱。然而，所述導電貫孔328在某些實施例中可以是穿模貫孔(TMV)，其可包含焊料、導線及/或柱、或是由焊料、導線及/或柱所做成的。再者，此種柱可加以電鍍。所述晶種層可以被插置在所述第二導電層325與所述導電貫孔328之間。每一個墊327及/或其之形成可以與在此論述的任何其它墊或是微凸塊墊及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。類似地，每一個導電貫孔328及/或其之形成可以與在此論述的任何其它導電貫孔及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。所述晶種層、墊327、及/或導電貫孔328在此亦可以被稱為一導電層。

為了在此討論的目的，所述凸塊下金屬321、第一介電層322、第一導電層 323、第二介電層324、第二導電層325、第三介電層326、以及墊327可被視為是一中介體320的構件。

如同在圖3G中所示，所述半導體晶粒330可以電連接至所述墊327，并且可以利用一模制材料340來加以模制。例如，所述半導體晶粒330的導電的凸塊331(或是其它導電的附接結構)可以通過所述焊料332來電連接至所述墊327。所述半導體晶粒330的導電的凸塊331可以用各種方式的任一種來附接至所述墊327，其非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。例如，所述導電的凸塊331可以利用各種焊料附接制程(例如，一質量回焊制程、一熱壓縮制程、等等)的任一種而被焊接至所述墊327。同樣例如的是，所述導電的凸塊331可以利用一導電的黏著劑、膏、等等來耦接至所述墊327。此外例如的是，所述導電的凸塊331可以利用一直接的金屬到金屬的(例如，無焊料的)接合來耦接至所述墊327。所述導電的凸塊331及/或其之形成例如可以與在此論述的任何導電的凸塊及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。

在一范例的實施方式中，一底膠填充350可被形成在所述半導體晶粒330 與所述中介體320(例如，所述第三介電層326)之間，其例如是圍繞所述導電的凸塊331以及墊327的被曝露到所述底膠填充350(并且因此被封入)的部分。所述底膠填充350及/或其之形成例如可以與在此論述的任何底膠填充及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。

在所述模制或封入制程中，所述半導體晶粒330及/或中介體320可以利用一模制材料340(例如，一模制樹脂或是其它的模制材料或密封劑)而被封入，所述模制材料340接著可加以固化。在一范例的實施方式中，所述模制材料340 只覆蓋所述貫孔328以及半導體晶粒330的側表面(或是只覆蓋其之個別的部分)，因此讓所述貫孔328以及半導體晶粒330的頂表面從所述模制材料340加以露出。在另一范例的實施方式中，所述模制材料340是覆蓋所述半導體晶粒 330的側表面及頂表面。所述模制材料340及/或其之形成例如可以與在此論述的任何模制材料及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。

如同在圖3H中所示，一光透射的層370可以附接至所述半導體晶粒330 及/或模制材料340，并且一第一WSS 301可以附接至所述光透射的層370。所述光透射的層370可包含透鏡、抗反射涂層、彩色濾光片、極化層、及/或具有不同折射率的材料層，以便于提供所述半導體晶粒330的一上表面或頂表面333 所要的光學性質。例如，所述半導體晶粒330可包括影像傳感器、接收器、發(fā)送器、或是其它發(fā)送或接收光的裝置。所述光透射的層370可以協(xié)助導引光往返于所述半導體晶粒330的此種裝置。

如同進一步在圖3H中所示的，所述第一WSS 301可以附接至所述光透射的層370。所述WSS 301可以用各種方式的任一種來附接至所述光透射的晶圓 370，其非限制性的例子是在此加以提供。例如，所述WSS 301或是任何在此論述的WSS都可以利用一暫時的黏著劑來附接至所述光透射的層370，所述暫時的黏著劑是在曝露到熱能或光能時、在曝露到特定的化學品時、等等失去其黏性。一或多個額外的釋放層亦可被利用以使得所述WSS 301的后續(xù)的釋放變得容易。所述附接制程例如可以包括烘烤所述組件(例如，在250下30分鐘、等等)。所述WSS 301可以由各種材料的任一種，例如是玻璃的光透射的材料來加以形成。盡管所述WSS 301在此大致是以一晶圓的形式而被呈現(xiàn)，但是此揭露內容的范疇并不限于此種形狀。

如同在圖3I中所示，所述載體310可以從所述凸塊下金屬321以及第一介電層322加以移除。例如，大部分或全部的載體310都可以通過一機械式研磨制程來加以移除。任何剩余的載體310都可以通過一化學蝕刻制程來加以移除。所述載體310的移除例如可以與在此論述的任何載體的移除共享任一個或是所有的特征。在一范例的實施方式中，在所述載體310的移除之后，所述凸塊下金屬321可以通過所述第一介電層322而被露出至外部。所述凸塊下金屬321 的底表面可以是與所述第一介電層322的底表面共平面的。

如同進一步在圖3I中所示，所述導電的互連結構360(或是復數個導電的互連結構360)是連接至所述凸塊下金屬321。例如，所述導電的互連結構360是經由所述凸塊下金屬321來電連接至所述第一導電層323。所述導電的互連結構 360及/或其之形成例如可以與在此論述的任何其它互連結構及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。

如同在圖3J中所示，所述WSS 301可以從所述光透射的層370加以分開。所述WSS 301的分開例如可以與在此論述的任何晶圓支撐系統(tǒng)的分開共享任一個或是所有的特征。

在完成的范例半導體裝置300中，所述半導體晶粒330的頂表面333可以是與所述模制材料340的頂表面343共平面的。再者，所述半導體晶粒330的頂表面333以及所述模制材料340的頂表面343可以通過所述光透射的層370 而光學地被露出至外部。以此種方式，所述光透射的層370可以經由構成所述光透射的層370的透鏡、抗反射涂層、濾光片、及/或所述材料的折射率，來改善所述半導體晶粒330的光學特征。

如上所述，根據本揭露內容的各種特點的范例的半導體裝置300可以藉由用一種堆積或堆棧的方式以在一載體上形成所述中介體、將所述半導體晶粒電連接至所述中介體、利用模制材料來模制所述半導體晶粒、移除所述載體、以及在所述中介體上形成所述導電的互連結構來加以完成。因此，在所述半導體裝置300中，在所述第一導電層與所述凸塊下金屬之間的失準是被降低或消除。此外，在所述范例的半導體裝置300中，所述凸塊下金屬是首先被形成，并且所述導電層、介電層、以及微凸塊是接著被形成，藉此簡化所述半導體裝置300 的整體制程。

參照圖4A-4F，描繪根據本揭露內容的各種特點的一種制造一半導體裝置 400的方法的橫截面圖被展示。在圖4A-4F所描繪的范例的半導體裝置及/或方法例如可以與其它在此所提出的范例半導體裝置及/或方法的任一個或是全部共享任一個或是所有的特征。

制造所述半導體裝置400的范例的方法例如可以包括提供一載體410、在所述載體410上形成一第一導電層423、形成一墊、微凸塊墊、或是凸塊下金屬 425(在以下稱為墊425)、附接一半導體晶粒430、利用一模制材料440來模制、形成一凸塊下金屬465、以及連接一導電的互連結構460。

如同在圖4A中所示，一具有一平面的頂表面以及一平面的底表面的光透射的載體410是被提供。在一范例實施例中，所述載體410是由一玻璃晶圓所提供的；然而，其它例如是聚合物、氧化物、以及金屬的光透射的材料亦可被使用。所述載體410以及其之提供或形成例如可以與在此論述的任何載體共享任一個或是所有的特征。

如同在圖4B中所示，一第一導電層423可被形成在所述載體410上。所述第一導電層423及/或其之形成例如可以與在此論述的任何其它導電層及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。在一范例的實施方式中，一類似于圖2的一晶種層的第一晶種層可被形成在所述光透射的載體410上，并且所述第一導電層423可被形成在所述第一晶種層上。所述第一導電層423接著可以被一第一介電層424所覆蓋，所述第一介電層424可以是透明的、半透明的、或者是光透射的。一開口424a可被形成在所述第一介電層424中，使得所述第一導電層423的一對應于所述開口424a的特定的區(qū)域被露出至外部。再者，一開口424b 可被形成在所述第一介電層424的一中央部分內，使得所述載體410的一中央區(qū)域被露出。所述第一導電層423、第一介電層424、及/或于其中的開口或孔 424a、及/或其之形成可以與在此論述的其它導電層、介電層及開口、及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。不論具有或是不具有一晶種層的第一導電層 423以及所述第一介電層424的形成可以例如利用相同的材料及/或制程、或是不同的個別的材料及/或制程而被重復任意次數。在圖4B-4F中的范例圖標是展示此種層的單次形成。

如同在圖4C中所示，微凸塊墊、其它墊、連接墊、附接結構、或是晶粒附接結構425可被形成在所述開口424a中，因而每一個墊425是電連接至所述第二導電層423。再者，導電貫孔428可被形成在沿著所述裝置400的周邊的開口 426a之上。在一范例的實施方式中，一類似于圖2的一晶種層的晶種層可被形成在所述開口424a的內部(例如，在藉由所述開口424a所露出的第二導電層423 上及/或在所述開口424a的側壁上)、及/或所述開口424a的外部(例如，在所述第二介電層424的頂表面上)。所述晶種層可以利用和在此關于其它晶種層所論述的相同的材料及/或制程來加以形成、或是可以利用不同的個別的材料及/或制程來加以形成。

所述墊425以及導電貫孔428接著可被形成在所述晶種層上。如圖所示，所述導電貫孔428在某些實施例中可包括導電柱。然而，所述導電貫孔428在某些實施例中可以是穿模貫孔(TMV)，其可包含焊料、導線及/或柱、或是由焊料、導線及/或柱所做成的。再者，此種柱可加以電鍍。在一范例的實施方式中，所述晶種層可以被插置在所述第二導電層423以及每一個墊425之間。類似地，所述晶種層可以被插置在所述第二導電層423以及每一個導電貫孔428之間。每一個墊425及/或其之形成可以與在此論述的任何其它墊或微凸塊墊及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。類似地，每一個導電貫孔428及/或其之形成可以與在此論述的任何其它導電貫孔及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。所述晶種層、墊425、及/或導電貫孔428在此亦可以被稱為一導電層。

盡管未描繪在圖4A-4F中，在所述墊425的形成之后，一邊緣修整或是切削的制程可加以執(zhí)行，例如其中正被處理的晶圓的一邊緣是被修整或是切削。此種修整可以用各種方式來加以執(zhí)行，例如是藉由研磨。此種邊緣修整例如可以在后續(xù)的處理期間保護所述晶圓免于碎屑及削片。

如同在圖4D中所示，一半導體晶粒430可以電連接至所述墊425，并且可以利用一模制材料440來加以模制。所述半導體晶粒430及/或其之附接可以與在此論述的其它半導體晶粒及/或其之附接共享任一個或是所有的特征。例如，在一范例情節(jié)中，一焊料膏可以利用一模版及刮漿板而被施加至每一個墊425，所述半導體晶粒430的每一個導電的凸塊431可被設置在所述焊料膏上或是之中(例如是利用一種拾放的制程)，并且所述焊料膏接著可加以回焊。在所述半導體晶粒430的附接之后，所述組件可加以清洗(例如，利用熱的DI水、等等)、遭受到一助焊劑清洗及烘烤制程、遭受到一電漿處理制程、等等。

例如，所述半導體晶粒430的每一個導電的凸塊431或是其它導電的附接結構都可以通過所述焊料432來電連接至一個別的墊425。所述半導體晶粒430 的每一個導電的凸塊431都可以用各種方式的任一種來附接至一個別的墊425 或是其它的墊或連接墊結構，其非限制性的例子是在此加以呈現(xiàn)。例如，每一個導電的凸塊431可以利用各種焊料附接制程(例如，一質量回焊制程、一熱壓縮制程、等等)、等等的任一種而被焊接至所述墊425。同樣例如的是，所述導電的凸塊431可以利用一導電的黏著劑、膏、等等來耦接至所述墊425。此外例如的是，每一個導電的凸塊431可以利用一直接的金屬到金屬的(例如，無焊料的)接合來耦接至一個別的墊425。

在一范例的實施方式中，一光透射的底膠填充450可被形成在所述半導體晶粒430與所述第二介電層424及/或載體410之間，其圍繞所述導電的凸塊431 以及墊425的被露出至所述底膠填充450的部分。如圖所示，所述底膠填充450 可以填入所述開口424b，所述開口424b是將一下表面433露出至所述載體410。除了所述底膠填充450是光透射的，以允許光通過在所述半導體晶粒430的一下表面433與所述光透射的載體410之間以外，所述底膠填充450或是其之形成可以與在此論述的其它底膠填充共享任一個或是所有的特征。在某些實施例中，所述底膠填充450可包括一種光透射的聚硅氧烷材料。

在所述模制制程中，所述半導體晶粒430及/或中介體420可以利用例如是一模制樹脂或是其它的模制材料或密封劑的一模制材料440而被封入，所述模制材料440接著可加以固化。所述模制材料440及/或其之形成可以與在此論述的其它模制材料及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。在一范例的實施方式中，所述模制材料440是覆蓋所述半導體晶粒430的側表面及頂表面。在另一范例的實施方式中，所述模制材料440只覆蓋所述半導體晶粒430的側表面(或是只覆蓋其之個別的部分)，因此讓所述半導體晶粒430的頂表面從所述模制材料440被露出。若所述模制材料440是光透射的，則如同在此論述的，所述模制材料440亦可被利用以形成一模制底膠填充，例如以取代所述底膠填充450。

如圖所示的，所述模制材料440、半導體晶粒430、以及導電貫孔428可加以研磨，使得所述模制材料440的一頂表面是與所述半導體晶粒430的頂表面 435以及所述導電貫孔428的頂表面共平面的。在某些實施例中，所述模制材料 440可以覆蓋所述頂表面435。在此情形中，所述模制材料440以及導電貫孔428 可加以研磨，使得所述模制材料440的一頂表面是與所述導電貫孔428的頂表面共平面的。在又一實施例中，所述模制材料440的一頂表面可以不是與所述半導體晶粒430的一頂表面435共平面的。在此種實施例中，所述模制材料440 以及半導體晶粒430可以被例如是如同在圖4F中所示的一第三介電層454的一鈍化層所覆蓋，所述鈍化層可以提供一在其上形成所述裝置400的另外的層的平面的表面。

如同在圖4E中所示，所述模制材料440、半導體晶粒430、及/或導電貫孔 428的一上表面可以被一第二介電層454所覆蓋。再者，一開口454a可被形成在所述第二介電層454中以露出導電貫孔428。一第二導電層463可被形成在所述導電貫孔428及/或所述第二介電層454上。在一范例的實施方式中，一第二晶種層(未顯示)可被形成在所述開口454a的內部，例如是在被形成于所述第二介電層454中的開口454a的側壁上及/或在藉由所述開口454a而被露出的導電貫孔428上。額外或替代的是，所述第二晶種層可被形成在所述開口454a的外部，例如是在所述第二介電層454的頂表面上。如同在此論述的，所述第二晶種層可以利用和被用來形成所述第一晶種層相同的材料及/或制程來加以形成、或是可以利用不同的個別的材料及/或制程來加以形成。所述第二晶種層或是任何在此論述的晶種層在此亦可以被稱為一導電層。

繼續(xù)所述范例的實施方式，所述第二導電層463可被形成在所述第二晶種層上。例如，所述第二導電層463可被形成以填入在所述第二介電層454中的開口454a、或至少是覆蓋所述開口454a的側表面。所述第二導電層463可以利用和所述第一導電層421相同的材料及/或制程來加以形成、或是可以利用不同的個別的材料及/或制程來加以形成。所述第二導電層463在此亦可以被稱為一重分布層。

所述第二導電層463接著可以被一第四介電層464所覆蓋。所述第四介電層464及/或其之形成可以與在此論述的其它介電層及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。一開口或孔464a可被形成在所述第四介電層464中，并且所述第二導電層463的一特定的區(qū)域可以通過所述開口464a而被露出至外部。所述開口464a可以用例如是機械式及/或雷射剝蝕、化學蝕刻、等等的各種方式的任一種來加以形成。或者是，所述第四介電層464例如可以原先就被形成具有于其中的開口464a。

一凸塊下晶種層可被形成在所述開口464a的內部及/或所述開口464a的外部。所述凸塊下晶種層及/或其之形成可以與在此論述的任何其它凸塊下晶種層及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。一凸塊下金屬465可被形成在所述凸塊下晶種層上。所述凸塊下金屬465及/或其之形成例如可以與任何凸塊下金屬及/或其之形成共享任一個或是所有的特征。

如同在圖4F中所示，一導電的互連結構460可以附接至所述凸塊下金屬 465。所述導電的互連結構460及/或其之附接可以與在此論述的其它導電的互連結構及/或其之附接共享任一個或是所有的特征。如圖所示，所述凸塊下金屬465 可被形成在所述第四介電層464的開口464a上，并且所述導電的互連結構460 可以連接至所述凸塊下金屬465。再者，所述第二導電層463可以將所述凸塊下金屬465電連接至所述導電貫孔428，其可以同樣地電連接至所述第一導電層 421及/或所述第二導電層423。就此而論，所述導電的互連結構460可以經由所述導電層421、423、463及/或所述導電貫孔428中的一或多個來電連接至半導體晶粒430。

為了在此討論的目的，所述第一導電層421、第一介電層422、第二導電層 423以及第二介電層424可被視為是一第一中介體420的構件。再者，上述的墊 425亦可被視為是所述第一中介體420的構件。類似地，為了在此討論的目的，所述凸塊下金屬465以及第四介電層464可被視為是一第二中介體470的構件。

在完成的范例半導體裝置400中，所述半導體晶粒430的底表面433可以通過所述光透射的底膠填充450、光透射的載體410、以及光透射的介電層422 及424而光學地被露出至外部。就此而論，所述光透射的載體410可以經由透鏡、抗反射涂層、濾光片、及/或構成所述光透射的載體410的材料的折射率來改善所述半導體晶粒430的光學特征。

如同在此論述的例子的任一個或是全部，所述中介體420或封裝400可以用一種大量的配置或是以單一單元來加以形成。如同在此論述的，在一種其中所述中介體420或封裝400是用一種大量的配置而被形成的范例情節(jié)中，一單?；瞥炭杉右詧?zhí)行。

參照圖5，根據本揭露內容的各種特點的一種半導體裝置500的橫截面圖被展示。如同在圖5中所示，所述半導體裝置500可以用一種類似于圖4A-4F的半導體裝置400的方式來加以建構。然而，所述半導體裝置500是包含復數個半導體晶粒530，所述復數個半導體晶粒530是藉由模制材料540來與彼此光學隔離的。除了所述復數個半導體晶粒530之外，所述半導體裝置500是類似于所述半導體裝置400而可包括一中介體520、一模制材料540、一光透射的底膠填充550、一導電的互連結構560、以及一光透射的層570。所述半導體裝置500 例如可以與在此所提出的任一個或是所有的其它半導體裝置共享任一個或是所有的特征。

每一個半導體晶粒530可包含光學傳感器、光學接收器、光學發(fā)送器、或是其它發(fā)送、接收、偵測、及/或感測光的光學組件。在某些實施例中，一半導體晶粒530a可包含一或多個光學發(fā)送器，其被配置以通過所述光透射的底膠填充550以及光透射的層570來發(fā)送或發(fā)射光。為此目的，墊或是微凸塊墊525(在以下稱為墊525)可以朝向所述半導體晶粒530a的一周邊并且在所述光學發(fā)送器發(fā)送光所通過的光透射的層570的一發(fā)送區(qū)域或窗口576之外來加以設置。再者，另一半導體晶粒530b可包含一或多個光學接收器，其被配置以通過所述光透射的底膠填充550以及光透射的層570來接收光。為此目的，所述墊525可以朝向所述半導體晶粒530b的一周邊并且在所述光學接收器接收光所通過的光透射的層570的一接收區(qū)域或窗口578之外來加以設置。

總之，此揭露內容的各種特點是提供一種用于制造一半導體裝置的方法，其中所述方法是包括提供一不具有直通硅晶穿孔的中介體及/或一光透射的載體、晶圓、或是層。此揭露內容的各種特點亦提供一種半導體裝置，其包括一不具有直通硅晶穿孔的中介體及/或一光透射的載體、晶圓、或是層。盡管先前的內容已經參考某些特點及例子來加以敘述，但是將會被熟習此項技術者理解到可以做成各種的改變，并且等同物可加以取代，而不脫離本揭露內容的范疇。此外，可以做成許多修改以將一特定的情況或材料調適至本揭露內容的教示，而不脫離其范疇。因此，所欲的是本揭露內容不受限于所揭露之特定的例子，而是本揭露內容將會包含落入所附的權利要求書的范疇內之所有的例子。