本實用新型涉及智能卡領(lǐng)域，尤其涉及一種新型無腔體智能卡。

背景技術(shù)：

隨著手機、平板電腦等終端的輕薄化的需求的日益提高，希望SIM卡更加小型化。從ID1至2FF至3FF至4FF，SIM卡變得更輕小更薄。

2FF卡就是2nd Form Factor SIM卡的簡稱，就是目前大量使用的傳統(tǒng)SIM卡的物理形態(tài)，其長2.5厘米，寬1.5厘米。SIM卡的卡基由PVC或ABS塑料材料組成，卡基上面是鑲有金屬薄片的SIM卡接觸面，其上有6個或8個管腳。SIM卡接觸面下面是芯片，通過金箔絲與管腳相連，不過這在制造好的SIM卡外表看不出來。2FF卡在標準中成為Plug-In卡。

3FF卡Third form factor SIM的簡稱，在2006年的卡國際標準討論中，提出了比普通Plug-In卡還要小的SIM卡。就是將2FF卡的長改為1.5厘米，寬改為1.2厘米，這就是目前在iphone4中使用的Mini-UICC卡。Apple公司為了提高iphone集成度，減少了SIM卡體積，使用了此卡，顯得與其他手機格格不入。由于iphone的足夠強大，運營商、手機商都俯首稱臣，同時發(fā)行了2FF卡和3FF卡。

4FF卡是fourth form factor SIM的簡稱，或稱為nano-SIM。是一種比3FF卡更小的SIM卡標準，其長1.23厘米，寬0.88厘米，厚0.7毫米。4FF應(yīng)比Mini-UICC至少面積小25%，此卡包含標準傳統(tǒng)SIM卡所有功能。

圖1是現(xiàn)有的4FF卡的結(jié)構(gòu)示意圖，請參閱圖1，現(xiàn)有的4FF卡包括基板10，在所述基板10表面設(shè)置有一凹腔11，芯片12設(shè)置在所述凹腔11內(nèi)，并與所述凹腔11的底面接觸，采用金屬引線13將所述芯片12與基板10電連接。采用塑封體14塑封，所述塑封體14包覆凹腔11、芯片12及金屬引線13。該種結(jié)構(gòu)具有如下缺點：在制作基板10時，需要額外進行凹腔11的制作，會降低基板10的生產(chǎn)效率，增加生產(chǎn)成本，且會降低封裝效率。

因此，亟需一種新型的4FF卡，提高生產(chǎn)效率，降低材料成本。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種新型無腔體智能卡，其能夠提高基板生產(chǎn)效率、增強基板強度。

為了解決上述問題，本實用新型提供了一種新型無腔體智能卡，包括基板，在所述基板上表面設(shè)置有芯片，所述芯片上表面的焊墊通過金屬引線電連接至所述基板，一塑封體塑封所述芯片、金屬引線及所述芯片與金屬引線對應(yīng)的基板上表面。

進一步，所述塑封體的材料為環(huán)氧樹脂。

進一步，所述基板的厚度為150~200微米。

進一步，所述芯片的厚度為100~150微米。

進一步，所述金屬引線的弧形頂端至所述芯片上表面所在平面的距離為50~100微米。

進一步，所述塑封體頂端至所述基板上表面的距離為300~350微米。

本實用新型的優(yōu)點在于，在基板表面不設(shè)置凹腔，芯片直接設(shè)置在基板上表面，降低了基板材料成本，提高基板生產(chǎn)效率，降低封裝連接線成本，提升封裝連接效率，且增大基板強度。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的4FF卡的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實用新型無腔體智能卡的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本實用新型提供的新型無腔體智能卡的具體實施方式做詳細說明。

請參閱圖2，本實用新型的新型無腔體智能卡包括基板20、芯片21、塑封體22。

在所述基板20上表面設(shè)置有芯片21。所述芯片21可以采用粘貼等本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方式連接在基板20上表面。所述芯片21是本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的應(yīng)用于智能卡的各種芯片，本文對此不進行限制。

所述芯片21上表面具有焊墊（附圖中未標示）。所述芯片21上表面的焊墊通過金屬引線23電連接至所述基板20的上表面，所述金屬引線23形成弧形結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以采用現(xiàn)有的打線工藝將所述金屬引線23分別固定在所述芯片21的焊墊及所述基板20表面。

所述塑封體22塑封所述芯片21、金屬引線23及所述芯片21與金屬引線23對應(yīng)的基板20的上表面，形成封裝結(jié)構(gòu)。所述塑封體22的材料可以為樹脂類材料，例如環(huán)氧樹脂。在本實用新型中，放置芯片21的區(qū)域全部被塑封體22覆蓋。

優(yōu)選地，所述基板20的厚度為150~200微米，例如160微米、170微米、180微米或190微米。所述芯片21的厚度為100~150微米，例如110微米、120微米、130微米或140微米。所述金屬引線23的弧形頂端至所述芯片21上表面所在平面的距離為50~100微米，例如60微米、70微米、80微米或90微米。所述塑封體22頂端至所述基板20上表面的距離為300~350微米，例如310微米、320微米、330微米或340微米。

以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本實用新型的保護范圍。