本實(shí)用新型屬于發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，涉及到一種長條形高壓LED芯片結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，簡(jiǎn)稱LED)，它能將電能轉(zhuǎn)化為光能，LED光源屬于綠色光源，具有節(jié)能環(huán)保、壽命長、能耗低、安全系數(shù)高等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于照明和背光領(lǐng)域。高壓LED(HV LED)是將多個(gè)LED晶粒通過金屬互聯(lián)工藝串聯(lián)起來從而提高整個(gè)芯片的電壓。高壓LED降低了驅(qū)動(dòng)成本，減少了封裝廠打線作業(yè)，是一款非常具有市場(chǎng)前景的LED產(chǎn)品。目前，氮化鎵(GaN)基LED發(fā)展迅速，但在實(shí)際生產(chǎn)中會(huì)產(chǎn)生電流擁擠的問題，從而降低發(fā)光效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型為了克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，設(shè)計(jì)了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、能夠減少電流擁擠的發(fā)生、提高LED芯片發(fā)光效率的長條形高壓LED芯片結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型所采取的具體技術(shù)方案是：一種長條形高壓LED芯片結(jié)構(gòu)，包括襯底、在襯底外延層上沿長度方向設(shè)置的一組芯片子單元，所有的芯片子單元相互隔離形成長條形結(jié)構(gòu)，關(guān)鍵是：所述的芯片子單元包括位于長條形結(jié)構(gòu)左、右兩端且只具有N型層的兩個(gè)不發(fā)光子單元，還包括位于兩個(gè)不發(fā)光子單元之間、同時(shí)具有N電極和P電極的至少兩個(gè)發(fā)光子單元，不發(fā)光子單元上設(shè)置有N電極，相鄰發(fā)光子單元之間的N電極和P電極串聯(lián)連接，最左端發(fā)光子單元的N電極/P電極與該端不發(fā)光子單元的N電極連接，對(duì)應(yīng)地，最右端發(fā)光子單元的P電極/N電極與該端不發(fā)光子單元的N電極連接。

所述襯底的長、寬比為(10-50)：1。

所述的發(fā)光子單元為矩形結(jié)構(gòu)，長度為10-30mil，寬度為5-10mil。

位于不發(fā)光子單元上的N電極為矩形結(jié)構(gòu)，長度為230-270μm，寬度為90-130μm。

相鄰芯片子單元之間的間距為50-100μm。

本實(shí)用新型的有益效果是：位于長條形結(jié)構(gòu)兩端的不發(fā)光子單元只具有N型層，其上只有N電極，方便封裝焊線，減少了P電極的面積，可以降低LED芯片的電壓，兩個(gè)不發(fā)光子單元之間是同時(shí)具有N電極和P電極的發(fā)光子單元，相鄰子單元串聯(lián)連接，這種結(jié)構(gòu)改變了P電極和N電極之間的排布，在一定程度上減少了電流擁擠現(xiàn)象的發(fā)生，可以有效地提高電流擴(kuò)展均勻性，大幅度提高了LED芯片的發(fā)光效率。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖中，1代表襯底，2代表不發(fā)光子單元，3代表發(fā)光子單元。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做詳細(xì)說明：

具體實(shí)施例，如圖1所示，一種長條形高壓LED芯片結(jié)構(gòu)，包括襯底1、在襯底1外延層上沿長度方向設(shè)置的一組芯片子單元，所有的芯片子單元相互隔離形成長條形結(jié)構(gòu)，芯片子單元包括位于長條形結(jié)構(gòu)左、右兩端且只具有N型層的兩個(gè)不發(fā)光子單元2，還包括位于兩個(gè)不發(fā)光子單元2之間、同時(shí)具有N電極和P電極的至少兩個(gè)發(fā)光子單元3，發(fā)光子單元3為矩形結(jié)構(gòu)，長度為10-30mil，寬度為5-10mil。不發(fā)光子單元2上設(shè)置有N電極，位于不發(fā)光子單元2上的N電極為矩形結(jié)構(gòu)，長度為230-270μm，優(yōu)選為250μm，寬度為90-130μm，優(yōu)選為110μm，供封裝焊接使用，足夠大的焊接面積，使得焊接后連接牢固可靠，不易脫落。相鄰發(fā)光子單元3之間的N電極和P電極串聯(lián)連接，也就是說如果某個(gè)發(fā)光子單元3的N電極與位于其左側(cè)發(fā)光子單元3的P電極連接，則該發(fā)光子單元3的P電極與位于其右側(cè)發(fā)光子單元3的N電極連接，最左端發(fā)光子單元3的N電極/P電極與該端不發(fā)光子單元2的N電極連接，對(duì)應(yīng)地，最右端發(fā)光子單元3的P電極/N電極與該端不發(fā)光子單元2的N電極連接。這種結(jié)構(gòu)改變了P電極和N電極之間的排布，在一定程度上減少了電流擁擠現(xiàn)象的發(fā)生，可以有效地提高電流擴(kuò)展均勻性，大幅度提高了LED芯片的發(fā)光效率。

襯底1的長、寬比為(10-50)：1，則芯片結(jié)構(gòu)的長、寬比也就是(10-50)：1，這種芯片結(jié)構(gòu)由于側(cè)面積的增加，可以增加芯片的側(cè)出光，從而提高整個(gè)高壓LED芯片結(jié)構(gòu)的出光效率。在芯片結(jié)構(gòu)表面電極以外的區(qū)域設(shè)置有厚度為100-1000μm的SiO₂防護(hù)層。

相鄰芯片子單元之間的間距太小，對(duì)制作工藝的要求太高，廢品率太高，導(dǎo)致成本較高，間距太大，則會(huì)減少有限長度內(nèi)芯片子單元的數(shù)量，所以綜合考慮后將相鄰芯片子單元之間的間距設(shè)置為50-100μm，即不發(fā)光子單元2與發(fā)光子單元3之間、相鄰的發(fā)光子單元3之間的間距都是50-100μm。

本實(shí)用新型設(shè)計(jì)的一種長條形高壓LED芯片結(jié)構(gòu)，通過減少P型電極的面積，降低了LED芯片的電壓，改變了P電極和N電極之間的排布，減少了電流擁擠現(xiàn)象的發(fā)生，同時(shí)該結(jié)構(gòu)可以有效地提高電流擴(kuò)展均勻性，從而提高LED芯片的出光效率。