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      一種LED封裝器件的制作方法

      文檔序號:11081011閱讀:742來源:國知局
      一種LED封裝器件的制造方法與工藝

      本實用新型涉及LED照明、感應(yīng)、監(jiān)控、汽車電子技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種LED封裝器件。



      背景技術(shù):

      LED封裝朝著可實現(xiàn)規(guī)?;a(chǎn),更低成本,工藝簡化、設(shè)計靈活,尺寸更小,輕薄化、高集成的應(yīng)用趨勢發(fā)展。

      隨著LED芯片磊晶技術(shù)和終端應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展,行業(yè)對LED封裝的光學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)、機械結(jié)構(gòu)等提出了新的、更高的要求。

      現(xiàn)有技術(shù)都是先在銅片上用熱塑性材料塑封出支架,然后再封裝LED,工藝流程比較長,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性差。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      為解決上述問題,本實用新型提供一種工藝流程短,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性高的LED封裝器件。

      一種LED封裝器件,包括第一極區(qū)和第二極區(qū),第一極區(qū)為負(fù)極導(dǎo)電導(dǎo)熱基材區(qū),第二極區(qū)為正極導(dǎo)電導(dǎo)熱基材區(qū)域,芯片通過固晶膠粘接在第一極區(qū),芯片頂部的電極通過導(dǎo)線連接至第二極區(qū),第一極區(qū)和第二極區(qū)之間為絕緣區(qū),絕緣區(qū)為硅膠所填充,第一極區(qū)和第二極區(qū)之間通過絕緣區(qū)實現(xiàn)電隔離和物理連接,第一極區(qū)和第二極區(qū)的上部通過硅膠實現(xiàn)封裝,絕緣區(qū)及第一極區(qū)和第二極區(qū)的上部硅膠一體化設(shè)置。

      優(yōu)選的,絕緣區(qū)及第一極區(qū)和第二極區(qū)的上部的硅膠通過模壓工藝一體化成型。

      優(yōu)選的,第一極區(qū)和第二極區(qū)為銅基材區(qū)域,銅基材區(qū)域的厚度為0.1~0.3mm。

      優(yōu)選的,導(dǎo)線為金線、銀線、銅線或鋁線及對應(yīng)金屬的合金線。

      優(yōu)選的,導(dǎo)線的數(shù)量在1根(含)以上。

      優(yōu)選的,第一極區(qū)的面積大于第二極區(qū)與絕緣區(qū)的面積之和。

      優(yōu)選的,第一極區(qū)的面積大于等于1.5倍的第二極區(qū)與絕緣區(qū)的面積之和。

      優(yōu)選的,第一極區(qū)和第二極區(qū)的外邊緣為預(yù)沖壓區(qū)。

      優(yōu)選的,固晶膠為高導(dǎo)熱固晶膠。

      優(yōu)選的,硅膠中填充有納米氧化鋁導(dǎo)熱顆粒。

      優(yōu)選的,硅膠中填充有晶粒尺寸為10~1000nm的氧化鈦顆粒,氧化鈦的作用是吸收紫外線,增強膠體的抗UV和抗黃變能力。

      優(yōu)選的,氧化鈦顆粒均勻分散在硅膠中,晶粒尺寸為10~30nm的氧化鈦顆粒的體積為硅膠的體積的2%~6%。晶粒尺寸為10~30nm的氧化鈦顆粒能夠動態(tài)湮滅與重生,從而使得硅膠的體積和形狀可以發(fā)生微小的變化,從而使用LED封裝器件使用過程中的熱應(yīng)力的作用能夠被有效緩解,從而大大延長LED封裝器件的使用壽命。

      優(yōu)選的,第一極區(qū)和第二極區(qū)的上部的硅膠呈半球狀、半橢圓球狀、長方體狀、棱臺或上述四種形狀的組合。

      本實用新型的有益效果:一種LED封裝器件,包括第一極區(qū)和第二極區(qū),第一極區(qū)為負(fù)極導(dǎo)電導(dǎo)熱基材區(qū),第二極區(qū)為正極導(dǎo)電導(dǎo)熱基材區(qū)域,芯片通過固晶膠粘接在第一極區(qū),芯片頂部的電極通過導(dǎo)線連接至第二極區(qū),第一極區(qū)和第二極區(qū)之間為絕緣區(qū),絕緣區(qū)為硅膠基材區(qū),第一極區(qū)和第二極區(qū)之間通過絕緣區(qū)實現(xiàn)電隔離和物理連接,第一極區(qū)和第二極區(qū)的上部通過硅膠實現(xiàn)封裝,絕緣區(qū)及第一極區(qū)和第二極區(qū)的上部硅膠一體化設(shè)置。與現(xiàn)有技術(shù)相比,不需要支架的制作流程,工藝流程短,第一極區(qū)和第二極區(qū)通過封裝用硅膠連接,絕緣區(qū)及第一極區(qū)和第二極區(qū)的上部硅膠一體化設(shè)置,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性高。

      附圖說明

      圖1為本實用新型一種結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性好的LED封裝器件的封裝用基材的結(jié)構(gòu)示意圖。

      圖2為圖1的B處的放大結(jié)構(gòu)示意圖。

      圖3為本實用新型一種LED封裝器件的俯視圖。

      圖4為本實用新型一種LED封裝器件的圖3的A-A向的剖面圖。

      圖中:

      1-第一極區(qū);2-第二極區(qū);3-芯片;4-導(dǎo)線;5-絕緣區(qū);6-預(yù)沖壓區(qū);7-固晶膠。

      具體實施方式

      下面,結(jié)合附圖1~4以及具體實施方式,對本實用新型做進一步描述。

      一種LED封裝器件,包括第一極區(qū)1和第二極區(qū)2,第一極區(qū)1為負(fù)極導(dǎo)電導(dǎo)熱基材區(qū),第二極區(qū)2為正極導(dǎo)電導(dǎo)熱基材區(qū)域,第一極區(qū)1通過固晶膠7粘接有芯片3,芯片3的上部的電極通過導(dǎo)線4連接至第二極區(qū)2,第一極區(qū)1和第二極區(qū)2之間為絕緣區(qū)5,絕緣區(qū)5為硅膠基材區(qū),第一極區(qū)1和第二極區(qū)2之間通過絕緣區(qū)5實現(xiàn)電隔離和物理連接,第一極區(qū)1和第二極區(qū)2的上部通過硅膠實現(xiàn)封裝,絕緣區(qū)5及第一極區(qū)1和第二極區(qū)2的上部硅膠一體化設(shè)置。

      與現(xiàn)有技術(shù)相比,不需要支架的制作流程,工藝流程短,第一極區(qū)1和第二極區(qū)2通過封裝用硅膠連接,絕緣區(qū)5及第一極區(qū)1和第二極區(qū)2的上部硅膠一體化成型,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性高。

      本實施例中,硅膠中填充有晶粒尺寸為10~1000nm的氧化鈦顆粒,氧化鈦的作用是吸收紫外線,增強膠體的抗UV和抗黃變能力。

      本實施例中,絕緣區(qū)5及第一極區(qū)1和第二極區(qū)2的上部的硅膠通過模壓工藝一體化成型。

      本實施例中,第一極區(qū)1和第二極區(qū)2為銅基材區(qū)域,銅基材區(qū)域的厚度為0.1~0.3mm。

      本實施例中,導(dǎo)線4為金線、銀線、銅線、鋁線及相應(yīng)金屬的合金線。

      本實施例中,導(dǎo)線4的數(shù)量在1根(含)以上。

      本實施例中,第一極區(qū)1的面積大于第二極區(qū)2與絕緣區(qū)5的面積之和。

      本實施例中,第一極區(qū)1的面積大于等于1.5倍的第二極區(qū)2與絕緣區(qū)5的面積之和。

      本實施例中,第一極區(qū)1和第二極區(qū)2的外邊緣為預(yù)沖壓區(qū)6。

      本實施例中,固晶膠7為高導(dǎo)熱固晶膠。

      本實施例中,硅膠中填充有晶粒尺寸為10~1000nm的氧化鈦顆粒。

      本實施例中,氧化鈦顆粒均勻分散在硅膠中,晶粒尺寸為10~30nm的氧化鈦顆粒的體積為硅膠的體積的2%~6%。

      本實施例中,第一極區(qū)1和第二極區(qū)2的上部的硅膠呈長方體狀與半橢球狀的組合。作為替換方案,第一極區(qū)1和第二極區(qū)2的上部的硅膠也可以單獨呈半球狀、半橢球狀、棱臺狀、長方體狀;或,半橢球狀與長方體狀的組合;或,半球狀與長方體狀的組合;或,半橢球狀與棱臺狀的組合;或,半球狀與棱臺狀的組合。

      對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說,可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思,做出其它各種相應(yīng)的改變以及形變,而所有的這些改變以及形變都應(yīng)該屬于本實用新型權(quán)利要求的保護范圍之內(nèi)。

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