本實用新型涉及芯片加工處理領域，更具體地說，涉及一種芯片撕膜裝置。

背景技術：

芯片的制造過程可大概分為晶圓處理工序、晶圓針測工序、封裝工序、測試工序等幾個步驟。其中晶圓處理工序和晶圓針測工序為前段工序，而封裝工序、測試工序為后段工序。晶圓處理工序的主要工作是在晶圓上制作電路及電子元件(如晶體管、電容、邏輯開關等)。晶圓針測工序是，將晶圓切開分割成一顆顆單獨的晶粒，用針測儀對每個晶粒檢測其電氣特性，再按其電氣特性分類，裝入不同的托盤中，不合格的晶粒則舍棄。封裝工序就是將單個的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蝕刻出的一些引接線端與基座底部伸出的插腳連接，以作為與外界電路板連接之用，最后蓋上塑膠蓋板，用膠水封死，其目的是用以保護晶粒避免受到機械刮傷或高溫破壞。測試工序是芯片制造的最后一道工序，是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，依其電氣特性劃分為不同等級；或者根據(jù)客戶特殊需求的技術參數(shù)，從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片，做有針對性的專門測試。

現(xiàn)有采用DFN0603封裝的產(chǎn)品，在經(jīng)過封裝工序之后，都緊密排布為一塊塊矩形的封裝板，為了保護內(nèi)部的產(chǎn)品，在其外側有一層塑料薄膜，為了方便后續(xù)的加工處理，需要將這層薄膜從產(chǎn)品上撕掉?，F(xiàn)有技術采用的方法為人為純手工操作，由于薄膜與產(chǎn)品的外表面結合較為緊密，在撕除過程中，往往會導致薄膜撕不干凈，殘留在引線框上，更有甚者會使引線框變形，破壞塑封，損壞產(chǎn)品，因此急需一種高效合理的裝置已解決這個問題。

中國發(fā)明專利，授權公告號：CN104282579A，公開日：2015年01月14日，公開了一種半導體產(chǎn)品封裝工藝，其過程包括，前制程工序和后制程工序，前制程工序依次為研磨、貼片、焊線；后制程工序依次包括貼膜、注塑、撕膜、電鍍、切割；在撕膜后，電鍍前，還包括拋光工序：使用防靜電多限位輪對半導體產(chǎn)品先進行組拋，接者進行精拋，最后把精拋后的半導體產(chǎn)品進行水洗、烘干。該發(fā)明所述的半導體產(chǎn)品封裝工藝中，采用人工撕膜，撕膜后進行拋光處理，解決了一些撕膜所帶來的缺陷問題，但該工藝的操作過程繁雜，而且撕膜的效率和質(zhì)量提高的并不明顯，所以還需要跟進一步的完善。

技術實現(xiàn)要素：

1.發(fā)明要解決的技術問題

針對現(xiàn)有芯片封裝過程中，薄膜不易撕除以及撕除過程中導致撕不干凈、使引線框架變形、損壞芯片等問題，本實用新型提供一種芯片撕膜裝置，它可以快速的撕除芯片引線框上的薄膜，方便后續(xù)工序的進行，極大地提高了加工生產(chǎn)的效率，降低生產(chǎn)成本。

2.技術方案

為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術方案為：

一種芯片撕膜裝置，包括加熱平臺、支撐桌，還包括撕膜臺和加熱控制器，所述的撕膜臺位于加熱平臺上，加熱平臺固定在支撐桌上，加熱控制器位于支撐桌的中間，加熱控制器與撕膜臺連接，將待處理的芯片組件固定在撕膜臺上加熱，使得薄膜軟化，方便快速撕除。

優(yōu)選地，支撐桌包括中間平臺、頂部平臺和腳輪，所述的加熱控制器位于中間平臺上，所述的加熱平臺位于頂部平臺上，將加熱平臺放置在支撐桌的中間平臺，節(jié)省空間，在支撐桌上設置腳輪，方便整體裝置的移動。

優(yōu)選地，所述的加熱平臺通過隔熱墊塊固定在支撐桌上，隔熱墊塊能夠隔絕加熱平臺和支撐桌之間的熱量傳遞，減少不必要的熱量流失。

優(yōu)選地，還包括防護罩，防護罩鉸接在支撐桌的上端，防滑罩能夠保護撕膜臺不受外界粉塵的污染，也能保護員工不被高溫的撕膜臺燙傷。

優(yōu)選地，所述的撕膜臺包括下壓塊和上壓塊，所述的上壓塊與下壓塊通過鉸接連接，上壓塊包括兩塊相同的壓板和連接手柄，兩塊壓板通過連接手柄對稱連接，下壓塊的中間開有芯片凹槽，下壓塊上開有與加熱控制器連接的插槽，待處理芯片組件通過上壓塊和下壓塊固定后，在進行加熱時，薄膜整體受熱均勻。

優(yōu)選地，所述的隔熱墊塊選用絕熱材料，絕熱材料具有更好的絕熱效果。

優(yōu)選地，所述的防護罩上開有散熱孔，當裝置使用后還留有余溫，可以通過防護罩上的散熱孔進行快速散熱。

優(yōu)選地，所述的撕膜臺還包括連接塊，所述的下壓塊上開有固定連接塊的連接孔，所述的上壓塊上設有與連接塊連接的連接軸，連接塊能夠方便上壓塊與下壓塊的安裝拆卸。

優(yōu)選地，所述的撕膜臺還包括若干限位塊，所述的限位塊固定在下壓塊上，位于上壓塊的兩側，所述的下壓塊上設有固定限位塊的固定孔，限位塊能夠保證上壓塊在下壓過程中，不會偏移。

優(yōu)選地，所述的撕膜臺還包括若干定位針，所述的上壓塊上設有若干銷孔，下壓塊上設有對應的若干定位孔，各銷孔之間的距離與待加工的芯片組件上的孔距對應，定位針通過銷孔和定位孔將芯片組件固定，定位針與待處理芯片組件上的小孔對應連接，定位更加準確。

3.有益效果

采用本實用新型提供的技術方案，與現(xiàn)有技術相比，具有如下有益效果：

(1)本實用新型通過對薄膜進行加熱處理，使薄膜軟化，降低薄膜與引線框之間的粘合力，從而使得薄膜能夠被簡單快速的撕除，節(jié)約了大量的操作時間，降低了生產(chǎn)成本。

(2)本實用新型在加熱平臺和支撐桌之間設有隔熱墊塊，避免熱量的隨意擴散，提高加熱的效率，提高生產(chǎn)效率。

(3)本實用新型設有防護罩，防護罩上開有散熱孔，有效的保障的裝置的安全使用，負荷生產(chǎn)車間的5S要求防護罩上設有散熱孔，即可以防止外界塵屑的污染，又能保證設備的使用的安全，符合5S安全要。

(4)本實用新型的撕膜臺設置有上下壓塊以及連接塊、定位塊、定位針、限位塊等結構，能夠保證待處理芯片組件穩(wěn)定的進行加熱處理。

(5)本實用新型支撐桌設有兩層，加熱控制器位于中間平臺，合理的布置空間結構，減小了裝置的占用空間，支撐桌下還設有腳輪，方便裝置整體移動，整體結構簡單，方便實用。

附圖說明

圖1為本實用新型所述的一種芯片撕膜裝置的右視圖；

圖2為本實用新型所述的一種芯片撕膜裝置的主視圖；

圖3為本實用新型中所述的撕膜臺的結構示意圖；

圖4為本實用新型中所述的下壓塊的結構示意圖；

圖5為本實用新型中所述的上壓塊的結構示意圖。

圖中標號說明：1、撕膜臺；2、加熱平臺；3、隔熱墊塊；4、支撐桌；5、防護罩；6、加熱控制器；41、中間平臺；42、頂部平臺；43、腳輪；11、下壓塊；12、上壓塊；13、連接塊；14、限位塊；15、定位針；16、芯片組件；111、芯片凹槽；112、定位孔；115、插槽；122、壓板；123、連接手柄；124、連接軸；125、銷孔。

具體實施方式

為進一步了解本發(fā)明的內(nèi)容，結合附圖及實施例對本發(fā)明作詳細描述。

實施例1

一種芯片撕膜裝置，包括加熱平臺2、支撐桌4，還包括撕膜臺1和加熱控制器6，所述的撕膜臺1位于加熱平臺2上，加熱平臺2固定在支撐桌4上，加熱控制器6位于支撐桌的中間，加熱控制器6與撕膜臺1連接。首先將待處理的芯片組件放置在撕膜臺1上，然后調(diào)節(jié)加熱控制器6，將撕膜臺加熱至150～200℃，關閉加熱控制器，取出加熱的芯片組件，將其上的薄膜撕除，完成該工位的操作，等待后續(xù)處理。

實施例2

本實施例的一種芯片撕膜裝置，與實施例1類似，不同之處在于，所述的支撐桌4包括中間平臺41、頂部平臺42和腳輪43，將加熱控制器6放置在中間平臺41上，加熱平臺2放置在頂部平臺42上，節(jié)省了裝置的占用空間。底部的腳輪43可以方便裝置的移動。

實施例3

本實施例的一種芯片撕膜裝置，與實施例1類似，不同之處在于，所述的加熱平臺2通過隔熱墊塊3固定在支撐桌4上，隔熱墊塊3采用絕熱材料，有效的防止熱量的擴散，隔絕支撐桌的受熱，避免不必要的熱量損失，提高了加熱效率，。

實施例4

本實施例的一種芯片撕膜裝置，與實施例1類似，不同之處在于，還包括防護罩5，防護罩5鉸接在支撐桌4的上端，防護罩5上開有散熱孔51，防護罩有效的保護了撕膜臺，不受外界環(huán)境污染，同時防止高溫的撕膜臺燙傷員工，保障車間的生產(chǎn)安全。

實施例5

本實施例的一種芯片撕膜裝置，與實施例1類似，不同之處在于，所述的撕膜臺1包括下壓塊11、上壓塊12、連接塊13、若干限位塊14和若干定位針15。所述的上壓塊12與下壓塊11通過連接塊13連接；上壓塊12包括兩塊相同的壓板122和連接手柄123，兩塊壓板 122通過連接手柄123對稱連接，上壓塊12上設有與連接塊13連接的連接軸124；下壓塊 11的中間開有芯片凹槽111，下壓塊11上開有與加熱控制器6連接的插槽115，下壓塊11上開有固定連接塊13的連接孔114；限位塊14固定在下壓塊11上，位于上壓塊12的兩側，下壓塊11上設有固定限位塊14的固定孔113；定位針15通過銷孔125和定位孔112將芯片組件16固定，上壓塊12上設有若干銷孔125，下壓塊11上設有對應的若干定位孔112，各銷孔125之間的距離與待加工的芯片組件16上的孔距對應。

將待處理芯片組件16防止到下壓塊11上，利用上壓塊12的連接手柄123壓下上壓塊 12，同時利用定位針15將芯片組件定位固定在上壓塊12和下壓塊11之間，壓緊后，蓋上防滑罩5，調(diào)節(jié)加熱控制器6加熱至指定溫度后，打開防護罩5，抬起上壓塊12，取出受熱的芯片組件16，將軟化的薄膜撕除，等待后續(xù)處理。

以上示意性的對本發(fā)明及其實施方式進行了描述，該描述沒有限制性，附圖中所示的也只是本發(fā)明的實施方式之一，實際的結構并不局限于此。所以，如果本領域的普通技術人員受其啟示，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造宗旨的情況下，不經(jīng)創(chuàng)造性的設計出與該技術方案相似的結構方式及實施例，均應屬于本發(fā)明的保護范圍。