本實(shí)用新型關(guān)于一種半導(dǎo)體組件封裝構(gòu)造；特別是關(guān)于一種可適用于封裝較高芯片的覆晶包裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

電子產(chǎn)品(如發(fā)光二極管，LED)逐漸朝向多功能化及小型化趨勢發(fā)展，使得芯片包裝結(jié)構(gòu)(IC Package)技術(shù)隨之改變，如：覆晶包裝結(jié)構(gòu)(Flip Chip Package)，可由基板撘配封裝材料形成包裝結(jié)構(gòu)。

由于芯片內(nèi)部組件數(shù)量逐漸增加，在芯片面積必須縮小的設(shè)計(jì)要求下，芯片內(nèi)部的組件只能改為堆棧形式，造成小面積的芯片高度增加，導(dǎo)致現(xiàn)有的大面積芯片的包裝結(jié)構(gòu)不再適用。

其中，現(xiàn)有的芯片封裝材料大致可分為膠材、鋁材或陶瓷等，但是膠材未固化前呈現(xiàn)流體形態(tài)而不適用于高度較高的芯片；鋁材為金屬導(dǎo)電材質(zhì)，不利于電路導(dǎo)線經(jīng)過；陶瓷則有成本較高及加工不易等缺點(diǎn)。

有鑒于此，有必要改善上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，以符合實(shí)際需求，提升其安全實(shí)用性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供一種覆晶包裝結(jié)構(gòu)，以適用于封裝高度較高的芯片。

本實(shí)用新型揭示一種覆晶包裝結(jié)構(gòu)，可包括：一個(gè)基板，具有相對的兩個(gè)表面；一個(gè)圍阻體，設(shè)置于該基板的一個(gè)表面，該圍阻體為包括有至少一個(gè)導(dǎo)電箔的BT樹脂，該圍阻體開設(shè)一個(gè)凹槽，該導(dǎo)電箔的局部呈裸露狀態(tài)；及一個(gè)芯片，設(shè)置于該凹槽內(nèi)，該芯片電連接該導(dǎo)電箔。

所述基板可具有一個(gè)黏合層，該黏合層可黏設(shè)該圍阻體；所述黏合層可為一個(gè)Epoxy材料層。借此，可加強(qiáng)該圍阻體與該基板之間的不同材質(zhì)材料的黏合效果。

所述圍阻體的BT樹脂可具有至少一個(gè)貫孔，該貫孔容納至少一個(gè)導(dǎo)電件；所述圍阻體的BT樹脂可由一個(gè)底部及一個(gè)環(huán)墻連接形成該凹槽，該環(huán)墻的高度大于該底部的厚度，該貫孔貫穿該環(huán)墻；所述貫孔可沿該環(huán)墻的軸向或徑向延伸設(shè)置；所述基板為一個(gè)電路板，該電路板電連接該導(dǎo)電件；所述覆晶包裝結(jié)構(gòu)還包括一個(gè)導(dǎo)電板，該導(dǎo)電板可封閉該圍阻體的凹槽，該導(dǎo)電板電連接該導(dǎo)電件；所述導(dǎo)電板為一個(gè)金屬板；所述導(dǎo)電箔為一個(gè)銅箔。借此，可利用該圍阻體的BT樹脂作為保護(hù)芯片及電路連接等用途，以便提高電路或擴(kuò)大包裝結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)適用范圍。

本實(shí)用新型的有益效果是：

上述覆晶包裝結(jié)構(gòu)可利用該BT樹脂保護(hù)高度較高的芯片，該BT樹脂包覆的導(dǎo)電箔可電連接該芯片，該BT樹脂可由該貫孔設(shè)置該導(dǎo)電件作為接地或電連接其他電路等用途，可以達(dá)到“易加工”、“成本低”及 “設(shè)計(jì)適用范圍廣”等效果，相比于現(xiàn)有的封裝材料形成的包裝結(jié)構(gòu)方式，本實(shí)用新型的覆晶包裝結(jié)構(gòu)除可適用于高度較高的芯片，更可降低制作成本及可供電路導(dǎo)線經(jīng)過，可符合未來小型化芯片的封裝需求。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

圖1：本實(shí)用新型覆晶包裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例的側(cè)面剖視圖。

附圖標(biāo)記說明

1 基板

1a,1b 基板的相對兩個(gè)表面

11 黏合層

2 圍阻體

21 導(dǎo)電箔 22 BT樹脂

221 底部 222 環(huán)墻

223 貫孔 224 導(dǎo)電件

23 凹槽

3 芯片

4 電路板

5 導(dǎo)電板

D1 環(huán)墻的軸向 D2 環(huán)墻的徑向。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型的上述及其他目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下：

本實(shí)用新型全文所述的方向性用語，例如“前”、“后”、“左”、“右”、“上（頂）”、“下（底）”、“內(nèi)”、“外”、“側(cè)”等，主要是參考附加附圖的方向，各方向性用語僅用以輔助說明及理解本實(shí)用新型的各實(shí)施例，并非用以限制本實(shí)用新型。

請參閱圖1所示，其為本實(shí)用新型覆晶包裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例的側(cè)面剖視圖。其中，該覆晶包裝結(jié)構(gòu)可包括一個(gè)基板1、一個(gè)圍阻體2及一個(gè)芯片3，該基板1設(shè)置該圍阻體2，該芯片3設(shè)置于該圍阻體2的內(nèi)部。其中，該基板1可具有相對的兩個(gè)表面1a、1b；該圍阻體2可黏置于該基板1的一個(gè)表面(如1a)，該圍阻體2為包括有至少一個(gè)導(dǎo)電箔21的BT樹脂22，該圍阻體2開設(shè)一個(gè)凹槽23，使該導(dǎo)電箔21的局部露出，該凹槽23可利用蝕刻或雷射切割等方式加工而成；該芯片3可設(shè)置于該凹槽23內(nèi)，該芯片3電連接該導(dǎo)電箔21。以下舉例說明該覆晶包裝結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，但是不以此為限。

舉例而言，該圍阻體2可由BT樹脂22設(shè)置（如包覆或貼合等）至少一個(gè)銅箔，該銅箔作為該導(dǎo)電箔21，該導(dǎo)電箔21可形成一布局圖案(layout pattern)，用以導(dǎo)接不同電子組件或不同芯片接腳等；該BT樹脂22主要以B (Bismaleimide，雙馬來酰亞胺) 及 T (Triazine，三氮六環(huán)衍生物) 聚合而成，以該BT樹脂22為原料所構(gòu)成的基板具有高Tg(255～330℃)、耐熱性(160～230℃)、抗?jié)裥?、低介電常?shù)(Dk)及低散失因素(Df)等優(yōu)點(diǎn)，可以達(dá)成穩(wěn)定尺寸、防止熱脹冷縮影響線路合格率等功效。

在此例中，該基板1可具有一個(gè)黏合層11，該黏合層11可為一個(gè)Epoxy材料層，該黏合層11可黏設(shè)該圍阻體2，以便加強(qiáng)該圍阻體2與該基板1之間的不同材質(zhì)材料的黏合效果，其黏合過程可于該基板1上涂布Epoxy材料形成該黏合層11，將該圍阻體2置于該黏合層11上，再進(jìn)行加熱烘烤過程，該加熱烘烤過程可于真空環(huán)境中進(jìn)行，但是不以此為限。

在此例中，該圍阻體2的BT樹脂22可由一個(gè)底部221及一個(gè)環(huán)墻222連接形成該凹槽23，該凹槽23可鄰近該導(dǎo)電箔21，如：該導(dǎo)電箔21可由該BT樹脂22的底部221或環(huán)墻222朝向該凹槽23露出，或者，該導(dǎo)電箔21可貼合于該凹槽23外的環(huán)墻222表面等，但是不以此為限，該環(huán)墻222的高度可大于該底部221的厚度；該BT樹脂22可具有至少一個(gè)貫孔223，該貫孔223可貫穿該環(huán)墻222，如：該貫孔223可沿該環(huán)墻222的軸向D1或徑向D2延伸設(shè)置，用以容納至少一個(gè)導(dǎo)電件224（如：導(dǎo)電線或電焊材等），該導(dǎo)電件224可電連接一個(gè)電路板4或一個(gè)導(dǎo)電板5，該導(dǎo)電板5為一個(gè)金屬板，如：該電路板4可做為該基板1的局部，用以設(shè)置電路布局（circuit layout）等；該導(dǎo)電板5可封閉該圍阻體2的凹槽23。借此，可利用該圍阻體2的BT樹脂22作為保護(hù)芯片及電路連接等用途，以便提高電路或擴(kuò)大包裝結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)適用范圍。

借此，本實(shí)用新型上述實(shí)施例使用時(shí)，可利用該BT樹脂保護(hù)高度較高的芯片，該BT樹脂包覆的導(dǎo)電箔可電連接該芯片，該BT樹脂可由該貫孔設(shè)置該導(dǎo)電件作為接地或電連接其他電路等用途，可以達(dá)到“易加工”、“成本低”及“設(shè)計(jì)適用范圍廣”等效果。

本實(shí)用新型上述實(shí)施例相比于現(xiàn)有的封裝材料形成的包裝結(jié)構(gòu)方式，除可適用于高度較高的芯片，更可降低制作成本及可供電路導(dǎo)線經(jīng)過，可符合未來小型化芯片的封裝需求。