本實用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種沉積環(huán)裝置。

背景技術(shù)：

鋁腔體的沉積環(huán)安裝于加熱基座上，硅片直徑稍大于沉積環(huán)內(nèi)徑，腔體做真空壞境下傳送位置校準(zhǔn)時，是通過肉眼來進(jìn)行判斷，因為現(xiàn)在的部件沒有明顯的參照物，所以在一定程度上會影響校準(zhǔn)位置的精確性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型要解決的技術(shù)問題是如何提高校準(zhǔn)位置的精準(zhǔn)性。

為了解決這一技術(shù)問題，本實用新型提供了一種沉積環(huán)裝置，包括沉積環(huán)本體，所述沉積環(huán)本體上表面設(shè)有刻度結(jié)構(gòu)。

可選的，所述刻度結(jié)構(gòu)包括若干刻度件，若干所述刻度件環(huán)繞所述沉積環(huán)本體的圓心均勻布置。

可選的，所述刻度件的數(shù)量為偶數(shù)個，且若干所述刻度件中呈對關(guān)于所述沉積環(huán)本體的圓心中心對稱。

可選的，所述刻度件的數(shù)量為四個。

本實用新型在沉積環(huán)本體上布置了刻度結(jié)構(gòu)，當(dāng)腔體做位置校準(zhǔn)的時候裝上本實用新型提供的沉積環(huán)裝置，通過刻度結(jié)構(gòu)可以用來來判斷硅片的位置，提高了校準(zhǔn)的精度與效率。

附圖說明

圖1是本實用新型一實施例中沉積環(huán)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中，1-沉積環(huán)本體；2-刻度件；3-硅片。

具體實施方式

以下將結(jié)合圖1對本實用新型提供的沉積環(huán)裝置進(jìn)行詳細(xì)的描述，其為本實用新型可選的實施例，可以認(rèn)為，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不改變本實用新型精神和內(nèi)容的范圍內(nèi)，能夠?qū)ζ溥M(jìn)行修改和潤色。

本實用新型提供了一種沉積環(huán)裝置，包括沉積環(huán)本體1，所述沉積環(huán)本體1上表面設(shè)有刻度結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步來說，所述刻度結(jié)構(gòu)包括若干刻度件2，若干所述刻度件2環(huán)繞所述沉積環(huán)本體1的圓心均勻布置。

為了更好地實現(xiàn)對準(zhǔn)，本實用新型可選的實施例中，所述刻度件2的數(shù)量為偶數(shù)個，且若干所述刻度件2中呈對關(guān)于所述沉積環(huán)本體1的圓心中心對稱。所述刻度件2的數(shù)量為四個。

綜上所述，本實用新型在沉積環(huán)本體上布置了刻度結(jié)構(gòu)，當(dāng)腔體做位置校準(zhǔn)的時候裝上本實用新型提供的沉積環(huán)裝置，通過刻度結(jié)構(gòu)可以用來來判斷硅片的位置，提高了校準(zhǔn)的精度與效率。