技術總結
本實用新型涉及半導體器件領域，提供一種增強型GaN?HEMT外延材料結構，從下到上依次包括P型Si襯底、AlGaN緩沖層、GaN溝道層、AlGaN背勢壘層及帽層；器件兩端具有第一隔離區(qū)和第二隔離區(qū)，第一隔離區(qū)和第二隔離區(qū)分別從帽層的上表面開始刻蝕并向下延伸至AlGaN緩沖層內部；AlGaN背勢壘層上形成有源極和漏極，帽層上形成有柵極，且柵極位于漏極和源極之間；AlGaN背勢壘層生長有SiN層。本實用新型由AlGaN/GaN/AlGaN雙異質結結構組成，與普通GaN?HEMT不同的是：使用禁帶寬度更寬的AlGaN代替GaN作為緩沖層材料，而使GaN溝道被夾在AlGaN勢壘層和AlGaN緩沖層之間而有效的增強GaN器件二維電子氣。

技術研發(fā)人員：黎明
受保護的技術使用者：成都海威華芯科技有限公司
文檔號碼：201621416679
技術研發(fā)日：2016.12.22
技術公布日：2017.06.13