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      一種新型高效鋁排的制作方法

      文檔序號:11593779閱讀:647來源:國知局

      本實用新型涉及疊層母排,具體涉及到一種新型高效鋁排。



      背景技術(shù):

      目前鋁材質(zhì)的疊層母排沒有能夠很好的和功率元器件導(dǎo)通,其中功率元器件上的接觸面都是銅材,銅和鋁的標(biāo)準電位相差很大,這兩種材料接觸會產(chǎn)生電位差,與空氣中的水份形成電化學(xué)腐蝕,長時間會加大母排和功率元器件的接觸電阻和接觸溫升,從而導(dǎo)致電動汽車電池系統(tǒng)中鋁母排和電芯之間搭接的安全性和使用壽命短的問題。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      針對上述技術(shù)問題:本實用新型提供一種新型母排,具體通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化,可解決了電動汽車電池系統(tǒng)中鋁母排和電芯之間搭接的安全性和使用壽命短的問題。

      為解決上述技術(shù)問題,本實用新型具體提供一種技術(shù)方案:一種新型高效鋁排,其包括正極板,負極板,鎳片、鎳環(huán)和PET絕緣膜。

      正極板和負極板由鋁制成。

      鎳片分別設(shè)置在正極板和負極板的兩側(cè)端,可與電容相連接。

      鎳環(huán)分別設(shè)置正極板和負極板的中部,可與IGBT相連接;當(dāng)相層疊時,正極板與負極板上的鎳環(huán)相層疊。

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。

      PET絕緣膜分為4張,分別覆蓋在正極板和負極板的兩側(cè)。

      PET(Polyethylene terephthalate)即聚對苯二甲酸乙二醇酯,其在較寬的溫度范圍內(nèi)具有優(yōu)良的物理機械性能,長期使用溫度可達120℃,電絕緣性優(yōu)良。

      在進一步優(yōu)化的技術(shù)方案中,鎳片包括水平型鎳片和垂直型鎳片;正極板或負極板上的水平型鎳片為2片,而垂直型鎳片為3片。

      在進一步優(yōu)化的技術(shù)方案中,正極板或負極板上的鎳環(huán)為6個,呈3排2列分布。

      在進一步優(yōu)化的技術(shù)方案中,鎳環(huán)分為大環(huán)和小環(huán);當(dāng)相層疊時,正極板上的大環(huán)對應(yīng)層疊的是負極板上的小環(huán),而正極板上的小環(huán)對應(yīng)層疊的是負極板上的大環(huán)。

      采用了上述技術(shù)方案后,本實用新型的有益效果是:

      相對于已披露的技術(shù)方案,新型高效鋁排提供了一種鋁制品和功率元器件新的接觸方案,擴寬了鋁制疊層母排的使用面,特別是解決了電動汽車電池系統(tǒng)中鋁母排和電芯之間搭接的安全性和使用壽命短的問題。銅和鋁的標(biāo)準電位相差很大,這兩種材料接觸會產(chǎn)生電位差,與空氣中的水份形成電化學(xué)腐蝕,長時間會加大母排和功率元器件的接觸電阻和接觸溫升。這種鋁母排表面增加高分子焊接鎳片可增強鋁母排和功率元器件的有效接觸,增加產(chǎn)品的使用壽命和性能,特別是在大功率、使用環(huán)境惡劣的產(chǎn)品中其優(yōu)勢更為明顯。

      附圖說明

      圖1 一種新型高效鋁排與電容和IGBT連接示意圖

      圖2 一種新型高效鋁排爆炸圖

      具體實施方式

      下面結(jié)合附圖1至附圖2和具體實施例對本實用新型進行詳細描述,但不作為對本實用新型的限定。

      目前,電動汽車電池系統(tǒng)中鋁母排和電芯之間搭接存在安全性和使用壽命短的問題。

      為解決這些技術(shù)問題,可在鋁母排表面增加高分子焊接鎳片來增強鋁母排和功率元器件的有效接觸,增加產(chǎn)品的使用壽命和性能,特別是在大功率、使用環(huán)境惡劣的產(chǎn)品中其優(yōu)勢更為明顯。

      實施例如下:

      實施例一

      如附圖1和2所示,其包括正極板1,負極板2,鎳片3、鎳環(huán)4和PET絕緣膜5。

      正極板1和負極板2由鋁制成。

      鎳片3分別設(shè)置在正極板1和負極板2的兩側(cè)端,可與電容6相連接。

      鎳環(huán)4分別設(shè)置正極板1和負極板2的中部,可與IGBT 7相連接;當(dāng)相層疊時,正極板1與負極板2上的鎳環(huán)4相層疊。

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。

      PET絕緣膜5分為4張,分別覆蓋在正極板1和負極板2的兩側(cè)。

      PET(Polyethylene terephthalate)即聚對苯二甲酸乙二醇酯,其在較寬的溫度范圍內(nèi)具有優(yōu)良的物理機械性能,長期使用溫度可達120℃,電絕緣性優(yōu)良。

      實施例二

      在實施例一的基礎(chǔ)上,如附圖2所示,鎳片3包括水平型鎳片31和垂直型鎳片32;正極板1或負極板2上的水平型鎳片31為2片,而垂直型鎳片32為3片。當(dāng)相層疊時,正極板1與負極板2上的鎳片不相層疊。

      實施例三

      在實施例一的基礎(chǔ)上,如附圖2所示,正極板1或負極板2上的鎳環(huán)4為6個,呈3排2列分布。鎳環(huán)4分為大環(huán)和小環(huán);當(dāng)相層疊時,正極板1上的大環(huán)對應(yīng)層疊的是負極板2上的小環(huán),而正極板1上的小環(huán)對應(yīng)層疊的是負極板2上的大環(huán)。

      由技術(shù)常識可知,本技術(shù)方案可以通過其它的不脫離其精神實質(zhì)或必要特征的實施方案來實現(xiàn)。因此,上述公開的實施方案,就各方面而言,都只是舉例說明,并不是僅有的。所有在本實用新型范圍內(nèi)或在等同于本實用新型的范圍內(nèi)的改變均被本實用新型包含。

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