本實用新型涉及一種顯示面板及具有其的顯示裝置，屬于平板顯示技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

顯示技術(shù)的種類較多，包括LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示)和OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發(fā)光二極管顯示)等。其中OLED顯示具有自發(fā)光、輕薄省電等優(yōu)點，還可基于柔性材料而制成柔性顯示裝置，可以被卷曲、折疊或者作為可穿戴設(shè)備的一部分。OLED是指利用有機半導(dǎo)體材料和發(fā)光材料在電場驅(qū)動下，通過載流子注入和復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光的二極管。OLED發(fā)光原理是用ITO透明電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極，在一定電壓驅(qū)動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子和空穴傳輸層，電子和空穴分別經(jīng)過電子和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)而發(fā)出可見光。

根據(jù)驅(qū)動方式的不同，OLED可分為PMOLED(Passive Matrix/Organic Light Emitting Diode，無源矩陣有機發(fā)光二極管)和AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，有源矩陣有機發(fā)光二極管)兩種，AMOLED具有更薄更輕、主動發(fā)光而不需要背光源、無視角問題、高清晰、高亮度、響應(yīng)快速、能耗低、使用溫度范圍廣、抗震能力強、可實現(xiàn)柔軟顯示等特點，其中不少特性是TFT液晶面板難以實現(xiàn)的，AMOLED如今已經(jīng)成為主流的OLED技術(shù)。

AMOLED顯示面板由多條掃描線SL、多條數(shù)據(jù)線DL和形成多行多列呈矩陣排列的多個像素單元等組成，每個像素單元內(nèi)設(shè)有用于驅(qū)動有機發(fā)光二極管發(fā)光的像素驅(qū)動電路，像素驅(qū)動電路的最基本結(jié)構(gòu)為2T1C型，如圖1所示，驅(qū)動晶體管T2連接到有機發(fā)光二極管OLED，以便提供發(fā)光用的電流，開關(guān)晶體管T1提供數(shù)據(jù)電壓V_data來控制驅(qū)動晶體管T2的電流量，在驅(qū)動晶體管T2的柵極與漏極之間連接有電容C，用于維持所提供的電壓一段預(yù)定的時間，開關(guān)晶體管T1的柵極連接到掃描線SL，并且源極連接到數(shù)據(jù)線DL，電源芯片提供ELVDD電壓經(jīng)驅(qū)動晶體管T2轉(zhuǎn)換成驅(qū)動電流至有機發(fā)光二極管OLED供其發(fā)光。

現(xiàn)有技術(shù)中，制作AMOLED顯示面板中的開關(guān)晶體管T1、驅(qū)動晶體管T2以及AMOLED顯示面板的周邊區(qū)域的驅(qū)動電路等的晶體管的主流類型包括非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管和氧化物半導(dǎo)體晶體管三種。此三種類型的薄膜晶體管各有特點，其中，非晶硅應(yīng)用最為廣泛，制程簡單、均勻性好，遷移率低；多晶硅制程復(fù)雜，遷移率高，均勻性不好；氧化物半導(dǎo)體均勻性好，制程簡單，成本高?，F(xiàn)有技術(shù)一般根據(jù)面板的顯示需求，選擇不同類別的薄膜晶體管制作。在AMOLED顯示面板的實際生產(chǎn)中，整塊基板一般采用同種薄膜晶體管，但此種制作方法不能滿足不同區(qū)域?qū)Ρ∧ぞw管的特性需求，造成了一定程度的特性缺失。隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，利用硅薄膜晶體管(非晶硅和多晶硅)和氧化物半導(dǎo)體晶體管相結(jié)合制作AMOLED顯示面板的像素驅(qū)動電路及周邊區(qū)域的驅(qū)動電路的技術(shù)越來越受到業(yè)內(nèi)的關(guān)注。但是采用硅薄膜晶體管和氧化物半導(dǎo)體晶體管的混合結(jié)構(gòu)，存在氧化物半導(dǎo)體晶體管中的柵極絕緣層過厚的問題，需要較大的驅(qū)動電壓，功耗較大；再有，硅薄膜晶體管的半導(dǎo)體層一般都會摻雜較高含量的氫，硅薄膜晶體管的半導(dǎo)體層中的摻雜的氫析出后會通過由SiNx材料制作的絕緣層等游離至其它位置，因此氧化物半導(dǎo)體晶體管的氧化物半導(dǎo)體層極易被從硅薄膜晶體管中滲出的氫摻雜而變成導(dǎo)體，進而導(dǎo)致氧化物半導(dǎo)體晶體管的性能失效。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種顯示面板，同時具有硅薄膜晶體管和氧化物半導(dǎo)體晶體管，并且提高了氧化物半導(dǎo)體晶體管的穩(wěn)定性能。

本實用新型實施例提供的顯示面板，具有設(shè)置在同一個像素單元內(nèi)的硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體晶體管以及多個絕緣層，所述硅薄膜晶體管包括硅薄膜半導(dǎo)體層、第一柵極、第一源極和第一漏極；所述氧化物半導(dǎo)體晶體管包括第二柵極、氧化物半導(dǎo)體層、第二源極和第二漏極，其中，所述顯示面板還包括氫犧牲層，所述氫犧牲層用于攔截游離至所述氧化物半導(dǎo)體晶體管的氧化物半導(dǎo)體層的氫。

進一步地，所述氫犧牲層對應(yīng)設(shè)置在所述氧化物半導(dǎo)體晶體管所在位置處的下方。

進一步地,所述氫犧牲層的材料為SiO_X或低氫非晶硅，厚度為至

進一步地，所述顯示面板包括基板以及設(shè)置在所述基板上的所述硅薄膜半導(dǎo)體層、第一絕緣層、所述氫犧牲層、第一金屬層、第二絕緣層、第三絕緣層、所述氧化物半導(dǎo)體層和第二金屬層；所述硅薄膜半導(dǎo)體層形成在所述基板上；所述第一絕緣層形成在所述基板上并覆蓋所述硅薄膜半導(dǎo)體層；所述氫犧牲層形成在所述第一絕緣層上并且與所述硅薄膜半導(dǎo)體層在垂直于所述基板方向上無重疊區(qū)域；所述第一金屬層形成在所述第一絕緣層和氫犧牲層上，包括所述第一柵極和所述第二柵極，所述第一柵極位于所述硅薄膜半導(dǎo)體層的正上方，所述第二柵極位于氫犧牲層的上方；所述第二絕緣層形成在所述第一絕緣層上并覆蓋所述第一柵極；所述第三絕緣層形成在所述基板上并覆蓋所述第二絕緣層、所述氫犧牲層和所述第二柵極；所述氧化物半導(dǎo)體層形成在所述第三絕緣層上并位于所述第二柵極的正上方；所述第二金屬層形成在所述第三絕緣層上。

進一步地，所述顯示面板具有位于所述硅薄膜半導(dǎo)體層上方的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔貫通所述第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層以將所述硅薄膜半導(dǎo)體層其中一端暴露出，所述第二通孔貫通第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層以將所述硅薄膜半導(dǎo)體層另一端暴露出；所述第二金屬層包括間隔設(shè)置的所述第一源極、所述第一漏極、所述第二源極和所述第二漏極，其中所述第一源極填入所述第一通孔與所述硅薄膜半導(dǎo)體層的接觸，所述第一漏極填入所述第二通孔與所述硅薄膜半導(dǎo)體層接觸；所述第二源極和所述第二漏極分別覆蓋部分的所述氧化物半導(dǎo)體層。

進一步地，所述第一金屬層還包括第一電容極板，所述第二金屬層還包括第二電容極板，所述第一電容極板位于所述硅薄膜晶體管和所述氧化物半導(dǎo)體晶體管之間并位于所述氫犧牲層的上方，所述第二電容極板位于所述第一電容極板的上方。

進一步地，所述第三絕緣層的材料為SiO_X或Al₂O₃，厚度為至

進一步地，還包括緩沖層，所述緩沖層形成在所述基板上，所述硅薄膜半導(dǎo)體層和所述第一絕緣層形成在所述緩沖層上。

進一步地，還包括平坦化層和位于所述平坦化層上的有機發(fā)光二極管。

本實用新型還提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板。

本實用新型的顯示面板，包括基板和設(shè)置在基板上的硅薄膜半導(dǎo)體層、第一絕緣層、氫犧牲層、第一金屬層、第二絕緣層、第三絕緣層、氧化物半導(dǎo)體層和第二金屬層；硅薄膜半導(dǎo)體層形成在基板上；第一絕緣層形成在基板上并覆蓋硅薄膜半導(dǎo)體層；氫犧牲層形成在第一絕緣層上并且與硅薄膜半導(dǎo)體層在垂直于基板方向上無重疊區(qū)域；第一金屬層形成在第一絕緣層和氫犧牲層上，包括第一柵極和第二柵極，第一柵極位于硅薄膜半導(dǎo)體層的正上方，第二柵極位于氫犧牲層的上方；第二絕緣層覆蓋第一柵極，但第二柵極周圍的第二絕緣層被蝕刻掉了；第三絕緣層覆蓋第二絕緣層、氫犧牲層以及氫犧牲層上的第二柵極；氧化物半導(dǎo)體層形成在第三絕緣層上并位于第二柵極的正上方；第二金屬層形成在第三絕緣層上。第二金屬層包括間隔設(shè)置的第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極。本實用新型的顯示面板由硅薄膜半導(dǎo)體層、第一柵極、第一源極和第一漏極形成硅薄膜晶體管；由第二柵極、氧化物半導(dǎo)體層、第二源極和第二漏極形成氧化物半導(dǎo)體晶體管，實現(xiàn)了硅薄膜晶體管和氧化物半導(dǎo)體晶體管兩種不同類型的晶體管應(yīng)用在顯示面板中，滿足不同區(qū)域?qū)w管的特征需示；同時，通過一層缺陷較多的氫犧牲層用于捕獲硅薄膜晶體管附近第一絕緣層中的氫以及從其它方向游離至氧化物半導(dǎo)體晶體管的所在位置處的氫，同時蝕刻掉氧化物半導(dǎo)體晶體管的第二柵極上方(氧化物半導(dǎo)體層下方)中的第二絕緣層，保護氧化物半導(dǎo)體層不會被氫摻雜而變成導(dǎo)體，提高了氧化物半導(dǎo)體晶體管的穩(wěn)定性能，進一步優(yōu)化和完善了顯示面板的性能。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有的具有2T1C結(jié)構(gòu)的AMOLED顯示面板的像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實用新型較佳實施例的顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本實用新型為達成預(yù)定實用新型目的所采取的技術(shù)方式及功效，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型的具體實施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。

本實用新型提供的顯示面板同樣具有如圖1所示的2T1C的基本結(jié)構(gòu)，即設(shè)置在同一個像素單元內(nèi)的硅薄膜晶體管10和氧化物半導(dǎo)體晶體管20，其中，由于硅薄膜晶體管10能提供相對的切換速度和良好的驅(qū)動電流而優(yōu)選用于制作開關(guān)晶體管，而氧化物半導(dǎo)體晶體管20具有低漏電流、高遷移率和高透過率等特點而優(yōu)選用于制作驅(qū)動晶體管。硅薄膜晶體管10可使用P溝道或N溝道設(shè)計制成，氧化物半導(dǎo)體晶體管20可使用N溝道設(shè)計制成，但并不以此為限。

以下對本實用新型提供的顯示面板作具體實施例說明。圖2是本實用新型較佳實施例的顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所繪示的顯示面板的硅薄膜晶體管10為頂柵結(jié)構(gòu)，氧化物半導(dǎo)體晶體管20為底柵結(jié)構(gòu)，但并不以此為限。其中，顯示面板包括基板101以及設(shè)置在基板101上的硅薄膜半導(dǎo)體層110、第一絕緣層120、氫犧牲層130、第一金屬層140、第二絕緣層150、第三絕緣層160、氧化物半導(dǎo)體層170和第二金屬層180。本實施例中，硅薄膜半導(dǎo)體層110形成在基板101上；第一絕緣層120形成在基板101上并覆蓋硅薄膜半導(dǎo)體層110；氫犧牲層130形成在第一絕緣層120上并且與硅薄膜半導(dǎo)體層110在垂直于基板101方向上無重疊區(qū)域；第一金屬層140形成在第一絕緣層120和氫犧牲層130上，包括第一柵極141和第二柵極142，第一柵極141位于硅薄膜半導(dǎo)體層110的正上方，第二柵極142位于氫犧牲層130的上方；第二絕緣層150形成在第一絕緣層120上并覆蓋第一柵極141，但第二絕緣層150未覆蓋第二柵極142；第三絕緣層160形成在基板101上并覆蓋第二絕緣層150、氫犧牲層130以及氫犧牲層130上的第二柵極142；氧化物半導(dǎo)體層170形成在第三絕緣層160上并位于第二柵極142的正上方；第二金屬層180形成在第三絕緣層160上，包括間隔設(shè)置的第一源極181、第一漏極182、第二源極183和第二漏極184，其中第一源極181通過貫穿第三絕緣層160、第二絕緣層150和第一絕緣層120的第一通孔201與硅薄膜半導(dǎo)體層110的一端接觸，第一漏極182通過貫穿第三絕緣層160、第二絕緣層150和第一絕緣層120的第二通孔202與硅薄膜半導(dǎo)體層110的另一端接觸，第二源極183與氧化物半導(dǎo)體層170的一端接觸，第二漏極184與氧化物半導(dǎo)體層170的另一端接觸。

具體的，基板101例如是玻璃基板、聚合物基板或金屬基板中的一種。本實施例中，基板101上還設(shè)有緩沖層102，緩沖層102例如是SiO_X、SiN_X、SiON_X、Al₂O₃中的一種或多種材料所形成的單層或多層結(jié)構(gòu)，緩沖層102可以使基板101的表面更平坦以及防止雜質(zhì)滲透等作用。

硅薄膜半導(dǎo)體層110形成在基板101上，本實施例中，硅薄膜半導(dǎo)體層110是形成在基板101的緩沖層102上的。硅薄膜半導(dǎo)體層110的材料例如是非晶硅或多晶硅中的一種，通過不同的摻雜工藝，使得硅薄膜半導(dǎo)體層110制作成P型溝道或N型溝道。

第一絕緣層120形成在基板101上的緩沖層102上并覆蓋硅薄膜半導(dǎo)體層110，第一絕緣層120例如是SiO_X、SiN_X、SiON_X中的一種或多種材料所形成的單層或多層結(jié)構(gòu)。

氫犧牲層130用于攔截游離至氧化物半導(dǎo)體晶體管20的氧化物半導(dǎo)體層170的氫，本實施例中，氫犧牲層130對應(yīng)設(shè)置在所述形成的氧化物半導(dǎo)體晶體管20所在位置處的下方，但并不以此為限。具體地，氫犧牲層130形成在第一絕緣層120上，氫犧牲層130位于后續(xù)形成的氧化物半導(dǎo)體層170的下方，且氫犧牲層130與硅薄膜半導(dǎo)體層110在垂直于基板101方向上無重疊區(qū)域，即氫犧牲層130未覆蓋硅薄膜半導(dǎo)體層110正上方及附近區(qū)域。氫犧牲層130的材料例如是低氫非晶硅材料或者是疏松的SiO_X，由缺陷較多的SiO_X材料形成的氫犧牲層130用于捕獲硅薄膜半導(dǎo)體層110附近區(qū)域的氫以及從其它方向游離至氧化物半導(dǎo)體晶體管20的所在位置處的氫，以防止過多的氫跑到后續(xù)形成的氧化物半導(dǎo)體層170中。其它實施例中，氫犧牲層130也可設(shè)置在任何能防止氫游離至氧化物半導(dǎo)體層170的位置，例如，環(huán)狀包圍所續(xù)形成的氧化物半導(dǎo)體晶體管20，在氧化物半導(dǎo)體晶體管20兩側(cè)設(shè)置條狀氫犧牲層130等，也即是說，任何設(shè)置有氫犧牲層130用于將氫攔截下來阻止其摻雜至氧化物半導(dǎo)體層170的技術(shù)方案均在本實用新型保護范圍內(nèi)，在此不一一窮舉具體實施例。

氫犧牲層130的厚度為至

第一金屬層140形成在第一絕緣層120上和氫犧牲層130上，第一金屬層的材料例如是Al、Ti、Mo、Ag、Cr或其合金中的一種或多種的組合，本實施例中優(yōu)選為Mo層。第一金屬層140包括第一柵極141和第二柵極142，第一柵極141位于硅薄膜半導(dǎo)體層110的正上方，第二柵極142位于氫犧牲層130上。

本實施例中，第一金屬層140還包括第一電容極板143，第一電容極板143位于氫犧牲層130上，但并不以此為限。

第二絕緣層150形成在基板101上并覆蓋第一金屬層140的第一柵極141，但第二絕緣層150未覆蓋第二柵極142，也即是說，在制作過程中，第二柵極142上方及周圍的第二絕緣層150被蝕刻掉了。第二絕緣層150的材料例如是SiN_X。由SiN_X材料制作的第二絕緣層150含有較多的氫，為防止氫擴散至后續(xù)形成的氧化物半導(dǎo)體層170而影響其性能，因而將要形成氧化物半導(dǎo)體層170的區(qū)域的第二絕緣層150蝕刻掉。

第三絕緣層160形成在基板101上并覆蓋第二絕緣層150、第二柵極142以及第二柵極142周圍露出的氫犧牲層130。第三絕緣層160的材料例如是SiO_X或Al₂O₃。本實施例中，第三絕緣層160的厚度為至

氧化物半導(dǎo)體層170形成第三絕緣層160上并位于第二柵極142的正上方。氧化物半導(dǎo)體層170的材料例如是In-Ga-Zn-O、ZnO、In-Zn-Sn-O、Sn-Ga-Zn-O、In-Zn-O、Zn-Sn-O、Ti-O中的一種。

顯示面板還具有第一通孔201和第二通孔202，第一通孔201和第二通孔202位于硅薄膜半導(dǎo)體層110的上方。第一通孔201貫通第一絕緣層120、第二絕緣層150和第三絕緣層160并暴露出硅薄膜半導(dǎo)體層110其中一端的摻雜區(qū)域，第二通孔202貫通第一絕緣層120、第二絕緣層150和第三絕緣層160并暴露出硅薄膜半導(dǎo)體層110另一端的摻雜區(qū)域。

第二金屬層180形成第三絕緣層160上，第二金屬層180包括間隔設(shè)置的第一源極181、第一漏極182、第二源極183和第二漏極184。其中，第一源極181填入第一通孔201內(nèi)與硅薄膜半導(dǎo)體層110其中一端接觸，第一漏極182填入第二通孔202內(nèi)與硅薄膜半導(dǎo)體層110另一端接觸。第二源極183和第二漏極184分別覆蓋氧化物半導(dǎo)體層170的兩側(cè)以使部分的氧化物半導(dǎo)體層170從第二源極183和第二漏極184之間暴露出來。第二金屬層180的材料例如是于Al、Ti、Mo、Ag、Cr或其合金中的一種或多種的組合。

本實施例中，第二金屬層180還包括第二電容極板185，第二電容極板185對應(yīng)設(shè)置在第一電容極板143的上方。

本實施例的顯示面板由硅薄膜半導(dǎo)體層110、第一柵極141、第一源極181和第一漏極182形成硅薄膜晶體管10；由第二柵極142、氧化物半導(dǎo)體層170、第二源極183和第二漏極184形成氧化物半導(dǎo)體晶體管20；由第一電容極板143和第二電容極板185形成電容30。由于氧化物半導(dǎo)體晶體管20的氧化物半導(dǎo)體層170和第二柵極142所在位置周圍的第二絕緣層150被蝕刻掉了，兩者之間只存在一層由SiO_X材料制作的第三絕緣層160，因此，氧化物半導(dǎo)體晶體管20不會因為柵極絕緣層過厚而需要增加驅(qū)動電壓，同時在第二柵極142的下方設(shè)置氫犧牲層130，氫犧牲層130用于捕獲硅薄膜晶體管10附近的第一絕緣層120中的氫，防止過多的氫跑到氧化物半導(dǎo)體層170中，保護氧化物半導(dǎo)體層170不被氫摻雜而變成導(dǎo)體，提高了氧化物半導(dǎo)體晶體管20的穩(wěn)定性能。

顯示面板還包括有機發(fā)光二極管40，有機發(fā)光二極管40包括第一電極410、有機發(fā)光層420和第二電極430。

具體地，請再參閱圖2，在基板101上的硅薄膜晶體管10和氧化物半導(dǎo)體晶體管20上方形成平坦化層310，平坦化層310覆蓋第二金屬層180、第三絕緣層160以及從第二源極183和第二漏極184之間露出的部分氧化物半導(dǎo)體層170。平坦化層310具有第三通孔311以使第二漏極184從平坦化層310中暴露出來。

第一電極410形成在平坦化層310上，第一電極410填入第三通孔311中與第二漏極184接觸實現(xiàn)電連接。第一電極410例如是有機發(fā)光二極管40的陽極。第一電極410的材料采用無機材料或有機導(dǎo)電聚合物。無機材料一般為氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)等金屬氧化物或金、銅、銀等功函數(shù)較高的金屬，優(yōu)選ITO；有機導(dǎo)電聚合物優(yōu)選為聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸鈉(PEDOT/PSS)、聚苯胺(PANI)中的一種。

形成像素界定層320用于將后述形成的有機發(fā)光層420間隔開來并密封在第一電極410和第二電極430之間。像素界定層320例如是聚酰亞胺等通過光刻或印刷制成。像素界定層320具有開口321，像素界定層320覆蓋第一電極410的四周邊緣部分，第一電極410的中間的部分從開口321露出。

有機發(fā)光層420形成在像素界定層320的開口321內(nèi)并覆蓋從開口321露出的部分第一電極410。有機發(fā)光層420一般包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的至少一層或多層結(jié)構(gòu)堆疊形成。有機發(fā)光層420的結(jié)構(gòu)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知技術(shù)，在此不再贅述。

第二電極層430形成在基板101上并覆蓋像素界定層320和有機發(fā)光層420，第二電極層430一般采用鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦等功函數(shù)較低的金屬或它們與銅、金、銀的合金，或金屬與金屬氟化物交替形成的電極層。第二電極430例如是有機發(fā)光二極管40的陰極。

本實用新型還涉及一種顯示裝置，其包括上述的顯示面板。

本實用新型的顯示面板，包括基板和設(shè)置在基板上的硅薄膜半導(dǎo)體層、第一絕緣層、氫犧牲層、第一金屬層、第二絕緣層、第三絕緣層、氧化物半導(dǎo)體層和第二金屬層；硅薄膜半導(dǎo)體層形成在基板上；第一絕緣層形成在基板上并覆蓋硅薄膜半導(dǎo)體層；氫犧牲層形成在第一絕緣層上并且與硅薄膜半導(dǎo)體層在垂直于基板方向上無重疊區(qū)域；第一金屬層形成在第一絕緣層和氫犧牲層上，包括第一柵極和第二柵極，第一柵極位于硅薄膜半導(dǎo)體層的正上方，第二柵極位于氫犧牲層的上方；第二絕緣層覆蓋第一柵極，但第二柵極周圍的第二絕緣層被蝕刻掉了；第三絕緣層覆蓋第二絕緣層、氫犧牲層以及氫犧牲層上的第二柵極；氧化物半導(dǎo)體層形成在第三絕緣層上并位于第二柵極的正上方；第二金屬層形成在第三絕緣層上。第二金屬層包括間隔設(shè)置的第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極。本實用新型的顯示面板由硅薄膜半導(dǎo)體層、第一柵極、第一源極和第一漏極形成硅薄膜晶體管；由第二柵極、氧化物半導(dǎo)體層、第二源極和第二漏極形成氧化物半導(dǎo)體晶體管，實現(xiàn)了硅薄膜晶體管和氧化物半導(dǎo)體晶體管兩種不同類型的晶體管應(yīng)用在顯示面板中，滿足不同區(qū)域?qū)w管的特征需示；同時，通過一層缺陷較多的氫犧牲層用于捕獲硅薄膜晶體管附近第一絕緣層中的氫以及從其它方向游離至氧化物半導(dǎo)體晶體管的所在位置處的氫，同時蝕刻掉氧化物半導(dǎo)體晶體管的第二柵極上方(氧化物半導(dǎo)體層下方)的中的第二絕緣層，保護氧化物半導(dǎo)體層不會被氫摻雜而變成導(dǎo)體，提高了氧化物半導(dǎo)體晶體管的穩(wěn)定性能，進一步優(yōu)化和完善了顯示面板的性能。

以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非對本實用新型作任何形式上的限制，雖然本實用新型已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本實用新型，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本實用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本實用新型技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本實用新型的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。