1.生長(zhǎng)在玻璃襯底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，包括生長(zhǎng)在玻璃襯底上的鋁金屬層，生長(zhǎng)在鋁金屬層上的銀金屬層，生長(zhǎng)在銀金屬層上的AlN緩沖層，生長(zhǎng)在AlN緩沖層上的GaN緩沖層，生長(zhǎng)在GaN緩沖層上的非摻雜GaN層，生長(zhǎng)在非摻雜GaN層上的InGaN/GaN多量子阱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在玻璃襯底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，所述鋁金屬層厚度為150～200μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在玻璃襯底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，所述銀金屬層的厚度為100～300nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在玻璃襯底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，所述AlN緩沖層的厚度為5～50nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在玻璃襯底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，所述GaN緩沖層的厚度為50～80nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在玻璃襯底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，所述非摻雜GaN層的厚度為200～300nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在玻璃襯底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，所述InGaN/GaN量子阱為7～10個(gè)周期的InGaN阱層/GaN壘層，其中InGaN阱層的厚度為2～3nm；GaN壘層的厚度為10～13nm。