本實用新型涉及半導體封裝技術領域，特別是一種基于硅轉接板的封裝結構。

背景技術：

半導體封裝結構中，除了單獨的芯片封裝形式外，常見的有多芯片模組的系統(tǒng)級封裝元件，即在一塊封裝基板上安裝許多數(shù)位芯片，并通過基板將這些元件連接在一起，然后再將基板和元件封裝成一體。系統(tǒng)級封裝結構包括2D封裝結構和2.5D封裝結構，其中2D封裝結構指的是封裝內的芯片都安裝在基板的單個平面內；2.5D封裝結構指的是在基板和芯片之間設置了一個轉接板，轉接板中設置有連接上表面金屬層和下表面金屬層的硅穿孔TSV，可大大提高封裝結構的容量和性能。

然而，目前2.5D封裝結構上貼裝的所有芯片都需要凸點結構，在轉接板上安裝時采用倒裝結構，不僅制作較為麻煩，而且可靠性較差。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型需要解決的技術問題是提供一種制作簡單、可靠性高的基于硅轉接板的三維封裝結構。

為解決上述技術問題，本實用新型所采取的技術方案如下。

一種基于硅轉接板的三維封裝結構，包括陶瓷基板和硅轉接板，所述陶瓷基板上端面的外周設置有環(huán)形臺階，硅轉接板位于陶瓷基板上環(huán)形臺階所圍合的凹槽內；所述硅轉接板的底端面上通過凸點結構倒裝下層芯片，硅轉接板所在的凹槽內填充有固定下層芯片和硅轉接板的填充膠層，所述硅轉接板的頂端面設置有焊盤，所述硅轉接板的焊盤與陶瓷基板臺階上的焊盤通過引線鍵合；所述陶瓷基板、硅轉接板以及引線通過設置在陶瓷基板上方的封蓋封裝。

上述一種基于硅轉接板的三維封裝結構，所述硅轉接板的頂端面上通過焊盤結構正裝上層芯片，所述上層芯片通過引線與陶瓷基板臺階上的焊盤或者硅轉接板上的焊盤鍵合；所述陶瓷基板、硅轉接板、上層芯片以及引線通過設置在陶瓷基板上方的封蓋封裝。

由于采用了以上技術方案，本實用新型所取得技術進步如下。

本實用新型制作簡單，能夠利用陶瓷基板實現(xiàn)多芯片高密度的三維封裝，同時還不會對陶瓷基板的線寬線距增加額外要求，易于實施，且可靠性大大提高。

附圖說明

圖1為實施例1的結構示意圖；

圖2為實施例2的結構示意圖；

圖3為實施例3的結構示意圖。

其中：1.陶瓷基板，2.硅轉接板，3.填充膠層，4.上層芯片，5.下層芯片，6.引線，7.蓋板，8.臺階。

具體實施方式

下面將結合附圖和具體實施例對本實用新型進行進一步詳細說明。

實施例1

一種基于硅轉接板的三維封裝結構，其結構如圖1所示，包括陶瓷基板1、硅轉接板2以及下層芯片5，陶瓷基板1上端面的外周設置有環(huán)形臺階8，環(huán)形臺階8上設置有焊盤。

硅轉接板2位于陶瓷基板1上環(huán)形臺階所圍合的凹槽內。硅轉接板2的底端面上通過凸點結構倒裝下層芯片5，硅轉接板2所在的凹槽內填充有固定下層芯片和硅轉接板的填充膠層3；硅轉接板2的頂端面上設置有焊盤，硅轉接板2通過引線與陶瓷基板臺階上的焊盤鍵合。

整個封裝結構通過設置在陶瓷基板上的蓋板7進行封帽工藝保護，采用此種方式可實現(xiàn)氣密封裝。

實施例2

一種基于硅轉接板的三維封裝結構，其結構如圖2所示，包括陶瓷基板1、硅轉接板2、上層芯片4以及下層芯片5，陶瓷基板1上端面的外周設置有環(huán)形臺階8，環(huán)形臺階8上設置有焊盤。

硅轉接板2位于陶瓷基板1上環(huán)形臺階所圍合的凹槽內。硅轉接板2的底端面上通過凸點結構倒裝下層芯片5，硅轉接板2所在的凹槽內填充有固定下層芯片和硅轉接板的填充膠層3；硅轉接板2的頂端面上通過焊盤結構正裝上層芯片4，上層芯片4和硅轉接板2均通過引線與陶瓷基板臺階上的焊盤鍵合。本實施例中，上層芯片4和硅轉接板2分別通過引線6與陶瓷基板臺階上的焊盤鍵合。

整個封裝結構通過設置在陶瓷基板上方的蓋板7進行封帽工藝保護，采用此種方式可實現(xiàn)氣密封裝。

實施例3

本實施例與實施例2的區(qū)別在于：上層芯片4通過引線與硅轉接板2頂端面上的焊盤鍵合，而硅轉接板2上端面的焊盤則另外通過引線與陶瓷基板臺階上的焊盤鍵合，如圖3所示。