本發(fā)明涉及高功率的半導(dǎo)體裝置的晶片金屬化，更具體地但是非排除性地涉及一種絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的晶片金屬化。

背景技術(shù)：

高功率裝置的芯片金屬化和互連的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)為鋁金屬和鋁線。然而，由于鋁的固有軟度，裝置的壽命和穩(wěn)定性幾乎達(dá)到其極限。對于當(dāng)前鋁線接合系統(tǒng)的穩(wěn)定性的進(jìn)一步顯著的改進(jìn)是困難的。

另外，線接合技術(shù)本身具有其他缺點：例如，由于接合線的電感和難以控制裝置上表面的溫度而導(dǎo)致的速度限制。因此，在一些先進(jìn)的包裝技術(shù)中，線接合已經(jīng)被其他技術(shù)替代。例如，在緊壓包裝技術(shù)中，功率芯片被直接地擠壓與某些力接觸。因此，該芯片在包裝時需要承受足夠的壓力。另一先進(jìn)的包裝概念是使用雙側(cè)銀燒結(jié)以使得芯片接觸上表面和下表面。再次，在燒結(jié)期間，除了需要完成對銀金屬的金屬化之外，顯著的壓力被施加在芯片上。

在包裝過程期間所施加的壓力對于半導(dǎo)體裝置的敏感區(qū)域可能是有害的。因此，本發(fā)明的目的是在包裝過程期間減小施加在半導(dǎo)體區(qū)域的敏感區(qū)域的壓力。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種用于高電流密度應(yīng)用的功率半導(dǎo)體裝置，所述裝置包括：

形成在彼此頂部之上的多個半導(dǎo)體區(qū)域；

形成在所述半導(dǎo)體區(qū)域之一的第一表面上方的接觸層，其中，所述接觸層包括置于與所述半導(dǎo)體區(qū)域之一的所述第一表面直接接觸的第一部分，和形成在絕緣區(qū)域上的第二部分，所述絕緣區(qū)域形成與所述半導(dǎo)體區(qū)域之一的所述第一表面直接接觸；

第一金屬層，至少部分地形成在所述接觸層的第二部分上；

第二金屬層，至少部分地形成在所述第一金屬層上，

其中，所述第一和第二金屬層以這樣的方式形成，所述接觸層的第一部分和所述接觸層的第二部分的至少一部分在所述功率半導(dǎo)體裝置的包裝過程期間不被加壓。

這里，高電流密度應(yīng)用指的是，在雙極功率裝置如igbt或者bjt中執(zhí)行大電流。因此，本發(fā)明可與雙極功率半導(dǎo)體裝置特別相關(guān)。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種金屬氧化物半導(dǎo)體mos柵極控制的功率半導(dǎo)體裝置，包括：

形成在彼此頂部之上的多個半導(dǎo)體區(qū)域；

形成在所述半導(dǎo)體區(qū)域之一的第一表面上方的接觸層，其中，所述接觸層包括置于與所述半導(dǎo)體區(qū)域之一的所述第一表面直接接觸的第一部分，和形成在絕緣區(qū)域上的第二部分，所述絕緣區(qū)域形成與所述半導(dǎo)體區(qū)域之一的所述第一表面直接接觸；

第一金屬層，至少部分地形成在所述接觸層的第二部分上；

第二金屬層，至少部分地形成在所述第一金屬層上，

其中，所述第一和第二金屬層以這樣的方式形成，所述接觸層的第一部分和所述接觸層的第二部分的至少一部分在所述功率半導(dǎo)體裝置的包裝過程期間不被加壓。

第一金屬層可以選自以下組中：鎳、金和鉑。優(yōu)選地，第一金屬層為鎳(ni)。第二金屬層可以選自以下組中：銀、金和銅。優(yōu)選地，第二金屬層可以為銀(ag)。為了使得功率裝置芯片承受更大的壓力，在原來的鋁層上添加其他金屬。例如，ni和ag層可容易電鍍到現(xiàn)存的鋁層中。ni層的優(yōu)點在于，相較于大約70gpa的鋁，其機(jī)械上非常硬，具有大約200gpa的楊氏模量。因此，大多數(shù)壓力將由ni層產(chǎn)生，其在壓力下不可能壓扁并且弄平，并且有效地保護(hù)下面的敏感的半導(dǎo)體模具。應(yīng)理解，可以使用機(jī)械上堅硬的任何金屬來替代ni。在頂部上的銀層因為多種原因是有利的。首先，銀為耐氧化的貴重金屬。其次，銀為軟金屬，具有絕佳的導(dǎo)電性，因此，適用于通過直接擠壓(壓包)而制造良好的歐姆觸頭。第三，銀還可以用于銀燒結(jié)或者銀焊接以形成堅固接合，其可以在高溫(>175℃)下操作，具有提高的穩(wěn)定性和延長壽命。因此，在現(xiàn)存的鋁的頂部上的ni和ag鍍層的組合將在很大程度上提高經(jīng)受高壓應(yīng)用的芯片的期望，例如壓包或者銀燒結(jié)。而且，兩種金屬通過標(biāo)準(zhǔn)的電鍍或者無電鍍膜而容易在現(xiàn)存的鋁層上生長。可以理解，可以使用任何其他具有良好導(dǎo)電性的材料來替代銀。

所述第一和第二金屬層可以形成以提供凹部，所述凹部由所述接觸層的第一部分、所述接觸層的第二部分的至少一部分、以及第一和第二金屬層的高度限定。所述凹部可填充有空氣或者氣體。所述凹部可呈現(xiàn)為中空袋，其保護(hù)敏感區(qū)域免受在壓包或者銀燒結(jié)包裝工藝中施加的任何壓力。所述凹部被配置，使得在所述接觸層的第一部分和所述接觸層的第二部分的至少一部分上不施加壓力，其在所述半導(dǎo)體區(qū)域之一的第一表面中的溝道區(qū)域上。

所述功率半導(dǎo)體裝置還包括形成在接觸金屬層的第一部分和接觸層的第二部分上的至少一部分上的介電層。這些區(qū)域為敏感的，因此介電層將保護(hù)這些區(qū)域免受在包裝過程期間施加的壓力。在該情況下，凹部或者中空袋形成在介電層的頂部上，因為其可以防止第一金屬和第二金屬沉積在介電層的頂部上。而且，凹部或中空袋形成在接觸層的第一部分上并且至少部分地形成在接觸層的第二部分上，從而壓力被施加在這些區(qū)域上。應(yīng)理解，接觸層的其上形成有凹部的第二部分的至少一部分為接觸層的第一部分的鄰近部。通過比較，接觸層的其上形成有ni和ag層的第二部分的至少一部分遠(yuǎn)離接觸層的第一部分，其與半導(dǎo)體區(qū)域直接接觸。

所述介電層的高度可以為大約1μm。所述第一和第二金屬層中的每一者的高度可以為大約5μm。應(yīng)理解，這些層的高度可以改變。

功率半導(dǎo)體裝置還可以包括形成在所述半導(dǎo)體區(qū)域之一的第一表面上的絕緣區(qū)域上形成的柵極母線金屬層。所述柵極母線層可被配置成連接形成在所述半導(dǎo)體區(qū)域之一的第一表面中的溝道區(qū)域。柵極母線區(qū)域為敏感區(qū)域，其需要保護(hù)免受包裝工藝中施加的壓力。

功率半導(dǎo)體裝置還包括形成在所述柵極母線金屬層上的介電層。

所述第一和第二金屬層可形成以提供另一凹部，所述凹部由所述柵極母線金屬層上的介電層的表面、以及第一和第二金屬層的高度限定。所述另一凹部可被配置成不在柵極母線金屬層上施加任何壓力。

功率半導(dǎo)體裝置還可包括形成在半導(dǎo)體區(qū)域之一的第二表面上的第二接觸層，其中，所述第二表面可位于與所述半導(dǎo)體區(qū)域之一的第一表面相對的端部處。

所述第一金屬層可形成在第二接觸層上，而第二金屬層形成在第一金屬層上。

功率半導(dǎo)體裝置還可包括形成在第二金屬層上的第一外部金屬層，其形成在所述半導(dǎo)體區(qū)域之一的第一表面上。功率半導(dǎo)體裝置還可包括形成在第二金屬層上的第二外部金屬層，其形成在所述半導(dǎo)體區(qū)域之一的第二表面上。

所述第一外部金屬層和所述第二外部金屬層可包括含鉬材料。所述第一外部金屬層和所述第二外部金屬層可為鍍銀的。鍍銀協(xié)助接觸層并且減小了接觸阻力。

所述第一外部金屬層和所述第二外部金屬層可通過施加大約20kn的壓力而形成。所述第一外部金屬層和所述第二外部金屬層可通過使用壓包包裝技術(shù)而形成。

所述第一外部金屬層可包括含有銀的材料，在所述半導(dǎo)體區(qū)域的第一表面上的所述第二外部金屬層可包括含有銀的材料。所述第二外部金屬層可包括含有銀的材料，在所述半導(dǎo)體區(qū)域的第二表面上的所述第一外部金屬層可包括含有銀的材料。這些材料的組合可特別地適用于銀燒結(jié)工藝。

所述第一外部金屬層和所述第二外部金屬層至少之一可通過使用銀燒結(jié)包裝技術(shù)而形成在各個第二金屬層上。通過施加大約4kn的壓力并且通過施加預(yù)定溫度，所述第一外部金屬層和所述第二外部金屬層中的至少之一可形成在各個第二金屬層上。所述第一外部金屬層和所述第二外部金屬層可與基底接合。

銀燒結(jié)工藝的優(yōu)點在于多次折疊：首先，提高多的穩(wěn)定性和延長的預(yù)期壽命，因為當(dāng)前的鋁線接合是弱點；其次，減小的電阻將提高切換速度和模塊性能；第三，將消除由于來自接合線的焦耳加熱(也被稱為電阻加熱)的損失。

所述第一和第二金屬層可利用電鍍技術(shù)形成。

所述第一和第二金屬層可利用無電鍍膜技術(shù)形成。無電鍍膜技術(shù)的主要的優(yōu)點在于，其在存在的金屬接觸區(qū)域的頂部上選擇金屬生長/沉積。其在之前不存在金屬層(種子層)的區(qū)域中不生長。因此，通過將該區(qū)域簡單地覆蓋有介電層，很容易阻止金屬在任何區(qū)域中的沉積。同樣，同時在頂部和底部表面上可以無電鍍膜，很大程度上簡化了制造工藝。

所述裝置可以為絕緣柵雙極型晶體管(igbt)。所述igbt可為平面柵極igbt或者溝槽柵極igbt。

所述功率裝置可為金屬氧化物柵場效應(yīng)晶體管(mosfet)。

所述功率裝置可為雙極結(jié)型晶體管(bjt)。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造mos柵極控制的功率半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括：

在彼此頂部之上形成多個半導(dǎo)體區(qū)域；

在所述半導(dǎo)體區(qū)域之一的第一表面上方形成接觸層，其中，所述接觸層包括置于與所述半導(dǎo)體區(qū)域之一的所述第一表面直接接觸的第一部分，和形成在絕緣區(qū)域上的第二部分，所述絕緣區(qū)域形成與所述半導(dǎo)體區(qū)域之一的所述第一表面直接接觸；

形成第一金屬層，至少部分地形成在所述接觸層的第二部分上；

形成第二金屬層，至少部分地形成在所述第一金屬層上，

其中，所述第一和第二金屬層以這樣的方式形成，所述接觸層的第一部分和所述接觸層的第二部分的至少一部分在所述功率半導(dǎo)體裝置的包裝過程期間不被加壓。

形成所述第一和第二金屬層可包括提供凹部，所述凹部由所述接觸層的第一部分、所述接觸層的第二部分的至少一部分、以及第一和第二金屬層的高度限定。

所述方法可以還包括在接觸金屬層的第一部分和接觸層的第二部分上的至少一部分上形成介電層。

所述方法可以還包括在所述半導(dǎo)體區(qū)域之一的第一表面上的絕緣區(qū)域上形成柵極母線金屬層。所述柵極母線層可以連接形成在所述半導(dǎo)體區(qū)域之一的第一表面中的溝道區(qū)域。

所述方法可以還包括在所述柵極母線金屬層上形成介電層。

形成所述第一和第二金屬層可以還包括提供另一凹部，所述凹部由所述柵極母線金屬層上的介電層的第一表面、以及第一和第二金屬層的高度限定。

所述方法還可包括在半導(dǎo)體區(qū)域之一的第二表面上形成第二接觸層，其中，所述第二表面可位于與所述半導(dǎo)體區(qū)域之一的第一表面相對的端部處。

所述方法還可包括所述第一金屬層形成在第二表面上的第二接觸層上，而第二金屬層形成在第一金屬層上。

所述第一金屬層可選自以下組中：鎳、金和鉑。

所述第二金屬層可選自以下組中：銀、金和銅。

所述第一和第二金屬層可通過使用電鍍技術(shù)而形成。

所述第一和第二金屬層可利用無電鍍膜技術(shù)形成。

利用壓包、雙側(cè)銀燒結(jié)、雙側(cè)焊接技術(shù)可包裝所述功率半導(dǎo)體裝置。

附圖說明

從下文中的詳盡說明并且從附圖中將更完全地理解本發(fā)明，然而，其不應(yīng)當(dāng)被視為將本發(fā)明限制到示出的具體實施方式，而是僅僅出于闡述和理解的需要。

圖1a示出了現(xiàn)有技術(shù)的功率半導(dǎo)體裝置的示意性截面圖；

圖1b示出了根據(jù)本發(fā)明的功率半導(dǎo)體裝置的示意性截面圖；

圖2a示出了平面柵極豎直igbt的示意性截面圖；

圖2b示出了圖2a的igbt的示意性截面圖，其中，隨后的金屬層形成在非敏感區(qū)域中；

圖2c示出了溝槽柵極igbt的示意性截面圖；

圖3示出了壓包包裝的示意性截面圖，其中，壓力在下面沒有敏感接觸的區(qū)域上產(chǎn)生；

圖4示出了用于雙側(cè)銀燒結(jié)包裝的示意圖；以及

圖5示出了銀燒結(jié)接合的截面圖的實例。

具體實施方式

圖1a示出了現(xiàn)有技術(shù)的功率半導(dǎo)體裝置的示意性截面圖。該裝置包括活性硅區(qū)域101。鋁接觸層103形成在裝置的第一表面或者前部頂端表面上。三金屬接觸層105沉積在裝置的第二表面或者后部底端表面上。證實的是，該結(jié)構(gòu)可能具有來自以下幾者的負(fù)面的影響：在壓包中施加的壓力、雙側(cè)銀燒結(jié)或者雙側(cè)焊接包裝工藝。

圖1b示出了根據(jù)本發(fā)明的功率半導(dǎo)體裝置的示意性截面圖。在一個實施方案中，鎳(ni)層107形成在前端(或者第一)表面上的鋁層103上，而銀層109形成在前端表面上的鎳層107上。在后端(第二)表面上，鎳層107還沉積在鋁接觸層103上，然后，銀層109沉積在鎳層107上。由于這兩層沉積在鋁接觸層(在前端表面和后端表面)103上，活性半導(dǎo)體區(qū)域101可以承受來自包裝工藝的更大的壓力。該結(jié)構(gòu)更合適于壓包、雙側(cè)銀燒結(jié)或者雙側(cè)焊接包裝工藝。

圖2a示出了平面柵極豎直igbt200的示意性截面圖。裝置200包括活性半導(dǎo)體區(qū)域201，p型本體203區(qū)域形成在區(qū)域201中。高摻雜的n+類型的區(qū)域205形成在p型本體區(qū)域203內(nèi)部。柵極氧化物(sio2)或者絕緣材料209形成在該裝置的第一表面或者前部的頂端表面上。多晶硅211層形成在柵極氧化物209上，并且另一氧化物層213形成在多晶硅211層上。發(fā)射體金屬207形成，其中，發(fā)射體金屬層(或者接觸層)207的第一部分與p型本體203直接接觸，金屬觸頭207的第二部分在柵極氧化物209和多晶硅211層上。柵極母線217(其為金屬觸頭)形成在多晶硅211層上，從而柵極母線217連接到柵極區(qū)域。在igbt裝置中，頂部發(fā)射體金屬的大部分在氧化物層(sio2)209,213的頂部上，而非與半導(dǎo)體層203直接接觸，并且它們提供了通過例如金屬線接合而與外部電路容易連接。另一方面，有這樣的區(qū)域(例如，發(fā)射體層207的第一部分)，在該區(qū)域中，頂部發(fā)射體金屬與半導(dǎo)體203直接接觸，例如，柵極母線217和發(fā)射體區(qū)域207的第一部分，而且這些區(qū)域?qū)τ谕獠繅毫γ舾?。在該實施方案中，發(fā)射體層207的第一部分(其與半導(dǎo)體區(qū)域203直接接觸)和發(fā)射體金屬207的第二部分的一部分(其恰好在溝道區(qū)域204上方)被覆蓋以在這些區(qū)域上形成介電層215。發(fā)射體金屬207的第二部分的一部分位置恰好鄰近于發(fā)射體金屬207的第一部分。發(fā)射體層207的第二部分的該部分恰好在溝道區(qū)域之上。另一介電層217也形成在柵極母線217上。因此，所有敏感區(qū)域(例如，柵極母線217和發(fā)射體207)由介電層(例如，sio2)215,217覆蓋?？拷吘壗K端的區(qū)域也被介電層215,217覆蓋，以避免任何潛在的并發(fā)情況。

圖2b示出了圖2a的igbt的示意性截面圖，其中，隨后的金屬層形成在非敏感區(qū)域上。圖2b的很多特征與圖2a相同，并因此賦予相同的附圖標(biāo)記，除了在圖2b中，ni層230和ag層235形成在鋁(頂部和底部)表面的頂端和低端表面上。在頂端表面上，ni層230和ag235形成在接觸層207的第二部分的一部分上，其遠(yuǎn)離/離開發(fā)射體接觸層207的第一部分。因此，施加在裝置上的壓力產(chǎn)生在下面沒有敏感區(qū)域的區(qū)域上，即，壓力產(chǎn)生在發(fā)射體層207的第二部分中，其遠(yuǎn)離溝道區(qū)域204和發(fā)射體層207接觸半導(dǎo)體區(qū)域203的區(qū)域中。

在一個實施方案中，介電層的通常高度大約1um，但是電鍍的ni和ag層230,235的通常高度分別為大約5um，因此提供了大約9um的高度階梯/高度差。高度階梯形成了空袋或者凹部，在隨后的壓包組裝期間其填充有空氣或者氣體。這些空袋或者凹部保護(hù)敏感區(qū)域免受在壓包中施加的任何壓力或者在銀燒結(jié)包裝工藝中的壓力。

圖2c示出了溝槽柵極igbt的示意性截面圖。溝槽柵極igbt的很多特征與圖2b的igbt的相同，除了在igbt結(jié)構(gòu)中有溝槽類型柵極280配置。柵極氧化物圍繞溝槽，其為裝置的敏感區(qū)域。溝槽區(qū)域需要被保護(hù)免受壓力，并且因此，凹部或者空袋也形成在溝槽柵極上。

圖3為壓包包裝的示意性截面圖，其中，壓力產(chǎn)生在下面不具有敏感接觸的區(qū)域中。圖3的很多特征與針對圖2a和圖2b示出并且描述的那些特征相同，除了外部金屬層240形成在功率半導(dǎo)體裝置的前表面和后表面中的ag層235上。用于壓包的外部金屬層240通常為鉬(moly)。鉬和銀之間的接觸依賴于所施加的足夠的壓力。通常大約20kn或者更高的壓力施加在壓包包裝中。盡管一定數(shù)目的模具包括在每一包裝內(nèi)部，因此在單個模具上的壓力可能是小于20kn。然而，由于在壓包包裝內(nèi)部的極和模具之間的可能高度差，一些模具可能比其他經(jīng)受更高的壓力。通常來說，對于該包裝，每一模具應(yīng)當(dāng)能夠承受完全的負(fù)載(20kn)，并且所提出的布局應(yīng)當(dāng)能夠做到。同樣，外部金屬(鉬)也可以鍍銀以協(xié)助接觸并且減小接觸電阻。

圖4示出了雙側(cè)銀燒結(jié)包裝的示意圖。圖4的很多特征與圖3相同，除了使用ag糊層250與ag金屬層235在前端表面和后端表面中接合。ag糊250用于接合到基底255。銀燒結(jié)接頭260形成在ag糊250和ag金屬層235之間。

所提出的通過另外的金屬而在頂端表面和底端表面上的金屬化不僅用于上述的壓包包裝(圖3中)，而且用在銀燒結(jié)工藝中。銀燒結(jié)為在高功率模塊制造中出現(xiàn)的技術(shù)，其用于將半導(dǎo)體芯片接合到基底上。其為在壓力和溫度下的銀到銀的接合。圖5示出了該接合的截面圖的示例。

盡管在圖5中存在一些孔501，該接合是驟然的，并且比通常的燒結(jié)接合更穩(wěn)定。然而，在該燒結(jié)工藝中施加顯著的壓力(每一模具，通常4kn)。因此，由于前述原因，該結(jié)構(gòu)應(yīng)該能夠提高產(chǎn)品收率，甚至如果僅僅在底側(cè)上燒結(jié)(或者在裝置的第二表面處)。

功率半導(dǎo)體裝置還可用于雙側(cè)燒結(jié)(頂部和底部)。雙側(cè)銀燒結(jié)為新出現(xiàn)的包裝概念，其中，當(dāng)前的鋁線接合以將芯片的頂部連接到基底被芯片和另一基底電路之間的直接銀接合替代。其優(yōu)點是多次折疊：首先，大有提高的穩(wěn)定性和預(yù)期壽命，因為當(dāng)前的鋁線接合是弱點；其次，減小的電阻將提高切換速度和模塊性能；第三，將消除由于來自接合線的焦耳加熱(也被稱為電阻加熱)的損失。

焦耳加熱與電流、線電阻和時間成比例(q∝i²rt)。盡管電阻r小(通常每15密耳的鋁接合線，大約0.05ω)，但是由于在操作中使用大電流(例如，每一模塊1500a)，由于從單獨的接合線中的焦耳加熱可以為幾百watt每模塊。通過銀燒結(jié)替代接合線可以消除由接合線引起的焦耳加熱損失。

接合線還感應(yīng)出電感，通常稱為雜散電感。通常的鋁接合線的自我感應(yīng)計算為例如大約19nh。已經(jīng)示出了，通過以下公式(el(芯片)＝(lxi²)/2)，雜散電感可以引起能量損失，其中l(wèi)為雜散電感，以及i為通過該電感的電流。該公式通常應(yīng)用于離散組件。對于具有大數(shù)目(n)的并聯(lián)芯片的模塊，用于電感能量(每一芯片)的公式以如下給出：

el(芯片)＝el(模塊)/n＝lx(nxi²)/2xn＝nxlxi²/2

因此，在具有一定數(shù)目的芯片(n)的大模塊內(nèi)部，每一芯片的感應(yīng)損失與離散的裝置相比顯著增大。用頂側(cè)銀燒結(jié)替代al線接合將避免由al線引起的電感，并且顯著地減少每一芯片的總的電感，因此減少每一芯片的能量損失。

除了前述的消除由al線接合引起的電阻加熱和引起的電感損失的益處，雙側(cè)銀燒結(jié)、焊接或者壓包包裝將能夠控制通過兩個表面的熱能。鋁線的熱電阻很大，因此，當(dāng)前主要通過底部表面執(zhí)行溫度控制。雙側(cè)銀燒結(jié)/焊接包裝將提供一種通過兩個表面的熱管理的方式。由于活性區(qū)域接近于頂部表面，因此，通過頂部表面的溫度控制將更有效。

盡管上述描述主要描述了作為功率半導(dǎo)體裝置的igbt的用途，但是應(yīng)理解，其他類型的豎直功率半導(dǎo)體裝置也可以應(yīng)用在本發(fā)明中。例如，豎直功率mosfet可以使用在本發(fā)明中提出的金屬化層。mosfet為單極裝置，因此其不具有在底端表面中的噴射器。可以理解，豎直雙極結(jié)型晶體管(bjt)還可以應(yīng)用在本發(fā)明中。本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠識別豎直bjt的敏感區(qū)域并且在頂部接觸金屬層的頂部上生長另外的金屬層，以形成空隙或者凹部，其可能降低在包裝過程期間的壓力。

本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在前述說明和所附權(quán)利要求中，位置術(shù)語諸如“上方”，“下方”，“前”，“后”，“豎直”，“下方”等參考了半導(dǎo)體裝置的概念圖示，例如，顯示了標(biāo)準(zhǔn)截面透視圖和在附圖中示出的那些概念圖示。這些術(shù)語用于方便參考，但不旨在限制特征。因此，這些術(shù)語被理解為當(dāng)處于如附圖所示的方向中時的半導(dǎo)體裝置。

盡管針對前面提出的優(yōu)選實施方式已經(jīng)描述了本發(fā)明，但是，應(yīng)當(dāng)理解的是，這些實施方式僅僅是示意性的，而且權(quán)利要求書不限于這些實施方式。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將能夠參考公開而進(jìn)行修改和變型，其被視為落入所附的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。在本說明書中公開或者示出的每一特征可以并入到本發(fā)明中，無論單獨地或者與本文中公開或者示出的任何其他特征任何合適的組合。