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      光提取效率得到提高的發(fā)光元件的制作方法

      文檔序號(hào):11334525閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

      技術(shù)特征:

      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明公開(kāi)發(fā)光元件。發(fā)光元件包括:發(fā)光結(jié)構(gòu)體,包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的有源層;第一接觸電極,與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層歐姆接觸;第二接觸電極,位于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上;以及絕緣層,位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體上,使所述第一接觸電極以及第二接觸電極絕緣,其中,所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體具有非極性或者半極性的生長(zhǎng)面,所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的上表面包括非極性或者半極性面,所述第二接觸電極包括與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層歐姆接觸的導(dǎo)電性氧化物層以及位于所述導(dǎo)電性氧化物層上的反射電極層。

      技術(shù)研發(fā)人員:張鍾敏;柳宗均;金多慧;金材憲;裵善敏;林栽熙
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:首爾偉傲世有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:2016.01.28
      技術(shù)公布日:2017.10.13
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