本描述的實施例一般涉及微電子裝置的領(lǐng)域，并且，更具體地涉及微電子結(jié)構(gòu)，該微電子結(jié)構(gòu)包括允許將微電子結(jié)構(gòu)附連到各種基板的微電子互連適配器。

背景技術(shù)：

隨著微電子裝置正變得越來越小，將微電子裝置制造成可穿戴式微電子系統(tǒng)的能力正變得普遍?？纱┐魇轿㈦娮酉到y(tǒng)有望成為用于醫(yī)療應(yīng)用以及用于使物聯(lián)網(wǎng)（“iot”，即將小型識別裝置配備到多個物體，該小型識別裝置可與互聯(lián)網(wǎng)連接以相互連網(wǎng)和通信）得以實現(xiàn)的常見產(chǎn)品。

為了封裝這種可穿戴式裝置，將會需要一方面是增強的集成密度（例如系統(tǒng)級封裝件（sip））和另一方面是增強的尺寸減?。ɡ玳L度（x）、寬度（y）和高度（z）尺寸）。減小長度和寬度是重要的，以便減小微電子封裝件所安裝到的印刷電路板或模塊上所需的表面積。減小高度不僅對于尺寸減小是重要的，而且對于在柔性印刷電路板上或稍微彎曲的印刷電路板上組裝封裝件的彎曲/柔性是重要的。這種彎曲/柔性能夠通過使用內(nèi)部具有非常薄的微電子切片的薄微電子封裝件來實現(xiàn)。這些薄微電子封裝件可被安裝在柔性印刷電路板上，然后可稍微彎曲該柔性印刷電路板以納入到模塊或框槽（chase）中。然而，常見的微電子封裝件，例如扇出晶圓級封裝件（fowlp）、晶圓級芯片規(guī)模封裝件（wlcsp）或倒裝芯片（fc）封裝件，即使被極薄化，也僅具有非常有限的彎曲柔性。另外，微電子封裝件和其中的微電子切片的極薄化減小了其機械穩(wěn)定性。此外，由于其晶體結(jié)構(gòu)上的不對稱機械應(yīng)力，微電子切片（例如硅基切片）的彎曲對性能可具有負面影響。依據(jù)彎曲方向，微電子切片中所形成的集成電路系統(tǒng)(例如晶體管)的性能可被減小例如多達大約20%。這可導(dǎo)致在被彎曲微電子切片內(nèi)的集成電路系統(tǒng)的性能的顯著不均勻性，這可要求重新設(shè)計其中的集成電路系統(tǒng)。

還另外，對于高度彎曲印刷電路板(例如管形表面、臺階表面、90°z方向角或用于橋接目的)，不適合對微電子封裝件進行彎曲。雖然這些問題中的一些可通過印刷電子技術(shù)來解決，但這些有機基裝置仍遭受低下的電氣性能。

因此，存在對于用在可穿戴式微電子系統(tǒng)中時不要求彎曲的微電子封裝件設(shè)計的需要。

附圖說明

本公開的主題在說明書的結(jié)束部分中被特別指出并明確要求保護。采取與附圖相配合，從以下描述和所附權(quán)利要求，本公開的前述和其他特征將會變得更加充分顯而易見?？梢岳斫飧綀D只描繪了根據(jù)本公開的若干實施例，以及因此不會被認為是對其的范圍的限制。通過對附圖的使用，將以額外的特性和細節(jié)來描述本公開，使得能夠更容易地確定本公開的優(yōu)勢，其中：

圖1圖示了根據(jù)本描述的實施例的、被附連到具有基本平坦表面和非平坦表面的互連適配器的微電子封裝件的截面圖，其中互連從平坦表面延伸到非平坦表面。

圖2至6圖示了根據(jù)本描述的實施例的、被附連到微電子基板的互連適配器的各種配置的截面圖。

圖7至16圖示了根據(jù)本描述的一個實施例的、制造圖1的微電子構(gòu)件的過程的截面圖。

圖17圖示了根據(jù)本描述的實施例的、制造微電子構(gòu)件的過程的流程圖。

圖18圖示了按照本描述的一個實現(xiàn)的計算裝置。

具體實施方式

在以下詳細描述中，參考了通過圖示的方式示出其中可實施所要求保護主題的具體實施例的附圖。這些實施例被充分詳細地描述以使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵤┰撝黝}。將理解各種實施例雖然不同，也不一定是相互排斥的。例如，結(jié)合一個實施例的本文所描述的特定的特征、結(jié)構(gòu)或特點，可在不背離所要求保護的主題的精神和范圍的情況下在其他實施例內(nèi)被實現(xiàn)。這個說明書內(nèi)對“一個實施例”或“實施例”的引用，意味著本描述內(nèi)所涵蓋的至少一個實現(xiàn)中包括結(jié)合該實施例所描述的特定的特征、結(jié)構(gòu)或特點。因此，短語“一個實施例”或“在實施例中”的使用不一定指同一實施例。并且，將理解在不背離所要求保護的主題的精神和范圍的情況下，可修改每個所公開實施例內(nèi)的單獨元件的位置和布置。因此，下面的詳細描述將不被認為是限制性的，并且主題的范圍僅由所附權(quán)利要求來限定，連同被賦予所附權(quán)利要求的等效物的全部范疇一起適當?shù)貋斫忉?。在附圖中，相同標號指的是遍布若干視圖的相同或相似的元件或功能，并且其中所描述的那個元件不一定與另一個成比例，相反可放大或減小單獨元件以便更容易地理解在本描述的上下文中的元件。

本文所使用的術(shù)語“上”、“到”、“之間”和“之上”指的是一個層相對于其他層的相對位置。一個層在另一個層或在另一個層“上”、“之上”或者接合“到”另一個層可以是直接與另一個層接觸或可具有一個或多個介于中間的層。一個層在層“之間”可以是直接與層接觸或可具有一個或多個介于中間的層。

本描述的實施例可包括具有基本平坦表面和非平坦表面的互連適配器，微電子封裝件可被電附連到該平坦表面，其中至少一個互連從互連適配器平坦表面延伸到互連適配器非平坦表面?？蓪⒒ミB適配器非平坦表面成形為基本符合其可被附連到的微電子基板的形狀，這消除了彎曲的需要或以其他方式適配微電子封裝件以符合微電子基板的需要。

圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的微電子構(gòu)件100。如圖1中所示，可將微電子封裝件110附連到互連適配器130?；ミB適配器130可包含具有基本平坦表面134和非平坦表面136的互連適配器主體132，微電子封裝件110被電附連到基本平坦表面134，其中至少一個導(dǎo)電互連140從互連適配器主體平坦表面134延伸到互連適配器主體非平坦表面136。

如圖1中所示，微電子封裝件110可包含例如微處理器、芯片組、圖形裝置、無線裝置、存儲器裝置、專用集成電路或諸如此類的被電附連到內(nèi)建層120或中介層或的第一表面122的微電子裝置112。密封劑材料114可密封微電子裝置112并且鄰接中介層/內(nèi)建層第一表面122的一部分。借助在中介層/內(nèi)建層120的第二表面126所形成的對應(yīng)模仿微電子封裝件接合墊124，可將中介層/內(nèi)建層120在互連適配器主體平坦表面134電附連到互連140。通過延伸穿過中介層/內(nèi)建層120的傳導(dǎo)路徑（如虛線128所示），可將微電子封裝件接合墊124電連接到微電子裝置112內(nèi)的集成電路系統(tǒng)（未示出）。

因為微電子封裝件110被安裝到互連適配器平坦表面134，微電子封裝件110將保持平坦并且不需要對微電子封裝件110進行彎曲或以其他方式變形。所以，如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的，雖然微電子封裝件110在圖1中被圖示為扇出型晶圓級封裝件（fowlp），如將要討論的，也能夠使用任何適當?shù)姆庋b技術(shù)。

互連適配器130可具有在互連適配器主體非平坦表面136所形成的至少一個接合墊138，其中每個接合墊138與對應(yīng)互連140電接觸。圖1中作為焊料球所圖示的連接器142可形成在互連適配器接合墊138的每個之上。

互連適配器主體132可以是任何適當?shù)摹⒒緞傂缘碾娊橘|(zhì)材料?；ミB140、互連適配器接合墊138以及微電子封裝件接合墊124可由任何適當?shù)膫鲗?dǎo)材料來形成，該傳導(dǎo)材料包括但不限于金屬和金屬合金，例如銅、銀、金、鎳以及其合金。密封劑材料114可以是任何適當?shù)拿芊獠牧?，該密封材料包括但不限于硅石填充環(huán)氧化物和樹脂。在一個實施例中，中介層/內(nèi)建層120可由電介質(zhì)材料（未示出）的多個層而形成，該電介質(zhì)材料包括但不限于例如二氧化硅（sio2）、氮氧化硅（sioxny）、以及氮化硅（si3n4）和碳化硅（sic）、液晶聚合物、環(huán)氧樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、聚酰亞胺材料及諸如此類?？尚纬蓚鲗?dǎo)路徑128以在電介質(zhì)材料層（未示出）之間和穿過電介質(zhì)材料層（未示出）而延伸并且可由任何適當?shù)膫鲗?dǎo)材料制成，該傳導(dǎo)材料包括但不限于銅、銀、金、鎳以及其合金。形成微電子封裝件110及其構(gòu)件所使用的過程是所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知的，并且為了簡短和簡潔，在本文中將不會描述和圖示該過程。

圖2至6圖示了通過連接器142電連接到各種微電子基板150的微電子構(gòu)件100的各種實施例。微電子基板150可包含任何適當?shù)碾娊橘|(zhì)材料，該電介質(zhì)材料包括但不限于液晶聚合物、環(huán)氧樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、fr4、聚酰亞胺材料及諸如此類，并且該微電子基板150可包括在其中和/或其上所形成的傳導(dǎo)路徑（未示出）以形成在微電子基板150內(nèi)的、在微電子構(gòu)件100之間的、和/或與額外外部構(gòu)件（未示出）的任何期望的電氣路徑。形成微電子基板150所使用的過程是所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知的，并且為了簡短和簡潔，在本文中將不會描述和圖示該過程。如圖2至6中所圖示，微電子基板150可具有各種形狀，其中互連適配器130配置成適應(yīng)微電子基板150的形狀。

如圖2中所示，微電子構(gòu)件1001、1002可分別具有互連適配器1301、1302，該互連適配器1301、1302分別包括弧形的或弓形的互連適配器主體非平坦表面1361、1362。在上部微電子構(gòu)件1001中，互連適配器主體弓形表面1361相對于互連適配器主體平坦表面1341可基本呈凸形，使得可將它附連到管形或球形微電子基板1501的內(nèi)表面152。在下部微電子構(gòu)件1002中，互連適配器主體弓形表面1362相對于互連適配器主體平坦表面1342可基本呈凹形，使得可將它附連到管形或球形微電子基板1501的外表面154。

如圖3中所示，微電子構(gòu)件1003、1004兩者可分別具有互連適配器1303、1304，該互連適配器1303、1304分別包括互連適配器主體非平坦表面1363、1364，該互連適配器主體非平坦表面1363、1364包含兩個會聚平坦表面136a和136b。在上部微電子構(gòu)件1003中，可使會聚平坦表面136a和136b彼此形成銳角a1，使得可將它們附連到基本l形微電子基板1502的內(nèi)表面156。在下部微電子構(gòu)件1004中，可使會聚平坦表面136a和136b彼此形成鈍角a2，使得可將它們附連到基本l形微電子基板1502的外表面158。

如圖4中所示，微電子構(gòu)件1005可具有包括互連適配器主體非平坦表面1365的互連適配器1305，該互連適配器主體非平坦表面1365包含彼此平行非平坦（例如在不同平行面上）的兩個平坦表面136a和136b以及在兩個平坦表面136a和136b之間的連接表面136c。這樣的配置可允許用作微電子構(gòu)件1005到微電子基板1503的電附連，該微電子基板1503具有基本模仿互連適配器主體非平坦表面1365的臺階表面162。如圖5中所示，微電子基板1504不需要具有用于圖4中所示出的非平坦表面1365的臺階表面162（參見圖4）待使用。相反，可將有源或無源的次微電子裝置170的有源表面172電附連到平坦微電子基板1504，其中通過例如穿硅通孔（未示出）可將互連適配器1305的一個平坦表面136a電連接到微電子基板1504并且可將互連適配器1305的其他平坦表面136b電連接到次微電子裝置170的背表面174。

如圖6中所示，微電子構(gòu)件1006可具有互連適配器1306，該互連適配器1306包括互連適配器主體非平坦表面1366，該互連適配器主體非平坦表面1366包含至少一個平坦表面1368以及延伸至互連適配器1306中的凹部138，使得凹部138能夠跨越微電子裝置170。

如能夠在圖2至6中所見，本描述的實施例可允許微電子構(gòu)件100附連到彎曲或非平坦基板150而不需要對其中的微電子封裝件110和微電子裝置112彎曲/施加應(yīng)力。微電子構(gòu)件100可允許在當前沒有安置可能的位置處附連到微電子基板150，這可減小作為整體的所產(chǎn)生的系統(tǒng)或模塊的形狀因素（例如大?。┎⑶以试S用于在小型管或者例如環(huán)或鐲子的可穿戴式物體內(nèi)的附連。另外，本描述的實施例可不要求任何微電子封裝件或微電子管芯減薄，如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的，這可導(dǎo)致由于機械應(yīng)力的性能下降。因此，可以使用具有例如系統(tǒng)級封裝件（sip）、層疊封裝件（pop）、三維堆疊及諸如此類的許多特征的、如扇出晶圓級封裝件（fowlp）（圖1至6中所圖示）、晶圓級芯片規(guī)模封裝件（wlcsp）、倒裝芯片（fc）封裝件、四方扁平無引腳（qfn）封裝件、雙平面無引線（dfn）封裝件及諸如此類的標準的高性能封裝技術(shù)。

圖7至16圖示制造圖1中所圖示的微電子構(gòu)件100的一個實施例。如圖7中所示，可形成其中具有至少一個凹部212的模制框槽（moldchase）210。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的，模制框槽凹部212可具有互連適配器非平坦表面136的所需的形狀的陰模（參見圖1）。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以理解模制框槽凹部212的配置和數(shù)量可由所使用的封裝件主體技術(shù)、例如面板、晶圓、條狀及諸如此類來確定。如圖7中進一步所示，液體電介質(zhì)模制復(fù)合物220可沉積入模制框槽凹部212并填充模制框槽凹部212。一旦被填充，通過例如跨模制框槽210所牽拉（箭頭224）的移除工具或刮板222可移除多余的電介質(zhì)模制復(fù)合物220以形成如圖8中所示的互連適配器平坦表面134。如圖9中所示，可固化或部分固化電介質(zhì)模制復(fù)合物220（參見圖8）以形成互連適配器130的互連適配器主體132并且可將微電子封裝件110附連到互連適配器主體平坦表面134，這可以在從模制框槽210移除電介質(zhì)模制復(fù)合物220之前或之后發(fā)生（參見圖7和8）。雖然在圖7和圖8中圖示了模制過程，可以理解能夠?qū)⒋髩K電介質(zhì)材料機械拋光、激光燒蝕或諸如此類以形成互連適配器主體132，或者，能夠在三維打印過程或諸如此類中來制造連接器間適配器主體132。

在互連適配器主體132形成之后，如圖10所示可形成至少一個通孔226以從互連適配器主體非平坦表面136延伸到互連適配器主體平坦表面134。其中，每個微電子封裝件接合墊124的一部分可被暴露。在一個實施例中，通過激光鉆孔可形成通孔226。激光鉆孔的使用可導(dǎo)致對通孔226的無錐度或非常低的錐度并且可導(dǎo)致通孔226具有大約20μm至25μm之間的直徑，這與在互連適配器主體非平坦表面136到互連適配器主體平坦表面134的距離無關(guān)。如果將使用非電解鍍敷過程以形成互連140（參見圖1），在所暴露的每個微電子封裝件接合墊124的部分、通孔226的側(cè)壁以及互連適配器主體非平坦表面136之上，可以例如通過濺射沉積或非電解鍍敷來形成種子層（未示出）。

在形成通孔226（參見圖10）之后，如圖11中所示可以例如通過旋涂非共形地或如圖12中所示例如通過噴涂共形地在互連適配器主體非平坦表面136上形成抗蝕劑材料層232。在一個實施例中，抗蝕劑厚度可介于大約50μm至100μm之間。如圖13中所示，穿過抗蝕劑材料層232至通孔226可形成開口234，并且可以例如通過光刻法和/或激光鉆孔來移除通孔226內(nèi)的材料。在一個實施例中，負色調(diào)抗蝕劑材料層232可被用于允許從通孔226的移除。

如圖14中所示，通孔226（參見圖13）內(nèi)可形成互連140。在一個實施例中，可通過采用非電解鍍敷過程（如關(guān)于圖10所討論的，在通孔226形成后將沉積種子層（未示出））填充通孔226（參見圖13）而形成互連140。如圖14中所示，鍍敷過程可導(dǎo)致與它們各自的互連140集成的互連適配器接合墊138的形成。在一個實施例中，互連140可由任何合適的金屬來形成。在具體實施例中，互連140可由銅來形成。在另一個實施例中，對于具有約20μm至25μm之間的直徑的通孔226(參見圖13)，鍍敷材料的厚度應(yīng)該在約15μm至20μm之間，以填充通孔226(參見圖13)。如圖14中進一步所示，在互連件140和互連適配器接合墊138形成之后，在每個互連適配器接合墊138上可形成下凸塊金屬化結(jié)構(gòu)144(例如鎳阻擋層和錫/銀潤濕層)。如圖14中又進一步示出的，在每個下凸塊金屬化結(jié)構(gòu)144上可沉積焊料材料242。焊料材料242可以是任何合適的材料，包括但不限于鉛/錫合金(例如63%錫/37%鉛焊料)、高錫含量合金(例如90%或更多錫，例如錫/鉍、共晶錫/銀、三元錫/銀/銅、共晶錫/銅以及類似合金)。

如圖15所示，可移除抗蝕劑材料層232(參見圖14)以及任何剩余種子層材料(未示出)。如圖16中所示，焊料材料242(參見圖15)可被回流(加熱)以形成連接器142(例如焊料球)和所得到的微電子構(gòu)件100。可以理解，如果同時并整體形成多個微電子構(gòu)件100，在形成連接器142之后，它們將例如通過機械切割被單分。

可以理解，可使用類似的過程方法來形成不同形狀的互連適配器主體非平坦表面136，還可以理解，過程調(diào)整可能是必要的。

圖17是按照本描述的實施例的制造柔性微電子系統(tǒng)的過程300的流程圖。如框302中所闡述，可以形成具有基本平坦表面和非平坦表面的互連適配器主體?？蓪⑽㈦娮臃庋b件附連到互連適配器主體平坦表面，如框304中所闡述，其中微電子封裝件包括接觸互連適配器主體平坦表面的至少一個接合墊。如框306中所闡述，至少一個通孔可從互連適配器主體非平坦表面延伸到互連適配器主體平坦表面來形成，其中至少一個通孔暴露至少一個微電子封裝件接合墊的至少一部分。如框308中所闡述，可用傳導(dǎo)材料填充至少一個通孔以形成穿過互連適配器主體的至少一個互連。

圖18圖示了按照本描述的一個實施方式的計算裝置400。計算裝置400容納板402。板可包括多個微電子構(gòu)件，包括但不限于處理器404、至少一個通信芯片406a、406b、易失性存儲器408(例如dram)、非易失性存儲器410(例如rom)、閃速存儲器412、圖形處理器或cpu414、數(shù)字信號處理器(未示出)、密碼處理器(未示出)、芯片組416、天線、顯示器(觸摸屏顯示器)、觸摸屏控制器、電池、音頻編解碼器(未示出)、視頻編解碼器(未示出)、功率放大器(amp)、全球定位系統(tǒng)(gps)裝置、指南針、加速度計(未示出)、陀螺儀(未示出)、揚聲器(未示出)、攝像頭和大容量存儲裝置(未示出)(例如硬盤驅(qū)動器、光盤(cd)、數(shù)字多功能盤(dvd)等)。微電子構(gòu)件的任一個都可物理地和電地被附連到板402。在一些實施例中，微電子構(gòu)件的至少一個可以是處理器404的一部分。

所述通信芯片使得無線通信能夠用于向/從計算裝置轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)。術(shù)語“無線”及其派生詞可被用于描述可經(jīng)由非固態(tài)介質(zhì)，通過使用經(jīng)調(diào)制電磁輻射來傳遞數(shù)據(jù)的電路、裝置、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等。該術(shù)語并不意味著相關(guān)聯(lián)的裝置不含有任何電線，盡管在一些實施例中它們可能不含有任何電線。通信芯片可實現(xiàn)多種無線標準或協(xié)議中的任一種，包括但不限于wi-fi(ieee802.11族)、wimax(ieee802.16族)、ieee802.20、長期演進(lte)、ev-do、hspa+、hsdpa+、hsupa+、edge、gsm、gprs、cdma、tdma、dect、藍牙、及其派生物，以及被指定為3g、4g、5g及往后的其他無線協(xié)議。計算裝置可包括多個通信芯片。例如，第一通信芯片可被專用于較短距離無線通信(例如wi-fi和藍牙)并且第二通信芯片可被專用于較長距離無線通信(例如gps、edge、gprs、cdma、wimax、lte、ev-do及其他)。

術(shù)語“處理器”可指處理來自寄存器和/或存儲器的電子數(shù)據(jù)以將那種電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成可被存儲在寄存器和/或存儲器中的其它電子數(shù)據(jù)的任何裝置或裝置的部分。

計算設(shè)備400內(nèi)的微電子構(gòu)件的任一個可包括具有如上所述的互連適配器的微電子結(jié)構(gòu)。

在各種實現(xiàn)中，計算裝置可以是膝上型計算機、上網(wǎng)本、筆記本型計算機、超級本、智能手機、平板、個人數(shù)字助理(pda)、超移動pc、移動電話、桌上型計算機、服務(wù)器、打印機、掃描儀、監(jiān)視器、機頂盒、娛樂控制單元、數(shù)碼相機、便攜式音樂播放器或數(shù)字視頻錄像機。在進一步的實現(xiàn)中，計算裝置可以是處理數(shù)據(jù)的任何其它電子裝置。

可以理解，本描述的主題不一定限于圖1-18中所圖示的具體應(yīng)用。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的，主題可被應(yīng)用于其它微電子裝置和組件應(yīng)用，以及任何適當電子應(yīng)用。

以下示例涉及進一步的實施例。示例中的細節(jié)可在一個或多個實施例中的任何地方來使用。

在示例1中，微電子構(gòu)件可包含：具有基本平坦表面和非平坦表面的互連適配器，其中至少一個導(dǎo)電互連從平坦表面延伸到非平坦表面。

在示例2中，示例1的主題能夠任選地包括：非平坦表面包含弓形表面。

在示例3中，示例2的主題能夠任選地包括：弓形非平坦表面相對于所述平坦表面呈凹形。

在示例4中，示例2的主題能夠任選地包括：弓形非平坦表面相對于所述平坦表面呈凸形。

在示例5中，示例1的主題能夠任選地包括：非平坦表面包含至少兩個平坦表面。

在示例6中，示例5的主題能夠任選地包括：至少兩個平坦表面之間形成銳角。

在示例7中，示例5的主題能夠任選地包括：至少兩個平坦表面之間形成鈍角。

在示例8中，示例5的主題能夠任選地包括：至少兩個平坦表面處于彼此平行非平坦配置。

在示例9中，示例1的主題能夠任選地包括：被附連到互連適配器平坦表面的微電子封裝件。

在示例10中，一種制造微電子結(jié)構(gòu)的方法可包含：形成具有基本平坦表面和非平坦表面的互連適配器主體；將微電子封裝件附連到互連適配器主體平坦表面，其中該微電子封裝件包括接觸互連適配器主體平坦表面的至少一個接合墊；形成從互連適配器主體非平坦表面延伸到互連適配器主體平坦主體的至少一個通孔，其中該至少一個通孔暴露至少一個微電子封裝件接合墊的至少一部分；以及用傳導(dǎo)材料填充至少一個通孔以形成穿過互連適配器主體的至少一個互連。

在示例11中，示例10的主題能夠任選地包括：形成互連適配器主體包含模制互連適配器主體。

在示例12中，示例10的主題能夠任選地包括：形成至少一個通孔包含激光鉆孔從互連適配器主體非平坦表面延伸到互連適配器主體平坦主體的至少一個通孔。

在示例13中，示例10的主題能夠任選地包括：用傳導(dǎo)材料填充至少一個通孔包含在至少一個通孔中鍍敷金屬以形成穿過互連適配器主體的至少一個互連。

在示例14中，示例13的主題能夠任選地包括：在至少一個通孔中鍍敷金屬包含在至少一個通孔中鍍敷銅。

在示例15中，示例10至14中任一個的主題能夠任選地包括：形成互連適配器主體包含形成具有基本平坦表面和非平坦表面的互連適配器主體，其中該非平坦表面包含至少兩個平坦表面。

在示例16中，示例15的主題能夠任選地包括：弓形非平坦表面相對于平坦表面呈凹形。

在示例17中，示例15的主題能夠任選地包括：弓形非平坦表面相對于平坦表面呈凸形

在示例18中，示例10至14中任一個的主題能夠任選地包括：形成互連適配器主體包含形成具有基本平坦表面和非平坦表面的互連適配器主體，其中該非平坦表面包含至少兩個平坦表面。

在示例19中，示例18的主題能夠任選地包括：至少兩個平坦表面之間形成銳角。

在示例20中，示例18的主題能夠任選地包括：至少兩個平坦表面之間形成鈍角。

在示例21中，示例18的主題能夠任選地包括：至少兩個平坦表面處于彼此平行非平坦配置。

在示例22中，電子系統(tǒng)可包含板以及微電子構(gòu)件，該微電子構(gòu)件包括：互連適配器，具有基本平坦表面和非平坦表面，其中至少一個導(dǎo)電互連從平坦表面延伸到非平坦表面；以及微電子封裝件，被附連到互連適配器平坦表面；其中通過從互連適配器非平坦表面延伸的連接器將微電子構(gòu)件電附連到板。

在示例23中，示例22的主題能夠任選地包括：非平坦表面包含弓形表面。

在示例24中，示例23的主題能夠任選地包括：弓形非平坦表面相對于平坦表面呈凹形。

在示例25中，示例23的主題能夠任選地包括：弓形非平坦表面相對于平坦表面呈凸形。

在示例26中，示例22的主題能夠任選地包括：非平坦表面包含至少兩個平坦表面。

在示例27中，示例26的主題能夠任選地包括：至少兩個平坦表面之間形成銳角。

在示例28中，示例26的主題能夠任選地包括：至少兩個平坦表面之間形成鈍角。

在示例29中，示例26的主題能夠任選地包括：兩個平坦表面處于彼此平行非平坦配置。

如此對本描述的實施例進行了詳細描述，可以理解，由所附權(quán)利要求來限定的本描述不受上面描述中所闡述的特定細節(jié)的限制，在不脫離本描述的精神或范圍的情況下，本描述的許多明顯變化是可能的。