本發(fā)明涉及向基板供給處理液來進行處理的基板處理裝置。

背景技術：

一直以來，在半導體基板(以下，簡稱為“基板”。)的制造工序中，對基板實施各種處理。例如，通過在表面上形成有抗蝕劑的圖案的基板上，從噴嘴噴出藥液，對基板的表面進行蝕刻等藥液處理。

在日本國特許第5030767號公報(文獻1)的基板處理裝置中，噴出處理液的噴嘴與處理液供給管連接，在處理液供給管設置有對向噴嘴供給處理液及停止向噴嘴供給處理液進行切換的處理液閥。另外，處理液吸引管從處理液供給管上的分支位置分支，與吸引單元連接。然后，由于處理液閥關閉后吸引單元動作，因此處理液供給管內的處理液被吸引而被排除。該基板處理裝置中，在設定于上述的分支位置和噴嘴之間的液面檢測位置，設置有檢測處理液供給管內的處理液頂端面的液面?zhèn)鞲衅?。當由吸引單元吸引處理液后，在液面檢測位置檢測到處理液頂端面時，判斷處理液閥產生了泄漏故障。作為液面?zhèn)鞲衅?，可以使用光學地檢測處理液的光學傳感器、用超聲波檢測處理液的超聲波傳感器或檢測液面檢測位置附近的靜電容量的變化的靜電容量傳感器。

在日本國特開2004-20231號公報(文獻2)的藥液濃度測量裝置中，在半導體清洗線的流過清洗藥液的配管上設置有一對電極。一對電極從設置于該配管的外壁的貫通孔插入到配管內，使用焊接于配管的貫通接頭安裝于配管。在該藥液濃度測量裝置中，測量電極間的導電率，基于導電率和清洗藥液中的氫氟酸濃度的相關關系，求出清洗藥液中的氟酸濃度。

但是，在文獻1的基板處理裝置中，在液面檢測位置的處理液供給管的內表面附著微量的液滴而殘留的情況下，存在將該液滴錯誤檢測為處理液頂端面，從而對實際上沒有發(fā)生的泄漏故障錯誤地判斷為發(fā)生了泄漏故障的可能性。相反，即使在產生了泄漏故障的情況下，當處理液頂端面位于液面檢測位置的前側時，存在檢測不到泄漏故障的產生的可能性。

在該基板處理裝置中，將光學傳感器用作液面?zhèn)鞲衅鞯那闆r下，從發(fā)光元件出射的光，透過半透明的處理液供給管內被受光元件接收。該情況下，當處理液供給管內存在高溫的處理液的蒸汽或處理液中的氣泡時，不容易高精度地識別處理液是否存在。另外，在處理液供給管隨時間變化等而變色的情況下，存在檢測精度下降的可能性。另一方面，將超聲波傳感器或靜電容量傳感器用作液面?zhèn)鞲衅鞯那闆r下，液面?zhèn)鞲衅髦苯影惭b于處理液供給管。因此，在使用高于傳感器的耐熱溫度(例如，約70度)的高溫的處理液的情況等，存在不能將液面?zhèn)鞲衅靼惭b于處理液供給管的可能性。

在文獻2的藥液濃度測量裝置中，由于配管中插入一對電極，因此有可能阻礙配管內的清洗藥液的流動。另外，由于需要在配管的外壁設置貫通孔并安裝電極，因此配管及其周圍的結構復雜化。而且，由于安裝一對電極的藥液濃度的測量位置不能容易變更，因此只要清洗藥液沒有到達該測量位置，就不能測量藥液濃度。

技術實現要素：

本發(fā)明面向向基板供給處理液來進行處理的基板處理裝置，其目的在于，提高確認管路內是否存在處理液或者處理液的種類的精度。

本發(fā)明的基板處理裝置具備：基板保持部，其保持基板；以及管路，處理液能夠通過該管路，在該管路上設置有確認是否存在處理液或者處理液的種類的確認部，上述確認部具備：檢查管路，其是上述管路的至少一部分，具有在內周面上沿著長度方向或周向交替地配置的多個導電部和多個絕緣部；導電率獲取部，其與上述多個導電部中的至少兩個導電部電連接，獲取上述至少兩個導電部之間的導電率；以及判斷部，其基于由上述導電率獲取部獲取到的導電率，判斷在上述檢查管路內是否存在處理液或者上述檢查管路內的處理液的種類。根據該基板處理裝置，能夠提高確認管路內是否存在處理液或處理液的種類的精度。

在本發(fā)明的一優(yōu)選的實施方式中，形成上述檢查管路的主要材料是樹脂，上述多個導電部是導電性樹脂。

更優(yōu)選，上述多個絕緣部由四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物形成，上述多個導電部由添加了碳的四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物形成。

在本發(fā)明的另一優(yōu)選的實施方式中，上述多個導電部及上述多個絕緣部沿周向配置，在上述檢查管路的上述內周面上分別沿著長度方向延伸。

更優(yōu)選，上述多個導電部及上述多個絕緣部各自的周向的寬度相同，上述至少兩個導電部是隔著上述檢查管路的中心軸相互相向的兩個導電部。

或者，上述至少兩個導電部是三個以上的導電部，由上述導電率獲取部獲取上述三個以上的導電部中的在周向上鄰接的每兩個導電部之間的導電率。

在本發(fā)明的另一優(yōu)選的實施方式中，還具備：噴嘴，其與上述管路連接，并向上述基板噴出處理液；供給控制部，其設置在上述管路上，對從處理液供給源向上述噴嘴供給處理液及停止從處理液供給源向上述噴嘴供給處理液進行切換；分支管路，其在上述供給控制部和上述噴嘴之間的分支點從上述管路分支；以及吸引部，其與上述分支管路連接，吸引上述管路內的處理液；上述檢查管路設置在上述管路上并位于上述供給控制部和上述噴嘴之間，上述判斷部判斷上述檢查管路內是否存在處理液。

更優(yōu)選，上述檢查管路沿著重力方向延伸。

在本發(fā)明的另一優(yōu)選的實施方式中，上述檢查管路沿著上述管路的上述供給控制部和上述噴嘴之間的全長設置。

在本發(fā)明的另一優(yōu)選的實施方式中，還具備：吸引控制部，其設置在上述分支管路上，對由上述吸引部吸引處理液及停止由上述吸引部吸引處理液進行切換，與上述確認部具有同樣的結構的另一確認部，其設置在上述分支管路上并位于上述吸引控制部和上述分支點之間，確認是否存在處理液。

上述的目的和其他目的、特征、方式以及優(yōu)點通過以下參照附圖進行的本發(fā)明的詳細說明就變得更加清楚。

附圖說明

圖1是表示一實施方式的基板處理裝置的結構的圖。

圖2是表示處理液供給部的結構的圖。

圖3是表示檢查管路的一部分的立體圖。

圖4是表示確認部的結構的圖。

圖5是表示基板的處理的流程圖。

圖6是表示處理液供給部的結構的另一例的圖。

圖7是表示確認部的結構的圖。

圖8是表示確認部的另一結構的圖。

圖9是表示另一處理液供給部的結構的圖。

圖10是表示另一處理液供給部的結構的圖。

圖11是表示檢查管路的一部分的縱向剖視圖。

具體實施方式

圖1是表示本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置1的結構的圖?；逄幚硌b置1是一張一張地處理半導體基板9(以下，簡稱為“基板9”。)的單張式裝置?；逄幚硌b置1向基板9供給處理液來進行處理。圖1中用截面表示基板處理裝置1的結構的一部分。處理液例如是用于基板9的藥液處理的藥液(聚合物去除液和蝕刻液等)，或者，是用于基板9的清洗處理的清洗液(純水中溶解有碳酸的碳酸水等)。

基板處理裝置1具備殼體11、基板保持部31、基板旋轉機構35、杯部4、處理液供給部6。殼體11容納基板保持部31及杯部4等。圖1中用虛線表示殼體11。

基板保持部31是以朝向上下方向的中心軸j1為中心的大致圓板狀的構件，配置于水平狀態(tài)的基板9的下方?；灞３植?1保持基板9?；逍D機構35配置于基板保持部31的下方?；逍D機構35以中心軸j1為中心使基板9與基板保持部31一起旋轉。

杯部4是以中心軸j1為中心的環(huán)狀的構件，配置于基板9及基板保持部31的徑向外側。杯部4在整周覆蓋基板9及基板保持部31的周圍，接收從基板9向周圍飛散的處理液等。杯部4的底部設置有省略圖示的排出口。由杯部4接收的處理液等，經由該排出口向杯部4及殼體11的外部排出。

圖2是表示處理液供給部6的結構的圖。處理液供給部6具備噴嘴61、處理液管路62、供給閥63、分支管路64、吸引部65、吸引閥66。處理液管路62是處理液能夠通過內部的管路。處理液管路62除下述的檢查管路671之外由樹脂等絕緣體形成。處理液管路62與處理液供給源60連接。噴嘴61位于基板9的中央部的上方。噴嘴61與處理液管路62連接。圖2所示的例子中，處理液管路62從噴嘴61向上方沿著重力方向延伸，在噴嘴61的上方折返向下方延伸，而且，沿著水平方向延伸與供給閥63連接。噴嘴61向基板9的上表面91噴出從處理液供給源60經由處理液管路62供給的處理液。噴嘴61例如由樹脂形成。

供給閥63在噴嘴61和處理液供給源60之間設置在處理液管路62上。供給閥63是對從處理液供給源60向噴嘴61的處理液的供給及停止(即，停止供給處理液)進行切換的供給控制部。供給閥63還可以控制從處理液供給源60向噴嘴61供給的處理液的流量。具體來講，通過關閉供給閥63，停止從噴嘴61噴出處理液，通過打開供給閥63，從噴嘴61噴出處理液。另外，通過調整供給閥63的開度，調整來自噴嘴61的處理液的噴出量(即，流過處理液管路62的處理液的流量)。供給閥63例如由樹脂形成。流過處理液管路62的處理液的流量，由設置在處理液管路62上的流量計621測量。

分支管路64在供給閥63和噴嘴61之間的分支點640從處理液管路62分支。分支管路64與處理液管路62的檢查管路671以外的部位同樣地，由樹脂等絕緣體形成。分支管路64與吸引部65連接。吸引部65經由分支管路64吸引處理液管路62內的處理液。吸引閥66在分支點640和吸引部65之間設置在分支管路64上。吸引閥66是對由吸引部65的處理液的吸引及停止(即，停止吸引處理液)進行切換的吸引控制部。吸引閥66例如由樹脂形成。

處理液管路62設置有確認部67。確認部67確認處理液管路62中是否存在處理液，或者，處理液管路62內的處理液的種類。確認部67具備檢查管路671、導電率獲取部672、判斷部673。檢查管路671是將處理液供給源60和噴嘴61連接的處理液管路62的至少一部分。圖2中用粗實線表示檢查管路671。圖2所示的例子中，檢查管路671是處理液管路62的一部分，沿著重力方向延伸。具體來講，檢查管路671在噴嘴61和供給閥63之間設置在處理液管路62上，從噴嘴61朝向供給閥63向上方延伸。更詳細地講，檢查管路671設置于噴嘴61和處理液管路62的上述的折返點之間，從噴嘴61朝向該折返點向上方延伸。

圖3是表示檢查管路671的一部分的立體圖。圖4是表示確認部67的結構的圖。圖4表示將檢查管路671沿與長度方向垂直的方向切斷的截面。檢查管路671是大致圓筒狀的導電性管。檢查管路671的內徑及外徑分別為例如4mm及6mm。

檢查管路671在周向(即，以檢查管路671的中心軸j22為中心的周向)具有交替地配置的多個導電部675和多個絕緣部676。圖3中為了便于理解圖，對導電部675標注平行斜線。多個導電部675在彼此之間隔著絕緣部676相互離開配置。換言之，多個導電部675分別與位于檢查管路671的周向(以下，簡稱為“周向”。)的兩側的兩個絕緣部676直接連接，由多個導電部675和多個絕緣部676構成為大致圓筒狀的檢查管路671。圖3及圖4所示的例子中，檢查管路671具有四個導電部675和四個絕緣部676。各個絕緣部676是將大致圓筒狀的構件大致等分為多個(例如，四個)的構件。

多個導電部675及多個絕緣部676分別沿著檢查管路671的長度方向延伸。各個導電部675具有內側導電部677、外側導電部678、導電連結部679。內側導電部677及外側導電部678分別是比檢查管路671的厚度(即，壁厚)薄的大致板狀。內側導電部677構成檢查管路671的內周面的一部分，沿著檢查管路671的長度方向延伸。外側導電部678構成檢查管路671的外周面的一部分，沿著檢查管路671的長度方向延伸。

導電連結部679是連結內側導電部677和外側導電部678的大致板狀的部位。導電連結部679在內側導電部677和外側導電部678之間沿著檢查管路671的長度方向延伸，并且在圖4所示的剖面中，以中心軸j2為中心的大致徑向擴展。導電連結部679的徑向內側的端部與內側導電部677的周向的大致中央部連續(xù)。導電連結部679的徑向外側的端部與外側導電部678的周向的大致中央部連續(xù)。導電連結部679在周向上位于鄰接的兩個絕緣部676之間。換言之，大致圓筒狀的絕緣管由多個導電連結部679分隔為多個絕緣部676。

在檢查管路671中，多個內側導電部677分別在檢查管路671的內周面上沿著長度方向延伸。另外，在檢查管路671的內周面，在周向上鄰接的每兩個內側導電部677之間，露出絕緣部676的內表面。檢查管路671的內周面在周向上交替地配置有多個內側導電部677的內表面和多個絕緣部676的內表面。換言之，多個絕緣部676在檢查管路671的內周面上位于多個導電部675的內側導電部677之間，分別沿著檢查管路671的長度方向延伸。

多個外側導電部678分別在檢查管路671的外周面上沿著長度方向延伸。另外，在檢查管路671的外周面，在周向上鄰接的每兩個外側導電部678之間，露出絕緣部676的外表面。檢查管路671的外周面在周向上交替地配置有多個外側導電部678的外表面和多個絕緣部676的外表面。換言之，多個絕緣部676在檢查管路671的外周面上位于多個導電部675的外側導電部678之間，分別沿著檢查管路671的長度方向延伸。

形成檢查管路671的主要材料例如是樹脂，多個導電部675例如是導電性樹脂。多個導電部675例如是添加了碳的四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(pfa：tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinylethercopolymer)、所謂的導電性pfa。多個絕緣部676例如是四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(pfa)。導電部675的體積電阻率例如為約5×10²ω·cm，絕緣部676的體積電阻率例如大于1×10¹⁸ω·cm。檢查管路671的耐熱溫度例如為約260度。

圖3及圖4所示的例子中，多個內側導電部677的周向的寬度(即，檢查管路671的內周面的多個導電部675的周向的寬度)大致相同。檢查管路671的內周面的多個絕緣部676的周向的寬度也大致相同。另外，檢查管路671的內周面中多個導電部675及多個絕緣部676各自的周向的寬度也大致相同。而且，多個外側導電部678的周向的寬度(即，檢查管路671的外周面的多個導電部675的周向的寬度)也大致相同。檢查管路671的外周面的多個絕緣部676的周向的寬度也大致相同。另外，檢查管路671的外周面中多個導電部675及多個絕緣部676各自的周向的寬度也大致相同。

圖4所示的導電率獲取部672與檢查管路671的多個導電部675中的至少兩個導電部675電連接。導電率獲取部672獲取該至少兩個導電部675之間的導電率。圖4所示的例子中，該至少兩個導電部675是隔著檢查管路671的中心軸j2相互相向的兩個導電部675。換言之，導電率獲取部672與隔著中心軸j2位于相互相反的一側的兩個導電部675電連接。

如圖4所示，在與導電率獲取部672連接的兩個導電部675，與檢查管路671內的處理液71接觸的情況下，由導電率獲取部672獲取彼此之間存在處理液71的(即，由處理液71電連接)該兩個導電部675之間的導電率。另一方面，在檢查管路671內不存在處理液71的情況下，由導電率獲取部672獲取彼此之間存在空氣等氣體的該兩個導電部675之間的導電率?？諝獾葰怏w的導電率一般低于處理液71的導電率。因此，相較該兩個導電部675與處理液71接觸的情況，由導電率獲取部672獲取的導電率低。即使在檢查管路671內存在處理液71的情況下，如果是處理液71如液滴狀那樣微量，該兩個導電部675的至少一個不與處理液71接觸的情況，則與檢查管路671內不存在處理液71的情況同樣地，由導電率獲取部672獲取彼此之間存在空氣等氣體的該兩個導電部675之間的導電率。

另外，就導電率獲取部672而言，只要實質上能夠獲取與導電率獲取部672電連接的導電部675之間的導電率，則也可以測量該導電部675之間的電阻和電位差、導電部675之間流過的電流等其他測量值。

由導電率獲取部672獲取到的導電率發(fā)送判斷部673。判斷部673基于由導電率獲取部672獲取到的導電率，判斷檢查管路671內是否存在處理液71，或者，檢查管路671內的處理液71的種類。以下的說明中，對由判斷部673判斷檢查管路671內是否存在處理液71進行說明。

圖5是表示圖1所示的基板處理裝置1的基板9的處理的流程圖。在基板處理裝置1中，首先，向殼體11內搬入基板9，并由基板保持部31保持。接著，開始由基板旋轉機構35旋轉基板9。接著，打開圖2所示的供給閥63，向旋轉中的基板9的上表面91的中央部，開始從噴嘴61供給處理液71(參照圖4)(步驟s11)。此時，關閉吸引閥66，不由吸引部65吸引處理液71。

在圖4所示的確認部67中，與導電率獲取部672連接的兩個導電部675，與在檢查管路671內流經的處理液71接觸。換言之，該兩個導電部675經由在檢查管路671內流經的處理液71導通。因此，由導電率獲取部672獲取的該兩個導電部675之間的導電率，高于檢查管路671內不流經處理液71的情況的導電率。然后，由判斷部673判斷檢查管路671內是否存在處理液71。

從圖1所示的噴嘴61向旋轉中的基板9的上表面91上供給的處理液，借助離心力在上表面91上向徑向外側移動，從基板9的外緣向杯部4飛散。由杯部4接收的處理液，經由設置于杯部4的底部的省略圖示的排出口向杯部4及殼體11的外部排出。在基板處理裝置1中，通過僅在規(guī)定的時間內向基板9的上表面91供給處理液，對基板9的上表面91進行液體處理。當經過該規(guī)定的時間時，停止向基板9供給處理液，結束對基板9的液體處理(步驟s12)。

在步驟s12結束供給處理液時，關閉圖2所示的供給閥63，停止從處理液供給源60向噴嘴61供給處理液。另外，打開吸引閥66，由吸引部65經由分支管路64吸引噴嘴61和供給閥63之間的處理液管路62內的處理液71。檢查管路671內的處理液71，經過上述的折返點向供給閥63側移動。因此，檢查管路671內成為幾乎不存在處理液71的狀態(tài)。

在確認部67中，由于與導電率獲取部672連接的兩個導電部675，不會經由處理液71導通，因此由導電率獲取部672獲取的該兩個導電部675間的導電率，與在檢查管路671內流經有處理液71的情況相比變低。然后，由判斷部673判斷檢查管路671內不存在處理液71。

當結束對基板9的液體處理時，由基板旋轉機構35增大基板9的旋轉速度。通過使基板9以比較高的高速旋轉，基板9的上表面91上的處理液向徑向外側移動，并從基板9的外緣向周圍飛散。結果，去除基板9上的處理液(步驟s13)。以下，將步驟s13的處理稱為“干燥處理”。干燥處理中從基板9飛散并由杯部4接收的處理液，也與上述同樣地，經由排出口向杯部4及殼體11的外部排出。結束干燥處理的基板9向殼體11外搬出。在基板處理裝置1中對多個基板9依次進行上述的步驟s11～s13。

基板處理裝置1在從噴嘴61向基板9供給處理液中，以及，停止從噴嘴61供給處理液的期間，由確認部67繼續(xù)確認檢查管路671內是否存在處理液71。基板處理裝置1例如在供給處理液71中，由確認部67判斷檢查管路671內不存在處理液71的情況下，判斷產生了處理液71供給不良并中斷對基板9的液體處理。處理液71的供給不良，例如在由于供給閥63的誤動作等，沒有向處理液管路62供給來自處理液供給源60的處理液71的情況下產生。或者，處理液71的不良供給，例如在由于吸引閥66的誤動作等，由吸引部65吸引處理液管路62內的處理液71，從處理液供給源60向處理液管路62送出的處理液71沒有流到噴嘴61，而被吸引部65吸引的情況下產生。

另外，基板處理裝置1例如在基板9的干燥處理中(即，停止供給處理液71中)，由確認部67判斷出檢查管路671內存在處理液71的情況下，判斷產生了處理液71的泄漏(漏液)并中斷對基板9的干燥處理。處理液71的泄漏，例如由于供給閥63的誤動作等，來自處理液供給源60的處理液71在處理液管路62中向比供給閥63更遠的噴嘴61側流出，在檢查管路671中流動的情況下產生。或者，處理液71的泄漏，例如由于吸引部65和吸引閥66的誤動作等，沒有正常地吸引處理液管路62內的處理液71的情況(即，產生回吸(suckback)異常的情況)下產生。

如上所述，在基板處理裝置1中確認部67具備檢查管路671、導電率獲取部672、判斷部673。檢查管路671是處理液管路62的至少一部分，具有在內周面上分別沿著長度方向延伸并且在周向上交替地配置的多個導電部675和多個絕緣部676。導電率獲取部672與該多個導電部675中的至少兩個導電部675電連接，獲取該至少兩個導電部675之間的導電率。判斷部673基于由導電率獲取部672獲取到的導電率，判斷檢查管路671內是否存在處理液。

這樣，就確認部67而言，即使在與導電率獲取部672電連接的至少兩個導電部675和處理液的接觸產生在比較長的檢查管路671的任何位置的情況下，也能夠檢測處理液的存在。換言之，確認部67能夠對比較長的檢查管路671的全長判斷是否存在處理液。因此，與僅在處理液流動的管路上的規(guī)定的液面檢測位置檢測處理液的存在的情況相比，能夠提高確認處理液是否存在的精度。

另外，基板處理裝置1與由光學傳感器檢測處理液的情況不同，能夠抑制由高溫的處理液的蒸汽和處理液中的氣泡引起的檢測精度的下降。另外，處理液管路62沒必要由透過光的材料形成，也不存在因處理液使檢查管路671變色，而導致處理液的檢測精度下降的問題。因此，基板處理裝置1與由光學傳感器檢測處理液的情況相比，能夠提高確認處理液是否存在的精度。而且，由于導電性管即檢查管路671具有比較高的耐熱性，因此與將超聲波傳感器或靜電容量傳感器安裝于處理液管路62來檢測處理液的情況相比，還能夠高精度地確認是否存在比較高的高溫的處理液。

如上所述，基板處理裝置1也可以由確認部67的判斷部673判斷檢查管路671內的處理液的種類。該情況下，例如將表示處理液的種類及其導電率(或導電率的范圍)的關系的信息預先存儲于判斷部673。然后，基于該信息和由導電率獲取部672獲取到的檢查管路671內的處理液71的導電率，由判斷部673判斷處理液的種類。

基板處理裝置1的確認部67與上述同樣地，即使在與導電率獲取部672電連接的至少兩個導電部675和處理液的接觸產生在比較長的檢查管路671的任何位置的情況下，也能夠判斷處理液的種類。換言之，確認部67能夠對比較長的檢查管路671的全長判斷處理液的種類。因此，能夠提高確認處理液的種類的精度。結果，基板處理裝置1即使在因錯誤地連接處理液管路62等的配管的情況等，在處理液管路62內流動意外的處理液的情況下，也能夠高精度地檢測處理液的供給錯誤。

但是，在半導體基板的液體處理中，使用各種種類的處理液和比較高溫的處理液。另外，在半導體基板的液體處理中需要避免雜質混入向半導體基板供給的處理液。如上所述，基板處理裝置1中形成確認部67的檢查管路671的主要材料是樹脂，多個導電部675是導電性樹脂。因此，檢查管路671具有比較高的耐藥品性及比較高的耐熱性。另外，能夠抑制檢查管路671的一部分成為雜質溶解到在檢查管路671內流動的處理液。因此，基板處理裝置1的確認部67特別適合用于確認是否存在向半導體基板即基板9供給的處理液或者處理液的種類。

如上所述，確認部67中檢查管路671的多個絕緣部676由四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物形成，多個導電部675由添加了碳的四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物形成。這樣，由于導電部675及絕緣部676由具有比較高的耐熱性的材料形成，因此確認部67特別適合用于確認比較高的高溫的處理液是否存在，或者，比較高的高溫的處理液的種類。

如上所述，基板處理裝置1還具備噴嘴61、供給閥63、分支管路64、吸引部65。另外，檢查管路671在供給閥63和噴嘴61之間設置在處理液管路62上。并且，通過由判斷部673判斷檢查管路671內是否存在處理液，可以檢測向處理液管路62的處理液的泄漏(即，從供給閥63的漏液，或者，由吸引部65的回收異常)。結果，能夠防止從噴嘴61向基板9等的意外的處理液的下落。

另外，由于確認部67中檢查管路671沿著重力方向延伸，因此產生向處理液管路62的處理液的泄漏的情況下，到達檢查管路671的處理液從檢查管路671的下端朝向上方積存。因此，能夠容易且高精度地確認檢查管路671中是否存在處理液。而且，即使在積存到檢查管路671的下端的處理液為少量的情況下，該處理液在檢查管路671的內周面沿著整個周圍接觸。由此，確認部67也能夠高精度地檢測少量的處理液的存在。

如圖6所示，基板處理裝置1中檢查管路671也可以設置于處理液管路62的沿著水平方向延伸的部位。如圖7所示，該情況下，檢查管路671的內周面的多個導電部675和多個絕緣部676各自的周向的寬度大致相同，與導電率獲取部672電連接的至少兩個導電部675是，隔著檢查管路671的中心軸j2相互相向的兩個導電部675。該兩個導電部675在上下方向上位于大致相同高度。因此，就確認部67而言，在檢查管路671的流路截面(即，與處理液流動的流路的中心軸j2垂直的截面)中的大致一半以上存在處理液71的情況下，處理液71與該兩個導電部675接觸，從而檢測處理液71的存在。另一方面，在檢查管路671的流路截面中處理液71所占的比例比較小的(即，還沒有達到流路截面的一半)情況下，由于處理液71不與該兩個導電部675接觸，因此檢測不到處理液71的存在。這樣，基板處理裝置1可以設成，僅在檢查管路671內的處理液的量多于某種程度以上的情況下檢測處理液，處理液的少量液滴附著在檢查管路671的內周面的情況等下不檢測處理液。結果，可以抑制干燥處理時等因將檢查管路671內的液滴錯誤判斷為泄漏而產生的不必要的處理中斷。

在圖4所示的例子中，確認部67中導電率獲取部672與兩個導電部675連接，但是導電率獲取部672也可以與檢查管路671的多個導電部675中的三個以上的導電部675連接。換言之，與導電率獲取部672電連接的至少兩個導電部675，也可以是三個以上的導電部675。而且，由導電率獲取部672獲取該三個以上的導電部675在周向上鄰接的每兩個導電部675之間的導電率。

圖8是表示導電率獲取部672與三個以上的導電部675電連接的確認部的一例的圖。圖8中與圖4同樣地，表示將確認部67a的檢查管路671沿與長度方向垂直的方向切斷的截面。圖8例示的處理液供給部6a的確認部67a中，導電率獲取部672與檢查管路671的四個導電部675全都連接。

導電率獲取部672例如具備四根導線721、共用導線722、三個電池723、三個led724。四根導線721分別與四個導電部675電連接。共用導線722與四根導線721的頂端電連接。三個電池723在共用導線722上分別配置于四根導線721和共用導線722的四個接點之間。三個led724在共用導線722上分別配置于四根導線721和共用導線722的四個接點之間。

圖8例示的確認部67a中，在檢查管路671內不存在處理液71的情況下，led724都不點亮。另外，當在周向上鄰接的每兩個導電部675與處理液71接觸時，配置在該每兩個導電部675之間的led724點亮。由此，導電率獲取部672實際上獲取該每兩個導電部675之間的導電率(詳細來講，導電率的變化)。判斷部673通過探測導電率獲取部672的led724的點亮或滅燈，基于由導電率獲取部672獲取到的實際的導電率，判斷檢查管路671內是否存在處理液71。另外，判斷部673在點亮的led724的數量多的情況下，判斷檢查管路671的流路截面中處理液71所占的比例大。

這樣，確認部67a中，與導電率獲取部672電連接的至少兩個導電部675是三個以上的導電部675，由導電率獲取部672獲取該三個以上的導電部675在周向上鄰接的每兩個導電部675之間的導電率。由此，即使在檢查管路671內的處理液71與在周向上鄰接的任何兩個導電部675接觸的情況下，也能夠檢測處理液71的存在。即，能夠提高確認是否存在處理液的精度。另外，基于led724的點亮數量，可以獲取檢查管路671內的處理液71的大致的量。

在確認部67a中，通過代替led724設置電流計等，測量檢查管路671內的處理液71的導電率，能夠高精度地確認檢查管路671內的處理液71的種類。該情況下，通過使導電率獲取部672與三個以上的導電部675電連接，能夠提高確認處理液71的種類的精度。

圖9是表示基板處理裝置1的另一優(yōu)選的處理液供給部的構成例的圖。在圖9所示的處理液供給部6b中，確認部67b的檢查管路671沿著處理液管路62的供給閥63和噴嘴61之間的大致全長設置。換言之，處理液管路62的供給閥63和噴嘴61之間的部位，大致全長由圖3所示的導電性管形成以作為檢查管路671。由此，在處理液管路62中，即使在供給閥63和噴嘴61之間的任何位置存在處理液71的情況下，也能夠檢測該處理液71。結果，能夠更高精度地檢測向處理液管路62的處理液的泄漏(即，從供給閥63的漏液，或者，由吸引部65的回收異常)。

圖10是表示基板處理裝置1的另一優(yōu)選處理液供給部的構成例的圖。圖10所示的處理液供給部6c設置具有與確認部67相同的結構的另一確認部67c。確認部67c具備檢查管路671c、導電率獲取部672c、判斷部673c。檢查管路671c是分支管路64的至少一部分，在分支管路64上設置于吸引閥66和分支點640之間。圖10所示的例子中，檢查管路671c沿著分支管路64的吸引閥66和分支點640之間的大致全長設置。檢查管路671c與檢查管路671同樣地，具有在內周面分別沿著檢查管路671c的長度方向延伸并且在周向上交替地配置的多個導電部和多個絕緣部。導電率獲取部672c與檢查管路671c的多個導電部中的至少兩個導電部電連接，獲取該至少兩個導電部之間的導電率。判斷部673c基于由導電率獲取部672c獲取到的導電率，判斷檢查管路671c內是否存在處理液。

在處理液供給部6c中，另一確認部67c設置在分支管路64上的吸引閥66和分支點640之間來確認是否存在處理液。由此，能夠檢測由吸引閥66的誤動作等引起的處理液的供給不良和泄漏。換言之，能夠容易地判斷處理液的供給不良和泄漏的原因。

例如，在對基板9進行液體處理時，因吸引閥66誤動作等從處理液供給源60向處理液管路62送出的處理液被吸引部65吸引而產生供給不良的情況下，通過由處理液管路62上的確認部67檢測出供給不良，并且由分支管路64上的確認部67c檢測出分支管路64中存在意外的處理液。結果，處理液的供給不良，判斷為因由吸引閥66的誤動作等引起的由吸引部65意外吸引處理液而導致。

另外，例如對基板9干燥處理時，在因吸引閥66的誤動作等，處理液管路62內的處理液未被充分吸引而產生回收異常的情況下，由處理液管路62上的確認部67檢測回收異常，并且由分支管路64上的確認部67c檢測分支管路64的意外的處理液的存在。結果，回收異常判斷為是由吸引閥66的誤動作等引起的。

圖11是表示檢查管路的另一例的縱向剖視圖。圖11中，對于檢查管路671d的一部分，示出包括中心軸j2的截面。檢查管路671d具備多個導電部675和絕緣部676。檢查管路671d的內周面沿著長度方向交替地配置多個導電部675及多個絕緣部676(實際上是一個絕緣部676的多個部位)。在檢查管路671d的內周面中，導電部675及絕緣部676沿著以中心軸j2為中心的周向的整周設置。多個導電部675與導電率獲取部672電連接。另外，導電率獲取部672并不限定于與所有的導電部675連接，可與多個導電部675中的至少兩個導電部675電連接。

各個導電部675具有內側導電部677、外側導電部678、導電連結部679。內側導電部677及外側導電部678分別是與檢查管路671的厚度(即，壁厚)相比薄的大致板狀。內側導電部677構成檢查管路671的內周面的一部分，沿著周向的整周設置。外側導電部678構成檢查管路671的外周面的一部分，沿著周向的整周設置。導電連結部679是連結內側導電部677和外側導電部678的大致板狀的部位。導電連結部679在周向的一部分上將內側導電部677和外側導電部678電連接。

在確認部67d中，在檢查管路671d的多個導電部675中的與導電率獲取部672電連接的兩個導電部675(例如，長度方向中隔著絕緣部676鄰接的兩個導電部675)存在處理液的情況下，由判斷部673基于由導電率獲取部672獲取的導電率檢測該處理液的存在。由于確認部67d能夠判斷比較長的檢查管路671d中是否存在處理液，因此與上述同樣地，能夠提高確認是否存在處理液的精度。另外，由判斷部673判斷處理液的種類的情況也同樣地，能夠提高確認處理液的種類的精度。也可以在確認部67、67a～67c中代替檢查管路671、671c而使用檢查管路671d。

在上述的基板處理裝置1中，能夠進行各種變更。

例如，在基板處理裝置1中向基板9供給處理液時，噴嘴61可以在基板9的上方沿著水平方向往返移動。在基板處理裝置1對基板9的處理中，也可以向基板9依次供給多個種類的處理液。另外，也可以在基板9停止旋轉的狀態(tài)下，向基板9供給處理液。

在處理液供給部6、6a～6c中，檢查管路671只要在供給閥63和噴嘴61之間設置在處理液管路62上，就不限定于沿著重力方向延伸，例如，也可以在從噴嘴61離開的位置沿著大致水平方向延伸。另外，在檢查管路671中，多個導電部675及多個絕緣部676的周向的位置，也可以從檢查管路671的長度方向的一側朝向另一側沿著順時針(或逆時針)逐漸變化。換言之，多個導電部675及多個絕緣部676也可以沿著檢查管路671的長度方向螺旋狀配置。由此，即使在檢查管路671例如大致水平地延伸的情況下，也可以提高檢查管路671內的處理液與多個導電部675全都接觸的可能性。結果，能夠提高確認是否存在處理液，或者，確認處理液的種類的精度。

在處理液供給部6、6a～6c中，也可以在檢查管路671和噴嘴61之間，在處理液管路62上設置除電部。作為除電部，例如，利用將處理液管路62接地(earth)的接地線。由此，即使在因處理液通過檢查管路671而存在帶電的可能性的情況下，也能夠防止或抑制向基板9供給的處理液的帶電。

在檢查管路671中，如果多個導電部675和多個絕緣部676在檢查管路671的內周面分別沿著長度方向延伸并且在周向上交替地配置時，也可以將外側導電部678及導電連結部679從導電部675省略。另外，在檢查管路671中，如果導電部675及絕緣部676各自的數量是兩個以上，則可以適當變更。在檢查管路671c中也同樣。

在基板處理裝置1中，也可以通過代替圖10所示的另一確認部67c，在吸引閥66上設置監(jiān)控吸引閥66的開閉的閥監(jiān)控傳感器，檢測吸引閥66的誤動作等。

在處理液供給部6、6a～6c中，也可以代替供給閥63，在處理液管路62上設置其他各種結構的供給控制部，由該供給控制部對從處理液供給源60向噴嘴61的處理液的供給及停止進行切換。另外，也可以代替吸引閥66，在分支管路64上設置其他各種結構的吸引控制部，由該吸引控制部對由吸引部65的處理液的吸引及停止進行切換。

確認部67、67a～67c在基板處理裝置1中，也可以用于處理液供給部6、6a～6c以外的部位。例如，確認部67、67a～67c也可以用作貯留處理液的貯留箱的液面?zhèn)鞲衅?。該情況下，沿著上下方向延伸的處理液管路62的下端部與貯留箱的底部連接，在處理液管路62中的想要檢測處理液的液面的上下方向的范圍設置檢查管路671。而且，通過確認在檢查管路671內是否存在處理液，可以確認出貯留箱內的處理液的液面位于比檢查管路671的下端靠近上方的位置。在該液面?zhèn)鞲衅髦?，多個檢查管路671也可以相互電絕緣并且沿著上下方向離開。

上述的基板處理裝置除了應用于半導體基板以外，還可以應用在液晶表示裝置、等離子體顯示器、場致發(fā)射顯示器(fed：fieldemissiondisplay)等顯示裝置所使用的玻璃基板的處理。或者，上述的基板處理裝置可以應用在光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等的處理。

對上述實施方式和各變形例中的各個結構而言，只要相互不矛盾，就可以適當組合。

通過詳細地描述本發(fā)明而說明了本發(fā)明，但上述的說明僅是例示而不是限定。因此，只要不脫離本發(fā)明的范圍就可以有各種變形和方式。

附圖標記說明

1：基板處理裝置

9：基板

31：基板保持部

60：處理液供給源

61：噴嘴

62：處理液管路

63：供給閥

64：分支管路

65：吸引部

66：吸引閥

67、67a～67d：確認部

71：處理液

640：分支點

671、671c、671d：檢查管路

672，672c：導電率獲取部

673、673c：判斷部

675：導電部

676：絕緣部

j2：中心軸