本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及其制備方法。

背景技術(shù)：

低溫多晶硅薄膜晶體管(Low Temperature Poly-Silicon-Thin Film Transistor，簡稱LTPS-TFT)顯示器具有高分辨率、反應(yīng)速度快、高亮度、高開口率等優(yōu)點，加上由于LTPS的特點，使得其具有高的電子移動率。

其中，在制備LTPS-TFT的過程中，一般是通過對非晶硅薄膜進(jìn)行結(jié)晶化處理，而形成多晶硅薄膜。

然而，通過此過程形成的多晶硅薄膜，其晶粒大小會隨著激光能量的差異而出現(xiàn)較大的波動，導(dǎo)致形成晶粒大小不均勻的多晶硅薄膜，從而影響TFT的性能。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及其制備方法，可提高多晶硅有源層的晶粒尺寸及均一性。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面，提供一種薄膜晶體管，包括襯底，設(shè)置在所述襯底上的多晶硅有源層，還包括設(shè)置在所述多晶硅有源層靠近所述襯底一側(cè)表面的第一非晶硅層；所述多晶硅有源層與所述第一非晶硅層在所述襯底上的正投影重疊。

優(yōu)選的，所述第一非晶硅層的厚度在之間；所述多晶硅有源層的厚度在之間。

優(yōu)選的，所述薄膜晶體管還包括設(shè)置在所述襯底靠近所述第一非晶硅層一側(cè)表面的緩沖層；所述緩沖層上設(shè)置有凹槽，所述第一非晶硅層設(shè)置在所述凹槽內(nèi)。

基于上述，優(yōu)選的，所述薄膜晶體管還包括依次設(shè)置在所述多晶硅有源層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的柵絕緣層、柵極、層間絕緣層、以及源極和漏極；所述源極和所述漏極分別通過設(shè)置在所述層間絕緣層和所述柵絕緣層上的過孔與所述多晶硅有源層接觸。

第二方面，提供一種陣列基板，包括上述第一方面的薄膜晶體管。

第三方面，提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括在襯底上通過結(jié)晶化處理形成多晶硅有源層，在形成所述多晶硅有源層之前，所述制備方法還包括形成第一非晶硅層；所述第一非晶硅層與所述多晶硅有源層接觸，且所述多晶硅有源層與所述第一非晶硅層在所述襯底上的正投影重疊。

優(yōu)選的，所述制備方法還包括在所述襯底靠近所述第一非晶硅層一側(cè)表面形成緩沖層；基于此，形成所述緩沖層和所述第一非晶硅層包括：

在所述襯底上形成緩沖層薄膜，并形成第一光刻膠層；采用第一掩模板對所述第一光刻膠層進(jìn)行曝光，顯影后露出與所述多晶硅有源層對應(yīng)區(qū)域的所述緩沖層薄膜；采用刻蝕工藝對所述緩沖層薄膜進(jìn)行刻蝕，形成具有凹槽的所述緩沖層，并去除剩余的所述第一光刻膠層；在所述緩沖層上形成第一非晶硅薄膜，并形成第二光刻膠層，采用第二掩模板對所述第二光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影后使所述凹槽上方的所述第二光刻膠層保留；采用刻蝕工藝對所述第一非晶硅薄膜和所述緩沖層進(jìn)行刻蝕，直至形成于所述凹槽內(nèi)的所述第一非晶硅層的上表面與所述緩沖層的除所述凹槽外的其他位置處的表面齊平；去除剩余的所述第二光刻膠層。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第一掩模板和所述第二掩模板為同一個掩模板；所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層的材料互為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。

優(yōu)選的，形成所述多晶硅有源層，包括：在形成有所述第一非晶硅層的襯底上，形成第二非晶硅薄膜；對所述第二非晶硅薄膜進(jìn)行結(jié)晶化處理，使所述第二非晶硅薄膜形成為多晶硅薄膜；在所述多晶硅薄膜上形成第三光刻膠層，并采用所述第二掩模板對所述第三光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影；采用刻蝕工藝對所述多晶硅薄膜進(jìn)行刻蝕，形成所述多晶硅有源層，并去除剩余的所述第三光刻膠層。

或者，形成所述多晶硅有源層，包括：在形成有所述第一非晶硅層的襯底上，形成第二非晶硅薄膜，并形成第三光刻膠層；采用所述第二掩模板對所述第三光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影；采用刻蝕工藝對所述第二非晶硅薄膜進(jìn)行刻蝕，形成第二非晶硅層，并去除剩余的所述第三光刻膠層；對所述第二非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶化處理，形成所述多晶硅有源層。

優(yōu)選的，所述刻蝕工藝為干法刻蝕工藝。

優(yōu)選的，所述第一非晶硅層的厚度在之間；所述述多晶硅有源層的厚度在之間。

第四方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括上述第三方面的薄膜晶體管的制備方法。

本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及其制備方法，通過在薄膜晶體管的多晶硅有源層形成之前，先制作形成第一非晶硅層，一方面，可以作為遮光層使用，減少光照對多晶硅有源層的影響；另一方面，由于多晶硅有源層通過對位于第一非晶硅層上方的第二非晶硅層或薄膜進(jìn)行結(jié)晶化處理得到，因此，在晶化過程中，可控制第二非晶硅層或薄膜為完全熔融狀態(tài)，第一非晶硅層靠近第二非晶硅層或薄膜的部分厚度為部分熔融狀態(tài)，而由于第一非晶硅層中存在大量籽晶，使得部分熔融狀態(tài)的第一非晶硅層也存在大量籽晶，從而使得第二非晶硅層或薄膜在向多晶硅層或薄膜轉(zhuǎn)化時，晶粒沿籽晶超級橫向生長，進(jìn)而可形成晶粒尺寸大且結(jié)晶均一性極佳的多晶硅有源層，使得薄膜晶體管的遷移率更高且功耗較小，可用于制作高分辨率、低功耗等高階顯示產(chǎn)品(例如AMOLED)的電路。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種設(shè)置在襯底上的多晶硅有源層的俯視示意圖；

圖2為圖1中AA′向剖視示意圖一；

圖3為圖1中AA′向剖視示意圖二；

圖4為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖5為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖6為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖7為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖8(a)-8(g)為本發(fā)明實施例提供的一種形成緩沖層和第一非晶硅層的過程示意圖；

圖9(a)-9(b)為本發(fā)明實施例提供的一種形成多晶硅有源層的過程示意圖。

附圖標(biāo)記：

10-襯底；11-多晶硅有源層；12-第一非晶硅層；13-柵絕緣層；14-柵極；15-層間絕緣層；16-源極；17-漏極；20-緩沖層；21-凹槽；30-像素電極；40-陽極；50-有機(jī)材料功能層；60-陰極；70-第一光刻膠層；71-第二光刻膠層；121-第一非晶硅薄膜；122-第二非晶硅薄膜；123-多晶硅薄膜；201-緩沖層薄膜。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管，如圖1-圖2所示，包括襯底10，設(shè)置在襯底10上的多晶硅有源層11，還包括設(shè)置在多晶硅有源層11靠近襯底10一側(cè)表面的第一非晶硅層12；多晶硅有源層11與第一非晶硅層12在襯底10上的正投影重疊。

需要說明的是，第一，多晶硅有源層11通過對非晶硅層或薄膜進(jìn)行結(jié)晶化處理得到。即在形成第一非晶硅層12后，通過在第一非晶硅層12上形成第二非晶硅層或薄膜，并對第二非晶硅層或薄膜進(jìn)行結(jié)晶化處理得到。

第二，不對第一非晶硅層12的尺寸進(jìn)行限定，第一非晶硅層12的尺寸可與多晶硅有源層11的尺寸相同，也可以比多晶硅有源層11的尺寸小，或比多晶硅有源層11的尺寸大。

第三，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知道，所述薄膜晶體管還包括柵極、源極和漏極。其中，所述源極和漏極與多晶硅有源層11接觸。

本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管，通過在多晶硅有源層11形成之前，先制作形成第一非晶硅層12，一方面，可以作為遮光層使用，減少光照對多晶硅有源層11的影響；另一方面，由于多晶硅有源層11通過對位于第一非晶硅層12上方的第二非晶硅層或薄膜進(jìn)行結(jié)晶化處理得到，因此，在晶化過程中，可控制第二非晶硅層或薄膜為完全熔融狀態(tài)，第一非晶硅層12靠近第二非晶硅層或薄膜的部分厚度為部分熔融狀態(tài)，而由于第一非晶硅層12中存在大量籽晶，使得部分熔融狀態(tài)的第一非晶硅層12也存在大量籽晶，從而使得第二非晶硅層或薄膜在向多晶硅層或薄膜轉(zhuǎn)化時，晶粒沿籽晶超級橫向生長，進(jìn)而可形成晶粒尺寸大且結(jié)晶均一性極佳的多晶硅有源層11，使得薄膜晶體管的遷移率更高且功耗較小。

優(yōu)選的，為了簡化工藝，多晶硅有源層11與第一非晶硅層12的形狀和尺寸均相同，且多晶硅有源層11與第一非晶硅層12在襯底10上的正投影完全重疊。

優(yōu)選的，第一非晶硅層12的厚度在之間；多晶硅有源層11的厚度在之間。

本發(fā)明實施例將多晶硅有源層11的厚度設(shè)置在之間，也即第二非晶硅層或薄膜的厚度在之間，這樣可在將第二非晶硅層或薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼踊虮∧さ倪^程中，避免第二非晶硅層或薄膜厚度較厚而需要更大的能量，從而導(dǎo)致工藝的復(fù)雜化以及成本的大幅提高。即，當(dāng)?shù)诙蔷Ч鑼踊虮∧さ暮穸仍谥g時，可通過現(xiàn)有的設(shè)備對其進(jìn)行結(jié)晶化，從而形成多晶硅層。

在此基礎(chǔ)上，將第一非晶硅層12的厚度設(shè)置在之間，一方面，可保證在晶化過程中，有部分厚度熔融，保證晶粒尺寸大且結(jié)晶均一性；另一方面，可避免材料的浪費，節(jié)省成本。

優(yōu)選的，如圖3所示，所述薄膜晶體管還包括設(shè)置在襯底10靠近第一非晶硅層12一側(cè)表面的緩沖層20。

其中，所述緩沖層20上設(shè)置有凹槽(圖3中未標(biāo)識出)，第一非晶硅層12設(shè)置在凹槽內(nèi)。

一方面，通過設(shè)置緩沖層20可防止襯底10中有害物質(zhì)，如堿金屬離子對多晶硅有源層11性能的影響。另一方面，將第一非晶硅層12設(shè)置在緩沖層20的凹槽內(nèi)，可避免導(dǎo)致薄膜晶體管厚度的增加。

基于上述，如圖4和圖5所示，所述薄膜晶體管還包括依次設(shè)置在多晶硅有源層11遠(yuǎn)離襯底10一側(cè)的柵絕緣層13、柵極14、層間絕緣層15、以及源極16和漏極17。其中，源極16和漏極17分別通過設(shè)置在層間絕緣層15和柵絕緣層13上的過孔與多晶硅有源層11接觸。

其中，柵絕緣層13和層間絕緣層15的材料可以相同，也可不同，只要起到絕緣作用即可。柵極14、源極16和漏極17的材料可以相同，也可不同。

本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板，包括上述的薄膜晶體管。

具體的，所述陣列基板可以為LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)中的陣列基板，在此情況下，如圖6所示，還包括與漏極17電連接的像素電極30。

進(jìn)一步的，所述陣列基板還可以包括公共電極。其中，對于IPS型(In-Plane Switch，共平面切換)陣列基板而言，像素電極30和公共電極同層間隔設(shè)置，且均為條狀電極；對于ADS型(Advanced-super Dimensional Switching，高級超維場轉(zhuǎn)換)陣列基板而言，像素電極30和公共電極不同層設(shè)置，其中在上的電極為條狀電極，在下的電極為板狀電極。

當(dāng)然，所述陣列基板還可以包括彩膜。

所述陣列基板也可以為OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)電致發(fā)光二極管)顯示器中的陣列基板，在此情況下，如圖7所示，還包括與漏極17電連接的陽極40、位于陽極40上方的有機(jī)材料功能層50和陰極60。

其中，所述有機(jī)材料功能層50，其可以至少包括發(fā)光層，在此基礎(chǔ)上為了能夠提高電子和空穴注入發(fā)光層的效率，所述有機(jī)材料功能層50進(jìn)一步還可以包括電子傳輸層、空穴傳輸層和設(shè)置在陰極60與電子傳輸層之間的電子注入層，以及設(shè)置在空穴傳輸層與陽極40之間的空穴注入層。

根據(jù)陽極40和陰極60的材料的不同，當(dāng)所述陣列基板應(yīng)用于顯示裝置時，可分為單面發(fā)光型顯示裝置和雙面發(fā)光型顯示裝置；即：當(dāng)陽極40和陰極60中其中一個電極不透光時，所述顯示裝置為單面發(fā)光型；當(dāng)陽極40和陰極60均透光時，所述顯示裝置為雙面發(fā)光型。

對于單面發(fā)光型顯示裝置，根據(jù)陽極40和陰極60的材料的不同，又可以分為上發(fā)光型和下發(fā)光型。具體的，當(dāng)陽極40靠近襯底10設(shè)置，陰極60遠(yuǎn)離襯底10設(shè)置，且陽極40透光，陰極60不透光時，可以稱為下發(fā)光型；當(dāng)陽極40不透光，陰極60透光時，可以稱為上發(fā)光型。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，通過在薄膜晶體管的多晶硅有源層11形成之前，先制作形成第一非晶硅層12，一方面，可以作為遮光層使用，減少光照對多晶硅有源層11的影響；另一方面，由于多晶硅有源層11通過對位于第一非晶硅層12上方的第二非晶硅層或薄膜進(jìn)行結(jié)晶化處理得到，因此，在晶化過程中，可控制第二非晶硅層或薄膜為完全熔融狀態(tài)，第一非晶硅層12靠近第二非晶硅層或薄膜的部分厚度為部分熔融狀態(tài)，而由于第一非晶硅層12中存在大量籽晶，使得部分熔融狀態(tài)的第一非晶硅層12也存在大量籽晶，從而使得第二非晶硅層或薄膜在向多晶硅層或薄膜轉(zhuǎn)化時，晶粒沿籽晶超級橫向生長，進(jìn)而可形成晶粒尺寸大且結(jié)晶均一性極佳的多晶硅有源層11，使得薄膜晶體管的遷移率更高且功耗較小，可用于制作高分辨率、低功耗等高階顯示產(chǎn)品(例如AMOLED)的電路。

本發(fā)明實施例還提供一種薄膜晶體管的制備方法，如圖1和圖2所示，包括在襯底10上通過結(jié)晶化處理形成多晶硅有源層11，在形成所述多晶硅有源層11之前，所述制備方法還包括形成第一非晶硅層12；第一非晶硅層12與多晶硅有源層11接觸，且多晶硅有源層11與第一非晶硅層12在襯底10上的正投影重疊。

需要說明的是，多晶硅有源層11通過對非晶硅層或薄膜進(jìn)行結(jié)晶化處理得到。即在形成第一非晶硅層12后，通過在第一非晶硅層12上形成第二非晶硅層，并對第二非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶化處理得到；或者，在形成第一非晶硅層12后，通過在第一非晶硅層12上形成第二非晶硅薄膜，并對第二非晶硅薄膜進(jìn)行結(jié)晶化處理，然后進(jìn)行構(gòu)圖工藝得到。

其中，不對結(jié)晶化處理的工藝進(jìn)行限定，例如可以是激光退火、高溫、金屬誘導(dǎo)晶化等工藝。

本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管的制備方法，通過在多晶硅有源層11形成之前，先制作形成第一非晶硅層12，一方面，可以作為遮光層使用，減少光照對多晶硅有源層11的影響；另一方面，由于多晶硅有源層11通過對位于第一非晶硅層12上方的第二非晶硅層或薄膜進(jìn)行結(jié)晶化處理得到，因此，在晶化過程中，可控制第二非晶硅層或薄膜為完全熔融狀態(tài)，第一非晶硅層12靠近第二非晶硅層或薄膜的部分厚度為部分熔融狀態(tài)，而由于第一非晶硅層12中存在大量籽晶，使得部分熔融狀態(tài)的第一非晶硅層12也存在大量籽晶，從而使得第二非晶硅層或薄膜在向多晶硅層或薄膜轉(zhuǎn)化時，晶粒沿籽晶超級橫向生長，進(jìn)而可形成晶粒尺寸大且結(jié)晶均一性極佳的多晶硅有源層11，使得薄膜晶體管的遷移率更高且功耗較小。

優(yōu)選的，為了簡化工藝，多晶硅有源層11與第一非晶硅層12的形狀和尺寸均相同，且多晶硅有源層11與第一非晶硅層12在襯底10上的正投影完全重疊。

優(yōu)選的，參考圖3所示，所述方法還包括在襯底10靠近第一非晶硅層12一側(cè)表面形成緩沖層20。

基于此，形成所述緩沖層20和所述第一非晶硅層12包括如下步驟：

S101、如圖8(a)所示，在襯底10上形成緩沖層薄膜201，并形成第一光刻膠層70。

此處，緩沖層薄膜201可以單層或多層結(jié)構(gòu)，其材料例如可以是SiN(氮化硅)、SiOx(氧化硅)等。緩沖層薄膜201可采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)在襯底10上沉積形成。

第一光刻膠層70的材料可以是正性光刻膠，也可以使負(fù)性光刻膠。

S102、如圖8(b)所示，采用第一掩模板對第一光刻膠層70進(jìn)行曝光，顯影后露出與多晶硅有源層11對應(yīng)區(qū)域的緩沖層薄膜201。

此處，第一掩模板包括完全透光部分和完全不透光部分。當(dāng)?shù)谝还饪棠z層70的材料為正性光刻膠時，第一掩模板的完全透光部分與多晶硅有源層11所在區(qū)域?qū)?yīng)；當(dāng)?shù)谝还饪棠z層70的材料為負(fù)性光刻膠時，第一掩模板的完全不透光部分與多晶硅有源層11所在區(qū)域?qū)?yīng)。

S103、如圖8(b)-圖8(c)所示，采用刻蝕工藝對緩沖層薄膜201進(jìn)行刻蝕，形成具有凹槽21的所述緩沖層20，并去除剩余的第一光刻膠層70。

此處，相對濕法刻蝕，由于干法刻蝕可以非常好的控制凹槽21的側(cè)壁，使凹槽21的側(cè)壁可以趨于垂直襯底10，因此優(yōu)選采用干法刻蝕工藝對經(jīng)過S102后剩余的第一光刻膠層70未遮擋的緩沖層薄膜201進(jìn)行刻蝕。

S104、如圖8(d)-圖8(e)所示，在所述緩沖層20上形成第一非晶硅薄膜121，并形成第二光刻膠層71，采用第二掩模板對第二光刻膠層71進(jìn)行曝光、顯影后使所述凹槽21上方的所述第二光刻膠層71保留。

此處，第一非晶硅薄膜121可采用PECVD沉積形成。

第二光刻膠層71的材料可以是正性光刻膠，也可以使負(fù)性光刻膠。

第二掩模板包括完全透光部分和完全不透光部分。當(dāng)?shù)诙饪棠z層71的材料為正性光刻膠時，第二掩模板的完全不透光部分與凹槽21對應(yīng)；當(dāng)?shù)诙饪棠z層71的材料為負(fù)性光刻膠時，第二掩模板的完全透光部分與凹槽21對應(yīng)。

需要說明的是，由于凹槽21的側(cè)壁趨于垂直襯底10，因此在緩沖層20上形成第一非晶硅薄膜121時，第一非晶硅薄膜121位于凹槽21側(cè)壁的部分可忽略不計。

S105、如圖8(f)所示，采用刻蝕工藝對所述第一非晶硅薄膜121和所述緩沖層20進(jìn)行刻蝕，直至形成于所述凹槽21內(nèi)的所述第一非晶硅層12的上表面與所述緩沖層20的除所述凹槽21外的其他位置處的表面齊平。

此處，由于干法刻蝕對形成圖案的可控性更好，因此，優(yōu)選采用干法刻蝕工藝對經(jīng)過S104后剩余的第二光刻膠層71未遮擋的所述第一非晶硅薄膜121和所述緩沖層20進(jìn)行刻蝕，以使所述第一非晶硅層12的上表面與所述緩沖層20的除所述凹槽21外的其他位置處的表面齊平，即第一非晶硅層12嵌入凹槽21內(nèi)，且第一非晶硅層12的上表面與緩沖層20的上表面處于同一平面。

S106、如圖8(g)，去除剩余的所述第二光刻膠層71。

一方面，通過設(shè)置緩沖層20可防止襯底10中有害物質(zhì)，如堿金屬離子對多晶硅有源層11性能的影響。另一方面，通過使所述第一非晶硅層12的上表面與所述緩沖層20的除所述凹槽21外的其他位置處的表面齊平，可使后續(xù)形成多晶硅有源層11過程中的第二非晶硅薄膜更平坦，從而使多晶硅有源層11的性能更好。再一方面，將第一非晶硅層12設(shè)置在緩沖層20的凹槽內(nèi)，可避免導(dǎo)致薄膜晶體管厚度的增加。

進(jìn)一步的，考慮到S102中顯影后露出的區(qū)域與S104中顯影后露出的區(qū)域互補(bǔ)，因此，為了簡化工藝以及節(jié)省成本，優(yōu)選第一掩模板和第二掩模板為同一個掩模板；在此基礎(chǔ)上，第一光刻膠層70和第二光刻膠層71的材料互為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。

優(yōu)選的，在上述S101-S106的基礎(chǔ)上，形成所述多晶硅有源層11，包括如下步驟：

S201、如圖9(a)所示，在形成有第一非晶硅層12的襯底10上，形成第二非晶硅薄膜122。

S202、如圖9(b)所示，對第二非晶硅薄膜122進(jìn)行結(jié)晶化處理，使第二非晶硅薄膜122形成為多晶硅薄膜123。

針對S201和S202，具體可以采用PECVD在襯底10上沉積第二非晶硅薄膜122，采用高溫烤箱對第二非晶硅薄膜122進(jìn)行脫氫工藝處理，以防止在晶化過程中出現(xiàn)氫爆現(xiàn)象以及降低晶化后薄膜內(nèi)部的缺陷態(tài)密度作用。脫氫工藝完成后，采用ELA(激光退火)工藝、MIC(金屬誘導(dǎo)結(jié)晶工藝)、SPC(固相結(jié)晶工藝)等結(jié)晶化手段對第二非晶硅薄膜122進(jìn)行結(jié)晶化處理，在形成所述多晶硅薄膜123。

需要說明的是，如圖9(b)所示，當(dāng)對第二非晶硅薄膜122進(jìn)行結(jié)晶化處理時，第一非晶硅層12靠近第二非晶硅薄膜122的部分厚度為部分熔融狀態(tài)，因而在結(jié)晶化處理后，第一非晶硅層12靠近第二非晶硅薄膜122的部分厚度也會轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч栌性磳?1的一部分。

S203、在多晶硅薄膜123上形成第三光刻膠層，并采用所述第二掩模板對第三光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影。

即，采用與上述步驟S104中相同的掩模板對第三光刻膠層進(jìn)行曝光。所述第三光刻膠層與所述第二光刻膠層71的材料相同。

S204、采用刻蝕工藝對所述多晶硅薄膜123進(jìn)行刻蝕，形成如圖3所示的所述多晶硅有源層11，并去除剩余的所述第三光刻膠層。

此處，優(yōu)選采用干法工藝對經(jīng)過S203后剩余的第三光刻膠層未遮擋的所述多晶硅薄膜123進(jìn)行刻蝕。

當(dāng)然，在上述S101-S106的基礎(chǔ)上，形成所述多晶硅有源層11，還可以通過如下方式實現(xiàn)：在形成有所述第一非晶硅層12的襯底上，形成第二非晶硅薄膜122，并形成第三光刻膠層；采用所述第二掩模板對所述第三光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影；采用刻蝕工藝對露出的所述第二非晶硅薄膜122進(jìn)行刻蝕，形成第二非晶硅層，并去除剩余的所述第三光刻膠層；對所述第二非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶化處理，形成所述多晶硅有源層11。

基于上述，優(yōu)選的，第一非晶硅層12的厚度在之間；多晶硅有源層11的厚度在之間。

本發(fā)明實施例將多晶硅有源層11的厚度設(shè)置在之間，也即第二非晶硅薄膜122或第二非晶硅層的厚度在之間，這樣可在將第二非晶硅薄膜122或第二非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч璞∧?23或多晶硅層的過程中，避免第二非晶硅薄膜122或第二非晶硅層厚度較厚而需要更大的能量，從而導(dǎo)致工藝的復(fù)雜化以及成本的大幅提高。即，當(dāng)?shù)诙蔷Ч璞∧?22或第二非晶硅層的厚度在之間時，可通過現(xiàn)有的設(shè)備對其進(jìn)行結(jié)晶化，從而形成多晶硅薄膜123或多晶硅層。

在此基礎(chǔ)上，將第一非晶硅層12的厚度設(shè)置在之間，一方面，可保證在晶化過程中，有部分厚度熔融，保證晶粒尺寸大且結(jié)晶均一性；另一方面，可避免材料的浪費，節(jié)省成本。

本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板的制備方法，包括上述的薄膜晶體管制備方法。

其中，所述陣列基板可以為LCD中的陣列基板，在此情況下，如圖6所示，還包括與漏極17電連接的像素電極30。進(jìn)一步的，所述陣列基板還可以包括公共電極。

所述陣列基板也可以為OLED顯示器中的陣列基板，在此情況下，如圖7所示，還包括與漏極17電連接的陽極40、位于陽極40上方的有機(jī)材料功能層50和陰極60。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。