本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是指一種高壓BCD器件。

背景技術(shù)：

圖1所示是高壓BCD NMOS器件的示意圖。為了提高擊穿電壓業(yè)界通常采用帶PTOP層的resurf結(jié)構(gòu)。PTOP層為一P型注入層，注入?yún)^(qū)域通過(guò)光刻來(lái)定義。因?yàn)殡娏魇窃贜型漂移區(qū)內(nèi)流動(dòng)，P型的PTOP通常位于場(chǎng)氧下的漂移區(qū)中。由于PTOP是P型的，所以電流只能在PTOP上面和下面的N性漂移區(qū)中流動(dòng)，這樣PTOP的存在會(huì)增加漂移區(qū)的電阻導(dǎo)致導(dǎo)通電阻上升。圖2是圖1的俯視圖，從圖2中可以看出，PTOP層是整塊一體的，它的電位由底端的pad區(qū)通過(guò)P阱PW和N+接入。

為了降低漂移區(qū)的電阻，業(yè)界也有嘗試采用柵狀的PTOP層結(jié)構(gòu)，如圖3所示。這個(gè)結(jié)構(gòu)下電流不僅僅可以經(jīng)PTOP層的上面和下面的漂移區(qū)流動(dòng)，而且還可以在各條狀的PTOP層之間的N型區(qū)中流動(dòng)，達(dá)到減小了漂移區(qū)電阻的目的。但也如圖3所示的，由于PTOP層各條是相互隔離的，所以原來(lái)的單個(gè)pad無(wú)法將所有PTOP柵條接地。因?yàn)闆]有接地的PTOP在充電后電荷的釋放較慢，影響器件的開關(guān)速度。

為了實(shí)現(xiàn)各柵型PTOP之間的連接，實(shí)現(xiàn)所有PTOP條的接地，提高電荷釋放速度，可以按圖4將PTOP注入?yún)^(qū)在垂直于PTOP層的方向同時(shí)注入一條PTOP層，這樣各橫向的PTOP柵條就可以實(shí)現(xiàn)電相連，通過(guò)底部的pad實(shí)現(xiàn)接地。這結(jié)構(gòu)雖然相對(duì)圖2的整塊PTOP層，可以降低N型漂移區(qū)的電阻，同時(shí)實(shí)現(xiàn)接地，提高電荷釋放速度，但由于用于互聯(lián)的區(qū)域在同一條直線上，各柵條PTOP層間的用于互連的區(qū)域會(huì)互相影響，使電阻上升，無(wú)法最大限度地降低電阻。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種高壓BCD器件結(jié)構(gòu)，具有較低的漂移區(qū)電阻，同時(shí)實(shí)現(xiàn)PTOP層接地，提高電荷釋放速度。

為解決上述問題，本發(fā)明所述的高壓BCD器件，在襯底中具有N型深阱，N型深阱中具有P阱，源區(qū)位于P阱中，源區(qū)及漏區(qū)之間的襯底表面具有場(chǎng)氧，靠P阱的一側(cè)場(chǎng)氧上及靠P阱的襯底上具有多晶硅柵極，所述場(chǎng)氧下的襯底中，還具有P型注入層，其特征在于：所述P型注入層為多個(gè)平行的條狀，且平行于溝道方向，所述各平行條狀的P型注入層之間通過(guò)與之垂直的P型連接區(qū)域相連接，且連接區(qū)域互相錯(cuò)開，相鄰的連接區(qū)域不在同一直線上，P型連接區(qū)域?qū)⒏鳁l狀P型注入層電性連接在一起，通過(guò)接觸孔接地。

進(jìn)一步地，所述的P型注入層的P型連接區(qū)域，與P型注入層采用同一掩膜版同時(shí)注入形成。

進(jìn)一步地，所述的P型連接區(qū)域的位置為規(guī)律性分布，或者隨機(jī)分布。

進(jìn)一步地，所述的P型連接區(qū)域，相鄰的P型連接區(qū)域之間的錯(cuò)開距離大于5微米，P型連接區(qū)域的寬度為5～20微米。

本發(fā)明所述的高壓BCD器件結(jié)構(gòu)，改變PTOP層連接區(qū)的形態(tài)，使接近Source和Drain兩端的用于互聯(lián)的P型連接區(qū)域交錯(cuò)分布，這樣各條形PTOP層可以通過(guò)底部的pad實(shí)現(xiàn)接地，使電荷可以迅速釋放，同時(shí)將PTOP層對(duì)N型漂移區(qū)的電阻影響大幅降低。因?yàn)橛糜谶B接的小區(qū)域是交替分布在兩端，所以各用于連接的小區(qū)域相互影響被降低，漂移區(qū)的電阻可以進(jìn)一步降低。

附圖說(shuō)明

圖1是高壓BCD器件的剖面結(jié)構(gòu)圖。

圖2是高壓BCD器件的PTOP層俯視圖。

圖3是高壓BCD器件的一種PTOP層俯視圖。

圖4是高壓BCD器件的另一種PTOP層俯視圖。

圖5是本發(fā)明一實(shí)施例高壓BCD器件的PTOP層俯視圖。

圖6是本發(fā)明另一實(shí)施例高壓BCD器件的PTOP層俯視圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明所述的高壓BCD器件，其剖面圖與圖1所示無(wú)異，是在襯底中具有N型深阱，N型深阱中具有P阱，源區(qū)位于P阱中，源區(qū)及漏區(qū)之間的襯底表面具有場(chǎng)氧，靠P阱的一側(cè)場(chǎng)氧上及靠P阱的襯底上具有多晶硅柵極，所述場(chǎng)氧下的襯底中，還具有P型注入層。所述P型注入層如圖5所示，為多個(gè)平行的條狀，且平行于溝道方向，所述各平行條狀的P型注入層之間通過(guò)與之垂直的P型連接區(qū)域相連接，且連接區(qū)域互相錯(cuò)開，相鄰的連接區(qū)域不在同一直線上，P型連接區(qū)域?qū)⒏鳁l狀P型注入層電性連接在一起，通過(guò)接觸孔接地。所述的P型注入層的P型連接區(qū)域，與P型注入層采用同一掩膜版同時(shí)注入形成。

如圖5所示，所述的P型連接區(qū)域，相鄰的P型連接區(qū)域之間的錯(cuò)開距離L大于5微米，P型連接區(qū)域的寬度W為5～20微米。

所述的P型連接區(qū)域的位置為規(guī)律性分布，或者隨機(jī)分布。如圖6所示，是基于上述本發(fā)明技術(shù)思想的的另一實(shí)施例，P型連接區(qū)域可以在PTOP層任意分布，將各條形PTOP層電性連接，通過(guò)接觸孔接地。只需遵守上述的錯(cuò)開距離L大于5微米，寬度W范圍在5～20微米內(nèi)即可。

以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限定本發(fā)明。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。