本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法、掩膜版、顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置(英文：Liquid Crystal Display；簡稱：LCD)是一種應(yīng)用廣泛的顯示裝置，其主要部件為液晶面板，液晶面板包括對盒成形的陣列基板和彩膜基板，以及充填在陣列基板和彩膜基板之間的液晶，陣列基板中設(shè)置有薄膜晶體管(英文：(Thin Film Transistor；簡稱：TFT)，LCD通過公共電極以及與TFT連接的像素電極產(chǎn)生電場來控制液晶偏轉(zhuǎn)，實現(xiàn)圖像顯示。

請參考圖1，其示出了相關(guān)技術(shù)提供的一種陣列基板0的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖1，陣列基板0包括：襯底基板01以及依次設(shè)置在襯底基板01上的像素電極02、柵極03、柵絕緣層04、有源層05、源漏極層06、鈍化層07和像素連接線08，像素電極02與柵極03位于同一層，源漏極層06包括源極061和漏極062，柵絕緣層04上設(shè)置有第一過孔(圖1中未標(biāo)出)，鈍化層07上設(shè)置有漏極過孔(圖1中未標(biāo)出)和第二過孔(圖1中未標(biāo)出)，第二過孔與第一過孔在鈍化層07與柵絕緣層04的交界處連通，像素連接線08通過漏極過孔、第二過孔和第一過孔將像素電極02與漏極062連接。其中，第二過孔和第一過孔通過一次構(gòu)圖工藝形成。

在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)相關(guān)技術(shù)至少存在以下問題：

鈍化層與柵絕緣層的材質(zhì)不同，使得在形成第二過孔和第一過孔的過程中，鈍化層與柵絕緣層的刻蝕速率不同，從而鈍化層與柵絕緣層的交界處容易形成缺口，像素連接線在鈍化層與柵絕緣層的交界處容易發(fā)生斷裂，導(dǎo)致相應(yīng)的子像素?zé)o法實現(xiàn)圖像顯示，顯示裝置在顯示的過程中容易出現(xiàn)暗線不良。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決顯示裝置容易出現(xiàn)暗線不良的問題，本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法、掩膜版、顯示裝置。所述技術(shù)方案如下：

第一方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括：襯底基板，以及設(shè)置在所述襯底基板上的顯示單元；

所述顯示單元包括：依次設(shè)置在所述襯底基板上的像素電極、柵極、柵絕緣層、源漏極層、鈍化層和像素連接線，所述源漏極層包括源極和漏極，所述柵絕緣層上設(shè)置有第一孔狀結(jié)構(gòu)，所述鈍化層位于所述第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)的部分設(shè)置有第二孔狀結(jié)構(gòu)，所述鈍化層位于所述第一孔狀結(jié)構(gòu)外的部分設(shè)置有漏極過孔，所述第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與所述第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不接觸，所述像素連接線通過所述第二孔狀結(jié)構(gòu)和所述漏極過孔將所述像素電極與所述漏極連接。

可選地，所述顯示單元還包括：設(shè)置在所述柵絕緣層上的有源層，所述有源層在所述襯底基板上的正投影與所述柵極在所述襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域，所述源極和所述漏極分別與所述有源層接觸。

可選地，所述柵極與所述像素電極位于同一層；

所述像素連接線的形成材料與所述像素電極的形成材料相同。

第二方面，提供一種陣列基板的制造方法，所述方法包括：

在襯底基板上形成顯示單元，所述顯示單元包括：依次形成在所述襯底基板上的像素電極、柵極、柵絕緣層、源漏極層、鈍化層和像素連接線，所述源漏極層包括源極和漏極，所述柵絕緣層上形成有第一孔狀結(jié)構(gòu)，所述鈍化層位于所述第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)的部分形成有第二孔狀結(jié)構(gòu)，所述鈍化層位于所述第一孔狀結(jié)構(gòu)外的部分形成有漏極過孔，所述第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與所述第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不接觸，所述像素連接線通過所述第二孔狀結(jié)構(gòu)和所述漏極過孔將所述像素電極與所述漏極連接。

可選地，所述在襯底基板上形成顯示單元，包括：

在所述襯底基板上依次形成所述像素電極、所述柵極和所述柵絕緣層；

通過一次構(gòu)圖工藝在所述柵絕緣層上形成所述第一孔狀結(jié)構(gòu)；

在形成有所述柵絕緣層的襯底基板上依次形成所述源漏極層和所述鈍化層，所述鈍化層部分位于所述第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)；

通過一次構(gòu)圖工藝在所述鈍化層上形成所述第二孔狀結(jié)構(gòu)和所述漏極過孔，所述第二孔狀結(jié)構(gòu)位于所述第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)，所述漏極過孔位于所述第一孔狀結(jié)構(gòu)外，且所述第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與所述第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不接觸；

在形成有所述鈍化層的襯底基板上形成所述像素連接線，所述像素連接線通過所述第二孔狀結(jié)構(gòu)和所述漏極過孔將所述像素電極與所述漏極連接。

可選地，所述顯示單元還包括：設(shè)置在所述柵絕緣層上的有源層，在所述襯底基板上依次形成所述像素電極、所述柵極和所述柵絕緣層之后，所述方法還包括：

在形成有所述柵絕緣層的襯底基板上形成所述有源層，所述有源層在所述襯底基板上的正投影與所述柵極在所述襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域；

所述在形成有所述柵絕緣層的襯底基板上依次形成所述源漏極層和所述鈍化層，包括：

在形成有所述有源層的襯底基板上依次形成所述源漏極層和所述鈍化層，所述源極和所述漏極分別與所述有源層接觸。

可選地，所述顯示單元還包括：設(shè)置在所述柵絕緣層上的有源層，所述在襯底基板上形成顯示單元，包括：

在所述襯底基板上依次形成所述像素電極、所述柵極、所述柵絕緣層、初始有源層、源漏極材質(zhì)層和光刻膠層；

采用第一掩膜版對形成有所述光刻膠層的襯底基板依次進(jìn)行曝光、顯影后得到光刻膠圖形，所述光刻膠圖形包括：第一光刻膠區(qū)域、第二光刻膠區(qū)域、第三光刻膠區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，所述第三光刻膠區(qū)域、所述第二光刻膠區(qū)域和所述第一光刻膠區(qū)域的光刻膠的厚度依次減小，所述第一掩膜版包括第一半透光區(qū)域、第二半透光區(qū)域、完全透光區(qū)域和遮光區(qū)域，所述第一半透光區(qū)域的透光率大于所述第二半透光區(qū)域的透光率，所述第一光刻膠區(qū)域與所述第一半透光區(qū)域?qū)?yīng)，所述第二光刻膠區(qū)域與所述第二半透光區(qū)域?qū)?yīng)，所述第三光刻膠區(qū)域與所述遮光區(qū)域?qū)?yīng)，所述光刻膠完全去除區(qū)域與所述完全透光區(qū)域?qū)?yīng)；

依次對所述光刻膠完全去除區(qū)域在所述源漏極材質(zhì)層上的對應(yīng)區(qū)域，以及所述光刻膠完全去除區(qū)域在所述柵絕緣層上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，使所述柵絕緣層上形成所述第一孔狀結(jié)構(gòu)；

采用灰化工藝對所述光刻膠圖形進(jìn)行處理，使所述第一光刻膠區(qū)域的光刻膠完全去除，所述第二光刻膠區(qū)域的光刻膠和所述第三光刻膠區(qū)域的光刻膠的厚度減??；

對所述第一光刻膠區(qū)域在所述源漏極材質(zhì)層上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，得到初始源漏極層；

采用灰化工藝對灰化后的所述光刻膠圖形再次進(jìn)行處理，使所述第二光刻膠區(qū)域的光刻膠完全去除，所述第三光刻膠區(qū)域的光刻膠的厚度減小；

依次對所述第二光刻膠區(qū)域在所述初始源漏極層上的對應(yīng)區(qū)域，以及所述第二光刻膠區(qū)域在所述初始有源層上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，得到所述源漏極層和所述有源層；

剝離所述第三光刻膠區(qū)域的光刻膠；

在形成有所述源漏極層的襯底基板上形成所述鈍化層，所述鈍化層部分位于所述第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)；

通過一次構(gòu)圖工藝在所述鈍化層上形成所述第二孔狀結(jié)構(gòu)和所述漏極過孔，所述第二孔狀結(jié)構(gòu)位于所述第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)，所述漏極過孔位于所述第一孔狀結(jié)構(gòu)外，且所述第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與所述第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不接觸；

在形成有所述鈍化層的襯底基板上形成所述像素連接線，所述像素連接線通過所述第二孔狀結(jié)構(gòu)和所述漏極過孔，將所述像素電極與所述漏極連接。

可選地，所述柵極與所述像素電極位于同一層；

所述像素連接線的形成材料與所述像素電極的形成材料相同。

第三方面，提供一種掩膜版，所述掩膜版包括：第一半透光區(qū)域、第二半透光區(qū)域、完全透光區(qū)域和遮光區(qū)域，所述第一半透光區(qū)域的透光率大于所述第二半透光區(qū)域的透光率。

第四方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第一方面所提供的陣列基板。

本發(fā)明提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

本發(fā)明提供的陣列基板及其制造方法、掩膜版、顯示裝置，在陣列基板上，由于第二孔狀結(jié)構(gòu)設(shè)置在鈍化層位于第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)的部分上，且第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不接觸，像素連接線通過第二孔狀結(jié)構(gòu)和漏極過孔將像素電極與漏極連接，因此，可以避免像素連接線同時與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁接觸，從而避免像素連接線發(fā)生斷裂，解決了顯示裝置容易出現(xiàn)暗線不良的問題，達(dá)到了避免顯示裝置出現(xiàn)暗線不良的效果。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本發(fā)明。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是相關(guān)技術(shù)提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例提供的一種掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-1是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制造方法的方法流程圖；

圖5-2是圖5-1所示實施例提供的一種在襯底基板上形成像素電極后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-3是圖5-1所示實施例提供的一種在形成有像素電極的襯底基板上形成柵極后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-4是圖5-1所示實施例提供的一種在形成有柵極的襯底基板上形成柵絕緣層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-5是圖5-1所示實施例提供的一種在形成有柵絕緣層的襯底基板上形成初始有源層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-6是圖5-1所示實施例提供的一種在形成有初始有源層的襯底基板上形成源漏極材質(zhì)層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-7是圖5-1所示實施例提供的一種在形成有源漏極材質(zhì)層的襯底基板上形成光刻膠層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-8是圖5-1所示實施例提供的一種對形成有光刻膠層的襯底基板依次進(jìn)行曝光、顯影后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-9是圖5-1所示實施例提供的一種對光刻膠完全去除區(qū)域在源漏極材質(zhì)層和柵絕緣層上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-10是圖5-1所示實施例提供的一種采用灰化工藝對光刻膠圖形進(jìn)行處理后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-11是圖5-1所示實施例提供的一種對第一光刻膠區(qū)域在源漏極材質(zhì)層上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-12是圖5-1所示實施例提供的一種采用灰化工藝對灰化后的光刻膠圖形再次進(jìn)行處理后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-13是圖5-1所示實施例提供的一種對第二光刻膠區(qū)域在初始源漏極層和初始有源層上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-14是圖5-1所示實施例提供的一種剝離第三光刻膠區(qū)域的光刻膠后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-15是圖5-1所示實施例提供的一種在形成有源漏極層的襯底基板上形成鈍化層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-16是圖5-1所示實施例提供的一種在鈍化層上形成第二孔狀結(jié)構(gòu)和漏極過孔后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6-1是本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的制造方法的方法流程圖；

圖6-2是圖6-1所示實施例提供的一種在柵絕緣層上形成第一孔狀結(jié)構(gòu)后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6-3是圖6-1所示實施例提供的一種在形成有柵絕緣層的襯底基板上形成有源層后的結(jié)構(gòu)示意圖。

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請參考圖2，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板1的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖2，該陣列基板1包括：襯底基板11，以及設(shè)置在襯底基板11上的顯示單元12。其中，襯底基板11可以為透明基板，其具體可以是采用玻璃、石英、透明樹脂等具有一定堅固性的導(dǎo)光且非金屬材料制成的基板。

其中，顯示單元12包括：依次設(shè)置在襯底基板11上的像素電極121、柵極122、柵絕緣層123、源漏極層124、鈍化層125和像素連接線126，源漏極層124包括源極1241和漏極1242，柵絕緣層123上設(shè)置有第一孔狀結(jié)構(gòu)K1，鈍化層125位于第一孔狀結(jié)構(gòu)K1內(nèi)的部分設(shè)置有第二孔狀結(jié)構(gòu)K2，鈍化層125位于第一孔狀結(jié)構(gòu)K1外的部分設(shè)置有漏極過孔K，第二孔狀結(jié)構(gòu)K2的側(cè)壁與第一孔狀結(jié)構(gòu)K1的側(cè)壁不接觸，像素連接線126通過第二孔狀結(jié)構(gòu)K2和漏極過孔K，將像素電極121與漏極1242連接。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的陣列基板，由于第二孔狀結(jié)構(gòu)設(shè)置在鈍化層位于第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)的部分上，且第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不接觸，像素連接線通過第二孔狀結(jié)構(gòu)和漏極過孔將像素電極與漏極連接，因此，可以避免像素連接線同時與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁接觸，從而避免像素連接線發(fā)生斷裂，解決了顯示裝置容易出現(xiàn)暗線不良的問題，達(dá)到了避免顯示裝置出現(xiàn)暗線不良的效果。

進(jìn)一步地，如圖2所示，顯示單元12還包括：設(shè)置在柵絕緣層123上的有源層127，有源層127在襯底基板11上的正投影與柵極122在襯底基板11上的正投影存在重疊區(qū)域，源極1241和漏極1242分別與有源層127接觸。

進(jìn)一步地，請參考圖3，其示出了本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板1的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖3，在圖2的基礎(chǔ)上，顯示單元12還包括設(shè)置在襯底基板11上的公共電極線128以設(shè)置在鈍化層125上的公共連接線129，柵絕緣層123上設(shè)置有第三孔狀結(jié)構(gòu)K3，鈍化層125位于第三孔狀結(jié)構(gòu)K3內(nèi)的部分設(shè)置有第四孔狀結(jié)構(gòu)K4，該第四孔狀結(jié)構(gòu)K4的內(nèi)壁與第三孔狀結(jié)構(gòu)K3的內(nèi)壁不接觸，公共連接線129通過第四孔狀結(jié)構(gòu)K4與公共電極線128連接。其中，如圖3所示，公共電極線128與像素電極121、柵極122位于同一層，公共連接線129與像素連接線126位于同一層，本發(fā)明實施例對此不作限定。

需要說明的是，本發(fā)明實施例中各個膜層以及結(jié)構(gòu)的厚度、各個過孔以及孔狀結(jié)構(gòu)的深度都可以根據(jù)實際需要設(shè)置。其中，在各個膜層中，像素電極121可以采用氧化銦錫(英文：Indium Tin Oxide；簡稱：ITO)、氧化銦鋅(英文：Indium Zinc Oxide；簡稱：IZO)等金屬氧化物通過一次構(gòu)圖工藝形成；柵極122和公共電極線128可以采用金屬M(fèi)o(中文：鉬)、金屬Cu(中文：銅)、金屬Al(中文：鋁)及其合金材料并通過同一次構(gòu)圖工藝形成；柵絕緣層123可以采用氧化硅、SiN_x(中文：氮化硅)、氧化鋁、SiO₂(中文：二氧化硅)或其混合材料等無機(jī)材料形成；有源層127可以采用非晶硅(例如，n+非晶硅，英文：n+a-Si)、多晶硅、銦鎵鋅氧化物(英文：Indium Gallium Zinc Oxide；簡稱：IGZO)等材料并通過一次構(gòu)圖工藝形成；源漏極層124可以采用金屬M(fèi)o、金屬Cu、金屬Al及其合金材料制造而成；鈍化層125可以采用SiO₂或者SiN_x形成；公共連接線129與像素連接線126可以采用ITO、IZO等金屬氧化物并通過同一次構(gòu)圖工藝形成。各個膜層以及結(jié)構(gòu)的具體形成過程可以參考相關(guān)技術(shù)，本發(fā)明實施例在此不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的陣列基板，由于第二孔狀結(jié)構(gòu)設(shè)置在鈍化層位于第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)的部分上，且第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不接觸，像素連接線通過第二孔狀結(jié)構(gòu)和漏極過孔將像素電極與漏極連接，因此，可以避免像素連接線同時與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁接觸，從而避免像素連接線發(fā)生斷裂，解決了顯示裝置容易出現(xiàn)暗線不良的問題，達(dá)到了避免顯示裝置出現(xiàn)暗線不良的效果。

請參考圖4，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種掩膜版2的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖4，該掩膜版2包括：第一半透光區(qū)域21、第二半透光區(qū)域22、完全透光區(qū)域23和遮光區(qū)域24，第一半透光區(qū)域21的透光率大于第二半透光區(qū)域22的透光率。其中，第一半透光區(qū)域21和第二半透光區(qū)域22的具體透光率可以根據(jù)實際情況設(shè)置。

可選地，掩膜版2可以包括框架，框架中包括多個框，每個框?qū)?yīng)掩膜版2上的一個區(qū)域，可以先采用具有相應(yīng)透光率的材料形成相應(yīng)的板件，然后將板件設(shè)置在各自對應(yīng)的框中，形成掩膜版2。示例地，第一半透光區(qū)域21的透光率可以為第一透光率，可以采用具有第一透光率的材料形成具有第一透光率的板件，然后將該具有第一透光率的板件設(shè)置在第一半透光區(qū)域21對應(yīng)的框架中，形成掩膜版2的第一半透光區(qū)域21，依次類推，可以形成掩膜版2的第二半透光區(qū)域22、完全透光區(qū)域23和遮光區(qū)域24等。

可選地，掩膜版2可以包括掩膜版本體，該掩膜版本體可以采用不透光材料形成，可以通過三次構(gòu)圖工藝對掩膜版本體進(jìn)行處理得到掩膜版2。具體地，在第一次構(gòu)圖工藝中，可以在掩膜版本體上與完全透光區(qū)域23對應(yīng)的區(qū)域形成過孔，該過孔所在區(qū)域即為完全透光區(qū)域，從而使掩膜版本體上形成完全透光區(qū)域；在第二次構(gòu)圖工藝中，可以在掩膜版本體上與第一半透光區(qū)域21對應(yīng)的區(qū)域形成凹槽，該凹槽所在區(qū)域即為第一半透光區(qū)域，從而使掩膜版本體上形成第一半透光區(qū)域；在第三次構(gòu)圖工藝中，可以在掩膜版本體上與第二半透光區(qū)域22對應(yīng)的區(qū)域形成凹槽，且使該凹槽的深度小于第二次構(gòu)圖工藝中形成的凹槽的深度，該第三次構(gòu)圖工藝中形成的凹槽所在區(qū)域即為第二半透光區(qū)域，從而使掩膜版本體上形成第二半透光區(qū)域；掩膜版本體上剩余的區(qū)域即為遮光區(qū)域，從而可以得到掩膜版。

需要說明的是，本發(fā)明實施例所示的掩膜版2的制造方法僅僅是示例性的，并不能用來限制本發(fā)明中所提供的掩膜版的制造工藝，實際應(yīng)用中，掩膜版2的具體形成方法可以多種多樣，本發(fā)明實施例在此不再贅述。

本發(fā)明實施例提供的陣列基板可以應(yīng)用于下文的方法，本發(fā)明實施例中陣列基板的制造方法和制造原理可以參見下文各實施例中的描述。

本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板的制造方法，該陣列基板的制造方法可以用于制造圖2或圖3所示的陣列基板1，該陣列基板的制造方法可以包括：

在襯底基板上形成顯示單元。

其中，顯示單元包括：依次形成在襯底基板上的像素電極、柵極、柵絕緣層、源漏極層、鈍化層和像素連接線，源漏極層包括源極和漏極，柵絕緣層上形成有第一孔狀結(jié)構(gòu)，鈍化層位于第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)的部分形成有第二孔狀結(jié)構(gòu)，鈍化層位于第一孔狀結(jié)構(gòu)外的部分形成有漏極過孔，第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不接觸，像素連接線通過第二孔狀結(jié)構(gòu)和漏極過孔將像素電極與漏極連接。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法，由于第二孔狀結(jié)構(gòu)設(shè)置在鈍化層位于第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)的部分上，且第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不接觸，像素連接線通過第二孔狀結(jié)構(gòu)和漏極過孔將像素電極與漏極連接，因此，可以避免像素連接線同時與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁接觸，從而避免像素連接線發(fā)生斷裂，解決了顯示裝置容易出現(xiàn)暗線不良的問題，達(dá)到了避免顯示裝置出現(xiàn)暗線不良的效果。

可選地，在襯底基板上形成顯示單元，包括：

在襯底基板上依次形成像素電極、柵極和柵絕緣層；

通過一次構(gòu)圖工藝在柵絕緣層上形成第一孔狀結(jié)構(gòu)；

在形成有柵絕緣層的襯底基板上依次形成源漏極層和鈍化層，鈍化層部分位于第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)；

通過一次構(gòu)圖工藝在鈍化層上形成第二孔狀結(jié)構(gòu)和漏極過孔，第二孔狀結(jié)構(gòu)位于第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)，漏極過孔位于第一孔狀結(jié)構(gòu)外，且第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不接觸；

在形成有鈍化層的襯底基板上形成像素連接線，像素連接線通過第二孔狀結(jié)構(gòu)和漏極過孔將像素電極與漏極連接。

可選地，顯示單元還包括：設(shè)置在柵絕緣層上的有源層，在襯底基板上依次形成像素電極、柵極和柵絕緣層之后，該方法還包括：

在形成有柵絕緣層的襯底基板上形成有源層，有源層在襯底基板上的正投影與柵極在襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域；

在形成有柵絕緣層的襯底基板上依次形成源漏極層和鈍化層，包括：

在形成有有源層的襯底基板上依次形成源漏極層和鈍化層，源極和漏極分別與有源層接觸。

可選地，顯示單元還包括：設(shè)置在柵絕緣層上的有源層，在襯底基板上形成顯示單元，包括：

在襯底基板上依次形成像素電極、柵極、柵絕緣層、初始有源層、源漏極材質(zhì)層和光刻膠層；

采用第一掩膜版對形成有光刻膠層的襯底基板依次進(jìn)行曝光、顯影后得到光刻膠圖形，光刻膠圖形包括：第一光刻膠區(qū)域、第二光刻膠區(qū)域、第三光刻膠區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，第三光刻膠區(qū)域、第二光刻膠區(qū)域和第一光刻膠區(qū)域的光刻膠的厚度依次減小，第一掩膜版包括第一半透光區(qū)域、第二半透光區(qū)域、完全透光區(qū)域和遮光區(qū)域，第一半透光區(qū)域的透光率大于第二半透光區(qū)域的透光率，第一光刻膠區(qū)域與第一半透光區(qū)域?qū)?yīng)，第二光刻膠區(qū)域與第二半透光區(qū)域?qū)?yīng)，第三光刻膠區(qū)域與遮光區(qū)域?qū)?yīng)，光刻膠完全去除區(qū)域與完全透光區(qū)域?qū)?yīng)；

依次對光刻膠完全去除區(qū)域在源漏極材質(zhì)層上的對應(yīng)區(qū)域，以及光刻膠完全去除區(qū)域在柵絕緣層上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，使柵絕緣層上形成第一孔狀結(jié)構(gòu)；

采用灰化工藝對光刻膠圖形進(jìn)行處理，使第一光刻膠區(qū)域的光刻膠完全去除，第二光刻膠區(qū)域的光刻膠和第三光刻膠區(qū)域的光刻膠的厚度減?。?/p>

對第一光刻膠區(qū)域在源漏極材質(zhì)層上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，得到初始源漏極層；

采用灰化工藝對灰化后的光刻膠圖形再次進(jìn)行處理，使第二光刻膠區(qū)域的光刻膠完全去除，第三光刻膠區(qū)域的光刻膠的厚度減小；

依次對第二光刻膠區(qū)域在初始源漏極層上的對應(yīng)區(qū)域，以及第二光刻膠區(qū)域在初始有源層上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，得到源漏極層和有源層；

剝離第三光刻膠區(qū)域的光刻膠；

在形成有源漏極層的襯底基板上形成鈍化層，鈍化層部分位于第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)；

通過一次構(gòu)圖工藝在鈍化層上形成第二孔狀結(jié)構(gòu)和漏極過孔，第二孔狀結(jié)構(gòu)位于第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)，漏極過孔位于第一孔狀結(jié)構(gòu)外，且第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不接觸；

在形成有鈍化層的襯底基板上形成像素連接線，像素連接線通過第二孔狀結(jié)構(gòu)和漏極過孔將像素電極與漏極連接。

可選地，柵極與像素電極位于同一層；

像素連接線的形成材料與像素電極的形成材料相同。

上述所有可選技術(shù)方案，可以采用任意結(jié)合形成本發(fā)明的可選實施例，在此不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法，由于第二孔狀結(jié)構(gòu)設(shè)置在鈍化層位于第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)的部分上，且第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不接觸，像素連接線通過第二孔狀結(jié)構(gòu)和漏極過孔將像素電極與漏極連接，因此，可以避免像素連接線同時與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁接觸，從而避免像素連接線發(fā)生斷裂，解決了顯示裝置容易出現(xiàn)暗線不良的問題，達(dá)到了避免顯示裝置出現(xiàn)暗線不良的效果。

請參考圖5-1，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制造方法的方法流程圖，該陣列基板的制造方法可以用于制造圖2或圖3所示的陣列基板1，本發(fā)明實施例以制造圖2所示的陣列基板1為例進(jìn)行說明。參見圖5-1，該陣列基板的制造方法包括：

步驟501、在襯底基板上依次形成像素電極、柵極、柵絕緣層、初始有源層、源漏極材質(zhì)層和光刻膠層。

其中，在襯底基板上依次形成像素電極、柵極、柵絕緣層、初始有源層、源漏極材質(zhì)層和光刻膠層可以包括：在襯底基板上形成像素電極；在形成有像素電極的襯底基板上形成柵極；在形成有柵極的襯底基板上形成柵絕緣層；在形成有柵絕緣層的襯底基板上形成初始有源層；在形成有初始有源層的襯底基板上形成源漏極材質(zhì)層；在形成有源漏極材質(zhì)層的襯底基板上形成光刻膠層。

示例地，請參考圖5-2，其示出的是圖5-1所示實施例提供的一種在襯底基板11上形成像素電極121后的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，襯底基板11可以為透明基板，其具體可以是采用玻璃、石英、透明樹脂等具有一定堅固性的導(dǎo)光且非金屬材料制成的基板。像素電極121可以采用ITO材料或者IZO材料制造而成，像素電極121的厚度的可以根據(jù)實際需要設(shè)置，本發(fā)明實施例對此不作限定。

示例地，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或者等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；簡稱：PECVD)等方法在襯底基板11上沉積一層具有一定厚度的ITO材料得到ITO材質(zhì)層，然后通過一次構(gòu)圖工藝對ITO材質(zhì)層進(jìn)行處理得到像素電極121。其中，一次構(gòu)圖工藝包括：光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離，因此，通過一次構(gòu)圖工藝對ITO材質(zhì)層進(jìn)行處理得到像素電極121可以包括：在ITO材質(zhì)層上涂覆一層具有一定厚度的光刻膠形成光刻膠層，采用掩膜版(并非圖4所示的掩膜版)對光刻膠層進(jìn)行曝光，使得光刻膠層形成完全曝光區(qū)域和非曝光區(qū)域，之后采用顯影工藝處理，使完全曝光區(qū)域的光刻膠被完全去除，非曝光區(qū)域的光刻膠全部保留，采用刻蝕工藝對ITO材質(zhì)層上完全曝光區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，之后剝離非曝光區(qū)域的光刻膠，ITO材質(zhì)層上非曝光區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域形成像素電極121。

需要說明的是，本發(fā)明實施例是以采用正性光刻膠形成像素電極121為例進(jìn)行說明的，實際應(yīng)用中，還可以采用負(fù)性光刻膠形成像素電極121，本發(fā)明實施例對此不作限定。

示例地，請參考圖5-3，其示出的是圖5-1所示實施例提供的一種在形成有像素電極121的襯底基板11上形成柵極122后的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖5-3，柵極122與像素電極121位于同一層。在本發(fā)明實施例中，柵極122可以采用金屬M(fèi)o、金屬Cu、金屬Al及其合金材料制造而成，柵極122的厚度的可以根據(jù)實際需要設(shè)置，本發(fā)明實施例對此不作限定。示例地，在形成柵極122時，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或者PECVD等方法在形成有像素電極121的襯底基板11上形成金屬M(fèi)o材質(zhì)層，然后通過一次構(gòu)圖工藝對金屬M(fèi)o材質(zhì)層進(jìn)行處理得到柵極122。其中，通過一次構(gòu)圖工藝對金屬M(fèi)o材質(zhì)層進(jìn)行處理的過程可以參考通過一次構(gòu)圖工藝對ITO材質(zhì)層進(jìn)行處理的過程，這里不再贅述。需要說明的是，實際應(yīng)用中，陣列基板還包括公共電極線(如圖3中的公共電極線128)，且公共電極線與柵極122可以位于同一層，因此，還可以在形成柵極122的構(gòu)圖工藝中形成公共電極線，本發(fā)明實施例在此不再贅述。

示例地，請參考圖5-4，其示出的是圖5-1所示實施例提供的一種在形成有柵極122的襯底基板11上形成柵絕緣層123后的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，柵絕緣層123可以采用氧化硅、氧化鋁、SiO₂、SiN_x、SiO₂和SiN_x的混合材料或者樹脂等絕緣性材料形成，且柵絕緣層123的厚度可以根據(jù)實際需要設(shè)置，本發(fā)明實施例對此不作限定。示例地，可以采用涂覆、磁控濺射、熱蒸發(fā)或者PECVD等方法在形成有柵極122的襯底基板11上沉積一層具有一定厚度的SiO₂，形成SiO₂材質(zhì)層，并進(jìn)行烘烤處理形成柵絕緣層123。實際應(yīng)用中，當(dāng)柵絕緣層123包括圖形時，還可以通過一次構(gòu)圖工藝對SiO₂材質(zhì)層進(jìn)行處理后形成柵絕緣層123，本發(fā)明實施例對此不作限定。

示例地，請參考圖5-5，其示出的是圖5-1所示實施例提供的一種在形成有柵絕緣層123的襯底基板11上形成初始有源層127A后的結(jié)構(gòu)示意圖。初始有源層127A可以采用非晶硅、多晶硅、IGZO等材料形成，且初始有源層127A的厚度可以根據(jù)實際需要設(shè)置，本發(fā)明實施例對此不作限定。示例地，可以采用涂覆、磁控濺射、熱蒸發(fā)或者PECVD等方法在形成有柵絕緣層123的襯底基板11上沉積一層具有一定厚度的非晶硅形成非晶硅材質(zhì)層，然后通過一次構(gòu)圖工藝對非晶硅材質(zhì)層進(jìn)行處理后形成初始有源層127A，本發(fā)明實施例對此不作限定。

示例地，請參考圖5-6，其示出的是圖5-1所示實施例提供的一種在形成有初始有源層127A的襯底基板11上形成源漏極材質(zhì)層124A后的結(jié)構(gòu)示意圖，該源漏極材質(zhì)層124A可以采用金屬M(fèi)o、金屬Cu、金屬Al及其合金材料形成，源漏極材質(zhì)層124A的厚度可以根據(jù)實際需要設(shè)置。示例地，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或者PECVD等方法在形成有初始有源層127A的襯底基板11上沉積一層具有一定厚度的金屬Cu得到金屬Cu材質(zhì)層，該金屬Cu材質(zhì)層也即是源漏極材質(zhì)層124A。

示例地，請參考圖5-7，其示出的是圖5-1所示實施例提供的一種在形成有源漏極材質(zhì)層124A的襯底基板11上形成光刻膠層G后的結(jié)構(gòu)示意圖，該光刻膠層G可以采用正性光刻膠或者負(fù)性光刻膠形成，本發(fā)明實施例以采用正性光刻膠形成光刻膠層為例。因此，可以采用涂覆工藝在形成有源漏極材質(zhì)層124A的襯底基板11上涂覆一層正性光刻膠得到光刻膠層G。

步驟502、采用第一掩膜版對形成有光刻膠層的襯底基板依次進(jìn)行曝光、顯影后得到光刻膠圖形。

其中，第一掩膜版可以為如圖4所示的掩膜版2，該掩膜版2包括第一半透光區(qū)域21、第二半透光區(qū)域22、完全透光區(qū)域23和遮光區(qū)域24，第一半透光區(qū)域21的透光率大于第二半透光區(qū)域22的透光率。在本發(fā)明實施例中，可以采用如圖4所示的掩膜版2對光刻膠層G依次進(jìn)行曝光、顯影后得到光刻膠圖形G1，曝光、顯影后的結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖5-8所示，參見圖5-8，光刻膠圖形G1包括：第一光刻膠區(qū)域G11、第二光刻膠區(qū)域G12、第三光刻膠區(qū)域G13和光刻膠完全去除區(qū)域G14，第三光刻膠區(qū)域G13、第二光刻膠區(qū)域G12和第一光刻膠區(qū)域G11的光刻膠的厚度依次減小，第一光刻膠區(qū)域G11可以與掩膜版2第一半透光區(qū)域21對應(yīng)，第二光刻膠區(qū)域G12可以與掩膜版2的第二半透光區(qū)域22對應(yīng)，第三光刻膠區(qū)域G13可以與掩膜版2的遮光區(qū)域24對應(yīng)，光刻膠完全去除區(qū)域G14可以與掩膜版2的完全透光區(qū)域23對應(yīng)。

可選地，在采用第一掩膜版對形成有光刻膠層G的襯底基板11依次曝光時，可以將第一掩膜版與形成有光刻膠層G的襯底基板11精準(zhǔn)對位，然后進(jìn)行曝光，由于第一掩膜版不同區(qū)域的透光率不同，因此，與第一掩膜版對應(yīng)的光刻膠層G上不同區(qū)域的曝光量不同。在曝光完成之后，可以采用顯影液對曝光后的光刻膠層G進(jìn)行顯影，得到如圖5-8所示的光刻膠圖形G1。其中，具體的曝光及顯影過程可以參考相關(guān)技術(shù)，本發(fā)明實施例在此不再贅述。

步驟503、依次對光刻膠完全去除區(qū)域在源漏極材質(zhì)層上的對應(yīng)區(qū)域，以及光刻膠完全去除區(qū)域在柵絕緣層上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，使柵絕緣層上形成第一孔狀結(jié)構(gòu)。

請參考圖5-9，其示出了圖5-1所示實施例提供的一種依次對光刻膠完全去除區(qū)域G14在源漏極材質(zhì)層124A上的對應(yīng)區(qū)域，以及光刻膠完全去除區(qū)域G14在柵絕緣層123上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖5-9，在刻蝕之后，柵絕緣層123上形成第一孔狀結(jié)構(gòu)K1。

可選地，可以采用一次刻蝕工藝對光刻膠完全去除區(qū)域G14在源漏極材質(zhì)層124A上的對應(yīng)區(qū)域以及光刻膠完全去除區(qū)域G14在柵絕緣層123上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，也可以采用兩次刻蝕工藝對光刻膠完全去除區(qū)域G14在源漏極材質(zhì)層124A上的對應(yīng)區(qū)域以及光刻膠完全去除區(qū)域G14在柵絕緣層123上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕。在采用一次刻蝕工藝刻蝕時，可以采用干法刻蝕對源漏極材質(zhì)層124A以及柵絕緣層123進(jìn)行刻蝕，在采用兩次可以工藝時，可以先采用濕法刻蝕對光刻膠完全去除區(qū)域G14在源漏極材質(zhì)層124A上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，之后采用干法刻蝕對光刻膠完全去除區(qū)域G14在柵絕緣層123上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，本發(fā)明實施例在此不再贅述。

需要說明的是，本發(fā)明實施例中，柵絕緣層123上除第一孔狀結(jié)構(gòu)K1外，還可能具有其他孔狀結(jié)構(gòu)(例如圖3中的第三孔狀結(jié)構(gòu)K3)，因此，在形成第一孔狀結(jié)構(gòu)K1的同時，還可以形成其他孔狀結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實施例對此不作限定。

步驟504、采用灰化工藝對光刻膠圖形進(jìn)行處理，使第一光刻膠區(qū)域的光刻膠完全去除，第二光刻膠區(qū)域的光刻膠和第三光刻膠區(qū)域的光刻膠的厚度減小。

請參考圖5-10，其示出的是圖5-1所示實施例提供的一種采用灰化工藝對光刻膠圖形G1進(jìn)行處理后的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖5-10，采用灰化工藝對光刻膠圖形G1進(jìn)行處理后，第一光刻膠區(qū)域G11的光刻膠完全去除，第二光刻膠區(qū)域G12的光刻膠和第三光刻膠區(qū)域G13的光刻膠的厚度減小。其中，灰化是指利用O₂(中文：氧氣)以及SF₆(中文：六氟化硫氣體)等氣體在合適的壓強(qiáng)以及功率條件下，對光刻膠表面進(jìn)行轟擊，利用O₂等和光刻膠反應(yīng)，將光刻膠較薄的區(qū)域去除?？蛇x地，可以采用至少兩種氣體，在預(yù)設(shè)灰化功率、預(yù)設(shè)氣體壓力、預(yù)設(shè)灰化速率下，對光刻膠圖形G1灰化預(yù)設(shè)時長，使第一光刻膠區(qū)域G11的光刻膠完全去除，第二光刻膠區(qū)域G12的光刻膠和第三光刻膠區(qū)域G13的光刻膠的厚度減小。其中，至少兩種氣體、預(yù)設(shè)灰化功率、預(yù)設(shè)氣體壓力、預(yù)設(shè)灰化速率、預(yù)設(shè)時長可以根據(jù)實際需要設(shè)置，本發(fā)明實施例對此不作限定。

步驟505、對第一光刻膠區(qū)域在源漏極材質(zhì)層上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，得到初始源漏極層。

請參考圖5-11，其示出的是圖5-1所示實施例提供的一種對第一光刻膠區(qū)域G11在源漏極材質(zhì)層124A上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖5-11，對第一光刻膠區(qū)域G11在源漏極材質(zhì)層124A上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕后可以得到初始源漏極層124B?？蛇x地，可以采用濕法刻蝕工藝對第一光刻膠區(qū)域G11在源漏極材質(zhì)層124A上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，具體的刻蝕過程可以參考相關(guān)技術(shù)，本發(fā)明實施例在此不再贅述。

步驟506、采用灰化工藝對灰化后的光刻膠圖形再次進(jìn)行處理，使第二光刻膠區(qū)域的光刻膠完全去除，第三光刻膠區(qū)域的光刻膠的厚度減小。

請參考圖5-12，其示出的是圖5-1所示實施例提供的一種采用灰化工藝對灰化后的光刻膠圖形G1再次進(jìn)行處理后的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖5-12，對光刻膠圖形G1再次灰化之后，第二光刻膠區(qū)域G12的光刻膠完全去除，第三光刻膠區(qū)域G13的光刻膠的厚度減小。其中，采用灰化工藝對灰化后的光刻膠圖形再次進(jìn)行處理的過程可以參考步驟504，本發(fā)明實施例在此不再贅述。

步驟507、依次對第二光刻膠區(qū)域在初始源漏極層上的對應(yīng)區(qū)域，以及第二光刻膠區(qū)域在初始有源層上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，得到源漏極層和有源層。

請參考圖5-13，其示出的是圖5-1所示實施例提供的一種對第二光刻膠區(qū)域G12在初始源漏極層124B上的對應(yīng)區(qū)域，以及第二光刻膠區(qū)域G12在初始有源層127A上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，得到源漏極層124和有源層127后的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖5-13，源漏極層124包括源極1241和漏極1242，源極1241和漏極1242不接觸，且源極1241和漏極1242分別與有源層127接觸。其中，具體的刻蝕過程可以參考相關(guān)技術(shù)，本發(fā)明實施例在此不再贅述。

步驟508、剝離第三光刻膠區(qū)域的光刻膠。

請參考圖5-14，其示出的是圖5-1所示實施例提供的一種剝離第三光刻膠區(qū)域G13的光刻膠后的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，可以采用光刻膠剝離工藝剝離第三光刻膠區(qū)域G13的光刻膠，具體的剝離過程可以參考相關(guān)技術(shù)，這里不再贅述。

步驟509、在形成有源漏極層的襯底基板上形成鈍化層，鈍化層部分位于第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)。

請參考圖5-15，其示出的是圖5-1所示實施例提供的一種形成有源漏極層124的襯底基板11上形成鈍化層125后的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，該鈍化層125可以采用SiO₂、SiN₃(中文：三氮化硅)、氮化硅或者樹脂等材料制造而成，鈍化層125的厚度可以根據(jù)實際需要設(shè)置，本發(fā)明實施例對此不作限定。在本發(fā)明實施例中，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或者PECVD等方法在形成有源漏極層124的襯底基板11上沉積一層具有一定厚度的SiO₂材料得到鈍化層125。

步驟510、通過一次構(gòu)圖工藝在鈍化層上形成第二孔狀結(jié)構(gòu)和漏極過孔，第二孔狀結(jié)構(gòu)位于第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)，漏極過孔位于第一孔狀結(jié)構(gòu)外，且第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不接觸。

請參考圖5-16，其示出的是圖5-1所示實施例提供的一種在鈍化層125上形成第二孔狀結(jié)構(gòu)K2和漏極過孔K后的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖5-16，第二孔狀結(jié)構(gòu)K2位于第一孔狀結(jié)構(gòu)(圖5-16中未標(biāo)出)內(nèi)，且第二孔狀結(jié)構(gòu)K2的側(cè)壁與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不接觸，漏極過孔K位于第一孔狀結(jié)構(gòu)外。其中，可以通過一次構(gòu)圖工藝在鈍化層125上形成第二孔狀結(jié)構(gòu)K2和漏極過孔K，一次構(gòu)圖工藝包括：光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離，因此，通過一次構(gòu)圖工藝在鈍化層125上形成第二孔狀結(jié)構(gòu)K2和漏極過孔K可以包括：在鈍化層125上涂覆一層具有一定厚度的光刻膠形成光刻膠層，采用掩膜版(并未圖4所示的掩膜版)對光刻膠層進(jìn)行曝光，使得光刻膠層形成完全曝光區(qū)域和非曝光區(qū)域，之后采用顯影工藝處理，使完全曝光區(qū)域的光刻膠被完全去除，非曝光區(qū)域的光刻膠全部保留，采用刻蝕工藝對鈍化層125上完全曝光區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，之后剝離非曝光區(qū)域的光刻膠，鈍化層125上完全曝光區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域形成第二孔狀結(jié)構(gòu)K2和漏極過孔K。

需要說明的是，本發(fā)明實施例中，鈍化層125上除第二孔狀結(jié)構(gòu)K2外，還可能具有其他孔狀結(jié)構(gòu)(例如圖3中的第四孔狀結(jié)構(gòu)K4)，因此，在形成第二孔狀結(jié)構(gòu)K2的同時，還可以形成其他孔狀結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實施例對此不作限定。

步驟511、在形成有鈍化層的襯底基板上形成像素連接線，像素連接線通過第二孔狀結(jié)構(gòu)和漏極過孔，將像素電極與漏極連接。

其中，在形成有鈍化層125的襯底基板11上形成像素連接線126后的結(jié)構(gòu)示意圖可以參考圖2，參見圖2，像素連接線126通過第二孔狀結(jié)構(gòu)K2和漏極過孔K，將像素電極126與漏極1242連接。其中，像素連接線126可以采用ITO材料或者IZO材料制造而成，像素連接線126的厚度的可以根據(jù)實際需要設(shè)置，本發(fā)明實施例對此不作限定。

示例地，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或者PECVD等方法在形成有鈍化層125的襯底基板11上沉積一層具有一定厚度的ITO材料得到ITO材質(zhì)層，然后通過一次構(gòu)圖工藝對ITO材質(zhì)層進(jìn)行處理得到像素連接線126。

需要說明的是，實際應(yīng)用中，陣列基板上還具有其他連接線(例如圖3中的公共連接線129)，該其他連接線與像素連接線126可以位于同一層，且可以采用同樣的材料制造，因此，在形成像素連接線126的同時，還可以形成其他連接線，本發(fā)明實施例對此不作限定。

需要說明的是，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法步驟的先后順序可以進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整，步驟也可以根據(jù)情況進(jìn)行相應(yīng)增減，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化的方法，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)，因此不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法，由于第二孔狀結(jié)構(gòu)設(shè)置在鈍化層位于第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)的部分上，且第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不接觸，像素連接線通過第二孔狀結(jié)構(gòu)和漏極過孔將像素電極與漏極連接，因此，可以避免像素連接線同時與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁接觸，從而避免像素連接線發(fā)生斷裂，解決了顯示裝置容易出現(xiàn)暗線不良的問題，達(dá)到了避免顯示裝置出現(xiàn)暗線不良的效果。

本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法，通過掩膜版的設(shè)計以及源漏極層工藝的變動實現(xiàn)在柵絕緣層上進(jìn)行過孔刻蝕，從而避免像素連接線需要穿過柵絕緣層及鈍化層兩層的情況，避免顯示裝置出現(xiàn)暗線不良。

本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法，由于像素連接線只需要穿過一層孔狀結(jié)構(gòu)就可以將像素電極與TFT的漏極連接，避免了雙層孔狀結(jié)構(gòu)造成的像素連接線斷線情況，且孔狀結(jié)構(gòu)分成兩次形成，可以消除兩層過孔的交界處缺口的風(fēng)險，并且可以保證鈍化層過孔刻蝕的均一性，過孔控制可以更加精細(xì)。本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法，無需增加掩膜版數(shù)量，不會對生產(chǎn)成本造成影響，且該陣列基板的制造方法簡單易行，具有普及性，易運(yùn)用于實際生產(chǎn)之中。

請參考圖6-1，其示出了本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的制造方法的方法流程圖，該陣列基板的制造方法可以用于制造圖2或圖3所示的陣列基板1，本發(fā)明實施例以制造圖2所示的陣列基板1為例進(jìn)行說明。參見圖6-1，該陣列基板的制造方法包括：

步驟601、在襯底基板上依次形成像素電極、柵極和柵絕緣層。

其中，在襯底基板11上依次形成像素電極121、柵極122和柵絕緣層123后的結(jié)構(gòu)示意圖可以參考圖5-2至圖5-4，像素電極121、柵極122和柵絕緣層123的具體形成過程可以參考圖5-1所示實施例中的步驟501，在此不再贅述。

步驟602、通過一次構(gòu)圖工藝在柵絕緣層上形成第一孔狀結(jié)構(gòu)。

示例地，請參考圖6-2，其示的是圖6-1所示實施例提供的一種通過一次構(gòu)圖工藝在柵絕緣層123上形成第一孔狀結(jié)構(gòu)K1后的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖6-2，形成第一孔狀結(jié)構(gòu)K1后，像素電極121通過第一孔狀結(jié)構(gòu)K1部分裸露。其中，一次構(gòu)圖工藝包括：光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離，因此，通過一次構(gòu)圖工藝在柵絕緣層123上形成第一孔狀結(jié)構(gòu)K1可以包括：在柵絕緣層123上涂覆一層具有一定厚度的光刻膠形成光刻膠層，采用掩膜版對光刻膠層進(jìn)行曝光，使得光刻膠層形成完全曝光區(qū)域和非曝光區(qū)域，之后采用顯影工藝處理，使完全曝光區(qū)域的光刻膠被完全去除，非曝光區(qū)域的光刻膠全部保留，采用刻蝕工藝對柵絕緣層123上完全曝光區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，之后剝離非曝光區(qū)域的光刻膠，柵絕緣層123上完全曝光區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域形成第一孔狀結(jié)構(gòu)K1。需要說明的是，本發(fā)明實施例中，柵絕緣層123上除第一孔狀結(jié)構(gòu)K1外，還可能具有其他孔狀結(jié)構(gòu)(如圖3中的第三孔狀結(jié)構(gòu)K3)，因此在形成第一孔狀結(jié)構(gòu)K1的同時，還可以形成其他孔狀結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實施例對此不作限定。

步驟603、在形成有柵絕緣層的襯底基板上形成有源層，有源層在襯底基板上的正投影與柵極在襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域。

示例地，請參考圖6-3，其示的是圖6-1所示實施例提供的一種在形成有柵絕緣層123的襯底基板11上形成有源層127后的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖6-3，有源層127在襯底基板11上的正投影與柵極122在襯底基板11上的正投影存在重疊區(qū)域。其中，有源層127可以采用非晶硅、多晶硅、IGZO等材料形成，且有源層127的厚度可以根據(jù)實際需要設(shè)置。示例地，可以采用涂覆、磁控濺射、熱蒸發(fā)或者PECVD等方法在形成有柵絕緣層123的襯底基板11上沉積一層具有一定厚度的非晶硅形成非晶硅材質(zhì)層，然后通過一次構(gòu)圖工藝對非晶硅材質(zhì)層進(jìn)行處理后形成有源層127，本發(fā)明實施例對此不作限定。

步驟604、在形成有有源層的襯底基板上依次形成源漏極層和鈍化層，鈍化層部分位于第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)，源漏極層包括源極和漏極，源極和漏極分別與有源層接觸。

其中，在形成有有源層127的襯底基板11上依次形成源漏極層124和鈍化層125后的結(jié)構(gòu)示意圖可以參考圖5-14和圖5-15。在本發(fā)明實施例中，可以先在形成有有源層127的襯底基板11上形成源漏極材質(zhì)層，然后通過一次構(gòu)圖工藝對源漏極材質(zhì)層進(jìn)行處理得到源漏極層124；之后，在形成有源漏極層124的襯底基板11上形成鈍化層125，在形成有源漏極層124的襯底基板11上形成鈍化層125的具體實現(xiàn)過程可以參考圖5-1所示實施例中的步驟509，這里不再贅述。

步驟605、通過一次構(gòu)圖工藝在鈍化層上形成第二孔狀結(jié)構(gòu)和漏極過孔，第二孔狀結(jié)構(gòu)位于第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)，漏極過孔位于第一孔狀結(jié)構(gòu)外，且第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不接觸。

其中，通過一次構(gòu)圖工藝在鈍化層125上形成第二孔狀結(jié)構(gòu)K2和漏極過孔K后的結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖5-16所示，該步驟605的具體實現(xiàn)過程可以參考圖5-1所示實施例中的步驟510，這里不再贅述。

步驟606、在形成有鈍化層的襯底基板上形成像素連接線，像素連接線通過第二孔狀結(jié)構(gòu)和漏極過孔，將像素電極與漏極連接。

其中，在形成有鈍化層125的襯底基板11上形成像素連接線126后的結(jié)構(gòu)示意圖可以參考圖2，該步驟606的具體實現(xiàn)過程可以參考圖5-1所示實施例中的步驟511，這里不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法，由于第二孔狀結(jié)構(gòu)設(shè)置在鈍化層位于第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)的部分上，且第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不接觸，像素連接線通過第二孔狀結(jié)構(gòu)和漏極過孔將像素電極與漏極連接，因此，可以避免像素連接線同時與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁接觸，從而避免像素連接線發(fā)生斷裂，解決了顯示裝置容易出現(xiàn)暗線不良的問題，達(dá)到了避免顯示裝置出現(xiàn)暗線不良的效果。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括圖2或圖3所示的陣列基板1，該顯示裝置可以為：液晶面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的顯示裝置，由于第二孔狀結(jié)構(gòu)設(shè)置在鈍化層位于第一孔狀結(jié)構(gòu)內(nèi)的部分上，且第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不接觸，像素連接線通過第二孔狀結(jié)構(gòu)和漏極過孔將像素電極與漏極連接，因此，可以避免像素連接線同時與第一孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和第二孔狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁接觸，從而避免像素連接線發(fā)生斷裂，解決了顯示裝置容易出現(xiàn)暗線不良的問題，達(dá)到了避免顯示裝置出現(xiàn)暗線不良的效果。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分步驟可以通過硬件來完成，也可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中，上述提到的存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。